電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南（征求意見稿）

中華人民共和國(guó)國(guó)家生態(tài)環(huán)境標(biāo)準(zhǔn)

HJ□□□□—2022

電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南

Guidelineonavailabletechniquesofwaterpollutionpreventionandcontrol

forelectronicindustry

（征求意見稿）

前言

為貫徹《中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)法》《中華人民共和國(guó)水污染防治法》等法律法規(guī)，防治生態(tài)環(huán)

境污染，改善生態(tài)環(huán)境質(zhì)量，推動(dòng)電子工業(yè)水污染防治技術(shù)進(jìn)步，制定本標(biāo)準(zhǔn)。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電子工業(yè)的廢水污染防治可行技術(shù)。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄A為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)為首次發(fā)布。

本標(biāo)準(zhǔn)由生態(tài)環(huán)境部水生態(tài)環(huán)境司、科技與財(cái)務(wù)司、法規(guī)與標(biāo)準(zhǔn)司組織制訂。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草單位：中國(guó)環(huán)境科學(xué)研究院、中國(guó)電子工程設(shè)計(jì)院有限公司、中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)

會(huì)、中國(guó)電子電路行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)。

本標(biāo)準(zhǔn)生態(tài)環(huán)境部2022年□□月□□日批準(zhǔn)。

本標(biāo)準(zhǔn)自2022年□□月□□日起實(shí)施。

本標(biāo)準(zhǔn)由生態(tài)環(huán)境部解釋。

ii

電子工業(yè)水污染防治可行技術(shù)指南

1適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)提出了電子工業(yè)的廢水污染防治可行技術(shù)。

本標(biāo)準(zhǔn)可作為電子工業(yè)企業(yè)或生產(chǎn)設(shè)施建設(shè)項(xiàng)目的環(huán)境影響評(píng)價(jià)、國(guó)家污染物排放標(biāo)準(zhǔn)

的制修訂、排污許可管理和廢水污染防治技術(shù)選擇的參考。

2規(guī)范性引用文件

本標(biāo)準(zhǔn)引用了下列文件或其中的條款。凡是注明日期的引用文件，僅注日期的版本適用

于本標(biāo)準(zhǔn)。凡是未注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

GB4754-2017國(guó)民經(jīng)濟(jì)行業(yè)分類

GB14554惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)

GB/T15562.1環(huán)境保護(hù)圖形標(biāo)志——排放口（源）

GB/T32123含氰廢水處理處置規(guī)范

GB39731電子工業(yè)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)

HJ576厭氧-缺氧-好氧活性污泥法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ577序批式活性污泥法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ579膜分離法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ1031排污許可證申請(qǐng)與核發(fā)技術(shù)規(guī)范電子工業(yè)

HJ□□排污單位自行監(jiān)測(cè)技術(shù)指南電子工業(yè)

HJ1095芬頓氧化法廢水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2006污水混凝與絮凝處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2009生物接觸氧化法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2010膜生物法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2013升流式厭氧污泥床反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2014生物濾池法污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2047水解酸化反應(yīng)器污水處理工程技術(shù)規(guī)范

HJ2058印制電路板廢水治理工程技術(shù)規(guī)范

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

3.1

電子工業(yè)electronicindustry

指電子專用材料、電子元件、印制電路板、半導(dǎo)體器件、顯示器件及光電子器件、電子

終端產(chǎn)品等六類電子產(chǎn)品制造業(yè)，對(duì)應(yīng)GB/T4754-2017中的計(jì)算機(jī)制造（C391）、電子器件

1

制造（C397）、電子元件及電子專用材料制造（C398）和其他電子設(shè)備制造（C399）。

3.2

污染防治可行技術(shù)availabletechniquesofpollutionpreventionandcontrol

指根據(jù)我國(guó)一定時(shí)期內(nèi)環(huán)境需求和經(jīng)濟(jì)水平，在污染防治過程中綜合采用污染預(yù)防技術(shù)、

污染治理技術(shù)和環(huán)境管理措施，使污染物排放穩(wěn)定達(dá)到國(guó)家污染物排放標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)模應(yīng)用的技

術(shù)。

4行業(yè)生產(chǎn)與水污染物的產(chǎn)生

4.1電子專用材料

4.1.1生產(chǎn)工藝

電子專用材料根據(jù)其用途可分為電子功能材料、互聯(lián)與封裝材料、工藝與輔助材料。其

典型產(chǎn)污工藝流程示意見附錄A的圖A.1-1～圖A.1-2，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表1所示。

4.1.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于刻蝕、電蝕、拋光、清洗、溶銅、表面處理、涂覆、粉碎、研磨等

工藝廢水，主要污染物有化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機(jī)碳、氨氮、總氮、總磷、懸浮物、

石油類、氟化物、總氰化物、陰離子表面活性劑、總銅、總鋅、六價(jià)鉻、總鉻、總鎘、總鉛、

總砷、總鎳、總銀、pH值等。

表1電子專用材料制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

產(chǎn)品類別主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

刻蝕刻蝕酸性廢水、含氟廢水、含氨廢水

電蝕鋁箔腐蝕酸性廢水、含氨廢水

拋光拋光有機(jī)廢水（研磨廢水）

電子功能材料

酸洗酸性廢水、含氟廢水

清洗堿洗堿性廢水

有機(jī)溶劑洗有機(jī)廢水

溶銅溶銅酸性廢水、含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

含金屬?gòu)U水（含銅廢水、含鋅廢水、

互聯(lián)和封裝材料表面處理表面處理

含六價(jià)鉻廢水）

涂覆有機(jī)涂覆有機(jī)廢水

粉碎粉碎含金屬?gòu)U水

工藝與輔助材料

研磨研磨有機(jī)廢水（研磨廢水）、含金屬?gòu)U水

2

4.2電子元件

4.2.1生產(chǎn)工藝

電子元件一般包括電容器、電阻器和電位器、電感器、電子變壓器、敏感元器件等。生

產(chǎn)工藝一般包括混合、研磨、清洗、端面處理和涂覆等工序，其典型產(chǎn)污工藝流程示意見附

錄A的圖A.2-1～圖A.2-2，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表2所示。

4.2.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于混合、研磨和清洗、端面處理和涂覆等工藝廢水，水污染物主要有

