杭州立昂微電子股份有限公司年產(chǎn)72萬片6英寸功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)改造項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告

建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表（污染影響類）項(xiàng)目名稱：杭州立昂微電子股份有限公司年產(chǎn)72萬片6英寸功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)改造項(xiàng)目建設(shè)單位（蓋章）：杭州立昂微電子股份有限公司編制日期：2021.3中華人民共和國生態(tài)環(huán)境部制建設(shè)項(xiàng)目名稱杭州立昂微電子股份有限公司年產(chǎn)72萬片6英寸功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)改造項(xiàng)目項(xiàng)目代碼2102-330155-89-02-308142建設(shè)單位聯(lián)系人聯(lián)系方式建設(shè)地點(diǎn)浙江?。ㄗ灾螀^(qū)）杭州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)縣（區(qū)）/鄉(xiāng)（街道）20號大街199號（具體地址）地理坐標(biāo)（120度22分3.783秒，30度16分50.190秒）國民經(jīng)濟(jì)行業(yè)類別半導(dǎo)體分立器件制造3972建設(shè)項(xiàng)目行業(yè)類別電子器件制造建設(shè)性質(zhì)□新建（遷建）□擴(kuò)建技術(shù)改造建設(shè)項(xiàng)目申報(bào)情形首次申報(bào)項(xiàng)目□不予批準(zhǔn)后再次申報(bào)項(xiàng)目□超五年重新審核項(xiàng)目□重大變動重新報(bào)批項(xiàng)目項(xiàng)目審批（核準(zhǔn)/備案）部門（選填）錢塘新區(qū)行政審批局項(xiàng)目審批（核準(zhǔn)/備案）文號（選填）/總投資（萬元）80259環(huán)保投資（萬元）600環(huán)保投資占比（%）0.75施工工期2年是否開工建設(shè)否是：零土地技改專項(xiàng)評價(jià)設(shè)置情況詳見表1-1。表1-1專項(xiàng)評價(jià)設(shè)置情況本項(xiàng)目涉及氯氣排放且廠界外500米范圍內(nèi)有環(huán)境空氣保護(hù)目標(biāo)，需本項(xiàng)目不涉及特殊地下水資源保護(hù)區(qū)，不開展本項(xiàng)目有毒有害和易燃易爆危險(xiǎn)物質(zhì)存儲量超過臨界量，需開展環(huán)境/聲/規(guī)劃情況杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃《杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃》由杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)建設(shè)局編制，因杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)與杭州錢塘新區(qū)機(jī)構(gòu)整合事宜而未報(bào)批。1、規(guī)劃范圍規(guī)劃范圍：北至2號路、學(xué)正街，西至1號路，東、南面至錢塘江邊；規(guī)劃總用地面積27平方公里，包括原國家核定的10平方公里、進(jìn)出口加工區(qū)和外圍規(guī)劃控制面積。詳見圖1-1。圖1-1杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)開發(fā)邊界圖2、規(guī)劃期限近期2017年-2020年，遠(yuǎn)期2021~2035年。近期規(guī)劃期限與杭州市城市總體規(guī)劃（2016年修訂）相一致。規(guī)劃基準(zhǔn)年2017年。3、具體目標(biāo)發(fā)展目標(biāo)：把握杭州國家自主創(chuàng)新示范區(qū)、中國（杭州）跨境電子商務(wù)綜合試驗(yàn)區(qū)等重大戰(zhàn)略機(jī)遇，實(shí)施“創(chuàng)新驅(qū)動、轉(zhuǎn)型升級、產(chǎn)城融合”三大戰(zhàn)略，進(jìn)一步加大創(chuàng)新投入、優(yōu)化創(chuàng)新環(huán)境，以高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)與智能制造業(yè)為基礎(chǔ)（信息技術(shù)、醫(yī)藥與醫(yī)療器械、高端裝備制造），建設(shè)成為高端智造基地、創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新港灣、美麗智慧城。具體目標(biāo)：近期：以“創(chuàng)新”為動力，以“國際化”為方向，對現(xiàn)有制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級，引導(dǎo)規(guī)劃區(qū)內(nèi)污染工業(yè)關(guān)停、并轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)工廠“智造”，提升企業(yè)核心競爭力；遠(yuǎn)期：緊緊圍繞“智造”對城市功能整合和深化，集聚“智造”產(chǎn)業(yè)鏈高價(jià)值環(huán)節(jié)，引領(lǐng)區(qū)域轉(zhuǎn)型發(fā)展；建設(shè)品質(zhì)生態(tài)國際新城區(qū)，以完善的國際化生產(chǎn)性服務(wù)和生活性服務(wù)為基礎(chǔ)，集聚知識型高端產(chǎn)業(yè)、技術(shù)、服務(wù)和人才；創(chuàng)建優(yōu)良的生態(tài)、優(yōu)美的環(huán)境和獨(dú)具特色的景觀；構(gòu)建復(fù)合高品質(zhì)居住、工作、游憩的綜合新城；最終形成以高新科技產(chǎn)業(yè)為骨干，集商務(wù)、教育、居住、商貿(mào)研發(fā)功能為一體的高科技、多功能、園林化的活力新城。