半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源

關于半導體二極管及直流穩(wěn)壓電源§1.1半導體的導電特性

半導體——它的導電能力介于導體和絕緣體之間。如硅、鍺、硒及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物等都是半導體。

半導體的導電特性主要表現(xiàn)在其導電能力在不同條件下具有很大的差別：

（1）有的半導體對溫度的反映特別靈敏。環(huán)境溫度增高時，其導電能力要增強很多。

（2）有的半導體對光照的反映特別靈敏，當受到光照時，其導電能力要增強很多；當不受到光照時，又變得象絕緣體那樣不導電。

（3）如果在純凈的半導體中摻入微量的某種雜質(zhì)，其導電能力要增強很多。

半導體的導電特性，在不同條件下具有很大的差別，是由其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的特殊性所決定的。第2頁,共64頁，2024年2月25日，星期天1本征半導體

目前最常用的半導體材料是硅和鍺，它們的原子最外層都有四個價電子，都是四價元素。將硅和鍺提純（取掉無用雜質(zhì)）并形成單晶體，即本征半導體。GeSi第3頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiSiSi

共價鍵

在本征半導體的晶體結(jié)構(gòu)中，每一個原子與相鄰的四個原子相結(jié)合。結(jié)合方法是，每一個原子的一個價電子與相鄰的另外一個原子的一個價電子組成一個電子對，稱為共價鍵。由于共價鍵的形成，每一個原子的最外層實際上相當于有8個價電子，在通常情況下，這8個價電子處于相對穩(wěn)定的狀態(tài)，但在獲得一定能量后（溫度升高或受光照）即可掙脫原子核的束縛而成為自由電子。第4頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiSiSi

共價鍵

在價電子掙脫原子核的束縛而成為自由電子后，共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴。這時原子帶正電，也可以認為原子中出現(xiàn)了帶正電的空穴。帶正電的空穴要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴；新的空穴又要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴。如此繼續(xù)下去，就好象帶正電的空穴在運動。第5頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiSiSi

共價鍵

在價電子掙脫原子核的束縛而成為自由電子后，共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴。這時原子帶正電，也可以認為原子中出現(xiàn)了帶正電的空穴。帶正電的空穴要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴；新的空穴又要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴。如此繼續(xù)下去，就好象帶正電的空穴在運動。第6頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiSiSi

共價鍵

在價電子掙脫原子核的束縛而成為自由電子后，共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴。這時原子帶正電，也可以認為原子中出現(xiàn)了帶正電的空穴。帶正電的空穴要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴；新的空穴又要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴。如此繼續(xù)下去，就好象帶正電的空穴在運動。第7頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiSiSi

共價鍵

在價電子掙脫原子核的束縛而成為自由電子后，共價鍵中就留下一個空位，稱為空穴。這時原子帶正電，也可以認為原子中出現(xiàn)了帶正電的空穴。帶正電的空穴要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴；新的空穴又要吸引相鄰的共價鍵中的價電子，來填補空穴。如此繼續(xù)下去，就好象帶正電的空穴在運動。第8頁,共64頁，2024年2月25日，星期天

（1）半導體中存在自由電子和空穴兩種載流子。本征半導體中的自由電子和空穴總是成對出現(xiàn)的，同時又不斷復合。在一定條件下（溫度下）載流子的產(chǎn)生和復合達到動態(tài)平衡，于是載流子便維持一定數(shù)目。溫度越高或受光照越強，載流子數(shù)目越多，半導體的導電性能也就越好，所以溫度或光照對半導體的導電性能影響很大。

（2）當半導體兩端加上電壓后，半導體中將出現(xiàn)兩部分電流。一部分是自由電子作定向運動所形成的電子電流，另一部分是價電子或自由電子填補空穴所形成的空穴電流。在半導體中，同時存在著電子導電和空穴導電，這是半導體的最大特點，也是半導體和導體導電的本質(zhì)區(qū)別。結(jié)論第9頁,共64頁，2024年2月25日，星期天2N型半導體和P型半導體

本征半導體中雖然有自由電子和空穴兩種載流子，但由于數(shù)量極少，所以導電能力很低。如果在本征半導體中摻入微量的某種雜質(zhì)（某種元素），將使摻雜后的半導體（雜質(zhì)半導體）的導電能力大大增強。由于摻入的雜質(zhì)不同，雜質(zhì)半導體可分為兩類。電子半導體（N型半導體）空穴半導體（P型半導體）雜質(zhì)半導體第10頁,共64頁，2024年2月25日，星期天SiSiP+Si

