MOOC 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-武漢理工大學(xué) 中國大學(xué)慕課答案

MOOC模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-武漢理工大學(xué)中國大學(xué)慕課答案隨堂測驗(yàn)_放大電路的基本模型1、問題：放大電路的互阻放大基本模型中受控源的類型是（）。選項(xiàng)：A、受電壓控制電流源B、受電壓控制電壓源C、受電流控制電壓源D、受電流控制電流源正確答案:【受電流控制電壓源】2、問題：我們在考察一個(gè)電壓/電流變換電路的工作性能時(shí)，宜選用（）模型進(jìn)行等效分析。選項(xiàng)：A、電壓放大B、電流放大模型C、互阻放大D、互導(dǎo)放大正確答案:【互導(dǎo)放大】3、問題：放大電路的基本模型包括以下要素：選項(xiàng)：A、放大電路的輸入與輸出電阻B、放大電路的負(fù)載C、放大電路的輸入信號D、放大電路的增益正確答案:【放大電路的輸入與輸出電阻#放大電路的增益】4、問題：電壓放大電路也可以有電流放大能力。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】5、問題：放大電路只能選取四種基本模型中的一種來等效。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、填空題：放大電路是個(gè)二端口網(wǎng)絡(luò)，其輸入端口等效為一個(gè)（），輸出端口則等效為帶有信號源內(nèi)阻的信號源。正確答案:【電阻】隨堂小測驗(yàn)_放大電路性能指標(biāo)1、問題：研究放大電路的電壓放大能力時(shí)，宜采用（）模型。選項(xiàng)：A、電壓放大B、電流放大C、互阻放大D、互導(dǎo)放大正確答案:【電壓放大】2、問題：以下關(guān)于電流放大電路性能正確的說法是（）。選項(xiàng)：A、放大電路要有好的電流放大性能，不僅對短路電流增益有要求，還要有盡可能大的輸入電阻與輸出電阻。B、放大電路要有好的電流放大性能，不僅對短路電流增益有要求，還要有盡可能小的輸入電阻與輸出電阻。C、放大電路要有好的電流放大性能，不僅對短路電流增益有要求，還要有盡可能大的輸入電阻與盡可能小的輸出電阻。D、放大電路要有好的電流放大性能，不僅對短路電流增益有要求，還要有盡可能小的輸入電阻與盡可能大的輸出電阻。正確答案:【放大電路要有好的電流放大性能，不僅對短路電流增益有要求，還要有盡可能小的輸入電阻與盡可能大的輸出電阻?！?、問題：以下各項(xiàng)指標(biāo)參數(shù)中，（）是放大電路本身的性能指標(biāo)。選項(xiàng)：A、放大電路的增益B、放大電路的負(fù)載電阻C、放大電路的頻帶寬度D、放大電路的非線性失真正確答案:【放大電路的增益#放大電路的頻帶寬度#放大電路的非線性失真】4、問題：互阻放大電路只要有足夠大的開路互阻增益，就能夠?qū)⑤斎腚娏餍盘栍行мD(zhuǎn)變較為電壓信號穩(wěn)定輸出。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、填空題：互導(dǎo)放大模型中的增益代表放大電路的（）路輸出電流與輸入電壓的比。正確答案:【短】6、填空題：互阻放大模型中的增益代表放大電路的（）路輸出電壓與輸入電流的比。正確答案:【開##%_YZPRLFH_%##斷】隨堂測驗(yàn)_半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識1、問題：具有純凈的無缺陷的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為（）。選項(xiàng)：A、雜質(zhì)半導(dǎo)體B、空穴型半導(dǎo)體C、本征半導(dǎo)體D、N型半導(dǎo)體正確答案:【本征半導(dǎo)體】2、問題：為了在較大范圍內(nèi)改善半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力，可以（）。選項(xiàng)：A、提高環(huán)境溫度B、摻入特定雜質(zhì)元素C、加強(qiáng)光照D、增加半導(dǎo)體材料橫截面積正確答案:【摻入特定雜質(zhì)元素】3、問題：向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入三價(jià)元素產(chǎn)生的雜質(zhì)半導(dǎo)體，（）。選項(xiàng)：A、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為空穴B、因?yàn)槎嘧訛榭昭ǎw帶正電C、整體呈電中性D、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為自由電子正確答案:【內(nèi)部多數(shù)載流子類型為空穴#整體呈電中性】4、問題：向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入五價(jià)元素產(chǎn)生的雜質(zhì)半導(dǎo)體，（）。選項(xiàng)：A、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為自由電子B、外加電場作用下，多子與少子的漂移電流方向相反C、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為空穴D、外加電場作用下，多子與少子的漂移電流方向一致正確答案:【內(nèi)部多數(shù)載流子類型為自由電子#外加電場作用下，多子與少子的漂移電流方向一致】5、問題：在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，少數(shù)載流子的濃度主要和（）有很大關(guān)系。選項(xiàng)：A、光照B、溫度C、摻雜類型與濃度D、熱輻射正確答案:【光照#溫度#熱輻射】6、問題：雜質(zhì)半導(dǎo)體內(nèi)部多數(shù)載流子為摻入的雜質(zhì)，少數(shù)載流子為本征激發(fā)產(chǎn)生的電子與空穴。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：本征半導(dǎo)體的本征激發(fā)使得自由電子與空穴成對出現(xiàn)，而復(fù)合又使得自由電子與空穴成對消失，所以整體而言，本征半導(dǎo)體內(nèi)部無可以參與導(dǎo)電的載流子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：由于P型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子，N型半導(dǎo)體中含有大量自由電子載流子，所以P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：本征激發(fā)過程中，當(dāng)激發(fā)與復(fù)合處于動態(tài)平衡時(shí)，兩種作用相互抵消，激發(fā)與復(fù)合停止。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、填空題：外電場作用下，半導(dǎo)體材料內(nèi)部空穴的順電場漂移運(yùn)動實(shí)際上是臨近共價(jià)鍵中的（）逆電場漂移運(yùn)動。正確答案:【束縛電子##%_YZPRLFH_%##價(jià)電子】11、填空題：在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（）。正確答案:【摻雜濃度##%_YZPRLFH_%##摻雜度##%_YZPRLFH_%##摻入雜質(zhì)的數(shù)量】隨堂測驗(yàn)_PN結(jié)的形成與特性1、問題：在平衡的PN結(jié)兩端外加反偏電壓，會（）。選項(xiàng)：A、使空間電荷區(qū)變厚B、抑制漂移，促進(jìn)擴(kuò)散C、使反向飽和電流增大D、使反向飽和電流減小正確答案:【使空間電荷區(qū)變厚】2、問題：平衡的PN結(jié)又稱為（）。選項(xiàng)：A、空間電荷區(qū)B、勢壘區(qū)C、耗盡層D、擴(kuò)散漂移區(qū)正確答案:【空間電荷區(qū)#勢壘區(qū)#耗盡層】3、問題：PN結(jié)的特性主要有（）。選項(xiàng)：A、單向?qū)щ娦訠、反向擊穿特性C、電容特性D、低電壓穩(wěn)壓特性正確答案:【單向?qū)щ娦?反向擊穿特性#電容特性#低電壓穩(wěn)壓特性】4、問題：溫度升高時(shí)，PN結(jié)的反向飽和電流將減小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：平衡的PN結(jié)在無外加電場時(shí)，結(jié)電流為0。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：擴(kuò)散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即摻雜濃度大，擴(kuò)散電流大；摻雜濃度小，擴(kuò)散電流小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、填空題：在PN結(jié)兩端加上電壓，PN結(jié)內(nèi)就有電荷的變化，說明PN結(jié)具有電容效應(yīng)。其中外加正偏電壓時(shí)，（）電容起主要作用。正確答案:【擴(kuò)散】9、填空題：在PN結(jié)兩端加上電壓，PN結(jié)內(nèi)就有電荷的變化，說明PN結(jié)具有電容效應(yīng)。其中外加反偏電壓時(shí)，（）電容起主要作用。正確答案:【勢壘】隨堂測驗(yàn)_半導(dǎo)體二極管1、問題：PN結(jié)反向偏置電壓的數(shù)值增大，但小于擊穿電壓，（）。選項(xiàng)：A、其反向電流增大B、其反向電流減小C、其反向電流基本不變D、其正向電流相應(yīng)增大正確答案:【其反向電流基本不變】2、問題：二極管加正向電壓時(shí)，其正向電流是由（）。選項(xiàng)：A、多數(shù)載流子擴(kuò)散形成B、多數(shù)載流子漂移形成C、少數(shù)載流子漂移形成D、少數(shù)載流子擴(kuò)散形成正確答案:【多數(shù)載流子擴(kuò)散形成】3、問題：以下關(guān)于半導(dǎo)體二極管說法正確的有（）。選項(xiàng)：A、半導(dǎo)體二極管正偏時(shí)，勢壘區(qū)變窄B、半導(dǎo)體二極管正偏時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，總電流方向與擴(kuò)散電流一致C、常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.1V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.2VD、常溫下，鍺二極管的開啟電壓約為0.5V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.7V正確答案:【半導(dǎo)體二極管正偏時(shí)，勢壘區(qū)變窄#半導(dǎo)體二極管正偏時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，總電流方向與擴(kuò)散電流一致】4、問題：在電路中使用時(shí)，PN結(jié)反向應(yīng)用的特殊二極管有（）。