總鎳、化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機(jī)碳、氨氮、總氮、總磷、懸浮物、石油類、氟化物、

總氰化物、陰離子表面活性劑、總銅、總鋅、六價(jià)鉻、總鉻、總鎘、總鉛、總砷、總鎳、總

銀、pH值等。

表2電子元件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

混合混合有機(jī)廢水

研磨研磨含金屬?gòu)U水（含鎳廢水）

清洗清洗有機(jī)廢水

端面處理端面處理酸堿廢水、含金屬?gòu)U水

涂覆涂覆有機(jī)廢水

4.3印制電路板

4.3.1生產(chǎn)工藝

印制電路板包括剛性板與撓性板，單面印制電路板、雙面印制電路板、多層印制電路板，

以及剛撓結(jié)合印制電路板和高密度互連印制電路板等。其典型產(chǎn)污工藝流程示意見附錄A

的圖A.3，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表3所示。

4.3.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于清洗、線路制作、沉銅、電鍍、防焊印刷、表面處理和成型等工藝

廢水，主要污染物有化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機(jī)碳、氨氮、總氮、總磷、懸浮物、石油

類、氟化物、總氰化物、陰離子表面活性劑、硫化物、總銅、總鉛、總鎳、總銀、pH值等。

表3印制電路板制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

內(nèi)層前處理化學(xué)清洗含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

底片制作有機(jī)廢水

內(nèi)層線路制作

顯影有機(jī)廢水

蝕刻含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

3

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

去膜有機(jī)廢水

棕黑化含金屬?gòu)U水（含銅廢水、絡(luò)合廢水）

含金屬?gòu)U水（含銅廢水、絡(luò)合廢水）、

沉銅去鉆污、沉銅

有機(jī)廢水

鍍銅/鍍錫含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

電鍍

退鍍含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

外層前處理化學(xué)清洗含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

顯影有機(jī)廢水

外層線路制作蝕刻含金屬?gòu)U水（含銅廢水、絡(luò)合廢水）

去膜有機(jī)廢水

褪錫含金屬?gòu)U水（絡(luò)合廢水）

阻焊前處理化學(xué)清洗含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

防焊印刷

顯影有機(jī)廢水

噴錫、化錫、化銀、化金、有機(jī)涂覆（）含金屬?gòu)U水（絡(luò)合廢水、含鎳廢水、含

表面處理OSP

等銀廢水、含銅廢水）、含氰廢水

成型成型、清洗有機(jī)廢水（清洗廢水）

4.4半導(dǎo)體器件

4.4.1生產(chǎn)工藝

半導(dǎo)體器件主要包括半導(dǎo)體分立器件、集成電路、半導(dǎo)體照明器件等。半導(dǎo)體分立器件

生產(chǎn)工藝主要包括光掩膜設(shè)計(jì)、硅片制造、芯片制備、芯片封裝、芯片測(cè)試五大部分。污染

物的產(chǎn)生主要集中在芯片制備和芯片封裝過程中。其典型產(chǎn)污工藝流程示意見附錄A的圖

A.4，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表4所示。

4.4.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于清洗、光刻、刻蝕、去膠、銅制程、研磨和封裝等工藝廢水，主要

污染物有化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機(jī)碳、氨氮、總氮、總磷、懸浮物、石油類、氟化物、

總氰化物、陰離子表面活性劑、硫化物、總銅、總鋅、六價(jià)鉻、總鉻、總鎘、總鉛、總砷、

總鎳、總銀、pH值等。

表4半導(dǎo)體器件制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

含氟廢水、酸堿廢水、含氨廢水、有機(jī)廢水、

清洗清洗

含磷廢水

光刻顯影+清洗含氨廢水

刻蝕濕法刻蝕含氟廢水、含氨廢水、含磷廢水

去膠濕法去膠有機(jī)廢水、酸堿廢水

銅制程銅制程含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

4

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

研磨化學(xué)機(jī)械研磨有機(jī)廢水（研磨廢水）

有機(jī)廢水（劃片磨片廢水）、含金屬?gòu)U水（電

封裝封裝/

鍍廢水）

4.5顯示器件及光電子器件

4.5.1生產(chǎn)工藝

顯示器件包括薄膜晶體管液晶顯示器件、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器件、有機(jī)發(fā)

光二極管顯示器件、真空熒光顯示器件、場(chǎng)發(fā)射顯示器件、等離子顯示器件、曲面顯示器件

以及柔性顯示器件等。光電子器件的主要產(chǎn)污工藝包括外延生長(zhǎng)、光刻、刻蝕、減薄等工序。

顯示器件的主要產(chǎn)污工藝包括陣列、彩膜、成盒和模組等工序。其典型產(chǎn)污工藝流程示意見

附錄A的圖A.5-1～圖A.5-2，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表5所示。

4.5.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于陣列、彩膜、成盒和模組等工藝廢水，主要污染物有化學(xué)需氧量

