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場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路本章主要內(nèi)容:MOS場(chǎng)效應(yīng)管
類型、符號(hào)、結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線等結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的放大電路
微變信號(hào)模型、常用電路場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其放大電路本章主要內(nèi)容:N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和符號(hào)2N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和符號(hào)2增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
3增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
3增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
4增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
4增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
5增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
5增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
6增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
6增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
7增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
7增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
8增強(qiáng)型NMOS管的基本工作原理
8增強(qiáng)型NMOS管的
特性曲線
9增強(qiáng)型NMOS管的
特性曲線
9增強(qiáng)型NMOS管的
特性曲線
10增強(qiáng)型NMOS管的
特性曲線
10增強(qiáng)型NMOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線
11增強(qiáng)型NMOS管的轉(zhuǎn)移特性曲線
11增強(qiáng)型PMOS管
12增強(qiáng)型PMOS管
12耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管存在初始導(dǎo)通溝道和增強(qiáng)型相似、不同之處13耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管存在初始導(dǎo)通溝道13耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
14耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
14耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
15耗盡型MOS場(chǎng)效應(yīng)管
15結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)16結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)16結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)基本工作原理內(nèi)建初始導(dǎo)電溝道17結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)17結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
18結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
18結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
19結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
19結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
20結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
20結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
21結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
21結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
22結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)
22結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)基本工作原理特性曲線23輸出特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)23輸出特性曲線MOS場(chǎng)效應(yīng)管的瞬態(tài)模型24MOS場(chǎng)效應(yīng)管的瞬態(tài)模型24MOS場(chǎng)效應(yīng)管的低頻微變信號(hào)模型
25MOS場(chǎng)效應(yīng)管的低頻微變信號(hào)模型
25MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻微變信號(hào)模型26MOS場(chǎng)效應(yīng)管的高頻微變信號(hào)模型26場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的要點(diǎn)分析方法與三極管放大電路相同偏置電路的設(shè)置柵極電流為零跨導(dǎo)一般較小27場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的要點(diǎn)分析方法與三極管放大電路相同27分壓式偏置不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管增強(qiáng)型MOS管耗盡型MOS管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管分析方法28分壓式偏置不同類型的場(chǎng)效應(yīng)管28分壓式偏置
29分壓式偏置
29自給偏壓式偏置
30自給偏壓式偏置
30自給偏壓式偏置適用于結(jié)型和耗盡型耗盡型偏置電阻對(duì)交流信號(hào)有損耗作用,也降低了放大電路的輸入電阻31自給偏壓式偏置適用于結(jié)型和耗盡型31自給偏壓式偏置在集成電路中,本級(jí)放大電路的輸入端直流偏置通常由前級(jí)電路的輸出提供必要時(shí)加入直流電平移動(dòng)單元,稱這種偏置方式為直接偏置32自給偏壓式偏置在集成電路中,本級(jí)放大電路的輸入端直流偏置通常場(chǎng)效應(yīng)管的三種基本組態(tài)放大電路對(duì)應(yīng)共射、共集、共基33場(chǎng)效應(yīng)管的三種基本組態(tài)放大電路對(duì)應(yīng)共射、共集、共基33基本共源放大電路
34基本共源放大電路
34基本共漏放大電路
35基本共漏放大電路
35基本共柵放大電路
36基本共柵放大電路
36場(chǎng)效應(yīng)管基本電流源
37場(chǎng)效應(yīng)管基本電流源
37場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)電流源
38場(chǎng)效應(yīng)管串聯(lián)電流源
38MOS管有源電阻39MOS管有源電阻39NMOS管共源E/E型放大電路放大管與負(fù)載管均為增強(qiáng)型MOS管40NMOS管共源E/E型放大電路放大管與負(fù)載管均為增強(qiáng)型MOSNMOS管共源E/D型放大電路以增強(qiáng)型MOS管(稱為E管)作為放大管,耗盡型MOS管(稱為D管)作為負(fù)載管41NMOS管共源E/D型放大電路以增強(qiáng)型MOS管(稱為E管)作CMOS共源放大電路
42CMOS共源放大電路
42CMOS共源放大電路兩管都為放大管,并聯(lián)工作點(diǎn)范圍較小43CMOS共源放大電路兩管都為放大管,并聯(lián)43三種單級(jí)放大電路的主要性能比較從輸出曲線變化范圍比較從線性放大區(qū)特性的斜率比較44三種單級(jí)放大電路的主要性能比較從輸出曲線變化范圍比較44MOS管基本差分放大電路電路結(jié)構(gòu)45MOS管基本差分放大電路電路結(jié)構(gòu)45MOS管基本差分放大電路差模特性:微變?cè)鲆?、輸入阻抗、輸出阻?6MOS管基本差分放大電路差模特性:微變?cè)鲆?、輸入阻抗、輸出阻MOS管基本差分放大電路傳輸特性47MOS管基本差分放大電路傳輸特性47MOS管基本差分放大電路共模特性48MOS管基本差分放大電路共模特性48MOS管有源負(fù)載差分放大電路E/E型放大電路49MO
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