選項(xiàng)：A、發(fā)光二極管B、光電二極管C、穩(wěn)壓二極管D、變?nèi)荻O管正確答案:【光電二極管#穩(wěn)壓二極管#變?nèi)荻O管】5、問題：因?yàn)槠胀ü瓒O管的伏安特性，將1.5V的干電池以正向接發(fā)接到二極管兩端，就可以讓管子正常導(dǎo)通。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、問題：有A、B兩個(gè)二極管，它們的反向飽和電流分別為5毫安和0.2微安，在外加相同正向電壓時(shí)的電流分別為20毫安和8毫安?？梢夿管的性能較好。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】7、填空題：溫度對二極管的正向特性影響小，對其反向特性影響大，主要時(shí)因?yàn)椋ǎ舛仁軠囟扔绊戄^大。正確答案:【少子##%_YZPRLFH_%##少數(shù)載流子】8、填空題：二極管的反向飽和電流在20攝氏度時(shí)時(shí)5微安，溫度每升高10攝氏度，其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為50攝氏度時(shí)，反向飽和電流值為（）微安。正確答案:【40】隨堂測驗(yàn)_二極管基本電路及其分析方法1、問題：二極管整流電路利用的是二極管的（）特性。選項(xiàng)：A、反向擊穿特性B、電容效應(yīng)C、單向?qū)щ娦訢、本征激發(fā)特性正確答案:【單向?qū)щ娦浴?、問題：以下二極管的簡化模型中可用于估算二極管電路靜態(tài)工作點(diǎn)的有（）。選項(xiàng)：A、小信號模型B、理想模型C、折線模型D、恒壓降模型正確答案:【理想模型#折線模型#恒壓降模型】3、問題：普通二極管可用于（）。選項(xiàng)：A、整流B、限幅C、低電壓穩(wěn)壓D、繼電器續(xù)流正確答案:【整流#限幅#低電壓穩(wěn)壓#繼電器續(xù)流】4、問題：正向?qū)ǖ亩O管交流電阻大于直流電阻。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：二極管的理想模型只有對開關(guān)電路等進(jìn)行定性分析的時(shí)候才適用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、填空題：對二極管電路的靜態(tài)分析與動態(tài)分析遵循（）原則。正確答案:【先靜后動##%_YZPRLFH_%##先“靜”后“動”】7、填空題：在已知電路靜態(tài)工作點(diǎn)的前提下，二極管的小信號模型可用于對二極管電路做（）分析，正確答案:【動態(tài)##%_YZPRLFH_%##交流】隨堂測驗(yàn)_穩(wěn)壓二極管1、問題：穩(wěn)壓二極管是利用PN結(jié)的（）。選項(xiàng)：A、反向截止特性B、單向?qū)щ娞匦訡、反向擊穿特性D、電容特性正確答案:【反向擊穿特性】2、問題：以下說法錯(cuò)誤的是（）。選項(xiàng)：A、電擊穿包括齊納擊穿和雪崩擊穿兩種，只要反向電流控制在一定范圍內(nèi)，是可以逆轉(zhuǎn)的。B、穩(wěn)壓二極管在正常工作時(shí)外加反偏電壓，所以無需串聯(lián)限流電阻。C、齊納擊穿的本質(zhì)是場致電離，對電場強(qiáng)度的要求很高D、雪崩擊穿的本質(zhì)是碰撞電離，要求少子在電場中漂移過程中能夠獲得足夠大的動能正確答案:【穩(wěn)壓二極管在正常工作時(shí)外加反偏電壓，所以無需串聯(lián)限流電阻?！?、問題：以下（）是在選用和使用穩(wěn)壓二極管時(shí)需要重點(diǎn)考慮的參數(shù)。選項(xiàng)：A、正向管壓降B、最大反向工作電流C、額定功耗或最大耗散功率D、標(biāo)稱穩(wěn)定電壓正確答案:【最大反向工作電流#額定功耗或最大耗散功率#標(biāo)稱穩(wěn)定電壓】4、問題：有兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓分別為5V和8V，正向?qū)ü軌航禐?.7V.若將它們串聯(lián)相接，穩(wěn)壓值（）得不到。選項(xiàng)：A、13V、1.4VB、4.3V、7.3VC、8.7V、5.7VD、5.3V、8.7V正確答案:【4.3V、7.3V#5.3V、8.7V】5、問題：有兩只穩(wěn)壓管，穩(wěn)定電壓分別為5V和8V，正向?qū)ü軌航禐?.7V。若將它們并聯(lián)相接，可得到（）幾種穩(wěn)壓值。選項(xiàng)：A、5VB、0.7VC、8VD、8.7V正確答案:【5V#0.7V】6、問題：穩(wěn)壓二極管只有在反向偏置時(shí)才能起到穩(wěn)壓作用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：在正常工作范圍內(nèi)，穩(wěn)壓二極管的反向電流越大，動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】8、填空題：反映穩(wěn)壓二極管反向擊穿特性的折現(xiàn)模型中，電阻反映的是穩(wěn)壓二極管反向電流與反向電壓（）的比。正確答案:【變化量##%_YZPRLFH_%##變化##%_YZPRLFH_%##變化值】第2章_半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識及二極管_單元測驗(yàn)1、問題：為了在較大范圍內(nèi)改善半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電能力，可以（）。選項(xiàng)：A、提高環(huán)境溫度B、摻入特定雜質(zhì)元素C、加強(qiáng)光照D、增加半導(dǎo)體材料橫截面積E、加強(qiáng)外電場F、以特殊工藝向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入微量三價(jià)或五價(jià)元素正確答案:【摻入特定雜質(zhì)元素#以特殊工藝向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入微量三價(jià)或五價(jià)元素】2、問題：在平衡的PN結(jié)兩端外加反偏電壓，會（）。選項(xiàng)：A、使空間電荷區(qū)變厚B、抑制漂移，促進(jìn)擴(kuò)散C、使反向飽和電流增大D、使反向飽和電流減小E、使勢壘變高F、只要不被擊穿，反向電流會隨著反向電壓的增大達(dá)到飽和值而基本維持不變G、抑制擴(kuò)散，促進(jìn)漂移正確答案:【使空間電荷區(qū)變厚#使勢壘變高#只要不被擊穿，反向電流會隨著反向電壓的增大達(dá)到飽和值而基本維持不變#抑制擴(kuò)散，促進(jìn)漂移】3、問題：二極管兩端外加正偏電壓時(shí)，其正向電流是由（）。選項(xiàng)：A、多數(shù)載流子擴(kuò)散形成B、多數(shù)載流子漂移形成C、少數(shù)載流子漂移形成D、少數(shù)載流子擴(kuò)散形成正確答案:【多數(shù)載流子擴(kuò)散形成】4、問題：二極管整流電路利用的是二極管的（）特性。選項(xiàng)：A、反向擊穿特性B、電容效應(yīng)C、單向?qū)щ娦訢、本征激發(fā)特性E、摻雜特性F、正向?qū)?、反向截止的特性G、正向?qū)?、反向擊穿的特性H、開關(guān)特性正確答案:【單向?qū)щ娦?正向?qū)?、反向截止的特?開關(guān)特性】5、問題：以下說法錯(cuò)誤的是（）。選項(xiàng)：A、電擊穿包括齊納擊穿和雪崩擊穿兩種，只要反向電流控制在一定范圍內(nèi)，是可以逆轉(zhuǎn)的。B、穩(wěn)壓二極管在正常工作時(shí)外加反偏電壓，所以無需串聯(lián)限流電阻。C、齊納擊穿的本質(zhì)是場致電離，對電場強(qiáng)度的要求很高D、雪崩擊穿的本質(zhì)是碰撞電離，要求少子在電場中漂移過程中能夠獲得足夠大的動能正確答案:【穩(wěn)壓二極管在正常工作時(shí)外加反偏電壓，所以無需串聯(lián)限流電阻?！?、問題：二極管的反向飽和電流在20攝氏度時(shí)是5微安，溫度每升高10攝氏度，其反向飽和電流增大一倍，當(dāng)溫度為50攝氏度時(shí)，反向飽和電流值為（）微安。選項(xiàng)：A、20B、30C、40D、50正確答案:【40】7、問題：反映穩(wěn)壓二極管反向擊穿特性的折線模型中，電阻反映的是穩(wěn)壓二極管反向電流與（）的比。選項(xiàng)：A、反向電壓在一定范圍內(nèi)變化量B、反向電壓C、正向電流在一定范圍內(nèi)變化量D、正向?qū)妷赫_答案:【反向電壓在一定范圍內(nèi)變化量】8、問題：向本征半導(dǎo)體內(nèi)摻入五價(jià)元素產(chǎn)生的雜質(zhì)半導(dǎo)體，（）。選項(xiàng)：A、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為自由電子B、外加電場作用下，多子的漂移電流與少子的漂移電流方向相反C、內(nèi)部多數(shù)載流子類型為空穴D、外加電場作用下，多子的漂移電流與少子的漂移電流方向一致E、若失去產(chǎn)生的多子自由電子，雜質(zhì)元素生成帶正電的施主離子F、若失去產(chǎn)生的多子空穴，雜質(zhì)元素生成帶負(fù)電的受主離子正確答案:【內(nèi)部多數(shù)載流子類型為自由電子#外加電場作用下，多子的漂移電流與少子的漂移電流方向一致#若失去產(chǎn)生的多子自由電子，雜質(zhì)元素生成帶正電的施主離子】9、問題：PN結(jié)的特性主要有（）。選項(xiàng)：A、單向?qū)щ娦訠、反向擊穿特性C、電容特性D、低電壓穩(wěn)壓特性E、本征激發(fā)特性F、摻雜特性正確答案:【單向?qū)щ娦?反向擊穿特性#電容特性#低電壓穩(wěn)壓特性】10、問題：以下關(guān)于半導(dǎo)體二極管說法正確的有（）。選項(xiàng)：A、半導(dǎo)體二極管外施正偏電壓時(shí)，勢壘區(qū)變窄B、半導(dǎo)體二極管正向偏置時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，總電流方向與擴(kuò)散電流一致C、常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.1V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.2VD、常溫下，鍺二極管的開啟電壓約為0.1V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.2VE、常溫下，鍺二極管的開啟電壓約為0.5V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.7VF、常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.7V正確答案:【半導(dǎo)體二極管外施正偏電壓時(shí)，勢壘區(qū)變窄#半導(dǎo)體二極管正向偏置時(shí)，擴(kuò)散電流大于漂移電流，總電流方向與擴(kuò)散電流一致#常溫下，鍺二極管的開啟電壓約為0.1V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.2V#常溫下，硅二極管的開啟電壓約為0.5V，正向?qū)ǖ墓軌航导s為0.7V】11、問題：以下二極管的簡化模型中可用于估算二極管電路靜態(tài)工作點(diǎn)的有（）。