（CODCr）、總有機(jī)碳、氨氮、總氮、總磷、懸浮物、石油類、氟化物、總氰化物、陰離子

表面活性劑、總銅、總鋅、總鉛、總砷、總鎳、總銀、pH值等。

表5顯示器件（TFT-LCD）制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

清洗酸堿廢水

光刻有機(jī)廢水

顯影有機(jī)廢水

光刻膠剝離有機(jī)廢水

陣列含磷廢水

濕法刻蝕含金屬?gòu)U水（含銅廢水）

酸堿廢水

干法刻蝕POU（源頭處理）產(chǎn)生的含氟廢水

化學(xué)氣相沉積POU（源頭處理）產(chǎn)生的含氟廢水

光刻

有機(jī)廢水（彩膜廢水）

顯影

彩膜氧化銦錫（ITO）再生有機(jī)廢水（彩膜廢水）

紅綠藍(lán)3種顏色層（RGB）剝離液再

有機(jī)廢水（彩膜廢水）

生

清洗酸堿廢水

成盒清洗有機(jī)廢水

模組清洗有機(jī)廢水

5

4.6電子終端產(chǎn)品

4.6.1生產(chǎn)工藝

電子終端產(chǎn)品制造以組裝為主，部分產(chǎn)品含有電鍍和清洗工藝。其典型產(chǎn)污工藝流程示

意見附錄A的圖A.6，主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)如表6所示。

4.6.2水污染物

水污染物主要來(lái)源于電鍍工藝廢水，主要污染物有化學(xué)需氧量（CODCr）、總有機(jī)碳、

氨氮、總氮、總磷、懸浮物、石油類、氟化物、總氰化物、陰離子表面活性劑、總銅、總鋅、

六價(jià)鉻、總鉻、總鎘、總鉛、總砷、總鎳、總銀、pH值等。

表6電子終端產(chǎn)品制造主要廢水產(chǎn)污環(huán)節(jié)分析列表

主要生產(chǎn)單元主要工藝廢水類別

有機(jī)廢水（清洗廢水）、含金屬?gòu)U水

電鍍電鍍

（電鍍廢水）

5污染預(yù)防技術(shù)

5.1原輔材料替代技術(shù)

5.1.1環(huán)保型褪鍍液替代技術(shù)

適用于印制電路板生產(chǎn)的電鍍工序。用硫酸、雙氧水體系的環(huán)保型褪鍍液替代電鍍工序

常規(guī)的硝酸褪鍍液，可減少?gòu)U水、廢液中總氮的產(chǎn)生量，從而減少總氮的排放量。

5.1.2非金屬樹脂材料替代技術(shù)

適用于顯示器件及光電子器件生產(chǎn)的彩色濾光片制備。在彩色濾光片的制備過程中，黑

色矩陣層BM（BlackMatrix）采用環(huán)保性能相對(duì)較好的非金屬黑色樹脂來(lái)代替金屬鉻/氧化

鉻，從而杜絕了使用鉻帶來(lái)的污染問題。

5.2設(shè)備或工藝革新技術(shù)

5.2.1清洗廢水回用技術(shù)

（1）逆流清洗法

適用于電子工業(yè)清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水回用處理。清洗過程有單級(jí)清洗、二級(jí)和三級(jí)

逆流清洗，由末級(jí)槽進(jìn)水、第一級(jí)槽排出清洗廢水，其水流方向與工件清洗移動(dòng)方向相反，

生產(chǎn)線配套在線回用水裝置，對(duì)多級(jí)逆流水洗的最后一道水洗廢水進(jìn)行在線回收，經(jīng)處理后

直接回用于生產(chǎn)，進(jìn)而提高水重復(fù)利用率，節(jié)約廠區(qū)新水使用量。與全部采用新水清洗相比，

可減少?gòu)U水產(chǎn)生量約30%以上。

（2）膜處理法

適用于電子工業(yè)清洗工序產(chǎn)生的清洗廢水回用處理。利用選擇性膜的半透性，通過外接

提供能量使選擇性膜兩側(cè)出現(xiàn)壓差，以此為動(dòng)力將廢水中的有機(jī)物、無(wú)機(jī)鹽等雜質(zhì)去除，可

將廢水回用到公用設(shè)施或生產(chǎn)環(huán)節(jié)，包括電滲析、反滲透、超濾、微濾、納濾等?；蛘呤蔷?/p>

6

水粗用，一部分經(jīng)過精清洗的水，再次用于要求不太嚴(yán)格的粗清洗，如顯影清洗水直接用于

去膜清洗，進(jìn)而增加水重復(fù)利用率，降耗減排。

6污染治理技術(shù)

6.1一般原則

a）電子工業(yè)企業(yè)應(yīng)推行清潔生產(chǎn)，采取本標(biāo)準(zhǔn)提出的水污染預(yù)防措施，提高物料利

用率、清洗效率，減少?gòu)U水污染物和廢水產(chǎn)生量。

b）含金屬?gòu)U水應(yīng)單獨(dú)收集、單獨(dú)處理。

c）合理設(shè)計(jì)廢水儲(chǔ)存設(shè)施，確保廢水處理設(shè)施事故及檢修期間生產(chǎn)廢水不外排。

d）鼓勵(lì)電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施采取不同種類廢水單獨(dú)收集、單獨(dú)處理且污泥單

獨(dú)脫水措施。

e）電子工業(yè)廢水經(jīng)處理后，外排廢水應(yīng)滿足GB39731規(guī)定。

6.2酸堿廢水處理技術(shù)

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的酸堿廢水。處理酸性廢水可采用堿性藥劑中和；當(dāng)廢水中

含有多種金屬離子時(shí)，可根據(jù)金屬離子的不同特性，分級(jí)處置。中和反應(yīng)產(chǎn)生大量沉渣應(yīng)

通過沉淀予以去除，中和處理技術(shù)宜采取pH計(jì)自動(dòng)控制加藥，工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2006的

要求，經(jīng)處理后pH值為6～9。

6.3含氟廢水處理技術(shù)

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含氟廢水。處理方法主要有化學(xué)沉淀法、吸附法、混凝沉淀

法、電凝聚法、離子交換法、反滲透膜法、液膜法、電滲析法等。在電子工業(yè)中應(yīng)用最廣泛

-

的是化學(xué)沉淀法。pH值6～9時(shí)向廢水中投加過量的鈣鹽，鈣離子與廢水中F生成CaF2沉

淀，然后投加適量絮凝劑，使CaF2形成便于分離的礬花。絮凝反應(yīng)完成后，在沉淀池中進(jìn)

行泥水分離，沉淀池出水進(jìn)入后續(xù)處理單元，池底污泥由污泥泵抽到污泥濃縮池。濃縮后的

污泥經(jīng)污泥脫水設(shè)備脫水后，形成含水率60%左右的泥餅。

6.4含金屬?gòu)U水處理技術(shù)

6.4.1化學(xué)沉淀處理法

（1）中和沉淀法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬離子非絡(luò)合廢水。該技術(shù)在廢水中加入NaOH等調(diào)節(jié)

pH值至堿性，再加入石灰等沉淀劑充分?jǐn)嚢?，使金屬離子與沉淀劑反應(yīng)生成沉淀。

（2）鐵氧體沉淀法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬離子非絡(luò)合廢水。該技術(shù)向含金屬?gòu)U水中投加鐵鹽或亞

