GB/T 43493.3-2023半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)第3部分：缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法

ICS3108099

CCSL.90.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半導(dǎo)體器件

功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的

無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)

第3部分缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法

:

Semiconductordevice—Non-destructiverecognitioncriteriaofdefectsinsilicon

carbidehomoeitaxialwaferforowerdevices—Part3Testmethodfor

pp:

defectsusingphotoluminescence

IEC63068-32020IDT

(:,)

2023-12-28發(fā)布2024-07-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

光致發(fā)光法

4………………4

通則

4.1…………………4

原理

4.2…………………4

測(cè)試需求

4.3……………5

參數(shù)設(shè)置

4.4……………7

測(cè)試步驟

4.5……………7

評(píng)價(jià)

4.6…………………7

精密度

4.7………………8

測(cè)試報(bào)告

4.8……………8

附錄資料性缺陷的光致發(fā)光圖像

A()…………………9

概述

A.1…………………9

A.2BPD…………………9

堆垛層錯(cuò)

A.3…………………………10

延伸堆垛層錯(cuò)

A.4……………………10

復(fù)合堆垛層錯(cuò)

A.5……………………11

多型包裹體

A.6………………………11

附錄資料性缺陷的光致發(fā)光譜

B()……………………13

概述

B.1…………………13

B.2BPD………………13

堆垛層錯(cuò)

B.3……………13

延伸堆垛層錯(cuò)

B.4………………………15

復(fù)合堆垛層錯(cuò)

B.5………………………15

多型包裹體

B.6…………………………16

參考文獻(xiàn)

……………………17

Ⅰ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)的

GB/T43493《》

第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分

3。GB/T43493:

第部分缺陷分類(lèi)

———1:;

第部分缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法

———2:;

第部分缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法

———3:。

本文件等同采用半導(dǎo)體器件功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的無(wú)損檢測(cè)

IEC63068-3:2020《

識(shí)別判據(jù)第部分缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法

3:》。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布結(jié)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位河北半導(dǎo)體研究所中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所之江實(shí)驗(yàn)室廣東天

:()、、

域半導(dǎo)體股份有限公司中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所浙江大學(xué)山東天岳先進(jìn)科技股份有

、、、

限公司山西爍科晶體有限公司中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所中電化合物半導(dǎo)體有限公司河北普興電子

、、、、

科技股份有限公司常州臻晶半導(dǎo)體有限公司深圳市星漢激光科技股份有限公司廈門(mén)特儀科技有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人蘆偉立房玉龍李佳殷源丁雄杰張冉冉王健李麗霞張建峰李振廷

:、、、、、、、、、、

徐晨楊青劉立娜楊世興馬康夫鈕應(yīng)喜金向軍尹志鵬劉薇陸敏周少豐林志陽(yáng)

、、、、、、、、、、、。

Ⅲ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

引言

碳化硅作為半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用于新一代功率半導(dǎo)體器件中與硅相比具有擊穿

(SiC),。(Si),

電場(chǎng)強(qiáng)度高導(dǎo)熱率高飽和電子漂移速率高和本征載流子濃度低等優(yōu)越的物理性能基功率半導(dǎo)

、、,SiC

體器件相對(duì)于硅基器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度低損耗高阻斷電壓和耐高溫等性能

,、、。

功率半導(dǎo)體器件尚未全面得以應(yīng)用主要由于成本高產(chǎn)量低和長(zhǎng)期可靠性等問(wèn)題其中一個(gè)

SiC,、。

嚴(yán)重的問(wèn)題是外延材料的缺陷盡管都在努力降低外延片中的缺陷但商用外延片中仍

SiC。SiC,SiC

存在一定數(shù)量的缺陷因此有必要建立同質(zhì)外延片質(zhì)量評(píng)定國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)

。SiC。

旨在給出高功率半導(dǎo)體器件用同質(zhì)外延片中各類(lèi)缺陷的分類(lèi)光學(xué)檢測(cè)方法

GB/T434934H-SiC、

和光致發(fā)光檢測(cè)方法由三個(gè)部分組成

。。

第部分缺陷分類(lèi)目的是列出并提供高功率半導(dǎo)體器件用同質(zhì)外延片中各類(lèi)缺

———1:。4H-SiC

陷及其典型特征

。

第部分缺陷的光學(xué)檢測(cè)方法目的是給出并提供高功率半導(dǎo)體器件用同質(zhì)外延

———2:。4H-SiC

片中缺陷光學(xué)檢測(cè)的定義和指導(dǎo)方法

。

第部分缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法目的是給出并提供高功率半導(dǎo)體器件用同質(zhì)

———3:。4H-SiC

外延片中缺陷光致發(fā)光檢測(cè)的定義和指導(dǎo)方法

。

Ⅳ

GB/T434933—2023/IEC63068-32020

.:

半導(dǎo)體器件

功率器件用碳化硅同質(zhì)外延片缺陷的

無(wú)損檢測(cè)識(shí)別判據(jù)

第3部分缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)方法

:

1范圍

本文件提供了商用碳化硅同質(zhì)外延片生長(zhǎng)缺陷光致發(fā)光檢測(cè)的定義和方法主要是通

(4H-SiC)。

過(guò)光致發(fā)光圖像示例和發(fā)射光譜示例為同質(zhì)外延片上缺陷的光致發(fā)光檢測(cè)提供檢測(cè)和分類(lèi)的

,SiC

依據(jù)

。

2規(guī)范性引用文件

本文件沒(méi)有規(guī)范性引用文件

。

3術(shù)語(yǔ)和定義

下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

。

和維護(hù)的用于標(biāo)準(zhǔn)化的術(shù)語(yǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)地址如下

ISOIEC:

電子開(kāi)放平臺(tái)