選項(xiàng)：A、小信號模型B、理想模型C、折線模型D、恒壓降模型E、電壓放大模型F、電流放大模型G、互阻放大模型H、互導(dǎo)放大模型正確答案:【理想模型#折線模型#恒壓降模型】12、問題：以下（）是在選用和使用穩(wěn)壓二極管時(shí)需要重點(diǎn)考慮的參數(shù)。選項(xiàng)：A、正向管壓降B、最大反向工作電流C、額定功耗或最大耗散功率D、標(biāo)稱穩(wěn)定電壓E、最小反向工作電流F、反向擊穿時(shí)的動態(tài)電阻G、正向開啟電壓正確答案:【最大反向工作電流#額定功耗或最大耗散功率#標(biāo)稱穩(wěn)定電壓#最小反向工作電流#反向擊穿時(shí)的動態(tài)電阻】13、問題：平衡的PN結(jié)又稱（）。選項(xiàng)：A、阻擋層B、耗盡層C、空間電荷區(qū)D、二極管E、勢壘F、導(dǎo)電溝道正確答案:【阻擋層#耗盡層#空間電荷區(qū)#勢壘】14、問題：本征半導(dǎo)體的本征激發(fā)使得自由電子與空穴成對出現(xiàn)，而復(fù)合又使得自由電子與空穴成對消失，所以整體而言，本征半導(dǎo)體內(nèi)部無可以參與導(dǎo)電的載流子。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】15、問題：擴(kuò)散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的，即摻雜濃度大，擴(kuò)散電流大；摻雜濃度小，擴(kuò)散電流小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】16、問題：根據(jù)普通硅二極管的伏安特性，將1.5V的干電池以正偏方向接到二極管兩端，就可以讓管子正常工作。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】17、問題：二極管的理想模型只有對開關(guān)電路等進(jìn)行定性分析的時(shí)候才適用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】18、問題：穩(wěn)壓二極管的反向電流越大，動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】19、問題：外電場作用下，半導(dǎo)體材料內(nèi)部空穴的順電場漂移運(yùn)動實(shí)際上是臨近共價(jià)鍵中的束縛電子的逆電場漂移運(yùn)動。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】20、問題：在PN結(jié)兩端加上電壓，PN結(jié)內(nèi)就有電荷的變化，說明PN結(jié)具有電容效應(yīng)。其中外加反偏電壓時(shí)，擴(kuò)散電容起主要作用。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】21、問題：對二極管電路的靜態(tài)分析與動態(tài)分析遵循先“靜”后“動”原則。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】隨堂測驗(yàn)_MOSFET及其特性1、問題：與BJT相比，場效應(yīng)管（）。選項(xiàng)：A、輸入電阻大B、噪聲低C、溫度穩(wěn)定性好D、放大能力更好正確答案:【輸入電阻大#噪聲低#溫度穩(wěn)定性好】2、問題：場效應(yīng)管與BJT均屬于電壓控制型器件，其中場效應(yīng)管是單極型器件，BJT是雙極型器件。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3、問題：跨導(dǎo)反映了場效應(yīng)管的柵源電壓對漏極電流的控制能力，其單位為mS（毫西門子）。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4、問題：P溝道增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓為正值。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：對于耗盡型MOS管，VGS可以為正、負(fù)或零。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：場效應(yīng)管利用外加電壓產(chǎn)生的電場來控制漏極電流的大小，因此它是電壓控制型器件。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】3_單元測驗(yàn)_MOSFET及其特性1、問題：測得某放大電路中的一個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位，，選項(xiàng)：，其開啟電壓。試分析管子的工作狀態(tài)。A、恒流區(qū)B、截止區(qū)C、可變電阻區(qū)D、飽和區(qū)E、線性區(qū)正確答案:【截止區(qū)】2、問題：測得某放大電路中的一個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其開啟電壓VGS(th)=﹣4V。試分析管子的工作狀態(tài)。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)B、截止區(qū)C、可變電阻區(qū)D、放大區(qū)正確答案:【可變電阻區(qū)】3、問題：當(dāng)工作于飽和區(qū)的場效應(yīng)管，漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí)，它的低頻跨導(dǎo)gm將選項(xiàng)：A、增大B、減小C、不變D、無窮大正確答案:【增大】4、問題：場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖所示，確定這個(gè)場效應(yīng)管的類型，并求其主要參數(shù)（開啟電壓或夾斷電壓）。測試時(shí)電流iD的參考方向?yàn)閺穆OD到源極S。選項(xiàng)：A、增強(qiáng)型PMOS，開啟電壓VTP=﹣2VB、耗盡型PMOS，夾斷電壓VP=﹣2VC、增強(qiáng)型NMOS管，開啟電壓VTP=﹣2VD、耗盡型NMOS，夾斷電壓VTP=﹣10V正確答案:【增強(qiáng)型PMOS，開啟電壓VTP=﹣2V】5、問題：場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖所示，確定這個(gè)場效應(yīng)管的類型，并求其主要參數(shù)（開啟電壓或夾斷電壓）。測試時(shí)電流iD的參考方向?yàn)閺穆OD到源極S。選項(xiàng)：A、耗盡型NMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線，其夾斷電壓VP=﹣4VB、耗盡型PMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線，其夾斷電壓VP=﹣4VC、增強(qiáng)NMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線，其開啟電壓VTN=﹣4VD、增強(qiáng)PMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線，其開啟電壓VTN=﹣4V正確答案:【耗盡型NMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線，其夾斷電壓VP=﹣4V】6、問題：測得某放大電路中的一個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其開啟電壓VGS(th)=4V。試分析管子的工作狀態(tài)。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)B、截止區(qū)C、可變電阻區(qū)D、飽和區(qū)E、線性工作區(qū)正確答案:【恒流區(qū)#飽和區(qū)#線性工作區(qū)】7、問題：已知放大電路中一只MOS三個(gè)極S、G、D的電位分別為4V、8V、12V，管子工作在恒流區(qū)。試判斷它可能是哪種管子選項(xiàng)：A、增強(qiáng)型NMOS管B、增強(qiáng)型PMOS管C、耗盡型NMOS管D、耗盡型PMOS管正確答案:【增強(qiáng)型NMOS管#耗盡型NMOS管】8、問題：若耗盡型N溝道MOS管的選項(xiàng)：大于零，則其輸入電阻會明顯變小。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：MOSFET輸出特性曲線如圖，它是P溝耗盡型MOSFET。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3_單元測驗(yàn)_JFET及其特性1、問題：一個(gè)場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖所示，指出它的類型，讀出它的夾斷電壓以及飽和漏電流選項(xiàng)：。A、N-JFET，夾斷電壓Vp是-4.5V，飽和漏電流IDSS是5.4mAB、P-JFET，夾斷電壓Vp是4.5V，飽和漏電流IDSS是5.4mAC、耗盡型NMOS，夾斷電壓Vp是4.5V，飽和漏電流IDSS是5.4mAD、耗盡型PMOS，夾斷電壓Vp是4.5V，飽和漏電流IDSS是5.4mA正確答案:【N-JFET，夾斷電壓Vp是-4.5V，飽和漏電流IDSS是5.4mA】2、問題：場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖所示，確定這個(gè)場效應(yīng)管的類型，并求其主要參數(shù)（開啟電壓或夾斷電壓）。測試時(shí)電流iD的參考方向?yàn)閺穆OD到源極S。選項(xiàng)：A、耗盡型PMOS管，夾斷電壓VP為2VB、P溝JFET管，夾斷電壓VP為2VC、N溝JFET管，夾斷電壓VP為2VD、增強(qiáng)型NMOS管，開啟電壓為2V正確答案:【耗盡型PMOS管，夾斷電壓VP為2V】3、問題：選項(xiàng)：時(shí)，能夠工作在恒流區(qū)的場效應(yīng)管有A、N-JFETB、P-JFETC、增強(qiáng)型NMOS管D、增強(qiáng)型PMOS管E、耗盡型NMOS管F、耗盡型PMOS管正確答案:【N-JFET#P-JFET#耗盡型NMOS管#耗盡型PMOS管】4、問題：如圖所示各電路中，有可能工作在恒流區(qū)場效應(yīng)管有選項(xiàng)：A、（a）B、（b）C、（c）D、（d）正確答案:【（a）#（d）】5、問題：結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵-源電壓應(yīng)使柵-源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其選項(xiàng)：大的特點(diǎn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】6、問題：一個(gè)場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性如圖所示，它是N溝JFET。