專題十五晶體類型與晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算-2024年高考化學(xué)二輪復(fù)習(xí)講與練（原卷版）

專題十五晶體類型與晶胞結(jié)構(gòu)分析與計(jì)算1.了解晶體的類型，了解不同類型晶體中結(jié)構(gòu)微粒、微粒間作用力的區(qū)別。2.了解分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體、金屬晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。3.了解四種晶體類型熔點(diǎn)、沸點(diǎn)、溶解性等性質(zhì)的不同。4.掌握切割法計(jì)算的一般方法，能根據(jù)晶胞中微粒的位置計(jì)算晶胞的化學(xué)式。5.掌握晶體密度與晶胞參數(shù)計(jì)算的一般步驟?？键c(diǎn)一常見晶體類型及性質(zhì)1．四種常見晶體類型的比較類型比較分子晶體共價(jià)晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成微粒分子原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子微粒間的相互作用力范德華力(某些含氫鍵)共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵硬度較小很大有的很大，有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高，有的很低較高溶解性相似相溶難溶于一般溶劑一般不溶于水，少數(shù)與水反應(yīng)大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電，溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性，個(gè)別為半導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電，水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電2．離子晶體的晶格能(1)定義將1mol離子晶體完全氣化為氣態(tài)陰、陽離子所吸收的能量，單位：kJ·mol－1。(2)影響因素①離子所帶的電荷數(shù)：離子所帶的電荷數(shù)越多，晶格能越大。②離子的半徑：離子的半徑越小，晶格能越大。③離子晶體的結(jié)構(gòu)類型。(3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，且熔點(diǎn)越高，硬度越大。3．常見晶體的結(jié)構(gòu)模型(1)典型的分子晶體——干冰和冰①干冰晶體中，每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有12個(gè)。②冰晶體中，每個(gè)水分子與相鄰的4個(gè)水分子以氫鍵相連接，含1molH2O的冰中，最多可形成2mol氫鍵。(2)典型的共價(jià)晶體——金剛石、二氧化硅①金剛石和二氧化硅晶體結(jié)構(gòu)模型比較結(jié)構(gòu)模型晶胞金剛石二氧化硅②金剛石和二氧化硅結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分析比較金剛石a.碳原子采取sp3雜化，鍵角為109°28′b.每個(gè)碳原子與周圍緊鄰的4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合成正四面體結(jié)構(gòu)，向空間伸展形成空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)c.最小碳環(huán)由6個(gè)碳原子組成，每個(gè)碳原子被12個(gè)六元環(huán)共用d.金剛石晶胞的每個(gè)頂點(diǎn)和面心均有1個(gè)C原子，晶胞內(nèi)部有4個(gè)C原子，內(nèi)部的C在晶胞的體對(duì)角線的eq\f(1,4)處，每個(gè)金剛石晶胞中含有8個(gè)C原子二氧化硅a.Si原子采取sp3雜化，正四面體內(nèi)O—Si—O鍵角為109°28′b.每個(gè)Si原子與4個(gè)O原子形成4個(gè)共價(jià)鍵，Si原子位于正四面體的中心，O原子位于正四面體的頂點(diǎn)，同時(shí)每個(gè)O原子被2個(gè)硅氧正四面體共用，晶體中Si原子與O原子個(gè)數(shù)比為1∶2c.