任務(wù)三 沉淀的形成和影響沉淀純度的因素

第八章重量分析法第一節(jié)概述第二節(jié)沉淀溶解度及其影響因素第三節(jié)沉淀的形成和影響沉淀純度的因素第四節(jié)沉淀?xiàng)l件的選擇和稱量形物質(zhì)的獲得第五節(jié)有機(jī)沉淀劑第六節(jié)重量分析計(jì)算和應(yīng)用示例一、沉淀的類型二、沉淀的形成過(guò)程三、影響沉淀純度的因素四、減少沉淀玷污的方法第三節(jié)沉淀的形成和影響沉淀純度的因素一、

沉淀的類型晶型沉淀無(wú)定型沉淀凝乳狀沉淀顆粒直徑0.1～1

m晶體沉淀顆粒最大，離子按晶體結(jié)構(gòu)有規(guī)律排列，結(jié)構(gòu)緊密，整個(gè)沉淀所占體積較小，極易沉于容器底部CaC2O4，BaSO4顆粒直徑<0.02

m顆粒最小，內(nèi)部離子排列雜亂，包含大量水分子，結(jié)構(gòu)疏松，整個(gè)沉淀所占體積最大Fe(OH)3顆粒直徑0.02～0.1

m介于二者中間AgCl避免均相成核：構(gòu)晶離子自發(fā)形成晶核如BaSO4，8個(gè)構(gòu)晶離子形成一個(gè)晶核異相成核：外來(lái)固體微粒起著晶種的作用，構(gòu)晶離子在這些外來(lái)固體微粒的誘導(dǎo)下，聚合形成晶核成核過(guò)程均相成核異相成核長(zhǎng)大過(guò)程凝聚定向排列構(gòu)晶離子晶核沉淀顆粒無(wú)定形沉淀晶形沉淀二、

沉淀的形成過(guò)程成核過(guò)程均相成核異相成核長(zhǎng)大過(guò)程凝聚定向排列構(gòu)晶離子晶核沉淀顆粒無(wú)定形沉淀晶形沉淀長(zhǎng)大過(guò)程沉淀類型n凝聚>n定向無(wú)定形沉淀n定向>n凝聚晶形沉淀聚集速度：構(gòu)晶離子聚集成晶核的速度定向速度：按一定晶格定向排列的速度表面吸附——膠體沉淀不純的主要原因，洗滌沉淀表面離子電荷作用力未達(dá)到平衡，靜電吸引帶相反電荷的離子吸留、包藏——陳化、重結(jié)晶沉淀劑加入太快，使沉淀急速生長(zhǎng)，沉淀表面吸附的雜質(zhì)來(lái)不及離開就被隨后的沉淀所覆蓋，使雜質(zhì)離子或母液被吸溜或包藏在沉淀內(nèi)部混晶——預(yù)先將雜質(zhì)分離除去雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子半徑相近，晶體結(jié)構(gòu)相同時(shí)，雜質(zhì)離子進(jìn)入晶核排列中，形成混晶共沉淀三、

影響沉淀純度的因素后沉淀沉淀吸出后，當(dāng)沉淀與母液一起放置，溶液中某些雜質(zhì)離子沉積到原沉淀上，放置時(shí)間越長(zhǎng)，雜質(zhì)析出量越多

縮短沉淀與母液共置的時(shí)間四、

減少沉淀玷污的方法采用適當(dāng)?shù)姆治龀绦颍合瘸恋淼秃拷M分，后沉淀高含量組分降低易被吸附雜質(zhì)離子濃度：掩蔽，改變雜質(zhì)離子價(jià)態(tài)選擇沉淀?xiàng)l件：溶液濃度、溫度、試劑加入次序等再沉