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3_單元測試_基本共源極放大電路組成1、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、飽和區(qū)（恒流區(qū)、放大工作區(qū)）B、可變電阻區(qū)C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止區(qū)正確答案:【飽和區(qū)（恒流區(qū)、放大工作區(qū)）】2、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)B、飽和區(qū)（恒流區(qū)、放大工作區(qū)）C、可變電阻區(qū)D、截止區(qū)正確答案:【預(yù)夾斷臨界點(diǎn)】3、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN為增強(qiáng)型MOS管的開啟電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）B、可變電阻區(qū)C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止區(qū)正確答案:【截止區(qū)】4、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN為耗盡型MOS管的夾斷電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）B、可變電阻區(qū)C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止區(qū)正確答案:【恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）】5、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP為增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）B、可變電阻區(qū)C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止區(qū)正確答案:【恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）】6、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP為增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓；試判斷該管工作狀態(tài)選項(xiàng)：A、恒流B、可變電阻C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止正確答案:【截止】7、問題：測量某MOSFET的漏源電壓、柵源電壓值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP為增強(qiáng)型PMOS管的開啟電壓；試判斷該管工作在什么區(qū)域。選項(xiàng)：A、恒流區(qū)（飽和區(qū)、放大工作區(qū)）B、可變電阻區(qū)C、預(yù)夾斷臨界點(diǎn)D、截止區(qū)正確答案:【截止區(qū)】3_單元測試_放大電路的重要概念1、問題：試分析如圖所示電路對正弦波交流信號有無放大能力，直流通路能否安排靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能否保證信號順暢的輸入輸出。選項(xiàng)：A、有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。B、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。C、無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。D、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。正確答案:【無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出?！?、問題：試分析如圖所示電路對正弦波交流信號有無放大能力，直流通路能否安排靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能否保證信號順暢的輸入輸出。選項(xiàng)：A、有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。B、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。C、無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。D、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。正確答案:【有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。】3、問題：試分析如圖所示電路對正弦波交流信號有無放大能力，直流通路能否安排靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能否保證信號順暢的輸入輸出。選項(xiàng)：A、有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。B、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。C、無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。D、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。正確答案:【無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。】4、問題：試分析如圖所示電路對正弦波交流信號有無放大能力，直流通路能否安排靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能否保證信號順暢的輸入輸出。選項(xiàng)：A、有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。B、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。C、無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。D、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。正確答案:【有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。】5、問題：試分析如圖所示電路對正弦波交流信號有無放大能力，直流通路能否安排靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能否保證信號順暢的輸入輸出。選項(xiàng)：A、有放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。B、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出。C、無放大能力，直流通路能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。D、無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路不能保證信號順暢的輸入輸出。正確答案:【無放大能力，直流通路不能保證靜態(tài)工作點(diǎn)在線性放大區(qū)（恒流區(qū)），交流通路能保證信號順暢的輸入輸出?！?_單元測試_共源電路的圖解分析法1、問題：場效應(yīng)管的靜態(tài)工作點(diǎn)由哪些參數(shù)決定選項(xiàng)：A、IBICVCEB、VGSVDSIDC、VGSVDSICD、IBIDVDS正確答案:【VGSVDSID】2、問題：圖解法求解靜態(tài)工作點(diǎn)時(shí)，將電路分為兩個(gè)部分如圖所示。選項(xiàng)：A、電路部分A是線性電路，該電路的伏安特性是直流負(fù)載線方程；電路部分B是線性電路，該電路的伏安特性是輸出特性曲線。B、電路部分A是線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線；電路部分B是非線性電路，該電路的伏安特性是直流負(fù)載線方程。C、電路部分A是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線；電路部分B是線性電路，該電路的伏安特性是直流負(fù)載線方程。D、電路部分A是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是直流負(fù)載線方程；電路部分B是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線。正確答案:【電路部分A是非線性電路，該電路的伏安特性曲線是輸出特性曲線；電路部分B是線性電路，該電路的伏安特性是直流負(fù)載線方程。】3、問題：運(yùn)用圖解法，求解左圖電路的Q點(diǎn)，該場效應(yīng)管的輸出特性曲線如右圖所示選項(xiàng)：A、在輸出特性曲線中，直線EF是交流負(fù)載線，Q點(diǎn)為：VGSQ=1.0V，VDSQ=11V，IDQ=0.1mA。B、在輸出特性曲線中，直線EF是直流負(fù)載線，Q點(diǎn)為：VGSQ=1.0V，VDSQ=11V，IDQ=0.1mA。C、在輸出特性曲線中，直線EF是交流負(fù)載線，Q點(diǎn)為：VGSQ=2.0V，VDSQ=7.2V，IDQ=0.5mA。D、在輸出特性曲線中，直線EF是直流負(fù)載線，Q點(diǎn)為：VGSQ=2.0V，VDSQ=7.2V，IDQ=0.5mA。正確答案:【在輸出特性曲線中，直線EF是直流負(fù)載線，Q點(diǎn)為：VGSQ=2.0V，VDSQ=7.2V，IDQ=0.5mA?！?、問題：圖左為場效應(yīng)管放大電路，圖右為該管子的輸出特性曲線。下面說法正確的是選項(xiàng)：A、在輸出特性中，直線A為直流負(fù)載線，斜率為；直線B為交流負(fù)載線，斜率為；直流負(fù)載線是動態(tài)工作的軌跡，因此它用來繪制工作波形。B、在輸出特性中，直線B為直流負(fù)載線，斜率為；直線A為交流負(fù)載線，斜率為；交流負(fù)載線是動態(tài)工作的軌跡，因此它用來繪制工作波形。C、在輸出特性中，直線B為直流負(fù)載線，斜率為；直線A為交流負(fù)載線，斜率為；直流負(fù)載線是動態(tài)工作的軌跡，因此它用來繪制工作波形。D、在輸出特性中，直線A為直流負(fù)載線，斜率為；直線B為交流負(fù)載線，斜率為；交流負(fù)載線是動態(tài)工作的軌跡，因此它用來繪制工作波形。