最小環(huán)上有12個(gè)原子，包括6個(gè)O原子和6個(gè)Si原子d.1molSiO2晶體中含Si—O數(shù)目為4NAe.SiO2晶胞中有8個(gè)Si原子位于立方晶胞的頂點(diǎn)，有6個(gè)Si原子位于立方晶胞的面心，還有4個(gè)Si原子與16個(gè)O原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體。每個(gè)SiO2晶胞中含有8個(gè)Si原子和16個(gè)O原子(3)典型的離子晶體——NaCl、CsCl、CaF2①NaCl型：在晶體中，每個(gè)Na＋同時(shí)吸引6個(gè)Cl－，每個(gè)Cl－同時(shí)吸引6個(gè)Na＋，配位數(shù)為6。每個(gè)晶胞含4個(gè)Na＋和4個(gè)Cl－。②CsCl型：在晶體中，每個(gè)Cl－吸引8個(gè)Cs＋，每個(gè)Cs＋吸引8個(gè)Cl－，配位數(shù)為8。③CaF2型：在晶體中，每個(gè)Ca2＋吸引8個(gè)F－，每個(gè)F－吸引4個(gè)Ca2＋，每個(gè)晶胞含4個(gè)Ca2＋，8個(gè)F－。(4)過渡晶體與混合型晶體①過渡晶體：純粹的分子晶體、共價(jià)晶體、離子晶體和金屬晶體四種典型晶體是不多的，大多數(shù)晶體是它們之間的過渡晶體。人們通常把偏向離子晶體的過渡晶體當(dāng)作離子晶體來處理，把偏向共價(jià)晶體的過渡晶體當(dāng)作共價(jià)晶體來處理。②混合型晶體石墨層狀晶體中，層與層之間的作用是分子間作用力，平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是2，C原子采取的雜化方式是sp2。1．分子晶體不導(dǎo)電，溶于水后也都不導(dǎo)電()2．沸點(diǎn)：HF<HCl<HBr<HI()3．離子晶體是由陰、陽離子構(gòu)成的，所以離子晶體能夠?qū)щ?)4．共價(jià)晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體的高()5．金屬導(dǎo)電是因?yàn)樵谕饧与妶?chǎng)作用下產(chǎn)生自由電子()6．金屬具有光澤是因?yàn)榻饘訇栯x子吸收并放出可見光()1.×2.×3.×4.×5.×6.×1.（2023·北京卷第1題）中國(guó)科學(xué)家首次成功制得大面積單晶石墨炔，是碳材料科學(xué)的一大進(jìn)步。下列關(guān)于金剛石、石墨、石墨炔的說法正確的是A.三種物質(zhì)中均有碳碳原子間的σ鍵 B.三種物質(zhì)中的碳原子都是sp3雜化C.三種物質(zhì)的晶體類型相同 D.三種物質(zhì)均能導(dǎo)電2.（2023·重慶卷第9題）配合物[MA2L2]的分子結(jié)構(gòu)以及分子在晶胞中的位置如圖所示，下列說法錯(cuò)誤的是A.中心原子的配位數(shù)是4 B.晶胞中配合物分子的數(shù)目為2C.晶體中相鄰分子間存在范德華力 D.該晶體屬于混合型晶體3.（2023·浙江選考第17題）（3）Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖。該晶體類型是___________，該化合物的化學(xué)式為___________。4.（2022·江蘇卷）下列說法正確的是A.金剛石與石墨烯中的夾角都為B.、都是由極性鍵構(gòu)成的非極性分子C.鍺原子()基態(tài)核外電子排布式為D.ⅣA族元素單質(zhì)的晶體類型相同1．（2023·河北·校聯(lián)考三模）實(shí)驗(yàn)室制取HF的原理為，氫氟酸可用來刻蝕玻璃，發(fā)生反應(yīng)：。的立方晶胞如圖所示，其晶胞參數(shù)為。下列說法錯(cuò)誤的是A．簡(jiǎn)單氫化物的穩(wěn)定性：B．、、三者的VSEPR模型均為四面體形C．晶體與Si晶體的晶體類型相同，二者均為良好的半導(dǎo)體D．晶體中與之間的最近距離為2．（2023·山東菏澤·?？既＃┫铝杏嘘P(guān)說法不正確的是A．MgO的離子鍵的鍵能大于CaO的B．干冰和的晶體類型相同C．如圖所示的晶胞的化學(xué)式為D．DNA雙螺旋的兩個(gè)螺旋鏈通過氫鍵相互結(jié)合3．（2023·湖北武漢·模擬預(yù)測(cè)）砷化鎵(GaAs)是優(yōu)良的半導(dǎo)體材料，熔點(diǎn)為1238℃，用于制作太陽能電池的材料，其結(jié)構(gòu)如圖所示，其中以原子1為原點(diǎn)，原子2的坐標(biāo)為(1，1，1)。