電子半導體（N型半導體）是在硅或鍺的晶體中摻入磷（或其它五價元素）。磷原子的最外層有五個價電子，是五價元素。由于摻入硅或鍺晶體中的磷原子數(shù)比硅或鍺的原子數(shù)少得多，因此整個晶體結(jié)構(gòu)不變，只是某些位置上的硅或鍺原子被磷原子所取代。磷原子參加共價鍵結(jié)構(gòu)只需要四個價電子，多余的第五個價電子很容易掙脫原子核的束縛而成為自由電子。于是這種半導體中自由電子數(shù)目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式。在這種半導體中，自由電子是多數(shù)載流子，而空穴是少數(shù)載流子。P多余電子2.1N型半導體第11頁,共64頁，2024年2月25日，星期天

空穴半導體（P型半導體）是在硅或鍺的晶體中摻入硼（或其它三價元素）。硼原子的最外層有三個價電子，是三價元素。由于摻入硅或鍺晶體中的硼原子數(shù)比硅或鍺的原子數(shù)少得多，因此整個晶體結(jié)構(gòu)不變，只是某些位置上的硅或鍺原子被硼原子所取代。硼原子在參加共價鍵結(jié)構(gòu)時，將因缺少一個價電子而形成一個空穴。于是這種半導體中空穴數(shù)目大量增加，空穴導電成為這種半導體的主要導電方式。在這種半導體中，空穴是多數(shù)載流子，而自由電子是少數(shù)載流子。B填補空穴空穴SiSiB-Si2.2P型半導體第12頁,共64頁，2024年2月25日，星期天注意不論N型半導體還是P型半導體，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)，但整個晶體結(jié)構(gòu)都是不帶電的。第13頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.2PN結(jié)P型半導體或N型半導體的導電能力雖然比本征半導體的導電能力大大增強，但并不能直接用來制造半導體器件。通常是在一塊晶片上，采取一定的摻雜工藝措施，在晶片兩邊分別形成P型半導體和N型半導體，那么它們的交接面就形成了PN結(jié)。PN結(jié)才是構(gòu)成各種半導體器件的基礎。第14頁,共64頁，2024年2月25日，星期天1PN結(jié)的形成P型半導體N型半導體

假設有一塊晶片，兩邊分別形成了P型半導體和N型半導體。在P型半導體中，得到一個電子的三價雜質(zhì)離子（B離子）帶負電；在N型半導體中，失去一個電子的五價雜質(zhì)離子（P離子）帶正電。由于P區(qū)有大量的空穴，而N區(qū)的空穴極少，因此空穴要從濃度大的P區(qū)向濃度小的N區(qū)擴散；同樣道理，由于N區(qū)有大量的自由電子，而P區(qū)的自由電子極少，因此自由電子要從濃度大的N區(qū)向濃度小的P區(qū)擴散。雙方的擴散首先在交接面附近進行，這樣在交接面附近的P區(qū)留下一些帶負電的三價雜質(zhì)離子，形成負空間電荷區(qū)；在交接面附近的N區(qū)留下一些帶正電的五價雜質(zhì)離子，形成正空間電荷區(qū)。這里的正負空間電荷區(qū)就是PN結(jié)。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－第15頁,共64頁，2024年2月25日，星期天P型半導體N型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－

假設有一塊晶片，兩邊分別形成了P型半導體和N型半導體。在P型半導體中，得到一個電子的三價雜質(zhì)離子（B離子）帶負電；在N型半導體中，失去一個電子的五價雜質(zhì)離子（P離子）帶正電。由于P區(qū)有大量的空穴，而N區(qū)的空穴極少，因此空穴要從濃度大的P區(qū)向濃度小的N區(qū)擴散；同樣道理，由于N區(qū)有大量的自由電子，而P區(qū)的自由電子極少，因此自由電子要從濃度大的N區(qū)向濃度小的P區(qū)擴散。雙方的擴散首先在交接面附近進行，這樣在交接面附近的P區(qū)留下一些帶負電的三價雜質(zhì)離子，形成負空間電荷區(qū)；在交接面附近的N區(qū)留下一些帶正電的五價雜質(zhì)離子，形成正空間電荷區(qū)。這里的正負空間電荷區(qū)就是PN結(jié)。PN結(jié)第16頁,共64頁，2024年2月25日，星期天PN結(jié)中的正負離子雖然帶電，但是它們不能移動，不參與導電，而在這個區(qū)域內(nèi)，載流子數(shù)極少，所以空間電荷區(qū)的電阻率很高。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－P型半導體N型半導體空間電荷區(qū)的電阻率很高第17頁,共64頁，2024年2月25日，星期天