鐵鹽，用氫氧化鈉調(diào)節(jié)pH值，加熱并通入空氣進(jìn)行氧化，可形成鐵氧體晶體，并使鎘等金

屬離子進(jìn)入鐵氧體晶格中，過濾達(dá)到處理目的。工藝條件為：亞鐵鹽投加濃度為150mg/L～

200mg/L，pH值為8～10，反應(yīng)溫度50℃～80℃，通入空氣氧化20min左右，沉淀30min

左右。

（3）硫化物沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產(chǎn)生的金屬絡(luò)合廢水。該技術(shù)在廢水

中加入Na2S和NaHS作為沉淀劑，經(jīng)過0.5h反應(yīng)后沉降50min左右，形成硫化物沉淀，

7

至沉淀池進(jìn)行固液分離。

（4）硫酸亞鐵/聚合硫酸鐵沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產(chǎn)生的金屬絡(luò)合廢水。該技術(shù)利用廢

水的鎘在堿性條件下，和硫酸亞鐵/聚合硫酸鐵反應(yīng)會(huì)生成難溶、穩(wěn)定的沉淀物，至沉淀池

進(jìn)行固液分離。

（5）硫化物－聚合硫酸鐵沉淀法

適用于處理印制電路板、電子元件及電子專用材料產(chǎn)生的金屬絡(luò)合廢水。該技術(shù)向廢水

中投加破絡(luò)劑硫化鈉，使硫離子與金屬離子反應(yīng)，生成難溶的金屬硫化物；通過pH控制儀

投加硫酸使水體pH值為5左右，并投加硫酸亞鐵，再進(jìn)入反應(yīng)池，通過pH控制儀投加堿

性藥劑，使水體pH值為10，再往廢水中投加絮凝劑聚丙烯酰胺（PAM）溶液，在絮凝劑

PAM的凝聚及架橋作用下，廢水中形成的固體懸浮物進(jìn)一步聚合形成較大顆粒的絮體，自

流至沉淀池進(jìn)行固液分離。工藝條件為：pH值適應(yīng)范圍為5～10，攪拌沉淀時(shí)間為10min～

30min。

6.4.2化學(xué)還原處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含六價(jià)鉻廢水。向廢水中投加NaHSO3、FeSO4、SO2、Na2SO3、

鐵粉等還原劑，與Cr6+發(fā)生還原反應(yīng)生成Cr3+，調(diào)整廢水pH值為7.5～8.5時(shí)，即生成

3+

Cr（OH）3沉淀。當(dāng)pH值>3時(shí)，F(xiàn)e即生成大量沉淀，生成的氫氧化鐵有凝聚作用，有利

于其他沉淀物的沉降。反應(yīng)時(shí)間為：連續(xù)處理時(shí)不小于30min；間歇處理時(shí)為2h～4h。該

法處理含鉻廢水效果好，但產(chǎn)生的污泥量大，占地面積大，出水色度偏高。

6.4.3電解處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含六價(jià)鉻濃度不大于100mg/L的廢水。在外加電流的作用

下，鐵陽(yáng)極發(fā)生溶解產(chǎn)生亞鐵離子，陰極發(fā)生析氫反應(yīng)，將廢液中的Cr6+還原為Cr3+，經(jīng)電

絮凝將污染物從水體中分離。出水經(jīng)加堿調(diào)整pH值，使Cr3+形成氫氧化鉻沉淀而被去除。

工藝條件為：進(jìn)水pH值控制在2.5～3；沉淀反應(yīng)pH值控制在7～8；電壓低于110V，電

流20A～60A。處理后六價(jià)鉻濃度不大于0.1mg/L。

6.4.4離子交換處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的離子態(tài)金屬或要求回收金屬離子的廢水。通過離子樹脂與廢

水中的離子選擇性交換，重金屬離子可被離子型樹脂吸附，達(dá)到去除廢水中重金屬的目的。

工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

6.4.5膜分離處理法

適用于回收處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬離子廢水。利用選擇性膜的半透性，通過外接提

供能量使選擇性膜兩側(cè)出現(xiàn)壓差，以此為動(dòng)力對(duì)重金屬離子進(jìn)行分離，包括電滲析、反滲

透、超濾、微濾、納濾等。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ579和HJ2058的要求。

6.4.6吸附處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬離子非絡(luò)合廢水。利用吸附材料具有比表面積大、吸

附能力強(qiáng)、活性基團(tuán)多等特性，使液相中的物質(zhì)從水相傳遞至固相表面。常用的吸附劑有

活性炭、硅藻土、沸石、殼聚糖、納米材料等。

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6.4.7芬頓/臭氧氧化法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬絡(luò)合廢水。該技術(shù)通過pH控制儀投加硫酸調(diào)節(jié)pH值

為3左右，再投加芬頓試劑（硫酸亞鐵和雙氧水）或臭氧，充分反應(yīng)完全后，廢水排至混凝

反應(yīng)池，再投加堿性藥劑調(diào)節(jié)pH值為10，反應(yīng)完全后，再往廢水中投加絮凝劑PAM溶液，

在絮凝劑PAM的凝聚及架橋作用下，廢水中形成的固體懸浮物進(jìn)一步聚合形成較大顆粒的

絮體，此時(shí)再自流至沉淀池進(jìn)行固液分離。對(duì)于低濃度含鎳廢水，一級(jí)處理可將總鎳降至

0.5mg/L；對(duì)于高濃度含鎳廢水，二級(jí)處理后可將總鎳降至0.1mg/L。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ1095

的相關(guān)要求。

6.4.8重捕劑處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的金屬絡(luò)合廢水。該技術(shù)利用一種試劑能與廢水中的Pb2+、

Ni2+、Zn2+、Cr6+等重金屬離子進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，在短時(shí)間內(nèi)迅速生產(chǎn)不溶性、低含水量、容

易過濾去除的絮狀沉淀，從而達(dá)到從廢水中去除重金屬離子的目的。常用的重金屬捕集劑有

黃原酸酯類和二硫代氨基甲酸類衍生物（DTC類）。

6.4.9折點(diǎn)氯化處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的銅氨絡(luò)合廢水。當(dāng)廢水水量、氨氮濃度隨時(shí)間變化不大時(shí)

