藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件的設(shè)計的開題報告

藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件的設(shè)計的開題報告一、選題背景與意義自從LED工程發(fā)展以來，高亮度、高穩(wěn)定性的藍(lán)光LED一直是工程界的研究和發(fā)展目標(biāo)。為了提高能效和降低發(fā)熱等問題，研究人員開始使用新的AlaNGaN材料及其襯底來制造藍(lán)寶石襯底上的器件。ACT是從藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的新型器件，其具有優(yōu)異的電特性和熱穩(wěn)定性。在LED、功率電子器件、線性射頻電路等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。因此，ACT器件的研究和設(shè)計具有很高的科研意義和工程價值。二、研究內(nèi)容和方法本研究內(nèi)容包括以下兩個方面：1.設(shè)計藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件：根據(jù)實驗室已有的相關(guān)實驗結(jié)果及理論研究，設(shè)計藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件，包括電極的設(shè)計、布線的設(shè)計等。2.對ACT器件進(jìn)行電特性測試：通過測試ACT器件的電流-電壓關(guān)系等電特性參數(shù)，驗證設(shè)計的可行性。研究方法：結(jié)合已有的實驗結(jié)果和理論研究，采用電子設(shè)計軟件進(jìn)行設(shè)計，并在實驗室中進(jìn)行樣品的制備和測試。三、研究進(jìn)度本研究計劃于2022年1月開始，預(yù)計2022年5月完成。具體進(jìn)度安排如下：2022年1月-2月：收集相關(guān)文獻(xiàn)，進(jìn)一步了解ACT器件的相關(guān)研究進(jìn)展和設(shè)計要求。2022年3月-4月：進(jìn)行設(shè)計工作，包括器件電極和布線設(shè)計等。2022年4月-5月：制備ACT器件樣品，并進(jìn)行電特性測試。四、預(yù)期成果1.設(shè)計出藍(lán)寶石襯底上以AlaNGaN材料為基礎(chǔ)的ACT器件。2.驗證設(shè)計的可行性，并獲得ACT器件的電特性測試結(jié)果。3.增強(qiáng)實驗室的理論研究和實踐能力，為相關(guān)研究提供支持。五、研究難點1.設(shè)計器件布線時需要考慮并解決AlaNGaN材料的特性和器件的電特性要求。2.AlaNGaN材料的制備需要高度純凈的設(shè)備和環(huán)境，加上其特殊的物理性質(zhì)，制備過程較為復(fù)雜。3.對測試結(jié)果的分析和解釋需要較為專業(yè)的知識和技能。六、技術(shù)路線1.收集相關(guān)文獻(xiàn)，了解ACT器件的相關(guān)研究進(jìn)展和設(shè)計要求。2.進(jìn)行ACT器件的電極和布線設(shè)計。3.制備AlaNGaN材料和藍(lán)寶石襯底。4.制備ACT器件樣品。5.進(jìn)行電特性測試。6.對實驗結(jié)果進(jìn)行分析和解釋，并得出結(jié)論。七、參考文獻(xiàn)[1]XieJ,YangF,ZhangB.AlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistorsonsapphireandsiliconsubstrates[J].MicroelectronicsReliability,2015,55(5):872-878.[2]ChuR,DongY,LiuY,etal.AlGaN/GaNhighelectronmobilitytransistoronSisubstrates[J].AppliedPhysicsLetters,2011,98(14):142112.[3]ShiD,LuJ,ShenB,etal.AlGaN/GaN-BasedHighElectronMobilityTransistorsonSapphireSubstrate[J].JournalofElectronicMaterials,2015,44(1):286-289.[4]王憶東,周志宏,林啟龍,等.AlGaN/GaNHEMT器件的熱穩(wěn)定性研究[J].紅外與激光工程,2018,47(3):03