下列有關(guān)說法中錯(cuò)誤的是A．原子3的坐標(biāo)為(，，) B．Ga的配位數(shù)為4C．GaAs為共價(jià)晶體 D．若將Ga換成Al，則晶胞參數(shù)將變小考點(diǎn)二晶胞模型與晶胞參數(shù)計(jì)算一、晶胞模型與切割法計(jì)算1．晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法——切割法(1)長(zhǎng)方體(包括立方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)的計(jì)算如某個(gè)粒子為N個(gè)晶胞所共有，則該粒子有eq\f(1,N)屬于這個(gè)晶胞。中學(xué)中常見的晶胞為立方晶胞，立方晶胞中微粒數(shù)的計(jì)算方法如圖1。(2)非長(zhǎng)方體晶胞在六棱柱(如圖2)中，頂角上的原子有eq\f(1,6)屬于此晶胞，面上的原子有eq\f(1,2)屬于此晶胞，因此六棱柱中鎂原子個(gè)數(shù)為12×eq\f(1,6)＋2×eq\f(1,2)＝3，硼原子個(gè)數(shù)為6。2．三種典型立方晶胞結(jié)構(gòu)3．晶胞中微粒配位數(shù)的計(jì)算一個(gè)粒子周圍最鄰近的粒子數(shù)稱為配位數(shù)，它反映了晶體中粒子排列的緊密程度。(1)晶體中原子(或分子)的配位數(shù)若晶體中的微粒為同種原子或同種分子，則某原子(或分子)的配位數(shù)指的是該原子(或分子)最接近且等距離的原子(或分子)的數(shù)目，常見晶胞的配位數(shù)如下：簡(jiǎn)單立方：配位數(shù)為6面心立方：配位數(shù)為12體心立方：配位數(shù)為8(2)離子晶體的配位數(shù)指一個(gè)離子周圍最接近且等距離的異種電性離子的數(shù)目。以NaCl晶體為例①找一個(gè)與其他粒子連接情況最清晰的粒子，如上圖中心的黑球(Cl－)。②數(shù)一下與該粒子周圍距離最近的粒子數(shù)，如上圖標(biāo)數(shù)字的面心白球(Na＋)。確定Cl－的配位數(shù)為6，同樣方法可確定Na＋的配位數(shù)也為6。二、晶胞參數(shù)計(jì)算1．晶胞參數(shù)晶胞的形狀和大小可以用6個(gè)參數(shù)來表示，包括晶胞的3組棱長(zhǎng)a、b、c和3組棱相互間的夾角α、β、γ，即晶格特征參數(shù)，簡(jiǎn)稱晶胞參數(shù)。2．晶體結(jié)構(gòu)的相關(guān)計(jì)算(1)空間利用率＝eq\f(晶胞占有的微粒體積,晶胞體積)×100%。(2)金屬晶體中體心立方堆積、面心立方堆積中的幾組計(jì)算公式(設(shè)棱長(zhǎng)為a)①面對(duì)角線長(zhǎng)＝eq\r(2)a。②體對(duì)角線長(zhǎng)＝eq\r(3)a。③體心立方堆積4r＝eq\r(3)a(r為原子半徑)。④面心立方堆積4r＝eq\r(2)a(r為原子半徑)。3．宏觀晶體密度與微觀晶胞參數(shù)的關(guān)系三、原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)、投影圖(一)晶胞原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定1．概念以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)參數(shù)表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。2．原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)的確定方法(1)依據(jù)已知原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)確定坐標(biāo)系取向。(2)一般以坐標(biāo)軸所在正方體的棱長(zhǎng)為1個(gè)單位。(3)從原子所在位置分別向x、y、z軸作垂線，所得坐標(biāo)軸上的截距即為該原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。(二)晶胞投影圖1．簡(jiǎn)單立方模型投影圖x、y平面上的投影圖：2．體心立方模型投影圖x、y平面上的投影圖：3．面心立方模型投影圖x、y平面上的投影圖：4．金剛石晶胞模型投影圖x、y平面上的投影圖：5．