可采用此技術(shù)。該技術(shù)向廢水中加入次氯酸鈉氧化破壞銅氨絡(luò)合物，同時(shí)沉淀出銅。工藝

條件：pH值為9.5左右，投加次氯酸鈉中的有效氯與氨氮的摩爾比Cl/N為1.6:1時(shí)，可獲得

氨氮的處理效果為98.8%，銅的去除率為99.8%。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的相關(guān)要求。

6.4.10磷酸銨鎂沉淀法（MAP）

適用于處理印制電路板生產(chǎn)的銅氨絡(luò)合廢水。當(dāng)廢水中有多種金屬離子或有機(jī)物時(shí)，宜

采用此技術(shù)。該技術(shù)向廢水中加入磷酸鹽（Na2HPO4·12H2O）和鎂鹽（MgCl2·6H2O或

+3-

MgSO4·7H2O），與廢水中的NH4、PO4發(fā)生反應(yīng)生成白色磷酸銨鎂（MgNH4PO4·6H2O）沉

淀進(jìn)而去除氨氮，再加入堿和混凝劑去除廢水中的銅。該法使用中應(yīng)考慮采取預(yù)防管道結(jié)垢、

堵塞措施。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的相關(guān)要求。

6.5有機(jī)廢水處理技術(shù)

6.5.1絮凝沉淀法

適用于處理顯示器件及光電子器件生產(chǎn)的彩膜廢水。該技術(shù)首先調(diào)節(jié)pH值到10～11

左右，向廢水中投加CaCl2和絮凝劑，使廢水中的顏料沉淀去除，沉淀池出水經(jīng)過氣浮池進(jìn)

一步去除水中殘留懸浮物。廢水處理產(chǎn)生的污泥進(jìn)入污泥濃縮池，污泥經(jīng)脫水形成泥餅。該

技術(shù)現(xiàn)已很成熟，處理效率高。

6.5.2生化處理法

（1）水解酸化法

適用于處理經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。廢水可生化性較差的情況下，水解酸化的

水力停留時(shí)間宜大于24h，CODCr去除率一般為10%～20%，廢水的可生化性可提高

20%～40%。水解生化反應(yīng)器的設(shè)計(jì)與管理應(yīng)符合HJ2047的要求。

（2）厭氧生物反應(yīng)器

適用于處理經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。常用的厭氧反應(yīng)器形式有升流式厭氧污泥

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反應(yīng)器（UASB）、厭氧折流板反應(yīng)器（ABR）和內(nèi)循環(huán)厭氧反應(yīng)器（IC），電子工業(yè)廢水

厭氧生物反應(yīng)器的水力停留時(shí)間宜大于12h，CODCr去除率一般為40%～60%。UASB的

設(shè)計(jì)與管理應(yīng)符合HJ2013的要求。

（3）好氧生物法

適用于處理經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。在有氧條件下利用微生物降解有機(jī)物和氨

氮等污染物的過程。主要包括活性污泥法和生物膜法。采用膜生物反應(yīng)器（MBR）的，

MBR的設(shè)計(jì)與管理應(yīng)符合HJ2010的要求。

（4）序批式活性污泥法（SBR）

適用于處理經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。主要工藝包括循環(huán)式活性污泥工藝、連續(xù)

和間歇曝氣工藝、交替式內(nèi)循環(huán)活性污泥工藝等。工藝過程一般由進(jìn)水、曝氣、沉淀、排

水和待機(jī)五部分組成，工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ577的要求。

（5）缺氧-好氧活性污泥法（A/O）、厭氧-缺氧-好氧活性污泥法（A2/O）

適用于經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ576的要求。

（6）生物膜法

適用于處理經(jīng)物化處理后的電子有機(jī)廢水。工藝形式主要有生物濾池、生物轉(zhuǎn)盤、生

物接觸氧化和生物流化床等。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2009、HJ2010和HJ2014的要求。

6.5.3酸析法

適用于處理印制電路板產(chǎn)生的高濃度有機(jī)廢水。該技術(shù)加入酸將廢水的pH值調(diào)為2～4

左右，廢水中的高濃度有機(jī)物在酸性條件下會(huì)析出固體，再通過固液分離可去除大部分有機(jī)

物和部分重金屬，廢水的CODCr去除率可達(dá)80%左右。然后再加入聚合氯化鋁和PAM等

混凝沉淀，去除沉淀物，提高CODCr去除率。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

6.5.4酸析法+芬頓氧化法

適用于處理顯示器件和光電子器件產(chǎn)生的氧化銦錫（ITO）觸摸屏油墨廢水和印制電

路板產(chǎn)生的低濃度有機(jī)廢水。該技術(shù)先加入硫酸將廢水的pH值調(diào)為2～3左右，廢水中的

油墨在酸性條件下會(huì)析出濃膠狀凝聚物，可將懸浮狀油墨去除，廢水的CODCr去除率可達(dá)

80%左右。然后再加入雙氧水和硫酸亞鐵，利用羥基自由基的強(qiáng)氧化能力和Fe2+混凝作用

裂解油墨的雙苯環(huán)鍵，再加入聚合氯化鋁和PAM混凝沉淀，去除沉淀物，提高CODCr去除

率。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

6.5.5酸析法+微電解法

適用于處理印制電路板產(chǎn)生的低濃度有機(jī)廢水。該技術(shù)先加入硫酸將廢水的pH值調(diào)

為酸性，廢水中的油墨會(huì)析出，廢水的CODCr去除率可達(dá)40%～50%。再加入含碳鐵屑浸

于電解質(zhì)溶液中，形成微小的Fe-C原電池，與污染物發(fā)生氧化、還原、吸附、絮凝等作用，

去除廢水中的有機(jī)物。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

6.6含氰廢水處理技術(shù)