正確答案:【在輸出特性中，直線A為直流負(fù)載線，斜率為；直線B為交流負(fù)載線，斜率為；交流負(fù)載線是動態(tài)工作的軌跡，因此它用來繪制工作波形。】5、問題：下面說法正確的是選項(xiàng)：A、對于增強(qiáng)型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中是指的。B、對于耗盡型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中是指的。C、為了求解放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，畫直流通路，然后可用估算法或者圖解分析法求解。D、當(dāng)MOS管溝道形成后，柵漏未夾斷，則MOS管工作在恒流區(qū)。E、圖解分析法是將直流通路分為非線性部分和線性部分，非線性部分的伏安特性曲線是轉(zhuǎn)移特性，線性部分的伏安特性曲線是直流負(fù)載線。正確答案:【對于增強(qiáng)型MOS管，在恒流區(qū)滿足伏安特性方程，其中是指的。#為了求解放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，畫直流通路，然后可用估算法或者圖解分析法求解。】6、問題：如圖所示，下列說法正確的是：選項(xiàng)：A、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為飽和區(qū)，B區(qū)為線性工作區(qū)B、這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為飽和區(qū)。C、這是耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線，其中A區(qū)為飽和區(qū)，B區(qū)為線性工作區(qū)。D、這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為恒流區(qū)。E、這是耗盡型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為截止區(qū)，D區(qū)為擊穿區(qū)。F、這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為截止區(qū)，D區(qū)為擊穿區(qū)。G、這是耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線，其中C區(qū)為截止區(qū)，D區(qū)為擊穿區(qū)。H、這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為擊穿區(qū)，D區(qū)為截止區(qū)。正確答案:【這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為飽和區(qū)。#這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中A區(qū)為可變電阻區(qū)，B區(qū)為恒流區(qū)。#這是增強(qiáng)型MOSFET的輸出特性曲線，其中C區(qū)為擊穿區(qū)，D區(qū)為截止區(qū)?！?、問題：下面說法正確的有選項(xiàng)：A、對于NMOS管共源放大電路，vo波形底部失真為飽和失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了可變電阻區(qū)。B、對于NMOS管共源放大電路，vo波形底部失真為截止失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了截止區(qū)。C、對于NMOS管共源放大電路，vo波形底部失真為飽和失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了飽和區(qū)。D、對于NMOS管共源放大電路，vo波形底部失真為截止失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了擊穿區(qū)。E、對于NMOS管共源放大電路，vo波形頂部失真為飽和失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了可變電阻區(qū)。F、對于NMOS管共源放大電路，vo波形頂部失真為截止失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了截止區(qū)。G、對于NMOS管共源放大電路，vo波形雙向失真因?yàn)檩斎胄盘柗冗^大，是由于工作軌跡同時(shí)進(jìn)入了可變電阻區(qū)和截止區(qū)。H、對于NMOS管共源放大電路，vo波形雙向失真因?yàn)檩斎胄盘柗冗^大，是由于工作軌跡同時(shí)進(jìn)入了飽和區(qū)和截止區(qū)。正確答案:【對于NMOS管共源放大電路，vo波形底部失真為飽和失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了可變電阻區(qū)。#對于NMOS管共源放大電路，vo波形頂部失真為截止失真，是由于工作軌跡進(jìn)入了截止區(qū)。#對于NMOS管共源放大電路，vo波形雙向失真因?yàn)檩斎胄盘柗冗^大，是由于工作軌跡同時(shí)進(jìn)入了可變電阻區(qū)和截止區(qū)。】8、問題：場效應(yīng)管的特性曲線有輸入特性和輸出特性選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：靜態(tài)工作點(diǎn)的求解方法有圖解分析法和小信號模型分析法。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】3_單元測試_場效應(yīng)管的小信號模型1、問題：下面說法正確的有：選項(xiàng)：A、場效應(yīng)管小信號模型的參數(shù)與靜態(tài)工作點(diǎn)無關(guān)；B、場效應(yīng)管小信號模型中研究的電流和電壓都是幅度較小的交流量；C、場效應(yīng)管小信號模型中研究的電流和電壓都是靜態(tài)工作點(diǎn)的電流和電壓；D、小信號模型法是將放大電路轉(zhuǎn)化為非線性電路來處理。E、小信號模型法是將放大電路轉(zhuǎn)化為線性電路來處理。正確答案:【場效應(yīng)管小信號模型中研究的電流和電壓都是幅度較小的交流量；#小信號模型法是將放大電路轉(zhuǎn)化為線性電路來處理?！?、問題：下面說法正確的有：選項(xiàng)：A、估算法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)。B、估算法，不能用于大信號工作情況。C、小信號等效電路法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)。D、小信號等效電路法，不能用于求某時(shí)刻的電壓、電流總值。E、小信號等效電路法，不能用于大信號工作情況。正確答案:【估算法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)。#估算法，不能用于大信號工作情況。#小信號等效電路法，不能用于求某時(shí)刻的電壓、電流總值。#小信號等效電路法，不能用于大信號工作情況?！?、問題：下面說法正確的有：選項(xiàng)：A、圖解分析法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)。B、圖解分析法，不能用于求某時(shí)刻的電壓、電流總值。C、圖解分析法，不能用于大信號工作情況。D、圖解分析法，能用小大信號工作情況。正確答案:【圖解分析法，可以用于求靜態(tài)工作點(diǎn)。#圖解分析法，能用小大信號工作情況?！?、問題：下面說法正確的有：選項(xiàng)：A、場效應(yīng)管小信號模型參數(shù)由靜態(tài)工作點(diǎn)決定。B、場效應(yīng)管小信號模型參數(shù)可以通過輸出特性曲線求解。C、場效應(yīng)管小信號模型參數(shù)可以通過轉(zhuǎn)移特性曲線求解。D、場效應(yīng)管小信號模型中是受控電壓源。正確答案:【場效應(yīng)管小信號模型參數(shù)由靜態(tài)工作點(diǎn)決定。#場效應(yīng)管小信號模型參數(shù)可以通過轉(zhuǎn)移特性曲線求解?！?_單元測試_共源放大電路的小信號模型分析法1、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】2、問題：選項(xiàng)：A、電路采用自偏壓B、電路采用固定偏壓方式C、電路采用分壓式偏壓方式D、電路采用分壓式自偏壓方式正確答案:【電路采用自偏壓】3、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【4、問題：】選項(xiàng)：A、B、C、D、E、正確答案:【】5、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】6、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】7、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、正確答案:【8、問題：##】選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【9、問題：】選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【10、問題：】選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、G、正確答案:【#】11、問題：已知電路如圖，Rg1=3MΩ，Rg2=1MΩ，連接在源極的電阻Rs=1kΩ,負(fù)載電阻RL=1kΩ,VDD＝20V，場效應(yīng)管的開啟電壓VT等于2V，IDO=4mA。以下說法正確的有：選項(xiàng)：A、該場效應(yīng)管為增強(qiáng)型NMOS管。B、該場效應(yīng)管為增強(qiáng)型PMOS管。C、電路組態(tài)是共源放大電路。D、電路組態(tài)是共漏放大電路。E、電路組態(tài)是共柵放大電路正確答案:【該場效應(yīng)管為增強(qiáng)型NMOS管。