正負空間電荷在交接面兩側(cè)形成一個電場，稱為內(nèi)電場。內(nèi)電場的方向由帶正電的N區(qū)指向帶負電的P區(qū)。內(nèi)電場對多數(shù)載流子（P區(qū)的空穴和N區(qū)的自由電子）的擴散運動起阻擋作用；對少數(shù)載流子（P區(qū)的自由電子和N區(qū)的空穴）則起推動作用，即推動少數(shù)載流子越過空間電荷區(qū)而進入對方，這種由少數(shù)載流子所形成的運動稱為漂移運動。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－P型半導體N型半導體漂移運動擴散運動內(nèi)電場第18頁,共64頁，2024年2月25日，星期天

擴散運動和漂移運動是相互聯(lián)系，又是相互矛盾的。在開始形成空間電荷區(qū)時，多數(shù)載流子的擴散運動占優(yōu)勢。隨著擴散運動的進行，空間電荷區(qū)逐漸加寬，內(nèi)電場逐漸加強。于是多數(shù)載流子的擴散運動逐漸減弱，而少數(shù)載流子的漂移運動逐漸增強。最后，擴散運動和漂移運動達到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的寬度基本確定下來，PN結(jié)也就處于相對穩(wěn)定的狀態(tài)。－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++－－－－P型半導體N型半導體漂移運動擴散運動擴散運動使空間電荷區(qū)逐漸加寬，內(nèi)電場逐漸加強。內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移運動使空間電荷區(qū)變窄。內(nèi)電場第19頁,共64頁，2024年2月25日，星期天2PN結(jié)的單向?qū)щ娦酝怆妶鰞?nèi)電場變窄－－－－++++P區(qū)N區(qū)RI+-由于內(nèi)電場被削弱，多數(shù)載流子的擴散運動得到加強，所以能夠形成較大的擴散電流。第20頁,共64頁，2024年2月25日，星期天外電場內(nèi)電場－－－－++++P區(qū)N區(qū)RI≈0+-變寬由于內(nèi)電場被加強，少數(shù)載流子的漂移運動得到加強，但少數(shù)載流子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。第21頁,共64頁，2024年2月25日，星期天結(jié)論

PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。當PN結(jié)加正向電壓時，PN結(jié)電阻很低，正向電流較大，PN結(jié)處于導通狀態(tài)。當PN結(jié)加反向電壓時，PN結(jié)電阻很高，反向電流很小，PN結(jié)處于截止狀態(tài)。第22頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.3半導體二極管1基本結(jié)構(gòu)將PN結(jié)加上電極引線和管殼，就成為了半導體二極管。PN+-陽極陰極圖形符號文字符號D第23頁,共64頁，2024年2月25日，星期天按結(jié)構(gòu)來分，半導體二極管點接觸型面接觸型

點接觸型——一般為鍺管，它的PN結(jié)結(jié)面積很?。ńY(jié)電容?。?，適用于小電流高頻電路工作，也用于數(shù)字電路中的開關元件。

面接觸型——一般為硅管，它的PN結(jié)結(jié)面積大（結(jié)電容大），可以通過較大電流，工作頻率較低，適用于整流電路。第24頁,共64頁，2024年2月25日，星期天2伏安特性UI死區(qū)電壓：硅管約為0.5V，鍺管約為0.2V。正向?qū)妷海汗韫芗s為0.7V，鍺管約為0.3V。（1）半導體二極管實際上是一個PN結(jié)，所以具有單向?qū)щ娦?。?）半導體二極管是非線性元件。反向擊穿電壓UBR第25頁,共64頁，2024年2月25日，星期天3主要參數(shù)（1）最大正向電流IFM指二極管長期工作時允許通過的最大正向平均電流。點接觸型二極管的最大正向電流在幾十毫安以下；面接觸型二極管的最大正向電流較大，如2CP10型硅二極管的這個電流為100mA。實際工作時，二極管通過的電流不應超過這個數(shù)值，否則將因管子過熱而損壞。（2）最高反向工作電壓UDRM

