具有浮空埋層的高壓器件新結(jié)構(gòu)和擊穿電壓模型_第1頁
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第31卷第12(桂林電子科技大學(xué)信息與通信學(xué)院,廣西,桂林—10—09收稿,—12—22BVLD構(gòu)造的擊穿電壓提高}聯(lián)系作者:E—倍,顯著改善縱向擊穿特性[6;Sankara圖1是BVIDLDMOS構(gòu)造圖.與常規(guī)t=一fd,下耗盡層厚度為圖1BVLDLDMOSsectionoftheBVLDLDMOSFig.1Cross—圖2到,當(dāng)漏極偏壓較低時(Vd一330V),VLD構(gòu)造的電場和電勢分布.常規(guī)LDMOSBVID器件擊穿電壓為Ec-z,.一 Lz)暑fT,qNgt.\cosh[-(L-x)/t]…\一,sinh[(L,--—L,-\0凸eL變PN結(jié)理論獲得NP‰一等nP—圖3中為擊穿電壓隨著n埋層位置Y著增大,當(dāng)?.P結(jié)和nP層,?P因此埋層的優(yōu)化位置越低.在圖3(b)(Iu..>0_【)/p10QEuu0Jn?.司Oofima】T5lain?l--MOS擊穿電壓僅為330V和350V,而BVID2圖4擊穿電壓與漂移區(qū)濃度的關(guān)系:(a)N.不同圖5(a)能夠看到,常規(guī)LDMOS和BVLD要采用較小的P,但是P0OOOOO[

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