電子元器件之

電子元器件之電容器電容器是一種能儲(chǔ)存電荷的容器．屬于被動(dòng)式儲(chǔ)能電子器件.它在電子設(shè)備中充當(dāng)整流器的平滑濾波、電源的退耦、交流信號(hào)的旁路、交直流電路的交流耦合等。

電容器的構(gòu)造是由兩片靠得較近的金屬片，中間再隔以絕緣物質(zhì)而組成的．它的表示符號(hào)為:

一ll一，用字母“C”來(lái)表示。鋁電解電容就現(xiàn)在的產(chǎn)量來(lái)說(shuō)，鋁電解電容器在電容器中占第二位．這類電容器本來(lái)是一般的直流電容器，但現(xiàn)在已經(jīng)從直流發(fā)展到交流、從低溫發(fā)展到高溫、從低壓發(fā)展到高壓.(溫度已可做到150℃,額定電壓做到700V)對(duì)于鋁電解電容,您首先想到的是什么?─容量？耐壓？根據(jù)國(guó)際IEC384-4規(guī)定，低于315V時(shí)，Vs=1.15×WV，高于315V時(shí)，Vs=1.1×WV。Vs是涌浪電壓，WV是額定電壓(workingvoltage)。價(jià)錢。品牌系列型號(hào)適用工作溫度容量誤差散逸因數(shù)-損失角（DF）漏電流（Lc）等效串聯(lián)電阻（ESR）耐紋波電流（Irac）真正有關(guān)電容器品質(zhì)的幾個(gè)重要參數(shù):

散逸因數(shù)-損失角（DF）散逸因數(shù)dissipationfactor(DF)存在于所有電容器中，DF值越小表明電容損耗越小，性能也就越好。但鋁電解電容的損失角相當(dāng)高。DF值與溫度、容量、電壓、頻率......都有關(guān)系；當(dāng)容量相同時(shí)，耐壓愈高的DF值就愈低。此外溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會(huì)愈高。漏電流（Lc）漏電流(leakagecurrent)

它的計(jì)算公式是:I＝K×CV。I的單位是μA，K是常數(shù).電容器容量愈高，漏電流就愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法，這個(gè)「漏電流」也請(qǐng)考慮在內(nèi)。等效串聯(lián)電阻（ESR）容量愈大ESR愈低;額定電壓愈大ESR愈低;低頻時(shí)ESR高，高頻時(shí)ESR低；溫度愈低，ESR愈高。良好的電路設(shè)計(jì)，應(yīng)該考慮到低溫時(shí)的ESR值.

注意:在開(kāi)關(guān)電路中過(guò)低的ESR值容易引起振蕩等效串聯(lián)電阻相當(dāng)于耗能元件，它的損耗功率變成熱量，從而影響了電容的壽命。ESR值大的電容溫升高.阿雷尼厄斯10度法則耐紋波電流（Irac）

前面談到的DF值、漏電流、ESR值...等，其值都是愈低愈好，但現(xiàn)在要提的耐紋波電流ripplecurrent卻是愈高愈好。特別是在大電流輸出場(chǎng)合，電源平滑濾波電容器的耐紋波電流Irac就顯得格外重要。

低頻紋波以120Hz做標(biāo)準(zhǔn)

高頻紋波以10KHz做標(biāo)準(zhǔn)

電容器耐紋波電流的能力與頻率剛好成正比。鎖螺絲式電容的耐紋波電流能力通常比插PC板式來(lái)得高。RIFA的電容在耐紋波電流方面要優(yōu)于其它品牌,1000μF相當(dāng)于其它廠牌1200μF。德國(guó)Siemens、英國(guó)BHC電容，在Irac這項(xiàng)特性上也常優(yōu)于一般日制品。。能在短時(shí)間內(nèi)做靜電能與動(dòng)電能的互變，短路電流約比電池大1000倍。

電容器的主要特點(diǎn)：儲(chǔ)蓄電能少，但接受電能的功率大，亦即充放電的時(shí)間很短，效率極高。容抗與頻率、電容量有直接的關(guān)係。Xc=1/2πfc，即頻率/容量愈高則容抗愈小，反之則愈大。