指二極管不被擊穿所容許的最高反向電壓。一般為反向擊穿電壓的1/2～2/3。如2CP10型硅二極管的這個電壓為25V，而反向擊穿電壓為50V。（3）最大反向電流IRM

指二極管在常溫下承受最高反向工作電壓時的反向漏電流，一般很小，但受溫度影響較大。反向電流大，說明二極管的單向?qū)щ娦阅懿?。硅管的反向電流較小，一般在幾個微安以下；鍺管的反向電流較大，為硅管的幾十到幾百倍。第26頁,共64頁，2024年2月25日，星期天4二極管的應用

二極管的應用范圍很廣，利用它的單向?qū)щ娦?，可組成整流、檢波、限幅、嵌位等電路。還可構(gòu)成其它元件或電路的保護電路，以及在數(shù)字電路中作為開關元件等。

在作電路分析時，一般將二極管視為理想元件，即認為正向電阻為零，正向?qū)〞r為短路特性，正向電壓忽略不計；反向電阻為無窮大，反向截止時為開路特性，反向漏電流忽略不計。第27頁,共64頁，2024年2月25日，星期天RD1D2+-+-uiuoUs1Us2i0105-5-10uit0105-5-10uit例：圖示為一正負對稱限幅電路，已知ui=10sintV，Us1=Us2=5V，畫出uo的波形。解題思路：（1）當|ui|<5V時，D1、D2都處于反向偏置而截止，這時i=0，所以uo=ui。（2）ui>5V時，D1處于正向偏置而導通，所以uo=5V。（3)ui<-5V時，D2處于正向偏置而導通，所以uo=-5V。第28頁,共64頁，2024年2月25日，星期天例：圖示電路，已知ui的波形，畫出uo的波形。RRLuiuRuoCDtuituotuR第29頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.4穩(wěn)壓管

穩(wěn)壓管是一種特殊的面接觸型硅二極管。由于它在電路中與適當數(shù)值的電阻配合，能起到穩(wěn)定電壓的作用，所以稱其為穩(wěn)壓管。1基本結(jié)構(gòu)圖形符號文字符號DZPN+-陽極陰極第30頁,共64頁，2024年2月25日，星期天UIUZIZIZmaxUZIZ

（1）穩(wěn)壓管的伏安特性與二極管的伏安特性類似。所不同的是穩(wěn)壓管的反向特性曲線比較陡。

（2）穩(wěn)壓管工作于反向擊穿區(qū)。當穩(wěn)壓管反向擊穿后，反向電流雖在很大范圍內(nèi)變化，但反向電壓卻變化很小。利用這一特性，穩(wěn)壓管在電路中可以起穩(wěn)壓作用。

（3）穩(wěn)壓管與一般二極管不同，它的反向擊穿是可逆的。當取掉反向電壓后，穩(wěn)壓管又恢復正常。但是，如果反向電流超過允許范圍，穩(wěn)壓管將發(fā)生熱擊穿而損壞。2伏安特性第31頁,共64頁，2024年2月25日，星期天3主要參數(shù)（1）穩(wěn)定電壓UZ為穩(wěn)壓管反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓值。手冊中所給的都是在一定條件下的數(shù)值，即使是同一型號的管子，由于工藝和其它方面的原因，穩(wěn)壓值都有一定的分散性。（2）電壓溫度系數(shù)

U溫度每變化1℃穩(wěn)定電壓變化的百分數(shù)。一般來說，低于6V的穩(wěn)壓管，其電壓溫度系數(shù)是負值；高于6V的穩(wěn)壓管，其電壓溫度系數(shù)是正值；而在6V左右的穩(wěn)壓管，其穩(wěn)定電壓基本不隨溫度變化。因此選用穩(wěn)定電壓為6V左右的穩(wěn)壓管，可得到較好的溫度穩(wěn)定性。（3）動態(tài)電阻rZ

穩(wěn)壓管的反向特性曲線越陡，則動態(tài)電阻越小，穩(wěn)壓性能越好。第32頁,共64頁，2024年2月25日，星期天（4）穩(wěn)定電流IZ為穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流值。手冊上給出的穩(wěn)定電壓和動態(tài)電阻都是對應于這個電流附近的數(shù)值。（5）額定功率PZ和最大穩(wěn)定電流IZMPZ為穩(wěn)壓管允許結(jié)溫下的最大功率損耗。IZM為穩(wěn)壓管允許通過的最大電流。第33頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.5直流穩(wěn)壓電源