6.6.1一般原則

a）含氰廢水處理技術(shù)參數(shù)應(yīng)滿足GB/T32123、HJ1031的要求。

b）含氰廢水經(jīng)過處理，游離氰達(dá)到控制要求后可進(jìn)入綜合廢水處理系統(tǒng)，再去除重

金屬離子。

c）采用堿性氯化技術(shù)處理含氰廢水時(shí)，處理過程可能產(chǎn)生少量氯化氰氣體，故應(yīng)在

10

密閉和通風(fēng)條件下操作，并采取防護(hù)措施。收集的氣體應(yīng)經(jīng)過處理后，通過排氣筒排放。

d）采用電解、過氧化氫氧化技術(shù)處理含氰廢水時(shí)，處理過程產(chǎn)生的氨氣應(yīng)收集處理

達(dá)到GB14554要求后通過排氣筒排放。

6.6.2氧化處理法

（1）堿性氯化法

適用于處理含無(wú)機(jī)氰化物或氰合金屬基配合物（鐵氰配合物除外）的含氰廢水。利用

次氯酸根的氧化性，將氰化物氧化為低毒的氰酸鹽，氰酸鹽繼續(xù)被氧化成無(wú)毒的碳酸鹽和

氮?dú)狻９に噮?shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

（2）過氧化氫氧化法

適用于處理含無(wú)機(jī)氰化物或氰合金屬基配合物（鐵氰配合物除外）的含氰廢水。在pH

值大于7的反應(yīng)條件下，以過氧化氫為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再

水解為碳酸鹽和氨。工藝參數(shù)應(yīng)滿足HJ2058的要求。

（3）臭氧氧化法

適用于處理含無(wú)機(jī)氰化物的含氰廢水，不適用于氰合金屬基配合物的含氰廢水。在pH

值大于7的反應(yīng)條件下，以臭氧為氧化劑將廢水中的氰化物氧化為氰酸鹽，氰酸鹽再水解

為碳酸鹽和氮?dú)?。工藝控制條件為：氧化反應(yīng)pH值9～11；一級(jí)氧化反應(yīng)臭氧與總氰化物

的摩爾比為1:1；二級(jí)氧化反應(yīng)臭氧與總氰化物的質(zhì)量比為2.5:1；氧化時(shí)間取決于總氰化

物濃度和氧化溫度（一般不小于15min）。處理后廢水中總氰化物含量不大于0.3mg/L。

6.6.3電解處理法

適用于處理含無(wú)機(jī)氰化物或氰合金屬基配合物的高濃度含氰廢水，適用總氰化物濃度

為500mg/L~40000mg/L，銅含量不大于20000mg/L。電解法是利用電化學(xué)氧化反應(yīng)破壞

廢水中的氰化物。在電解電壓下，廢水中的氰離子在陽(yáng)極上失去電子被氧化成二氧化碳、

氮?dú)饣虬薄９に嚳刂茥l件為：電解pH值不小于10；電解電壓不低于3.5V，宜為6V～8.5V；

電解時(shí)間取決于氰化物濃度（一般為2h～25h）；電解1kg總氰化物消耗10kW?h～12kW?h，

水耗0.02m3/m3～0.05m3/m3。處理后廢水中總氰化物含量一般不大于50mg/L，還需采用

其他方法處理至達(dá)標(biāo)排放。

6.6.4離子交換吸附處理法

適用于處理中、低濃度含氰廢水。強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂對(duì)廢水中的金屬氰化絡(luò)合物

具有很強(qiáng)的親和力，可與溶液中的離子發(fā)生交換反應(yīng)，被吸附在樹脂中的氰絡(luò)合物可用含

氧化劑的酸性溶液進(jìn)行洗提，釋放的氫氰酸可循環(huán)利用，實(shí)現(xiàn)含氰廢水的處理與回收再利

用。但廢水中的鐵、亞鐵氰化物等雜質(zhì)對(duì)樹脂的洗脫再生有影響。

6.7含氨廢水處理技術(shù)

6.7.1吹脫法

適用于處理高濃度氨氮廢水。處理生產(chǎn)過程中排放的含NH4OH和NH4F廢水，通過調(diào)

+

節(jié)pH至堿性，經(jīng)脫氣塔吹脫走廢水中的氨氣，使NH4濃度降至100mg/L以下，檢測(cè)合格

后排入廢水站氟處理系統(tǒng)，再進(jìn)一步除F-；不合格的水將回流再處理。吹脫出來(lái)的氨氣到

吸收塔中，加酸吸收成（NH4）2SO4，氣體循環(huán)回脫氣塔，（NH4）2SO4收集后委托外運(yùn)。

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6.7.2生化處理法

（1）序批式活性污泥法（SBR）

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含氨廢水。該技術(shù)是按照間歇曝氣方式來(lái)運(yùn)行的活性污泥廢

水處理技術(shù)，該工藝及其改進(jìn)工藝可通過好氧、缺氧狀態(tài)的交替運(yùn)行實(shí)現(xiàn)生物脫氮功能。

SBR的設(shè)計(jì)與運(yùn)行管理應(yīng)符合HJ577的要求。

（2）缺氧-好氧活性污泥法（A/O）

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含氨廢水。該技術(shù)在活性污泥系統(tǒng)的好氧段進(jìn)行硝化反應(yīng)，

在缺氧段實(shí)現(xiàn)反硝化脫氮。好氧段溶解氧應(yīng)維持在2mg/L以上，缺氧段溶解氧應(yīng)維持在0.5

mg/L以下，pH值宜控制在7～8之間。缺氧與好氧水力停留時(shí)間宜控制在1:3左右，在C/N

小于5的情況下宜補(bǔ)充反硝化碳源。工藝的設(shè)計(jì)與運(yùn)行管理應(yīng)符合HJ576的要求。

（3）厭氧氨氧化法（ANAMMOX）

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含氨廢水。該技術(shù)前端通常需設(shè)置好氧生物處理技術(shù)先去除

廢水中的有機(jī)物，水力停留時(shí)間宜為3d～5d，該技術(shù)在厭氧條件下，以氨為電子供體，以

硝酸鹽或亞硝酸鹽為電子受體，將氨氧化成氮?dú)?。該技術(shù)包含的前置短程硝化可比全程硝化

節(jié)省62.5%的供氧量和50%的耗堿量，與常規(guī)缺氧-好氧活性污泥法相比可節(jié)約100%的碳

源，但工藝控制及管理要求比較高。

6.8含磷廢水處理技術(shù)