#電路組態(tài)是共漏放大電路?！?2、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、K、L、正確答案:【13、問題：##】選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、正確答案:【#】3_單元測試_共漏和共柵放大電路1、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、正確答案:【】2、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】3、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、正確答案:【】4、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】5、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】6、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、正確答案:【】7、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、正確答案:【】8、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、正確答案:【】9、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、正確答案:【】10、問題：選項(xiàng)：A、B、C、D、E、F、G、H、I、J、正確答案:【11、問題：##】選項(xiàng)：A、N溝增強(qiáng)型MOSFETB、P溝增強(qiáng)型MOSFETC、P溝耗盡型MOSFETD、N溝耗盡型MOSFETE、共源放大電路F、共柵放大電路G、共漏放大電路正確答案:【N溝增強(qiáng)型MOSFET#共柵放大電路】4_單元測驗(yàn)_BJT及其特性1、問題：BJT的三個(gè)區(qū)，（）的摻雜濃度最低選項(xiàng)：A、發(fā)射區(qū)B、基區(qū)C、集電區(qū)D、三者一樣正確答案:【基區(qū)】2、問題：發(fā)射區(qū)與（）區(qū)是同種類型的半導(dǎo)體。選項(xiàng)：A、基區(qū)B、集電區(qū)C、三個(gè)區(qū)都一樣D、發(fā)射區(qū)的類型和其他區(qū)都不一樣正確答案:【集電區(qū)】3、問題：三個(gè)引腳電流中，發(fā)射極電流的實(shí)際方向與（）極的電流實(shí)際方向相同。選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、三個(gè)電流方向都相同D、發(fā)射極電流與其他電流方向都不同正確答案:【發(fā)射極電流與其他電流方向都不同】4、問題：三個(gè)引腳電流中有效值最大的是（）選項(xiàng)：A、基極電流B、集電極電流C、發(fā)射極電流D、三個(gè)電流一樣大正確答案:【發(fā)射極電流】5、問題：BJT正常放大時(shí)，發(fā)射結(jié)一定是（）選項(xiàng)：A、反偏B、正偏C、NPN正偏，PNP反偏D、PNP正偏，NPN反偏正確答案:【正偏】6、問題：正常工作的BJT，輸出特性曲線分三個(gè)區(qū)域，它們是（）。選項(xiàng)：A、飽和區(qū)B、放大區(qū)C、截止區(qū)D、擊穿區(qū)正確答案:【飽和區(qū)#放大區(qū)#截止區(qū)】7、問題：BJT正常放大時(shí)，其兩個(gè)PN結(jié)（）選項(xiàng)：A、發(fā)射結(jié)反偏B、發(fā)射結(jié)正偏C、集電結(jié)反偏D、集電結(jié)正偏正確答案:【發(fā)射結(jié)正偏#集電結(jié)反偏】8、問題：下列說法中，錯(cuò)誤的有（）選項(xiàng)：A、發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高B、集電區(qū)的摻雜濃度最高C、發(fā)射區(qū)的體積最大D、集電區(qū)的類型與其他區(qū)不同正確答案:【集電區(qū)的摻雜濃度最高#發(fā)射區(qū)的體積最大#集電區(qū)的類型與其他區(qū)不同】4_單元測驗(yàn)_在線測量法1、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電位分別為：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，則1腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、愛誰誰正確答案:【集電極】2、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電位分別為：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，則2腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、管它呢正確答案:【基極】3、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電位分別為：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，則3腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、無所謂正確答案:【發(fā)射極】4、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電位分別為：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，該管的材料是（）選項(xiàng)：A、硅B、鍺C、PNPD、NPN正確答案:【鍺】5、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電位分別為：V1=-2V，V2=-6.7V，V3=-7V，該管的類型是（）選項(xiàng)：A、硅B、鍺C、PNPD、NPN正確答案:【NPN】6、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電流分別為（令參考方向?yàn)榱魅隑JT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；則1腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、愛誰誰正確答案:【集電極】7、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電流分別為（令參考方向?yàn)榱魅隑JT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；則2腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、管它呢正確答案:【發(fā)射極】8、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電流分別為（令參考方向?yàn)榱魅隑JT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；則3腳是（）選項(xiàng)：A、基極B、集電極C、發(fā)射極D、無所謂正確答案:【基極】9、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電流分別為（令參考方向?yàn)榱魅隑JT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；該管子的類型是（）選項(xiàng)：A、NPNB、PNPC、硅D、鍺正確答案:【PNP】10、問題：在線測得BJT的三個(gè)引腳電流分別為（令參考方向?yàn)榱魅隑JT）：I1=-2.98mA，I2=3mA，I3=-0.02mA；該管子的β約為（）選項(xiàng)：A、300B、150C、100D、50正確答案:【150】4_單元測驗(yàn)_基本共發(fā)射極放大電路1、問題：共射組態(tài)的放大電路結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是：選項(xiàng)：A、基極輸入，發(fā)射極輸出B、基極輸入，集電極輸出C、發(fā)射極輸入，集電極輸出D、發(fā)射極輸入，基極輸出正確答案:【基極輸入，集電極輸出】2、問題：實(shí)驗(yàn)測得基本共射極放大電路的ICQ較大，需減小到某值，應(yīng)如何調(diào)整電路？選項(xiàng)：A、減小RbB、增大RbC、減小RcD、增大Rc正確答案:【增大Rb】3、問題：實(shí)驗(yàn)測得基本共射極放大電路的IBQ較大，需減小到某值，應(yīng)調(diào)整：選項(xiàng)：A、減小RbB、增大RbC、減小RcD、增大Rc正確答案:【增大Rb】4、問題：基本共射電路中，換一個(gè)BJT，使得其β增大（電路中其它元件參數(shù)不變），則選項(xiàng)：A、IBQ不變B、ICQ減小C、ICQ增大D、VCEQ減小正確答案:【IBQ不變#ICQ增大#VCEQ減小】5、問題：對阻容耦合的放大電路，下列說法中正確的有：選項(xiàng)：A、改變負(fù)載的大小，不會改變靜態(tài)工作點(diǎn)B、作直流通路時(shí)，Vcc應(yīng)改為地C、作直流通路時(shí)，Vcc保持不變D、作交流通路時(shí)，Vcc應(yīng)改為地正確答案:【改變負(fù)載的大小，不會改變靜態(tài)工作點(diǎn)#作直流通路時(shí)，Vcc保持不變#作交流通路時(shí)，Vcc應(yīng)改為地】6、問題：作放大電路的交流通路時(shí)，應(yīng)該：選項(xiàng)：A、電路中的較大電容看作交流短路B、電路中的較大電容看作交流斷路C、Vcc保持不變D、Vcc視作交流地處理正確答案:【電路中的較大電容看作交流短路#Vcc視作交流地處理】7、問題：增大Rc，并不能改變基本共射電路的基極偏置電流IBQ。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】8、問題：增大Rb，將使得基本共射電路的ICQ增大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】9、問題：增大Rb，將使得基本共射電路的ICQ減小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】10、問題：增大Rc，基本共射電路的BJT的IBQ將減小。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4_單元測驗(yàn)_圖解分析法1、問題：交流負(fù)載線的作圖方法采用（）比較便利。選項(xiàng)：A、兩點(diǎn)式B、點(diǎn)斜式C、斜截式D、都一樣方便正確答案:【點(diǎn)斜式】2、問題：基本共射極放大電路中，直流負(fù)載線的斜率與（）有關(guān)。選項(xiàng)：A、RbB、RcC、RLD、Rc//RL正確答案:【Rc】3、問題：下列說法中錯(cuò)誤的是選項(xiàng)：A、vi、vo、ib和ic的頻率一定是一致的B、vi、vo、ib和ic的相位一定是一致的C、輸出電壓的變化范圍與交流負(fù)載線有關(guān)。D、直流負(fù)載線僅用于確定Q點(diǎn)位置，不能反映Q點(diǎn)的動態(tài)軌跡正確答案:【vi、vo、ib和ic的相位一定是一致的】4、問題：阻容耦合放大電路的直流負(fù)載線的斜率與負(fù)載電阻無關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】5、問題：交流負(fù)載線的斜率與負(fù)載電阻無關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、問題：直流負(fù)載線和交流負(fù)載線的交點(diǎn)就是靜態(tài)工作點(diǎn)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】7、問題：直流負(fù)載線和交流負(fù)載線的交點(diǎn)是（Vcc，0）選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：直流負(fù)載線的斜率比交流負(fù)載線更陡峭。