4、產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃結(jié)合“中國制造2025”發(fā)展，搶抓杭州建設(shè)“城東智造大走廊”機(jī)遇，加快產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新、集聚發(fā)展、聚焦高端裝備制造、醫(yī)藥與醫(yī)療器械、信息技術(shù)、高端服務(wù)業(yè)“雙輪驅(qū)動”、“兩業(yè)融合”的現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系。規(guī)劃區(qū)通過對區(qū)域工業(yè)布局進(jìn)行優(yōu)化，在現(xiàn)有的橡膠和塑料制品業(yè)、化學(xué)品制造、食品飲料、醫(yī)藥制造、電子信息、金屬制品、通用設(shè)備制造、專業(yè)設(shè)備制造、儀器儀表、家具制造、汽車制造的基礎(chǔ)上淘汰橡膠和塑料制品業(yè)、化學(xué)品制造業(yè)、金屬制品，重點(diǎn)發(fā)展新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、醫(yī)藥與醫(yī)療器械、新能源新材料和高端服務(wù)業(yè)。近期目標(biāo)：對規(guī)劃區(qū)內(nèi)現(xiàn)有對周邊環(huán)境影響較大工業(yè)項(xiàng)目（化工、橡膠）進(jìn)行產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型或搬遷，部分區(qū)域?qū)嵤巴硕M(jìn)三”政策；工業(yè)用地原則上以一類工業(yè)為主，適當(dāng)保留現(xiàn)有二類工業(yè)，并對閑置土地進(jìn)行挖潛；遠(yuǎn)期：積極推動區(qū)域工業(yè)企業(yè)轉(zhuǎn)型，培育高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，鼓勵發(fā)展高科技含量、高技術(shù)附加值且低污染或無污染的產(chǎn)業(yè)，建設(shè)成為一個(gè)以高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)為主導(dǎo)，集工業(yè)、研發(fā)、教育、居住、配套服務(wù)于一體的綜合型開發(fā)區(qū)。規(guī)劃實(shí)施后將形成“一軸三帶多組團(tuán)”產(chǎn)業(yè)空間格局；即：“一軸”即創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)軸；“三帶”即1號大街創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)帶、6號大街創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)帶、江濱商業(yè)帶；“多組團(tuán)”包括眾創(chuàng)社區(qū)組團(tuán)、跨境產(chǎn)業(yè)合作組團(tuán)、計(jì)量測控產(chǎn)業(yè)組團(tuán)、研發(fā)制造產(chǎn)業(yè)組團(tuán)、智能制造產(chǎn)業(yè)組團(tuán)、東部灣現(xiàn)代服務(wù)產(chǎn)業(yè)組團(tuán)。詳見圖1-2。圖1-2杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局規(guī)劃環(huán)境影響評價(jià)情況杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)評《杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)評報(bào)告書》應(yīng)由國家生態(tài)環(huán)境部審批，因杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)與杭州錢塘新區(qū)機(jī)構(gòu)整合事宜而審查會未能如期召開，后經(jīng)國家生態(tài)環(huán)境部復(fù)函（環(huán)評函[2019]102號）回復(fù)，杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)的環(huán)境管理工作可按照國家和地方環(huán)境管理要求，參照《杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)評報(bào)告書》現(xiàn)有成果開展。摘錄規(guī)劃環(huán)評結(jié)論如下：杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)經(jīng)過多年發(fā)展，已形成橡膠和塑料制品業(yè)、化學(xué)品制造、食品飲料、醫(yī)藥制造、電子信息、金屬制品、通用設(shè)備制造、專業(yè)設(shè)備制造、儀器儀表、家具制造、汽車制造等多個(gè)行業(yè)共同發(fā)展的局面，經(jīng)過本輪規(guī)劃實(shí)施后，近期將對污染相對重橡膠和塑料制品業(yè)、化學(xué)品制造業(yè)進(jìn)行轉(zhuǎn)型或搬遷，重點(diǎn)發(fā)展新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、醫(yī)藥與醫(yī)療器械、新能源新材料和高端服務(wù)業(yè)。