在生產(chǎn)、生活和科學實驗中，主要采用交流電，但在某些場合，例如電解、電鍍、蓄電池的充電、直流電動機等，都需要直流電源供電。此外，在電子線路和自動控制裝置中還需要用非常穩(wěn)定的直流電源電壓。為了得到直流電，除了用直流發(fā)電機外，目前廣泛采用各種半導體直流電源。第34頁,共64頁，2024年2月25日，星期天

半導體直流電源由整流變壓器、整流電路、濾波電路、穩(wěn)壓電路等環(huán)節(jié)組成。

整流變壓器Tr：將交流電源電壓u1變換為符合整流要求的交流電壓u2。

濾波電路：將單向脈動直流電壓u3變換為脈動較小的直流電壓u4。

整流電路：將交流電壓u2變換為單向脈動的直流電壓u3。

穩(wěn)壓電路：在交流電源電壓波動及負載變化時，使直流輸出電壓uo穩(wěn)定。整流電路濾波電路穩(wěn)壓電路u1u2u4uou3Tr第35頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.6整流電路

整流電路的作用是將交流電壓變換為單向脈動的直流電壓。常見的小功率整流電路有：單相半波、全波、橋式和倍壓整流等，這些整流電路主要應用在電子儀器中。在要求整流功率較大的場合，采用單相整流電路，會造成三相電網(wǎng)負載的不平衡，影響供電質(zhì)量，這時應采用三相橋式整流電路。

在整流電路中，整流元件為二極管，為分析問題簡單起見，可把二極管當作理想元件來處理，即二極管的正向?qū)娮铻榱?，反向電阻為無窮大。第36頁,共64頁，2024年2月25日，星期天1單相半波整流電路忽略二極管正向壓降，則uo=u+-所以uo=0-+u>0時：二極管正向?qū)?，io≠0u<0時：二極管反向截止，io=0

～uaTrbDRLuoio～uaTrbDRLuoio第37頁,共64頁，2024年2月25日，星期天～uaTrbDRLuoiotuoiotu

23uo、io的波形與平均值

二極管的平均電流二極管的最高反向電壓第38頁,共64頁，2024年2月25日，星期天2單相橋式整流電路u>0時：D1、D3正向?qū)?，D2、D4反向截止，io>0，uo=u>0D4D2D1D3RLab～uTruoio+-第39頁,共64頁，2024年2月25日，星期天u<0時：D2、D4正向?qū)?，D1、D3反向截止，io>0，uo=-u>0D4D2D1D3RLab～uTruoio-+第40頁,共64頁，2024年2月25日，星期天ttu

23uo、io的波形與平均值

uoio第41頁,共64頁，2024年2月25日，星期天D4D2D1D3RLab～uTruoio二極管的平均電流二極管的最高反向電壓第42頁,共64頁，2024年2月25日，星期天例已知負載電阻RL=80

，負載電壓Uo=110V，采用橋式整流電路，交流電源電壓為380V，如何選擇整流二極管？解

可選用2CZ11C型二極管，其最大整流電流為1A，反向工作峰值電壓為300V。

考慮到變壓器副繞組及管子上的壓降，變壓器的副邊電壓大約要比計算值高出10%，所以第43頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.7濾波電路

交流電壓經(jīng)整流后輸出的是單向脈動的直流電壓，其中既含有直流成分又含有交流成份。濾波電路的作用是利用電容元件兩端電壓不能躍變或電感元件中電流不能躍變的特性,將電容元件與負載并聯(lián)或?qū)㈦姼性c負載串聯(lián)，濾掉整流輸出電壓中的交流成份，保留其直流成份，達到輸出電壓平滑的目的。第44頁,共64頁，2024年2月25日，星期天1單相半波帶電容濾波的整流電路uo～uaTrbDRLC+uCtu