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4_單元測驗(yàn)_小信號模型分析法1、問題：共射極放大電路中，下列哪一組信號是反相的選項(xiàng)：A、vi與ibB、vo與viC、ib與icD、vi與ic正確答案:【vo與vi】2、問題：下列說法中錯(cuò)誤的是選項(xiàng)：A、rbe與BJT的靜態(tài)工作電流有關(guān)B、共射電路的電壓增益為正值C、共射電路電壓放大能力不一定大于1D、小信號模型是指BJT在交流低頻小信號工作狀態(tài)下的模型正確答案:【共射電路的電壓增益為正值】3、問題：共射電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、B入C出E接地B、B入E出C接地C、C入B出E接地D、隨便進(jìn)出正確答案:【B入C出E接地】4、問題：當(dāng)基本共射電路的Rb增大時(shí)（其余參數(shù)不變），以下說法中正確的有選項(xiàng)：A、rbe將減小B、Av的大小將減小C、Ri將增大D、Ro將增大正確答案:【Av的大小將減小#Ri將增大】5、問題：當(dāng)共射電路的Rc增大時(shí)（其余參數(shù)不變），以下說法中正確的有選項(xiàng)：A、rbe將不變B、Av的大小將增大C、Ri將增大D、Ro將增大正確答案:【rbe將不變#Av的大小將增大#Ro將增大】6、問題：rbe是動態(tài)電阻，與BJT的靜態(tài)工作點(diǎn)無關(guān)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】7、問題：當(dāng)輸入電壓幅值很大時(shí)，BJT的微變等效模型就不再適用了。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4_單元測驗(yàn)_射極偏置放大電路1、問題：射極偏置電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、B入C出E直接接地B、B入C出E經(jīng)電阻接地C、C入B出E經(jīng)電阻接地D、隨便進(jìn)出正確答案:【B入C出E經(jīng)電阻接地】2、問題：下列說法中錯(cuò)誤的是選項(xiàng)：A、射極偏置電路的靜態(tài)工作點(diǎn)比基本共射電路更穩(wěn)定B、射極偏置電路（無旁路電容）的電壓增益大小比基本共射電路的電壓增益大小更小C、射極偏置電路（無旁路電容）的Ri比基本共射電路的Ri更大D、射極偏置電路（無旁路電容）的Ro比基本共射電路的Ro更小正確答案:【射極偏置電路（無旁路電容）的Ro比基本共射電路的Ro更小】3、問題：環(huán)境溫度升高（射極偏置電路的其他參數(shù)不變）時(shí)，下列說法中正確的是選項(xiàng)：A、BJT的反向飽和電流ICBO會減小B、BJT的發(fā)射結(jié)正向壓降會隨之增大C、電路的Ri隨之增大D、電路的Ro隨之增大正確答案:【電路的Ri隨之增大】4、問題：下列說法中正確的有選項(xiàng)：A、射極偏置電路的vo與vi反相B、引入旁路電容將使得射極偏置電路的電壓增益大小增大。C、引入旁路電容將使得射極偏置電路的Ri增大。D、引入旁路電容不會改變射極偏置電路的Ro。正確答案:【射極偏置電路的vo與vi反相#引入旁路電容將使得射極偏置電路的電壓增益大小增大。#引入旁路電容不會改變射極偏置電路的Ro?！?、問題：增大Re（其余參數(shù)不變，電路中不存在旁路電容）時(shí)，哪些指標(biāo)的大小將減小選項(xiàng)：A、IBQB、rbeC、AvD、Ri正確答案:【IBQ#Av】6、問題：增大Re（其余參數(shù)不變，電路中存在旁路電容）時(shí)，下列說法中（）是錯(cuò)誤的。選項(xiàng)：A、IBQ減小B、rbe不變C、Av減小D、Ro不變E、Ri不變正確答案:【rbe不變#Ri不變】7、問題：射極偏置電路屬于固定偏流式。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：Re的存在能夠穩(wěn)定BJT的靜態(tài)工作點(diǎn)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】9、問題：若Re在交流通路中存在，將使得Av的大小增大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4_單元測驗(yàn)_共集電極放大電路1、問題：共集電極放大電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、B入C出E直接或通過電阻接地B、B入E出C直接或通過電阻接地C、C入B出E直接或通過電阻接地D、隨便出入正確答案:【B入E出C直接或通過電阻接地】2、問題：基本共集電極放大電路中增大Re（其他參數(shù)不變）時(shí)，則選項(xiàng)：A、BJT的靜態(tài)工作點(diǎn)不變B、若，Av大小基本不變C、Ri不變D、Ro不變正確答案:【若，Av大小基本不變】3、問題：基本共集電極放大電路的Ri與（）差不多大小。選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置電路（帶旁路電容）C、射極偏置電路（不帶旁路電容）D、以上電路的Ri都一樣大正確答案:【射極偏置電路（不帶旁路電容）】4、問題：基本共集電極放大電路的別名有選項(xiàng)：A、集電極輸出器B、射極輸出器C、電壓跟隨器D、電流跟隨器正確答案:【射極輸出器#電壓跟隨器】5、問題：下列說法中錯(cuò)誤的有選項(xiàng)：A、共集電極放大電路一定屬于固定偏流式B、共集電極放大電路一定屬于固定偏壓式C、共集電極放大電路的vi與vo是反相的D、共集電極放大電路的vi與vo是同相的正確答案:【共集電極放大電路一定屬于固定偏流式#共集電極放大電路一定屬于固定偏壓式#共集電極放大電路的vi與vo是反相的】6、問題：共集電極放大電路的輸入電阻較大，輸出電阻較小選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】7、問題：共集電極放大電路的輸出電壓比輸入電壓大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】8、問題：共集電極放大電路的輸出電流比輸入電流大。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4_單元測驗(yàn)_共基極放大電路1、問題：共基極放大電路的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是選項(xiàng)：A、B入C出E接地B、C入B出E接地C、C入E出B接地D、E入C出B接地正確答案:【E入C出B接地】2、問題：基本共基極放大電路與基本共射放大電路的（）相同。選項(xiàng)：A、AvB、RiC、RoD、Q正確答案:【Ro】3、問題：下列關(guān)于共基極放大電路的說法錯(cuò)誤的是（）。選項(xiàng)：A、其直流通路與基本共射放大電路相同。B、其直流通路與基極分壓式射極偏置放大電路（帶旁路電容）相同。C、共基級放大電路的輸出電壓與輸入電壓同相。D、共基級放大電路輸入電阻小，輸出電阻較大，適用于電流放大。正確答案:【其直流通路與基本共射放大電路相同?！?、問題：共基極放大電路的輸入電阻很大選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5、問題：共基極放大電路的輸出電阻很小選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】6、問題：共基極放大電路的vi與vo反相選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】4_單元測驗(yàn)_三種組態(tài)電路的性能比較+復(fù)合管1、問題：共射組態(tài)（）選項(xiàng)：A、既不能放大電壓，也不能放大電流B、只能放大電壓，不能放大電流C、不能放大電壓，只能放大電流D、既能放大電壓，也能放大電流正確答案:【既能放大電壓，也能放大電流】2、問題：共集電極組態(tài)（）選項(xiàng)：A、既不能放大電壓，也不能放大電流B、只能放大電壓，不能放大電流C、不能放大電壓，只能放大電流D、既能放大電壓，也能放大電流正確答案:【不能放大電壓，只能放大電流】3、問題：共基極組態(tài)（）選項(xiàng)：A、既不能放大電壓，也不能放大電流B、只能放大電壓，不能放大電流C、不能放大電壓，只能放大電流D、既能放大電壓，也能放大電流正確答案:【只能放大電壓，不能放大電流】4、問題：輸入電阻最小的電路是選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置放大電路C、基本共集電極放大電路D、基本共基極放大電路正確答案:【基本共基極放大電路】5、問題：下列電路中，（）的電壓增益大小可能最小。選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置放大電路C、基本共集電極放大電路D、基本共基極放大電路正確答案:【射極偏置放大電路】6、問題：下列電路中，（）的vi與vo反相。選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置放大電路C、基本共集電極放大電路D、基本共基極放大電路正確答案:【基本共射放大電路#射極偏置放大電路】7、問題：下列電路中，（）的輸入電阻比較大。選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置放大電路（不帶旁路電容）C、基本共集電極放大電路D、基本共基極放大電路正確答案:【射極偏置放大電路（不帶旁路電容）#基本共集電極放大電路】8、問題：下列電路中，（）的輸出電阻約等于集電極偏置電阻Rc。選項(xiàng)：A、基本共射放大電路B、射極偏置放大電路C、基本共集電極放大電路D、基本共基極放大電路正確答案:【基本共射放大電路#射極偏置放大電路#基本共基極放大電路】9、問題：不能使用兩種不同類型的BJT組合成復(fù)合管。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、問題：復(fù)合管的β是其組成成員的β之累加。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】11、問題：三種組態(tài)電路中，共集電極放大電路的輸出電阻最小，故其帶負(fù)載能力最弱。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】12、問題：三種組態(tài)電路均具備功率放大能力。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】13、問題：集電極一定不能作為放大電路的輸入端。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】4_單元測驗(yàn)_多級放大電路1、問題：第k級的輸入電阻相當(dāng)于第（）級的負(fù)載。