規(guī)劃方案進(jìn)一步優(yōu)化了開發(fā)區(qū)的定位和布局，充分體現(xiàn)了科學(xué)發(fā)展、環(huán)境保護(hù)的理念。本次規(guī)劃實(shí)施后，規(guī)劃定位與城市總體規(guī)劃、土地利用規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃等上位規(guī)劃的定位要求基本一致，規(guī)劃目標(biāo)與當(dāng)前環(huán)保要求相符，發(fā)展定位符合大環(huán)境背景要求，但局部布局需進(jìn)一步優(yōu)化。在規(guī)劃層面上土地資源、水資源和能源能夠得到保障，環(huán)保基礎(chǔ)設(shè)施已配套建設(shè)；大氣環(huán)境容量存在短板，規(guī)劃實(shí)施后污染物總量可以實(shí)現(xiàn)減排，規(guī)劃實(shí)施有助于改善區(qū)域環(huán)境質(zhì)量。報(bào)告認(rèn)為，規(guī)劃方案在目標(biāo)定位、產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)和規(guī)模等方面較為合理，在進(jìn)一步優(yōu)化規(guī)劃實(shí)施和局部用地布局、完善基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)、健全環(huán)境管理體系、嚴(yán)格落實(shí)資源保護(hù)和環(huán)境影響減緩對策措施后，從資源環(huán)境保護(hù)而言是可行的，也有利于促進(jìn)區(qū)域經(jīng)濟(jì)、社會的協(xié)調(diào)、可持續(xù)發(fā)展。規(guī)劃及規(guī)劃環(huán)境影響評價(jià)符合性分析1、規(guī)劃符合性分析本項(xiàng)目位于規(guī)劃產(chǎn)業(yè)空間格局中的智能制造組團(tuán)，主要進(jìn)行電子器件中的芯片制造，屬于園區(qū)重點(diǎn)發(fā)展的新一代信息技術(shù)、高端裝備制造業(yè)，符合杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃中的產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃要2、規(guī)劃環(huán)評符合性分析本項(xiàng)目位于規(guī)劃產(chǎn)業(yè)空間格局中的智能制造組團(tuán)，主要進(jìn)行電子器件中的芯片制造，屬于園區(qū)重點(diǎn)發(fā)展的新一代信息技術(shù)、高端裝備制造業(yè)。經(jīng)對照《杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)評報(bào)告書》中環(huán)境準(zhǔn)入條件和“六張清單”，本項(xiàng)目不屬于限制類或禁止類項(xiàng)目，未列入環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，符合杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)評環(huán)境準(zhǔn)入要求。其他符合性分析1、與《長江經(jīng)濟(jì)帶發(fā)展負(fù)面清單指南（試行）》浙江省實(shí)施細(xì)則的符合性分析經(jīng)對照《長江經(jīng)濟(jì)帶發(fā)展負(fù)面清單指南（試行）》浙江省實(shí)施細(xì)則，本項(xiàng)目符合相關(guān)實(shí)施細(xì)則要求，具體見表1-2。表1-2與浙江省實(shí)施細(xì)則的符合性分析1在風(fēng)景名勝區(qū)核心景區(qū)的岸線和河段范圍內(nèi)止在森林公園的岸線和河段范圍內(nèi)毀林開墾禁止在地質(zhì)公園的岸線和河段范圍內(nèi)以及可能對地質(zhì)公園造成影響的周邊地區(qū)采石、取本項(xiàng)目不在自然保護(hù)區(qū)核心區(qū)、緩沖區(qū)的岸線和河段范圍等區(qū)2在飲用水水源一級保護(hù)區(qū)的岸線和河段范圍本項(xiàng)目不在飲用水水源一級保護(hù)區(qū)的岸線3在飲用水水源二級保護(hù)區(qū)的岸線和河段范圍的投資建設(shè)項(xiàng)目二）禁止網(wǎng)箱養(yǎng)殖、使投資建設(shè)項(xiàng)目三）禁止設(shè)置排污口，禁本項(xiàng)目不在飲用水水源二級保護(hù)區(qū)的岸線4或者改建增加排污量的建設(shè)項(xiàng)目二）禁國家規(guī)定禁止通過內(nèi)河運(yùn)輸?shù)钠渌ｋU(xiǎn)化學(xué)本項(xiàng)目不在飲用水水源準(zhǔn)保護(hù)區(qū)的岸線和5禁止在水產(chǎn)種質(zhì)資源保護(hù)區(qū)的岸線和河段范本項(xiàng)目不在水產(chǎn)種質(zhì)資源保護(hù)區(qū)的岸線和6：（禁止開（圍）墾、填埋或者排干濕地二）禁止截?cái)酀竦厮慈┙雇谏场⒉傻V；止濫采濫捕野生動植物七）禁止引入外本項(xiàng)目不在國家濕地公園的岸線和河段范—6—7劃定的岸線保護(hù)區(qū)內(nèi)投資建設(shè)除保障防洪安本項(xiàng)目不在《長