沿體對(duì)角線投影(以體心立方和面心立方為例)(1)體心立方堆積(2)面心立方最密堆積1.（2023·遼寧卷第14題）晶體結(jié)構(gòu)的缺陷美與對(duì)稱美同樣受關(guān)注。某富鋰超離子導(dǎo)體的晶胞是立方體(圖1)，進(jìn)行鎂離子取代及鹵素共摻雜后，可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯(cuò)誤的是（）A.圖1晶體密度為g?cm3B.圖1中O原子的配位數(shù)為6C.圖2表示的化學(xué)式為D.取代產(chǎn)生的空位有利于傳導(dǎo)2.（2023·湖北卷第15題）鑭La和H可以形成一系列晶體材料，在儲(chǔ)氫和超導(dǎo)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。，屬于立方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)和參數(shù)如圖所示。高壓下，中的每個(gè)H結(jié)合4個(gè)H形成類似的結(jié)構(gòu)，即得到晶體。下列說法錯(cuò)誤的是（）A.晶體中La的配位數(shù)為8B.晶體中H和H的最短距離：C.在晶胞中，H形成一個(gè)頂點(diǎn)數(shù)為40的閉合多面體籠D.單位體積中含氫質(zhì)量的計(jì)算式為3.（2023·湖南卷第11題）科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為apm。阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。下列說法錯(cuò)誤的是A.晶體最簡(jiǎn)化學(xué)式為KCaB6C6B.晶體中與K+最近且距離相等的Ca2+有8個(gè)C.晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有12個(gè)面D.晶體的密度為4.（2023·全國(guó)乙卷第35題）（3）一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能，晶體結(jié)構(gòu)屬于立方晶系，其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示，晶胞中含有_______個(gè)。該物質(zhì)化學(xué)式為_______，BB最近距離為_______。5.（2023·山東卷第16題）（3）一定條件下，和反應(yīng)生成和化合物。已知屬于四方晶系，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù))，其中化合價(jià)為+2。上述反應(yīng)化學(xué)方程式為_____。若阿伏加德羅常數(shù)的值為，化合物的密度_____(用含的代數(shù)式表示)。1．（2024·江西·統(tǒng)考模擬預(yù)測(cè)）朱砂(硫化汞)在眾多先秦考古遺址中均有發(fā)現(xiàn)，其立方晶系型晶胞如下圖所示，晶胞參數(shù)為anm，A原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說法正確的是A．S的配位數(shù)是6 B．晶胞中B原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．該晶體的密度是 D．相鄰兩個(gè)Hg的最短距離為2．（2024·吉林·統(tǒng)考模擬預(yù)測(cè)）鎳酸鑭電催化劑立方晶胞如圖所示，晶胞參數(shù)為a，具有催化活性的是，圖①和圖②是晶胞的不同切面。下列說法錯(cuò)誤的是A．催化活性：①>② B．鎳酸鑭晶體的化學(xué)式為C．周圍緊鄰的O有4個(gè) D．和的最短距離為3．（2024·廣西·統(tǒng)考模擬預(yù)測(cè)）某鎂鎳合金儲(chǔ)氫后所得晶體的立方晶胞如圖1(為便于觀察，省略了2個(gè)圖2的結(jié)構(gòu))，晶胞邊長(zhǎng)為apm。下列說法正確的是A．晶體的化學(xué)式為 B．晶胞中與1個(gè)Mg配位的Ni有6個(gè)C．晶胞中2個(gè)Ni之間的最近距離為apm D．鎂鎳合金中Mg、Ni通過離子鍵結(jié)合1．（2024·江蘇南京·統(tǒng)考一模）氧元素是地球上存在最廣泛的元素，也是與生命活動(dòng)息息相關(guān)的主要元素，其單質(zhì)及化合物在多方面具有重要應(yīng)用。