在AC電路中，其電流相位比電壓基準(zhǔn)提前90°，有進(jìn)相作用。鉭質(zhì)電解電容固體鉭電容器是1956年由美國(guó)貝樂(lè)試驗(yàn)室首先研制成功的，它的性能優(yōu)異，是所有電容器中體積小而又能達(dá)到較大電容量的產(chǎn)品，價(jià)格較為昂貴。鉭電解電容和鋁電解電容一樣，有極性區(qū)分，廠家會(huì)在電容的正極做相應(yīng)的標(biāo)示。目前SMT技術(shù)發(fā)展迅速，小型化、貼片式已成為鉭質(zhì)電解電容的主流。目前生產(chǎn)的鉭電解電容器主要有燒結(jié)型固體、箔形卷繞固體、燒結(jié)型液體等三種，其中燒結(jié)型固體約占目前生產(chǎn)總量的95%以上，而又以非金屬密封型的樹(shù)脂封裝式為主體。它的工作介質(zhì)是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。

貼片鉭電容的封裝：封裝代碼

Y

A

X

B

C

D

規(guī)格尺寸

L（mm）

3.2

3.8

3.5

4.7

6.0

7.3

W(mm)

1.6

1.9

2.8

2.6

3.2

4.3

T（mm）

1.6

1.6

1.9

2.1

2.5

2.8

注意：規(guī)格相同但封裝不同的鉭質(zhì)電容不可代用。

如：10UF/16V”B”型與10UF/16V”C”型不可相互代用。

鉭質(zhì)電容的優(yōu)點(diǎn):易于加工、有最高的比容效率、適宜于小型化。

在一定溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。

工作過(guò)程中具有自我復(fù)原能力，故障率隨時(shí)間下降。工作溫度范圍大，-55℃~+125℃

比鋁電容有更好的頻率特性。性能和可靠性不會(huì)隨時(shí)間而退化。鉭電容對(duì)庫(kù)存期無(wú)限制，電介質(zhì)穩(wěn)定，不必矯正。貼片電容單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前產(chǎn)量最大的電容器。因其體積小、價(jià)格低、使用壽命長(zhǎng)、利于自動(dòng)化作業(yè)，而被廣泛應(yīng)用于各類電子產(chǎn)品中。貼片電容常用的有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同規(guī)格，它們的主要區(qū)別是填充的介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。針對(duì)不同的介質(zhì)種類我們來(lái)逐一了解：NPO電容器

NPO是一種具有溫度補(bǔ)償特性的貼片電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同。NPO電容器相應(yīng)封裝可選取的容量范圍：

NPO電容器適用于各種高頻電路，如：高頻振蕩、計(jì)時(shí)、諧振、耦合等。X7R電容器

X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到+125℃時(shí)其容量變化為15%，需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的，它也隨時(shí)間的變化而變化，表現(xiàn)為10年變化了約5%。在相同的體積下電容量可以比NPO做的大。X7R電容器相應(yīng)封裝可選取的容量范圍：

X7R電容器主要應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中Z5U電容器

Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。工作溫度范圍+10℃---+85℃.溫度特性+22%----56%。對(duì)于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大。

盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感（ESL）和等效串聯(lián)電阻（ESR）低、良好的頻率響應(yīng)，使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。

Z5U電容器主要應(yīng)用于退耦、隔直、旁路等電路中

Z5U電容器相應(yīng)封裝可選取的容量范圍：

Y5V電容器

Y5V電容器是一種有一定溫度限制的通用電容器，在-30℃到85℃范圍內(nèi)其容量變化可達(dá)+22%到-82%。Y5V的高介電常數(shù)允許在較小的物理尺寸下制造出很高的電容量。

Y5V電容器相應(yīng)封裝可選取的容量范圍：

Y5V電容器主要應(yīng)用于隔直、旁路等電路中

獨(dú)石電容獨(dú)石電容又叫積層電容是由貼片電容用兩根引線將電極引出，再用環(huán)氧樹(shù)脂包封而成，它具備貼片電容的各種電性能，同時(shí)又增強(qiáng)了機(jī)械強(qiáng)度和耐濕性，被廣泛應(yīng)用于電子精密儀器。陶瓷電容陶瓷電容又叫圓板型瓷片電容，介質(zhì)主要為鈦酸鋇，并用燒滲法將銀鍍?cè)谔沾缮献鳛殡姌O制成。有干式涂裝和濕式涂裝兩種，按其介質(zhì)可分為CLASS-Ⅰ溫度補(bǔ)償型；CLASS-Ⅱ高誘電率型；CLASS-Ⅲ半導(dǎo)體型。溫度補(bǔ)償型(CLASS-I）陶瓷電容器測(cè)試條件

1MHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範(fàn)圍

0.5pF~1200pF誤差判定

誤差代字

CDJKM允許誤差

±0.25pF±0.5pF±5%±10%±20%應(yīng)用在低損耗﹑穩(wěn)定性高或要求溫度係數(shù)有明顯規(guī)定的諧振電路中的。具有高品質(zhì)因素﹑高穩(wěn)定性(溫度變化率低）。靜電容量﹕品質(zhì)因數(shù)﹕測(cè)試條件溫度特性容量範(fàn)圍

判定標(biāo)準(zhǔn)

1MHz

1.0Vrms.

25±3℃

NPO~N750

S2L(SL)C≧30pFQ≧1000C＜30pFQ≧400+20CN3300~N4700

S3N(YN)C≧30pFQ≧500C＜30pFQ≧200+10C絕緣電阻﹕額定電壓分類

測(cè)試電壓/時(shí)間

判定標(biāo)準(zhǔn)

額定電壓≦50V10V/1分鐘

10,000MΩ以上

額定電壓≧500V500V/1分鐘

高誘電率型(CLASS-II）陶瓷電容器應(yīng)在旁路或藕合之電路中。非線性的溫度特性--靜電容量變化率。靜電容量﹕測(cè)試條件

1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃

容量範(fàn)圍

80pF~0.2μF誤差判定

誤差代字

KMZP允許誤差

±10%±20%+80/-20%+100/-0%損失角(散逸因數(shù))﹕測(cè)試條件

溫度特性

判定標(biāo)準(zhǔn)

1KHz

1.0Vrms.

25±3℃

X7RY5EY5P

Z5FZ5PZ5U2.5%Max.Z5UY5UY5V5.0%Max.

絕緣電阻﹕額定電壓分類

測(cè)試電壓/時(shí)間

電容量分類

判定標(biāo)準(zhǔn)

額定電壓≦50V10V/1分鐘

＜20nF10,000MΩ以上

額定電壓≧500V500V/1分鐘

≧20nF7,500MΩ以上

耐壓測(cè)試﹕額定電壓分類

測(cè)試電壓

測(cè)試時(shí)間

充放電流R.W＜1KVR.W×2.501~5秒

＜50mAR.W=KVR.W×2.00R.W>1KVR.W×1.75R.W≧3KVR.W×1.50R.W≧10KVR.W×1.20

半導(dǎo)體型(CLASS-III）陶瓷電容器一種半導(dǎo)體特性之電容器﹐應(yīng)用在低壓旁路或藕合之電路中。非線性的溫度特性--靜電容量變化率。

靜電容量﹕測(cè)試條件

1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃

容量範(fàn)圍

0.01pF~0.2μF誤差判定

誤差代字

KMZP允許誤差

±10%±20%+80/-20%+100/-0%損失角(散逸因數(shù))﹕測(cè)試條件

溫度特性

判定標(biāo)準(zhǔn)

1KHz0.1Vrms.25±3℃Y5PY5R

Y5UY5V5.0%Max.絕緣電阻﹕測(cè)試電壓

測(cè)試時(shí)間

判定標(biāo)準(zhǔn)

12V16V1分鐘

100MΩ以上

25V50V1000MΩ以上

耐壓測(cè)試﹕額定電壓分類

測(cè)試電壓

測(cè)試時(shí)間

充放電流R.W=12VR.W×2.501~5秒

＜50mAR.W=16VR.W=25VR.W=50VEIA第一碼XYZ

-55-30+10

第二碼24567

+45+65+85+105+125

第三碼EFPRTUV

±4.7%±7.5%±10%±15%+22-33%+22-56%+22-82%美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)電容溫度特性的規(guī)定:EIARS-198D標(biāo)準(zhǔn):安規(guī)（Y）電容

Y電容屬于AC類陶瓷電容，主要應(yīng)用於EMI濾波抑制高頻干擾或連接輸入端與地端,防止產(chǎn)品對(duì)人體產(chǎn)生電擊。靜電容量﹕測(cè)試條件

1KHz1.0V~5.0Vrms.25±3℃容量範(fàn)圍

Y2100pF~10000pFY1100pF~4700pF誤差判定

誤差代字KMZ允許誤差±10%±20%+80/-20%損失角(散逸因數(shù))﹕測(cè)試條件溫度特性判定標(biāo)準(zhǔn)1KHz

1.0Vrms.25±3℃Y5PY5U2.5%Max.Y5V5.0%Max.測(cè)試電壓/時(shí)間

判定標(biāo)準(zhǔn)