江岸線保護(hù)和開發(fā)利用總體規(guī)劃》劃定的岸線保護(hù)區(qū)、保留區(qū)內(nèi)，不在《全國重要江河湖泊水功能區(qū)劃》劃定的河段保護(hù)區(qū)、保8以及農(nóng)牧民基本生產(chǎn)生活等必要的民生項(xiàng)目本項(xiàng)目不在生態(tài)保護(hù)紅線和永久基本農(nóng)田9本項(xiàng)目不屬于鋼鐵、石化、化工、焦化、建材、有色等高污染本項(xiàng)目不屬于石化、現(xiàn)代煤化工、露天礦類中的落后生產(chǎn)工藝裝備、落后產(chǎn)品投資項(xiàng)清單2018年版）》的外商投資項(xiàng)目，一本項(xiàng)目不屬于落后產(chǎn)本項(xiàng)目不屬于嚴(yán)重過本項(xiàng)目不屬于本條所2、與杭州市“三線一單”生態(tài)環(huán)境分區(qū)管控方案的符合性分析（1）生態(tài)保護(hù)紅線本項(xiàng)目選址不在《杭州市生態(tài)保護(hù)紅線劃定方案》（2018）劃定的生態(tài)保護(hù)紅線范圍內(nèi)，滿足生態(tài)保護(hù)紅線要求。（2）環(huán)境質(zhì)量底線①水環(huán)境質(zhì)量底線根據(jù)《2019年杭州市生態(tài)環(huán)境狀況公報(bào)》，全市水環(huán)境質(zhì)量狀況—7—為優(yōu)，同比穩(wěn)中有升，全市52個(gè)“十三五”市控以上斷面，水環(huán)境功能區(qū)達(dá)標(biāo)率98.1%，較去年上升1.9個(gè)百分點(diǎn)；達(dá)到或優(yōu)于Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)比例94.2%，較去年上升1.9個(gè)百分點(diǎn)。全市集中式飲用水水源地水質(zhì)狀況優(yōu)，12個(gè)國控飲用水水源地點(diǎn)位水質(zhì)達(dá)標(biāo)率均為100%，與去年同期持平，水質(zhì)保持穩(wěn)定。本項(xiàng)目廢水納管外排，對周邊地表水體影響很小，不會造成現(xiàn)狀水環(huán)境質(zhì)量惡化，可滿足水環(huán)境質(zhì)量底線要求。②大氣環(huán)境質(zhì)量底線根據(jù)《2019年杭州市生態(tài)環(huán)境狀況公報(bào)》，全區(qū)環(huán)境空氣優(yōu)良天數(shù)為287天，優(yōu)良率達(dá)78.6%；PM2.5年均濃度為38微克/立方米，同比2018年（40微克/立方米）下降了5%，另結(jié)合近期杭州市生態(tài)環(huán)境局通報(bào)情況，在2020年，杭州首次實(shí)現(xiàn)了環(huán)境空氣質(zhì)量六項(xiàng)指標(biāo)全達(dá)標(biāo)和所有國控站點(diǎn)PM2.5年均濃度全達(dá)標(biāo)，市區(qū)環(huán)境空氣優(yōu)良天數(shù)334天，同比增加47天；優(yōu)良率91.3%，同比上升12.7個(gè)百分點(diǎn)；PM2.5平均濃度29.8微克/立方米，同比下降21%；O3濃度151微克/立方米，同比下降16.6%。全市空氣環(huán)境質(zhì)量已經(jīng)出現(xiàn)明顯改善。而本項(xiàng)目廢氣酸霧和VOCs排放量不大，對周邊大氣環(huán)境影響有限，可滿足大氣環(huán)境質(zhì)量底線要求。③土壤環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)防控底線本項(xiàng)目運(yùn)營期廢氣可做到穩(wěn)定達(dá)標(biāo)排放，廢水穩(wěn)定達(dá)標(biāo)納管，固廢環(huán)境零排放，能夠滿足杭州市“三線一單”確定的土壤環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)防控底線目標(biāo)要求。（3）資源利用上線本項(xiàng)目使用電能為主，清潔能源天然氣為輔，不使用煤炭等高污染燃料，能夠滿足能源利用要求；且本項(xiàng)目用水來自市政供水管網(wǎng)，因此不會突破區(qū)域的水資源利用上限；本項(xiàng)目不新增建設(shè)用地指標(biāo)，屬于零土地技改項(xiàng)目，不會突破土地資源利用上限。（4）環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單本項(xiàng)目位于江干區(qū)下沙南部、下沙園區(qū)北部產(chǎn)業(yè)集聚重點(diǎn)管控單元ZH33010420002，行業(yè)為電子器件制造，經(jīng)對照該環(huán)境管控單元空間布局引導(dǎo)、污染物排放管控、環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)防控和資源開發(fā)效率等要求，本項(xiàng)目符合環(huán)境管控準(zhǔn)入要求。綜上，本項(xiàng)目建設(shè)可滿足杭州市“三線一單”（生態(tài)保護(hù)紅線、環(huán)境質(zhì)量底線、資源利用上線和環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單）生態(tài)環(huán)境管控要求。3、與國家和地方產(chǎn)業(yè)政策的符合性分析根據(jù)《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2019年本）》，本項(xiàng)目芯片制造屬于“鼓勵類”第二十八類“信息產(chǎn)業(yè)”中的第42條——“半導(dǎo)體照明襯底、外延、芯片、封裝及材料（含高效散熱覆銅板、導(dǎo)熱膠、導(dǎo)熱硅膠片）等”。