氧元素存在多種核素，游離態(tài)的氧主要有、，工業(yè)上用分離液態(tài)空氣、光催化分解水等方法制取。氫氧燃料電池是最早實(shí)用化的燃料電池，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能量轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)點(diǎn)；25℃和下，的燃燒熱為。氧能與大部分元素形成氧化物如、、、、、、等；過氧化物如、等可以作為優(yōu)秀的氧化劑。下列說法正確的是A．、、互為同素異形體 B．分子中鍵角大小：C．分子中鍵和鍵數(shù)目比為 D．如圖所示晶胞中有4個(gè)銅原子2．（2024·遼寧沈陽·統(tǒng)考一模）某立方晶系的銻鉀合金可作為鉀離子電池的電極材料，下圖表示晶胞。下列說法中錯(cuò)誤的是A．該晶胞的體積為 B．和原子數(shù)之比為C．與最鄰近的原子數(shù)為4 D．該晶胞的俯視圖為3．（2024·河北·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）中國(guó)第一輛火星車“祝融號(hào)”成功登陸火星，探測(cè)發(fā)現(xiàn)火星上存在大量橄欖石礦物()，已知晶體硅的晶胞如圖，下列說法錯(cuò)誤的是A．Fe2+價(jià)電子排布式為3d6，未成對(duì)電子數(shù)是4B．橄欖石中各元素第一電離能和電負(fù)性大小順序均為O>Si>Fe>MgC．硅的氯化物SiCl4分子是非極性分子，Si的雜化方式是sp3D．若單晶硅晶胞參數(shù)是anm，則Si原子的原子半徑為4．（2024·廣西·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）氧化鈰(CeO2)常用作玻璃工業(yè)添加劑，在其立方晶胞中摻雜Y2O3，Y3+占據(jù)原來Ce4+的位置，可以得到更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得氧化鈰具有許多獨(dú)特的性質(zhì)和應(yīng)用。假設(shè)CeO2晶胞邊長(zhǎng)為apm，下列說法錯(cuò)誤的是A．CeO2晶胞中與最近的核間距為B．CeO2立方晶胞中鈰離子的配位數(shù)為4C．CeO2晶胞中氧離子填充在鈰離子構(gòu)成的四面體空隙中D．若摻雜Y2O3后得到n(CeO2)∶n(Y2O3)=0.8∶0.1的晶體，則此晶體中O2?的空缺率為5%5．（2024·河北·校聯(lián)考一模）W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的短周期主族元素，其中Z元素基態(tài)原子L層電子數(shù)是電子層數(shù)的3倍。這四種元素組成的化合物(結(jié)構(gòu)如圖)可用于合成超分子聚合物。下列說法錯(cuò)誤的是A．XZ2晶體屬于共價(jià)晶體 B．元素W、X、Y都可以與Z形成多種化合物C．電負(fù)性：Z＞Y＞X＞W(wǎng) D．超分子具有自組裝和分子識(shí)別的特征6．（2024·山東·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）快離子導(dǎo)體是一類具有優(yōu)良導(dǎo)電能力的固體電解質(zhì)。圖1(Li3SBF4)和圖2是潛在的快離子導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)示意圖。溫度升高時(shí)，NaCl晶體出現(xiàn)缺陷，晶體的導(dǎo)電性增強(qiáng)。該晶體導(dǎo)電時(shí)，③遷移的途徑有兩條：途徑1：在平面內(nèi)擠過2、3號(hào)氯離子之間的狹縫(距離為x)遷移到空位。途徑2：擠過由1、2、3號(hào)氯離子形成的三角形通道(如圖3，小圓的半徑為y)遷移到空位。已知：氯化鈉晶胞參數(shù)a=564pm，r(Na+)=95pm，r(Cl)=185pm，=1.4，=1.7。下列說法不正確的是A．第二周期元素中第一電離能介于B和F之間的元素有4種B．圖1所示晶體中，每個(gè)Li+與4個(gè)呈四面體結(jié)構(gòu)的離子相鄰C．氯化鈉晶體中，Na+填充在氯離子形成的正八面體空隙中D．溫度升高時(shí)，NaCl晶體出現(xiàn)缺陷，晶體的導(dǎo)電性增強(qiáng)，該晶體導(dǎo)電時(shí)，③遷移的途徑可能性更大的是途徑17．（2024·廣西北?！