6.8.1化學(xué)處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的高濃度無(wú)機(jī)態(tài)含磷廢水。該方法向水中投加石灰、鋁鹽、鐵

鹽，以及有機(jī)類等化學(xué)藥劑，生成不溶性的磷酸鹽沉淀，然后再利用氣浮、過濾等方法將磷

從廢水中除去。這種方法去除率一般在95%以上，但很難直接達(dá)到排放要求，同時(shí)易產(chǎn)生

二次污染，運(yùn)行成本高，產(chǎn)生大量污泥，上清液需排入有機(jī)廢水處理系統(tǒng)進(jìn)一步處理。

6.8.2吸附處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的含磷廢水。該方法依靠吸附劑巨大的比表面積，與廢水中的

磷進(jìn)行物理或化學(xué)吸附作用，以達(dá)到去除磷的目的。吸附飽和后，對(duì)吸附劑進(jìn)行脫附處理可

回收磷資源。

6.8.3生物處理法

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的低濃度及有機(jī)態(tài)含磷廢水。該方法通過聚磷微生物在經(jīng)過厭

氧段釋放磷后，在好氧段吸收超出其生長(zhǎng)需要的幾倍的磷，實(shí)現(xiàn)除磷。該方法成本低、污染

小，但對(duì)進(jìn)水要求高，pH需在6～9左右，BOD/CODCr需大于0.3，污泥量大，微生物培養(yǎng)

困難，并且隨著高磷廢水處理要求的不斷提高，單一生物法處理含磷廢水達(dá)不到排放要求。

6.9生活污水處理技術(shù)

6.9.1預(yù)處理技術(shù)

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的生活廢水。去除生活污水中的油以及顆粒較大的懸浮物。常

用的設(shè)施如隔油池、化糞池、沉淀池等。電子工業(yè)常用隔油池和化糞池對(duì)生活污水進(jìn)行預(yù)處

12

理。

6.9.2生化處理法

（1）序批式活性污泥法（SBR）

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的生活廢水。該技術(shù)是按照間歇曝氣方式來(lái)運(yùn)行的活性污泥廢

水處理技術(shù)，該工藝及其改進(jìn)工藝可通過好氧、缺氧狀態(tài)的交替運(yùn)行實(shí)現(xiàn)生物脫氮功能。

SBR的設(shè)計(jì)與運(yùn)行管理應(yīng)符合HJ577的要求。

（2）缺氧-好氧活性污泥法（A/O）

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的生活廢水。該技術(shù)在活性污泥系統(tǒng)的好氧段進(jìn)行硝化反應(yīng)，

在缺氧段實(shí)現(xiàn)反硝化脫氮。工藝的設(shè)計(jì)與運(yùn)行管理應(yīng)符合HJ576的要求。

6.10綜合廢水處理技術(shù)

適用于處理電子工業(yè)產(chǎn)生的混合廢水。綜合廢水包括電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)施產(chǎn)生的廢水（包

括含重金屬?gòu)U水、含氰廢水、含銅廢水、含氨廢水、含氟廢水、含磷廢水、有機(jī)廢水等）、

廠區(qū)內(nèi)的生活污水等。綜合廢水的主要污染物為CODCr、氨氮、懸浮物、氟化物等。一般采

用中和調(diào)節(jié)法/生化法進(jìn)行處理。其中中和調(diào)節(jié)法即pH調(diào)節(jié)；生化法處理包括序批式活性污

泥法、缺氧-好氧活性污泥法、厭氧-缺氧-好氧活性污泥法、膜生物反應(yīng)器法等。參見6.5提

到的相關(guān)處理技術(shù)。

7環(huán)境管理措施

7.1環(huán)境管理制度

a）電子工業(yè)企業(yè)根據(jù)HJ1031和《排污單位自行監(jiān)測(cè)技術(shù)指南電子工業(yè)》（HJ□□）

的要求嚴(yán)格執(zhí)行環(huán)境管理臺(tái)賬制度和自行監(jiān)測(cè)制度。

b）持續(xù)開展清潔生產(chǎn)，嚴(yán)格物料管理，加強(qiáng)鍍液管理，節(jié)約原輔材料用量，減少污

染物產(chǎn)生量。

c）加強(qiáng)操作運(yùn)行管理，建立并執(zhí)行崗位操作規(guī)程，制定應(yīng)急預(yù)案，定期對(duì)員工進(jìn)行

技術(shù)培訓(xùn)和應(yīng)急演練。

d）按GB/T15562.1的要求，設(shè)置排放口標(biāo)志。

e）按要求安裝在線監(jiān)控設(shè)備，與生態(tài)環(huán)境主管部門的監(jiān)控設(shè)備聯(lián)網(wǎng)，并對(duì)在線監(jiān)控

設(shè)備定期進(jìn)行保養(yǎng)、維護(hù)和校正，保證設(shè)備正常運(yùn)行。

f）企業(yè)環(huán)保規(guī)章制度齊全，設(shè)置專門內(nèi)部環(huán)保機(jī)構(gòu)。

7.2污染治理設(shè)施管理措施

a）生產(chǎn)過程中無(wú)跑冒滴漏現(xiàn)象，車間內(nèi)實(shí)施干濕區(qū)分離，濕區(qū)地面敷設(shè)網(wǎng)格板，濕

鍍件上下掛作業(yè)在濕區(qū)進(jìn)行，濕區(qū)設(shè)一定傾斜，確保廢水廢液不停留，有效收集。

b）排水、回用水管道架空鋪設(shè)，廢水分質(zhì)分流管線設(shè)置明確的標(biāo)識(shí)。

c）電鍍廢水處理設(shè)施pH值、氧化還原電位（ORP）自動(dòng)調(diào)節(jié)控制加藥；設(shè)施的運(yùn)行

通過功能完善的運(yùn)行中央控制平臺(tái)控制，以全面記錄并實(shí)時(shí)反映運(yùn)行狀況。

d）廠區(qū)清污分流、雨污分流，設(shè)置容積滿足要求的初期雨水池、事故應(yīng)急池，并制

定化學(xué)品儲(chǔ)罐區(qū)防泄漏措施。

13

e）各污水處理池應(yīng)嚴(yán)格按照防腐、防滲、防沉降的要求進(jìn)行設(shè)計(jì)、建設(shè)。

7.3電子工業(yè)污水集中處理設(shè)施管理措施

a）入駐企業(yè)廢水需按照污水集中處理設(shè)施的廢水處理設(shè)計(jì)要求進(jìn)行分質(zhì)分流，含氰

廢水、含金屬?gòu)U水等應(yīng)單獨(dú)收集。

b）污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位宜對(duì)入駐企業(yè)分流收集的廢水設(shè)置廢水緩存罐，并采