23D導通D截止tuo第45頁,共64頁，2024年2月25日，星期天D截止C放電tuoObcaD導通C充電dO～a段：D導通，電源對C充電，uo=uC=u；

a～b段：從a點開始，u和uC都開始下降，u按正弦規(guī)律下降，uC按指數(shù)規(guī)律下降，開始uC下降速度大于u，所以D導通，uo=uC=u；

b～c段：從b點開始，

u下降速度大于uC

，所以D截止，uo=uC，按指數(shù)規(guī)律變化，變化快慢決定于

=RLC；

c～d段：u>uC，D又導通，uo=uC=u，重復上一周期。uo～uaTrbDRLC+uCtu

23第46頁,共64頁，2024年2月25日，星期天tuoOtuo無電容濾波帶電容濾波

帶電容濾波時，uo的脈動大為減小，其平均值Uo增大。uo～uaTrbDRLC+uC第47頁,共64頁，2024年2月25日，星期天tuoOtuo無電容濾波帶電容濾波

在空載時：

隨著負載的增大（

RL

↘），放電時間常數(shù)

=RLC↘

，放電加快，所以Uo↘。uo～uaTrbDRLC+uC通常規(guī)定：單相半波帶電容濾波的整流電路——單相全波帶電容濾波的整流電路——第48頁,共64頁，2024年2月25日，星期天單相半波帶電容濾波整流電路的特點一般取(T：電源電壓的周期)(2)流過二極管的瞬時電流很大=RLC愈大

Uo愈大

負載電流的平均值愈大

整流管導通角愈小

iD的峰值也就愈大。(1)輸出電壓Uo與時間常數(shù)

=RLC有關=RLC愈大

電容C放電愈慢

Uo(uo的平均值)愈大。第49頁,共64頁，2024年2月25日，星期天(3)二極管承受的最高反向電壓(4)、輸出外特性——Uo與Io的關系曲線Uo帶電容濾波1.4U0.45UIo無電容濾波

帶電容濾波的整流電路，其外特性較差，或者說帶負載能力較差。電容濾波電路適用于輸出電壓較高，負載電流較小且變化也較小的場合。uo～uaTrbDRLC+uCio第50頁,共64頁，2024年2月25日，星期天2電感濾波電路電路結(jié)構(gòu)：在整流電路與負載之間串聯(lián)一個電感L就構(gòu)成了電感濾波電路。uo～uTrbRLLau′第51頁,共64頁，2024年2月25日，星期天（1）濾波原理

對u′的直流分量：f=0，XL=0，相當于短路，電壓大部分降在RL上；對u′的交流分量：f越高，XL越大，電壓大部分降在XL上。因此，uo主要是u′的直流成分，uo是比較平滑的直流電壓。Uo=0.9U

當忽略L的直流電阻時，uo的平均值約為：uo～uTrbRLLau′第52頁,共64頁，2024年2月25日，星期天Luo～uTrbRLau′（2）電感濾波的特點:

整流管導通角較大，峰值電流很小，輸出外特性比較平坦，適用于低電壓大電流(RL較小)的場合。缺點是電感鐵芯笨重，體積大，易引起電磁干擾。第53頁,共64頁，2024年2月25日，星期天3復合濾波電路

單獨使用電容或電感構(gòu)成的濾波電路，濾波效果不夠理想，為了滿足較高的濾波要求常采用電容和電感組成的LC、CLC-

型等復合濾波電路。這兩種濾波電路適用于負載電流較大，要求輸出電壓脈動較小的場合。LC+C+C+L第54頁,共64頁，2024年2月25日，星期天C+C+LC+C+R

在負載較輕時，常采用電阻代替笨重的電感，構(gòu)成CRC-

型濾波電路，同樣可以獲得脈動很小的輸出電壓。但電阻對交、直流均有壓降和功率損耗，所以只適用于負載電流較小的場合。第55頁,共64頁，2024年2月25日，星期天§1.8穩(wěn)壓電路

經(jīng)整流和濾波后的直流電壓往往還會隨交流電源電壓的波動或負載的變化而變化。為了得到很穩(wěn)定的直流電壓，直流穩(wěn)壓電源還需在整流、濾波電路之后再加一級穩(wěn)壓電路。最簡單的穩(wěn)壓電路是采用穩(wěn)壓管和限流電阻組成。UoUiRRLDZIZIo穩(wěn)壓電路Ui是經(jīng)整流和濾波后的電壓第56頁,共64頁，2024年2月25日，星期天UoUiRRLDZIZIo*當交流電源電壓波動而使Ui變化時Uo=Ui-UR↑IZ↑UR↑U