此外，根據(jù)《杭州市產(chǎn)業(yè)發(fā)展導(dǎo)向目錄與產(chǎn)業(yè)平臺布局指引（2019年本）》，本項(xiàng)目屬于鼓勵類——二、數(shù)字經(jīng)濟(jì)核心產(chǎn)業(yè)中的（六）集成電路產(chǎn)業(yè)——“B52移動智能終端芯片、數(shù)字電視芯片、網(wǎng)絡(luò)通信芯片、可穿戴設(shè)備芯片、數(shù)字集群（PDT）、數(shù)字對講機(jī)、數(shù)字電視機(jī)頂盒等芯片及操作系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、研發(fā)和制造”。綜上，本項(xiàng)目建設(shè)符合國家及地方的產(chǎn)業(yè)政策要求。4、與《浙江省揮發(fā)性有機(jī)物污染整治方案》的符合性分析根據(jù)《浙江省揮發(fā)性有機(jī)物污染整治方案》中對電子信息行業(yè)的要求：（1）推廣采用環(huán)保型、低溶劑含量的油墨、清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等環(huán)保材料，減少VOCs污染物的產(chǎn)生量。本項(xiàng)目顯影、光刻、刻蝕、清洗等工序采用的有機(jī)溶劑基本都是環(huán)保低毒型物料，符合相關(guān)原輔材料要求。（2）對各廢氣產(chǎn)生點(diǎn)采用密閉隔離、局部排風(fēng)、就近捕集等措施，盡可能減少排氣量，提高濃度。本項(xiàng)目生產(chǎn)車間呈微負(fù)壓狀態(tài)運(yùn)行，基本不存在廢氣無組織排放。而且生產(chǎn)時(shí)車間全密閉，相關(guān)產(chǎn)生廢氣的工藝設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)密閉隔離，廢氣經(jīng)局部排風(fēng)、就近收集處理后達(dá)標(biāo)排放。符合廢氣收集要求。（3）本行業(yè)有機(jī)廢氣具有大風(fēng)量低濃度特點(diǎn)，優(yōu)先采用吸附濃縮與焚燒相結(jié)合的方法處理，在排放規(guī)模較小、不至于擾民的情況下也可根據(jù)廢氣特點(diǎn)采用活性炭吸附、低溫等離子、光催化、噴淋洗滌等方式處理。本項(xiàng)目有機(jī)廢氣采用沸石轉(zhuǎn)輪吸附+脫附RTO焚燒后達(dá)標(biāo)排放，其廢氣處理方式符合整治方案中優(yōu)先推薦方法的要求。綜上，本項(xiàng)目建設(shè)符合《浙江省揮發(fā)性有機(jī)物污染整治方案》的要求?！?0—建設(shè)1、項(xiàng)目概況項(xiàng)目名稱：杭州立昂微電子股份有限公司年產(chǎn)72萬片6英寸功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)改造項(xiàng)目建設(shè)單位：杭州立昂微電子股份有限公司建設(shè)性質(zhì)：技改建設(shè)規(guī)模：公司擬投資80259萬元，本項(xiàng)目利用企業(yè)現(xiàn)有廠房和配套設(shè)施，通過進(jìn)口光刻機(jī)、氧化爐等設(shè)備，購置去膠機(jī)等國產(chǎn)設(shè)備，形成新增年產(chǎn)72萬片6英寸功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力，技改完成后形成總計(jì)年產(chǎn)252萬片半導(dǎo)體芯片的設(shè)計(jì)產(chǎn)能。建設(shè)地址：杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)20號大街199號2、項(xiàng)目組成本次技改項(xiàng)目工程組成見表2.1-1。表2.1-1本次技改項(xiàng)目工程組成依托現(xiàn)有廠區(qū)已建生產(chǎn)大樓西側(cè)1層布置主要生產(chǎn)車間并在新建輔助樓布產(chǎn)區(qū)根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO頒布的潔凈室國際標(biāo)準(zhǔn)以及生產(chǎn)工藝要求設(shè)計(jì)。本次技改項(xiàng)目依托已建大樓拓展利用生產(chǎn)車間建筑面積約2300m2，新供水依托現(xiàn)有廠區(qū)供水系統(tǒng)并配套增設(shè)一路DN150管徑給水系統(tǒng)，總計(jì)最—11—新增1600KVA變壓器2臺，廠區(qū)外新建10KV開關(guān)站一座，更換進(jìn)線電纜一條，依托現(xiàn)有變配電網(wǎng)絡(luò)、應(yīng)急發(fā)電機(jī)和UPS系統(tǒng)、配電系統(tǒng)、照明系統(tǒng)、動力設(shè)備控制系統(tǒng)、通信、數(shù)據(jù)傳輸、報(bào)警系統(tǒng)（火災(zāi)報(bào)警與消防聯(lián)動控制）、應(yīng)急廣播、保安系統(tǒng)、監(jiān)視電視系統(tǒng)、通道管理系統(tǒng)、動力設(shè)備維修等。本項(xiàng)目生產(chǎn)過程以及車間空調(diào)系統(tǒng)取暖需用蒸汽約為1t/h，由杭聯(lián)熱電廠供應(yīng)，該熱電廠用汽壓力及量能滿足需要。本項(xiàng)目有機(jī)廢氣RTO焚燒采用天然氣助燃，所需天然氣約為1m3/h，由杭州錢江燃?xì)庥邢薰竟?yīng)，能夠滿足生產(chǎn)需要。