そy(tǒng)考一模）某銅的氯化物常作工業(yè)催化劑，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞中C、D兩原子核間距為298pm。設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為，則下列說法正確的是A．Cu的+2價(jià)比+1價(jià)穩(wěn)定，是因?yàn)樽钔鈱与娮舆_(dá)到半充滿結(jié)構(gòu)B．此氯化物的化學(xué)式為C．晶胞中Cu位于Cl形成的四面體空隙D．Cu與Cl的核間距為棱長(zhǎng)的倍8．（2023·吉林長(zhǎng)春·東北師大附中?？既＃┑t的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，A點(diǎn)分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為(0，0，0)。氮化鉻的晶體密度為dg/cm3，摩爾質(zhì)量為Mg/mol，晶胞參數(shù)為anm，NA代表阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是A．鉻原子的價(jià)電子排布式為B．Cr原子位于N原子構(gòu)成的四面體空隙中C．距離Cr原子最近的Cr原子有8個(gè)D．9．（2023·河北邯鄲·統(tǒng)考一模）設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。工業(yè)上用接觸法制備硫酸的微流程如圖：下列敘述正確的是A．和生成的反應(yīng)是熵增反應(yīng)B．完全轉(zhuǎn)化成紅色粉末和時(shí)轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為C．的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，恰好切成個(gè)如圖所示的晶胞D．上述工藝中使用足量的氧氣可以將硫全部轉(zhuǎn)化成硫酸10．（2023·吉林長(zhǎng)春·統(tǒng)考一模）科學(xué)家合成了一種高溫超導(dǎo)材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，該立方晶胞參數(shù)為。設(shè)為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯(cuò)誤的是A．晶體的最簡(jiǎn)化學(xué)式為B．晶體中與最近且距離相等的有4個(gè)C．晶胞中B和C原子構(gòu)成的多面體有14個(gè)面D．晶體的密度為11．（2023·湖北武漢·聯(lián)考一模）一種超導(dǎo)材料(僅由三種元素組成)的長(zhǎng)方體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(已知，用表示阿伏加德羅常數(shù)的值)：下列說法正確的是A．基態(tài)失去能級(jí)上的一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為B．若點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為，則點(diǎn)原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．之間的距離為D．晶體的密度為12．（2023·遼寧·校聯(lián)考三模）一種由Cu、In、Te組成的晶體屬四方晶系，晶胞參數(shù)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶體中Te原子填充在Cu、In圍成的四面體空隙中，A點(diǎn)、B點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)分別為、，下列說法錯(cuò)誤的是A．該晶體的化學(xué)式為B．C點(diǎn)原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為C．晶胞中四面體空隙的占有率為50%D．晶胞中C、D間距離13．（2023·北京海淀·?？既＃┾佀徕}是典型的鈣鈦礦型化合物，該類化合物具有特殊的理化性質(zhì)，比如吸光性、電催化性等，其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。下列說法正確的是A．基態(tài)鈦原子價(jià)電子排布式為4s23d2B．鈦酸鈣的化學(xué)