DC500V/1分鐘

10,000MΩ以上

額定電壓測(cè)試電壓

測(cè)試時(shí)間

充放電流浪涌雷擊電壓Y1AC400VAC4000V1分鐘

無(wú)擊穿或飛弧

8KVY2AC250VAC2500V5KV耐壓測(cè)試﹕絕緣電阻﹕薄膜電容薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，以低損耗薄膜材料作介質(zhì)卷繞而成,(或在薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬，再卷繞成電容

)它具有無(wú)極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優(yōu)異(頻率響應(yīng)寬廣)，而且介質(zhì)損耗很小，有一定的自恢復(fù)能力等優(yōu)點(diǎn)而被得到廣泛應(yīng)用。薄膜電容器種類繁多,制造工藝多樣化.屬技術(shù)密集型產(chǎn)品,近幾年市場(chǎng)需求量以每年20%的速度遞增.安規(guī)（X）電容X電容常用于輸入端EMI的濾波,抑制低頻端的電磁干擾.由鍍金屬聚丙烯薄膜卷繞,裝入高絕緣塑膠殼后用環(huán)氧樹(shù)脂封裝而成.安規(guī)等級(jí)分為X1和X2.X1電容特性:額定溫度:-40~+100℃額定電壓:300VAC容量范圍:0.0047~4.7uF介電強(qiáng)度:1290VDC/1分鐘或4000VDC/1秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩX2電容特性:額定溫度:-40~+100℃額定電壓:275VAC容量范圍:0.001~2.2uF介電強(qiáng)度:1183VDC/1分鐘或2000VDC/1秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩ

滌綸電容滌綸電容采用聚脂薄膜作介質(zhì)、以鋁箔為電極卷繞而成,外部浸封環(huán)氧樹(shù)脂,單向引出,為有感式。適用于電子設(shè)備的直流或脈動(dòng)電路中.

額定溫度:-40~+85℃額定電壓:50VDC/100VDC容量范圍:0.001~0.1uF介電強(qiáng)度:2.5倍的額定電壓5秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)±20%(M)DF值:1.0%MAXat1KHz絕緣電阻:50000MΩMINat25℃

滌綸電容特性:金屬化聚丙烯電容(CBB)該電容器采用聚丙烯作介質(zhì)，并用真空蒸鍍法將鋁沉積在薄膜上作電極卷繞而成，環(huán)氧樹(shù)脂包封，為無(wú)感式繞制，適應(yīng)頻率高,穩(wěn)定性好.金屬化聚丙烯電容特性:額定溫度:-40~+85℃額定電壓:100/250/400/630VDC容量范圍:0.001~10uF介電強(qiáng)度:1.75倍的額定電壓5秒容量誤差:±5%(J)±10%(K)DF值:0.1%MAXat1KHz絕緣電阻:0.33uF以下≥30000MΩ

0.33uF(含)以上≥10000MΩ

金屬化聚脂薄膜電容(CL)該電容器采用鍍金屬聚脂薄膜卷繞而成，也是無(wú)感式繞制，與CBB電容相比,其介質(zhì)穩(wěn)定性要差,DF值較大(有1%)適應(yīng)頻率稍低,價(jià)格要便宜些.此電容為無(wú)感結(jié)構(gòu)，由金屬化聚酯薄膜以堆積方式制成,矩形阻燃塑殼和阻燃環(huán)氧樹(shù)脂封裝.

具有體積小，容量大，自愈良好，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn).別名

校正電容

適用于隔直流、旁路、藕合、降躁＼濾波電路。

聯(lián)系方式地址:深圳市龍崗區(qū)平湖鎮(zhèn)鳳凰大道景泰一巷12號(hào)聯(lián)系人:李海峰電話-Mail:來(lái)源IP:219.133.129.171(2006-4-109:11:31)鏈接:相關(guān)的信息到“３５Ｂａｓｅ．ｃｏｍ”上試試吧給該公司留言>>>

材料

為無(wú)感結(jié)構(gòu)，由金屬化聚酯薄膜為介質(zhì)/電極以堆積方式制成，鍍錫銅包鋼線(CP)線單向引出，粉