依托現(xiàn)有廠區(qū)已建工藝氣體2000Nm3/h氮?dú)庵苽湎到y(tǒng)，并配套設(shè)1個(gè)50m3純水車間依托現(xiàn)有廠區(qū)純水制備站并進(jìn)行擴(kuò)容，總計(jì)最大純水處理能力150m3/h，依托現(xiàn)有廠區(qū)已建輔助設(shè)施，包括生產(chǎn)廠房1層?xùn)|南側(cè)約36m2原輔材料廠區(qū)東北角約1491m2化學(xué)品倉庫。污水設(shè)計(jì)處理能力，可以滿足本項(xiàng)目污水處理需要；現(xiàn)有中水回用系統(tǒng)設(shè)計(jì)處理能力1800t/d，相應(yīng)擴(kuò)容至2400t/d則可以滿足本項(xiàng)目中水回用需類危廢分類分區(qū)統(tǒng)一桶裝或袋裝存放，委托有資質(zhì)單位合法處置。建10層輔助質(zhì)檢樓（用于行政辦公、劃片清洗、質(zhì)量檢驗(yàn)等）1幢和地下3、勞動定員和工作制度本次技改項(xiàng)目設(shè)計(jì)新增勞動定員300人，生產(chǎn)部門年工作天數(shù)350d，行政管理部門年工作制度為單班制，每天8小時(shí)；一線生產(chǎn)部門年工作制度為三班兩運(yùn)轉(zhuǎn)，每班12小時(shí)。4、原輔材料消耗本次技改項(xiàng)目主要原輔材料及能源消耗見表2.1-2。表2.1-2本次技改項(xiàng)目主要原輔材料及能源消耗匯總1m3/a60%乳酸乙酯，10%茴香醚，2m3/a裝3m3/a4m3/a5m3/a6m3/a7m3/a8m3/a9m3/am3/am3/am3/am3/am3/am3/am3/aNIAG腐蝕液m3/a裝m3/am3/am3/aNI：120////電////m3/h//m3/h//m3/h1//5、主要設(shè)備清單本次技改項(xiàng)目主要設(shè)備見表2.1-3。表2.1-3本次技改項(xiàng)目主要設(shè)備清單123445663738292221112253482Nano215S221112863623344552Nano/2、工藝流程和產(chǎn)排污環(huán)節(jié)工程分析1、生產(chǎn)工藝現(xiàn)有項(xiàng)目生產(chǎn)芯片線寬主要為1~2μm，較本次技改項(xiàng)目生產(chǎn)芯片線寬0.5μm大，其生產(chǎn)工藝較為成熟，基本維持不變，僅在光刻膠原料上采用苯系物含量較少的國產(chǎn)光刻膠替代原有苯系物含量較大的進(jìn)口光刻膠，并使用不含苯系物的顯影液替代了原有含苯系物的顯影液。本次技改項(xiàng)目芯片生產(chǎn)工藝流程主要為清洗、氧化、光刻、刻蝕、墊積、蒸發(fā)、濺射、腐蝕等工序，具體生產(chǎn)工藝流程見圖2.2-1。圖2.2-1本次技改項(xiàng)目芯片生產(chǎn)工藝流程主要工序介紹如下：（1）爐前整理：使用氨水、雙氧水和鹽酸等溶液對硅片表面進(jìn)行清洗，去除其表面氧化層雜質(zhì)毛刺顆粒，為后續(xù)氧化工序作準(zhǔn)備。（2）Hardmask氧化/犧牲氧化/柵氧生長：氧化爐抽真空，通入氫氣、氧氣，加熱至1000℃,在硅外延片表層形成致密SiO2氧化層。（3）Trench光刻/CT光刻/金屬層光刻：光刻是芯片制造的核心工藝，光刻的本質(zhì)是要把臨時(shí)電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行刻蝕或離子注入的硅片上。光刻工藝按其先后順序主要分為涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘焙、顯影、清洗、堅(jiān)膜烘焙等步驟。涂膠：將硅片固定在涂膠機(jī)旋轉(zhuǎn)盤上，在硅片靜止或轉(zhuǎn)速很慢的時(shí)候，將光刻膠滴至硅片表面的中心位置；將旋轉(zhuǎn)盤迅速加速至3000~5000r/min的轉(zhuǎn)速，利用高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的離心力使光刻膠展開在硅片表面；降低轉(zhuǎn)速，使多余的光刻膠飛出硅片表面，在硅片表面得到均勻的光刻膠膜覆蓋層；機(jī)械旋轉(zhuǎn)硅片，直至光刻膠膜干燥。涂膠過程中，采用EBR去邊劑對硅片背面進(jìn)行清洗，以避免邊緣多余光刻膠的粘附。軟烘：涂膠完成后，高溫加熱使膠膜內(nèi)的溶劑揮發(fā)，增加光刻膠與硅片襯底間粘附性、光吸收以及抗腐蝕能力；緩和涂膠過程膠膜內(nèi)產(chǎn)生的應(yīng)力等。曝光：使掩膜版與涂上光刻膠的硅片對準(zhǔn)，用光源經(jīng)過掩膜版照射硅片，使接受光照的光刻膠的光學(xué)特性發(fā)生變化（其中涂抹正膠的感光區(qū)域可溶于顯影液，負(fù)膠則正好相反）。曝光后烘焙：曝光后的硅片烘烤約1~2min，從而進(jìn)一步減少光刻膠中溶劑的含量及曝光區(qū)與非曝光區(qū)的邊界變得比較均勻。顯影：用顯影液溶解掉不需要的光刻膠，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上。清洗：使用純水對每次光刻（本次技改項(xiàng)目平均光刻4次）顯影后的硅片表面進(jìn)行清洗，清洗廢水進(jìn)入相應(yīng)的廢水處理系統(tǒng)進(jìn)行處理。堅(jiān)膜烘焙：對顯影清洗后的硅片進(jìn)行烘烤，以使殘留溶劑全部揮發(fā)，提高光刻膠與硅片表面的粘附性以及光刻膠的抗腐蝕能力，使光刻膠確實(shí)起到保護(hù)圖形的作用，為下一步刻蝕做好準(zhǔn)備。（4）刻蝕：經(jīng)過曝光和顯影后，光刻膠薄膜層中形成了微圖形結(jié)構(gòu)，為獲得器件的結(jié)構(gòu)，需要通過刻蝕，在光刻膠下面的材料上重現(xiàn)光刻膠層上的圖形，實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移，刻蝕的目的是將光刻后暴露出的氧化層及不需要的材質(zhì)自硅片表面去除。主要有干法刻蝕和濕法刻蝕二種。