取pH、電導(dǎo)率、流量等監(jiān)控措施，及時(shí)發(fā)現(xiàn)和杜絕入駐企業(yè)超約定排放廢水。

c）鼓勵(lì)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位建設(shè)再生水設(shè)施和中水回用管網(wǎng)，鼓勵(lì)入駐企業(yè)

回用中水。

d）污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位應(yīng)建設(shè)事故應(yīng)急池。事故應(yīng)急池的容積應(yīng)綜合考慮發(fā)

生事故時(shí)車間當(dāng)班設(shè)備的最大排水量、事故時(shí)消防水量及可能進(jìn)入應(yīng)急事故池的降雨量。

e）污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位宜建設(shè)集中的化工原材料供應(yīng)體系，并做好分類存儲(chǔ)、

安全管理及供應(yīng)、銷售記錄。

f）根據(jù)相關(guān)政策、標(biāo)準(zhǔn)、合同規(guī)定，污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位需明確與企業(yè)的污

染治理責(zé)任，保證污染物達(dá)標(biāo)排放。

g）鼓勵(lì)污水集中處理設(shè)施運(yùn)營(yíng)單位盡早開展廢水綜合毒性的監(jiān)測(cè)，將監(jiān)測(cè)結(jié)果報(bào)送

當(dāng)?shù)厣鷳B(tài)環(huán)境主管部門，并根據(jù)監(jiān)測(cè)結(jié)果積極采取相應(yīng)的控制措施。

8污染防治可行技術(shù)

電子工業(yè)廢水污染防治可行技術(shù)見表7。當(dāng)電子工業(yè)廢水排向電子工業(yè)污水集中處理

設(shè)施、其他污水集中處理設(shè)施執(zhí)行協(xié)商排放限值時(shí)，可簽訂具有法律效力的書面合同對(duì)污

染物限值進(jìn)行約定，參考表7中的廢水治理可行技術(shù)組合。

表7電子工業(yè)廢水污染防治可行技術(shù)

可行技術(shù)

廢水類型污染物排放水平（mg/L）

預(yù)防技術(shù)治理技術(shù)

①化學(xué)沉淀處理法直接排放和間接排放：

②離子交換處理法總鉛：0.00001～0.1

③吸附處理法總鎘：0.0001～0.01

④化學(xué)沉淀處理法+芬頓氧化法總鉻：0.001～0.5

非絡(luò)合廢

①清洗廢水⑤化學(xué)沉淀處理法+吸附處理法六價(jià)鉻：0.0001～0.2

含水

金回用技術(shù)⑥化學(xué)沉淀處理法+膜分離處理法總砷：0.005～0.3

屬②非金屬樹⑦離子交換處理法+膜分離處理法總鎳：0.00001～0.5

廢

脂材料替代⑧化學(xué)沉淀處理法+吸附處理法+膜分總銀：0.00001～0.3

水

技術(shù)離處理法總鋅：0.01～1

①化學(xué)沉淀處理法直接排放：

②化學(xué)沉淀處理法+芬頓氧化法總銅：0.001～0.1

絡(luò)合廢水

③化學(xué)沉淀處理法+電解處理法間接排放：

④化學(xué)沉淀處理法+重捕劑處理法總銅：0.001～1.6

14

可行技術(shù)

廢水類型污染物排放水平（mg/L）

預(yù)防技術(shù)治理技術(shù)

⑤折點(diǎn)氯化處理法

⑥磷酸銨鎂脫氮法（MAP）

①堿性氯化法

②電解處理法

含氰廢水－③離子交換吸附處理法總氰化物：0.01～0.5

④堿性氯化法+離子交換吸附處理法

⑤電解處理法+離子交換吸附處理法

含氟廢水－化學(xué)沉淀法氟化物：1～20

①清洗廢水

回用技術(shù)

②環(huán)保型退①絮凝沉淀法

鍍液替代技②生化處理法

有機(jī)廢水術(shù)③酸析法

③清洗廢水④酸析法+芬頓氧化法

回用技術(shù)+環(huán)⑤上述四種技術(shù)的組合技術(shù)

保型退鍍液

排入廠區(qū)綜合污水

替代技術(shù)

其酸堿廢水中和調(diào)節(jié)法

他

生清洗廢水回

含氨廢水吹脫法

產(chǎn)用技術(shù)

廢①絮凝沉淀法

含磷廢水

水②生化處理法

直接排放：

化學(xué)需氧量：0.5～100

石油類：3～5

懸浮物：30～70

氨氮：0.01～10

總氮：0.1～35

總磷：0.001～0.8

硫化物：0.5～1

氟化物：1.5～10

廠區(qū)綜合污水

陰離子表面活性劑：

（生產(chǎn)廢水處理

①中和調(diào)節(jié)法0.5～5

設(shè)施出水、生活－

②厭氧缺氧好氧活性污泥法間接排放：

污水處理設(shè)施出--

化學(xué)需氧量：～

水）0.5500

石油類：3～20

懸浮物：30～100

氨氮：0.01～42

總氮：0.1～50

總磷：0.001～8

硫化物：0.5～1

氟化物：1.5～20

陰離子表面活性劑：

0.5～20

15

可行技術(shù)

廢水類型污染物排放水平（mg/L）

預(yù)防技術(shù)治理技術(shù)

直接排放：

pH值：6～9

懸浮物：30～50

隔油池+化糞池+缺氧-好氧活性污泥法化學(xué)需氧量：15～80

氨氮：1.5～25