選項(xiàng)：A、k-1B、kC、k+1D、愛誰誰正確答案:【k-1】2、問題：第k級的輸出電阻相當(dāng)于第（）級的信號源內(nèi)阻。選項(xiàng)：A、k-1B、kC、k+1D、無所謂正確答案:【k+1】3、問題：（）適用于集成電路。選項(xiàng)：A、直接耦合方式B、阻容耦合方式C、變壓器耦合方式D、光電耦合方式正確答案:【直接耦合方式】4、問題：下列說法中正確的是選項(xiàng)：A、只需要計(jì)算第一級的輸入電阻，其他各級的輸入電阻不必計(jì)算。B、只需要計(jì)算最后一級的輸出電阻，其他各級的輸出電阻不必計(jì)算。C、所有級的輸入電阻和輸出電阻都必須計(jì)算。D、所有級的輸入電阻和輸出電阻都不必計(jì)算。正確答案:【所有級的輸入電阻和輸出電阻都必須計(jì)算?！?、問題：在傳遞信號的同時(shí)還能進(jìn)行阻抗變換的是選項(xiàng)：A、直接耦合方式B、阻容耦合方式C、變壓器耦合方式D、光電耦合方式正確答案:【變壓器耦合方式】6、問題：多級放大電路的級間耦合方式有選項(xiàng)：A、阻容耦合方式B、直接耦合方式C、變壓器耦合方式D、光電耦合方式正確答案:【阻容耦合方式#直接耦合方式#變壓器耦合方式#光電耦合方式】7、問題：下列耦合方式中，（）的各級靜態(tài)工作點(diǎn)相對獨(dú)立選項(xiàng)：A、直接耦合方式B、阻容耦合方式C、變壓器耦合方式D、三者都是正確答案:【阻容耦合方式#變壓器耦合方式】8、問題：下列關(guān)于多級放大電路的說法中錯(cuò)誤的有選項(xiàng)：A、電路的總電壓增益是各級電壓增益的累加B、電路的總電壓增益是各級電壓增益的累乘C、電路的總輸入電阻是各級輸入電阻的算術(shù)平均值D、電路的總輸出電阻是各級輸出電阻的算術(shù)平均值正確答案:【電路的總電壓增益是各級電壓增益的累加#電路的總輸入電阻是各級輸入電阻的算術(shù)平均值#電路的總輸出電阻是各級輸出電阻的算術(shù)平均值】9、問題：第5級的輸入電阻相當(dāng)于第6級的負(fù)載。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、問題：第4級的輸出電阻相當(dāng)于第5級的信號源內(nèi)阻。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、問題：改變多級放大電路的各級組成順序不會影響整體的電壓增益。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】12、問題：如果第一級是基本共射放大電路，則：無論其他各級的數(shù)量和組態(tài)如何改變，電路的總輸入電阻不變。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】13、問題：如果最后一級不是基本共集電極放大電路，則：無論其他各級的數(shù)量和組態(tài)如何改變，電路的總輸出電阻不變。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】14、問題：k+1級放大電路的總電壓增益一定大于k級放大電路選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】5_單元測驗(yàn)_放大電路的頻率響應(yīng)基本概念1、問題：RC高通電路在信號頻率等于下限截止頻率時(shí)，相角為（）度。選項(xiàng)：A、90B、-90C、45D、-45正確答案:【45】2、問題：根據(jù)相頻特性，利用三段折線對RC高通電路進(jìn)行工程近似時(shí)，最大相位誤差（）。選項(xiàng)：A、發(fā)生在信號頻率等于RC高通電路的上限截止頻率處B、發(fā)生在信號頻率等于0.1以及10倍于RC高通電路的下限截止頻率處C、發(fā)生在信號頻率等于RC高通電路的下限截止頻率處D、僅發(fā)生在信號頻率等于0.1倍于RC高通電路的下限截止頻率處正確答案:【發(fā)生在信號頻率等于0.1以及10倍于RC高通電路的下限截止頻率處】3、問題：產(chǎn)生頻率失真的原因是（）。選項(xiàng)：A、放大電路中放大元件的非線性B、放大電路中放大元件的飽和失真與截止失真C、放大電路輸入了單一頻率的信號D、放大電路對信號中不同頻率成分的增益不同正確答案:【放大電路對信號中不同頻率成分的增益不同】4、問題：RC低通電路在信號頻率等于上限截止頻率時(shí)，相角為（）度。選項(xiàng)：A、+45B、-45C、0D、90E、-90正確答案:【-45】5、問題：放大電路有兩種不同性質(zhì)的失真，分別是線性失真與非線性失真。其中線性失真又稱（）失真。選項(xiàng)：A、頻率失真B、交越失真C、飽合失真D、截止失真正確答案:【頻率失真】6、問題：頻率響應(yīng)的主要指標(biāo)有（）。選項(xiàng)：A、通頻帶B、上、下限截止頻率C、帶寬D、中頻增益E、幅頻響應(yīng)特性F、相頻響應(yīng)特性G、時(shí)延響應(yīng)特性正確答案:【通頻帶#上、下限截止頻率#帶寬#中頻增益】7、問題：以下關(guān)于折線波特圖的說法中（）是正確的。選項(xiàng)：A、放大電路的頻響折線波特圖包括幅頻響應(yīng)波特圖和相頻響應(yīng)波特圖兩部分。B、在放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)采用對數(shù)分度，幅值則采用線性分度。C、在放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)采用對數(shù)分度，幅值則采用分貝值。D、在放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)采用對數(shù)分度，幅值則用dB表示。E、在放大電路的相頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)與相角均采用線性分度。F、在放大電路的相頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)仍然是對數(shù)分度，相角則采用線性分度。G、在放大電路的相頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)與相角均采用對數(shù)分度。H、折線波特圖是合理的工程近似，其幅頻特性的最大誤差發(fā)生在截止頻率上，與精確值相差約3dB。I、折線波特圖是合理的工程近似，其相頻特性的最大誤差發(fā)生在截止頻率上，與精確值相差約45度。正確答案:【放大電路的頻響折線波特圖包括幅頻響應(yīng)波特圖和相頻響應(yīng)波特圖兩部分。#在放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)采用對數(shù)分度，幅值則采用分貝值。#在放大電路的對數(shù)幅頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)采用對數(shù)分度，幅值則用dB表示。#在放大電路的相頻響應(yīng)波特圖中，頻率坐標(biāo)仍然是對數(shù)分度，相角則采用線性分度。#折線波特圖是合理的工程近似，其幅頻特性的最大誤差發(fā)生在截止頻率上，與精確值相差約3dB?！?、問題：以下關(guān)于單時(shí)間常數(shù)RC電路的說法正確的有（）。選項(xiàng)：A、單時(shí)間常數(shù)RC電路包括RC高通電路和RC低通電路兩種類型，可分別用于模擬放大電路的低頻響應(yīng)特性與高頻響應(yīng)特性。B、單時(shí)間常數(shù)RC電路包括RC高通電路和RC低通電路兩種類型，可分別用于模擬放大電路的高頻響應(yīng)特性與低頻響應(yīng)特性。C、RC高通電路的頻響指標(biāo)為下限截止頻率，信號中低于下限截止頻率的頻率成分在通過RC高通電路時(shí)會被不同程度地衰減。D、RC高通電路的頻響指標(biāo)為下限截止頻率，信號中低于下限截止頻率的頻率成分在通過RC高通電路時(shí)會被不同程度地放大。E、RC高通電路的頻響指標(biāo)為上限截止頻率，信號中低于上限截止頻率的頻率成分在通過RC高通電路時(shí)會被不同程度地衰減。F、RC低通電路的頻響指標(biāo)為下限截止頻率，信號中低于下限截止頻率的頻率成分在通過RC低通電路時(shí)會被不同程度地衰減。G、RC低通電路的頻響指標(biāo)為上限截止頻率，信號中高于上限截止頻率的頻率成分在通過RC低通電路時(shí)會被不同程度地衰減。正確答案:【單時(shí)間常數(shù)RC電路包括RC高通電路和RC低通電路兩種類型，可分別用于模擬放大電路的低頻響應(yīng)特性與高頻響應(yīng)特性。#RC高通電路的頻響指標(biāo)為下限截止頻率，信號中低于下限截止頻率的頻率成分在通過RC高通電路時(shí)會被不同程度地衰減。#RC低通電路的頻響指標(biāo)為上限截止頻率，信號中高于上限截止頻率的頻率成分在通過RC低通電路時(shí)會被不同程度地衰減?！?、問題：信號在通過RC低通電路時(shí)，頻率高于其上限截止頻率的部分會發(fā)生超前的附加相移。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】10、問題：幅頻響應(yīng)的通帶和阻帶的界限頻率被稱為截止頻率。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】11、問題：頻率響應(yīng)指放大電路對輸入的不同頻率正弦信號的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【正確】12、問題：頻率響應(yīng)指放大電路對輸入的不同頻率正弦信號的瞬態(tài)響應(yīng)。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】13、問題：信號在通過RC高通電路時(shí)，頻率低于其下限截止頻率的部分會發(fā)生滯后的附加相移。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】14、問題：信號在通過放大電路后發(fā)生了線性失真，意味著在輸出信號中生成了輸入信號中沒有的頻率成分，所以又被稱為頻率失真。選項(xiàng)：A、正確B、錯(cuò)誤正確答案:【錯(cuò)誤】電流源測驗(yàn)題1、問題：1、電流源電路中的MOSFET應(yīng)該工作在_____狀態(tài)選項(xiàng)：A、可變電阻區(qū)B、飽和區(qū)C、截至區(qū)D、擊穿區(qū)正確答案:【飽和區(qū)】2、問題：2、由于電流源中流過的電流恒定，因此等效的交流電阻_____選項(xiàng)：A、很大B、很小C、不大D、一般正確答案:【很大】3、問題：4、有關(guān)MOSFET鏡像電流源的輸出電流與參考電流的關(guān)系說法不正確的是_____選項(xiàng)：A、MOSFET鏡像電流源的輸出電流與參考電流呈現(xiàn)比例關(guān)系B、MOSFET鏡像電流源的輸出電流與參考電流的比值取決于參考管和輸出管的參數(shù)C、只要MOSFET鏡像電流源中的MOSFET承受相同的柵源電壓，輸出電流就與參考電流呈現(xiàn)鏡像關(guān)系D、在其他參數(shù)對稱的前提下，MOSFET鏡像電流源的輸出電流與參考電流的比值等于管子溝道寬長比的比值正確答案:【只要MOSFET鏡像電流源中的MOSFET承受相同的柵源電壓，輸出電流就與參考電