干法刻蝕：本次技改包括Hardmask刻蝕、Trench刻蝕、POLY刻蝕、CT刻蝕等，是指利用等離子體激活的化學(xué)反應(yīng)或者利用高能離子束轟擊完成去除物質(zhì)的方法，由于在刻蝕中不使用液體，故稱為干法刻蝕。發(fā)生的主要反應(yīng)有CF4→2F+CF2；CHF3→HF+CF2；SiO2+4F→SiF4+O2；SiO2+2CF2→SiF4+2COSi+O2→SiO2；3SiO2+4CHF3+2O2→3SiF4+4CO2+2H2OCl2→2Cl；Si+2Cl→SiCl2；SiCl2+2Cl→SiCl4；Si+4HBr→SiBr4+2H2；濕法蝕刻：在全密閉設(shè)備的化學(xué)清洗槽內(nèi)利用丙酮等化學(xué)品溶液浸泡硅片，使殘留的聚合物膨脹，從而將硅片表面的光刻膠去除，再使用純水對硅片表面進(jìn)行清洗，并采用異丙醇對水洗后的硅片表面清洗，帶走硅片殘留的水分。（5）墊積：在580~650℃條件下，在反應(yīng)室中通過熱分解硅烷的形式，實(shí)現(xiàn)在硅片表面沉積一層多晶硅的過程。在沉積過程，加入1%PH3/N2，以實(shí)現(xiàn)在Si中摻雜，可以達(dá)到改變材料電學(xué)性質(zhì)的目的。本次技改采用磷烷進(jìn)行，其基本原理是把摻雜物質(zhì)（磷原子）離子化后，在數(shù)千到數(shù)百萬伏特電壓的電場下得到加速，以較高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。經(jīng)高溫退火后，消除襯底硅片晶格的損傷；同時(shí)注入的雜質(zhì)離子被活化，恢復(fù)硅片中少數(shù)載流子壽命和載流子遷移率。發(fā)生的主要反應(yīng)有SiH4→Si+2H2；2PH3→2P+3H2（6）蒸發(fā)：蒸發(fā)是在真空條件下采用電阻加熱、感應(yīng)加熱或者電子束等加熱法將原料金屬蒸發(fā)沉積到硅片上的一種成膜方法。本次技改項(xiàng)目所用貴金屬材料包括鈦、銀、鋁、鎳等。（7）濺射：濺射是將金屬薄膜沉積在硅片表面的工藝過程。金屬薄膜主要是通過給金屬靶材加上直流電，并利用磁場作用將靶材上的金屬濺射出去并沉積到硅片表面。本次技改項(xiàng)目所用貴金屬靶材包括釩、鈦、鎢、鉑、鎳等。（8）腐蝕：利用各類酸性腐蝕液將硅片表面特定電路路徑上沉積的金屬薄膜腐蝕去除。（9）減?。河眉す鈱杵M(jìn)行劃線切割，通過減薄機(jī)對硅片背面進(jìn)行研磨，將其減薄到適合封裝的程度，以滿足芯片裝配的要求。（10）去應(yīng)力腐蝕：主要使用硝酸和氫氟酸氧化腐蝕去除硅片背面表層，主要用于消除減薄過程中引起的損傷層。發(fā)生的主要反應(yīng)有Si+4HNO3→SiO2+4NO2+2H2O；SiO2+4HF→SiF4+2H2O（11）劃片：在硅片上有大量芯片連在一起，它們之間留有一定的間隙，此間隙被稱之為劃片街區(qū)，需通過金剛石刀片高轉(zhuǎn)速切割，將每個(gè)具有獨(dú)立電氣性能的芯片分離出來，切割時(shí)產(chǎn)生的硅屑被純水清洗沖走。（12）清洗：在硅片加工過程中，幾乎每道光刻、刻蝕、腐蝕工序完成后都必須要純芯片純純 液水 水對硅片表面進(jìn)行清洗，清洗所用介質(zhì)依工序不同有所變化。常用清洗介質(zhì)有：純水、無純芯片純純 液水 水機(jī)酸堿溶液、有機(jī)溶劑等，如圖2.2-2所示。清洗槽藥藥液槽清洗槽藥水廢水處理系統(tǒng)廢液收集系統(tǒng)圖2.2-2硅片清洗工藝示意圖另外，本次技改項(xiàng)目生產(chǎn)區(qū)域根據(jù)國際標(biāo)準(zhǔn)化組織ISO頒布的潔凈室國際標(biāo)準(zhǔn)以及生產(chǎn)工藝要求設(shè)計(jì)，生產(chǎn)時(shí)車間呈微負(fù)壓運(yùn)行，全密閉且相關(guān)的產(chǎn)生廢氣的工藝設(shè)備參數(shù)為標(biāo)準(zhǔn)化設(shè)置，正常運(yùn)行時(shí)采用密閉隔離、局部排風(fēng)、就近捕集（生產(chǎn)區(qū)域設(shè)置數(shù)十個(gè)送排風(fēng)口，采取上送風(fēng)，下吸風(fēng)設(shè)計(jì)，使該區(qū)域內(nèi)空氣經(jīng)過濾后循環(huán)往復(fù)，換風(fēng)按照風(fēng)壓0.25千帕，次數(shù)不小于200次/h設(shè)計(jì)；生產(chǎn)工段清洗藥液槽內(nèi)設(shè)置吸風(fēng)裝置，分類收集揮發(fā)的酸、堿及有機(jī)廢氣至針對性處理設(shè)施處理）；對工作環(huán)境的要求也極高，溫度濕度皆為恒定，并嚴(yán)格控制進(jìn)入作業(yè)現(xiàn)場人員數(shù)量以防止顆粒物含量升高。同時(shí)，由于生產(chǎn)時(shí)消耗大量的溶劑，在溶劑槽液濃度下降時(shí)的添加和更換都有嚴(yán)格規(guī)定，采用密閉容器從危化品倉庫運(yùn)送至化學(xué)品中轉(zhuǎn)傳遞間，根據(jù)每種溶劑的更換周期首先將廢液排至收集容器，后在極短時(shí)間打開清洗藥液槽隔板，注入更換溶劑，由于隔板開啟時(shí)間極短和清洗槽內(nèi)集氣收集風(fēng)量較強(qiáng)，溶劑無組織揮發(fā)可忽略不計(jì)。本項(xiàng)目主要污染源包括：廢氣：光刻、刻蝕等工序產(chǎn)生的氟化物、氯化氫、氮氧化物等酸性廢氣，爐前整理等工序產(chǎn)生的氨等堿性廢氣，以及光刻、刻蝕、清洗等工序產(chǎn)生的異丙醇、丙酮、乙酸丁酯、非甲烷總烴等有機(jī)廢氣。廢水：清洗、減薄工序產(chǎn)生的含氟廢水、酸堿廢水、清洗廢水、有機(jī)廢水，循環(huán)噴淋吸收酸堿廢氣產(chǎn)生的廢氣噴淋廢水，循環(huán)冷卻產(chǎn)生的冷卻排污水，純水制備過程中產(chǎn)生的反沖洗濃水和員工生活產(chǎn)生的生活污水。固廢：光刻、刻蝕、腐蝕等工序產(chǎn)生的廢酸和溶劑雜質(zhì)，光刻、刻蝕等工序產(chǎn)生的有機(jī)廢液，酸堿、有機(jī)溶劑使用完后產(chǎn)生的廢溶劑空瓶，光刻使用后產(chǎn)生的廢舊、破損汞燈，辦公產(chǎn)生的廢硒鼓、墨盒，芯片生產(chǎn)、質(zhì)檢過程中產(chǎn)生的廢邊角料，廢水處理過程中產(chǎn)生的污泥，員工生活產(chǎn)生的生活垃圾。本項(xiàng)目生產(chǎn)工藝流程中溶劑添加及污染物產(chǎn)生情況詳見表2.2-1。表2.2-1本次技改項(xiàng)目原輔料添加及污染物產(chǎn)生情況列表123//4//56//7//89//////氨氟化物、醋酸、氯—20—2、主要物料平衡本次技改項(xiàng)目在清洗、刻蝕、光刻等工序中均使用大量酸性、堿性溶液及各類有機(jī)溶劑，因此，有必要對其中較敏感的原輔料進(jìn)行物料衡算，以便了解其去向和進(jìn)入環(huán)境中的量級。主要生產(chǎn)物料中氯氣、氯化氫、氨、氟化物、醋酸、丙酮、乙酸丁酯、異丙醇、磷、二甲苯、鎳、銀平衡詳見表2.2-2。技改項(xiàng)目水平衡見圖2.2-3，技改完成后全廠水平衡見圖2.2-4。表2.2-2本次技改項(xiàng)目主要溶劑平衡表單位：t/a酯酯物物NIAG腐蝕液NIAG腐蝕液氨氨氨磷磷磷鎳鎳鎳銀銀銀圖2.2-3本次技改項(xiàng)目水平衡圖圖2.2-4本次技改項(xiàng)目實(shí)施后全廠水平衡圖污染源強(qiáng)核算本次技改項(xiàng)目廢氣主要有光刻、刻蝕等工序產(chǎn)生的氟化物、氯化氫、氮氧化物等酸性廢氣，爐前整理等工序產(chǎn)生的氨等堿性廢氣，以及光刻、刻蝕、清洗等工序產(chǎn)生的異丙醇、丙酮、乙酸丁酯、非甲烷總烴等有機(jī)廢氣。（1）酸性廢氣酸性廢氣主要在清洗槽內(nèi)以自由液面液體的揮發(fā)產(chǎn)生（氟化物存在氫氟酸刻蝕SiO2時(shí)產(chǎn)生，氮氧化物存在硝酸氧化硅損傷層時(shí)產(chǎn)生），其產(chǎn)生量的大小與生產(chǎn)規(guī)模、作業(yè)條件（溫度、濕度、通風(fēng)狀況等）、作業(yè)面積等有關(guān)，因此酸性廢氣揮發(fā)量參照《環(huán)境統(tǒng)計(jì)手冊》中經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算，相關(guān)公式和反應(yīng)方程如下：酸性廢氣：Gz=M（0.000352+0.000786V）P×FGz——液體的揮發(fā)量，kg/h；M——液體的分子量；V——蒸發(fā)液體表面上的空氣流速，m/s，根據(jù)廢氣工程設(shè)計(jì)取0.3；P——相應(yīng)于液體溫度和濃度下的空氣中的蒸氣分壓力，mmHg；F——液體蒸發(fā)的表面積，m2。Si+4HNO3→SiO2+4NO2+2H2O；SiO2+4HF→SiF4+2H2O根據(jù)本次技改項(xiàng)目酸液等清洗槽數(shù)量、尺寸及相關(guān)反應(yīng)核算的廢氣源強(qiáng)詳見表2.2-3。表2.2-3本次技改項(xiàng)目酸性廢氣源強(qiáng)PG產(chǎn)生量t/a排放量t/a////（2）堿性廢氣堿性廢氣參照酸性廢氣經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算。根據(jù)本次技改項(xiàng)目堿液等清洗槽數(shù)量、尺寸核算的廢氣源強(qiáng)詳見表2.2-4。表2.2-4本次技改項(xiàng)目堿性廢氣源強(qiáng)PG產(chǎn)生量t/a排放量t/a氨（3）有機(jī)廢氣有機(jī)廢氣主要在清洗槽內(nèi)以自由液面液體的揮發(fā)產(chǎn)生，其產(chǎn)生量的大小與生產(chǎn)規(guī)模、作業(yè)條件（溫度、濕度、通風(fēng)狀況等）、作業(yè)面積等有關(guān)，因此有機(jī)廢氣揮發(fā)量參照《環(huán)境統(tǒng)計(jì)手冊》中經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算，公式如下：有機(jī)廢氣：GS=（0.00538+0.0041V）P×F×M0.5GS——液體的揮發(fā)量，kg/h；M——液體的分子量；V——蒸發(fā)液體表面上的空氣流速，m/s，本次環(huán)評取0.3；P——相應(yīng)于液體溫度和濃度下的空氣中的蒸氣分壓力，mmHg；F——液體蒸發(fā)的表面積，m2。根據(jù)本次技改項(xiàng)目有機(jī)溶劑等清洗槽數(shù)量、尺寸核算的廢氣源強(qiáng)詳見表2.2-5。表2.2-5本次技改項(xiàng)目有機(jī)廢氣源強(qiáng)℃PG產(chǎn)生量t/a排放量t/a（4）墊積廢氣墊積廢氣屬于酸性廢氣，主要是摻雜和多晶硅生長過程中未反應(yīng)完的磷烷和硅烷。根據(jù)物料消耗量，本次技改項(xiàng)目磷烷和硅烷氣體用量極?。ǚ謩e約為0.377kg/a和0.42t/a），經(jīng)摻雜和多晶硅生長反應(yīng)過程中消耗（反應(yīng)率約50~60%），未反應(yīng)完的磷烷、硅烷和生成的H2再經(jīng)過自帶燃燒設(shè)施+二級堿液噴淋洗滌后其排放量更小，對環(huán)境基本無影響，可以忽略不計(jì)。因此本次環(huán)評對墊積廢氣源強(qiáng)不作定量分析。（5）干法刻蝕廢氣干法刻蝕廢氣也屬于酸性廢氣，主要是Hardmask刻蝕、Trench刻蝕、POLY刻蝕和CT刻蝕過程中未反應(yīng)完的CF4、CHF3、Cl2和HBr。其中CF4、CHF3刻蝕硅片表面后生成SiF4，連同未反應(yīng)完的CF4、CHF3根據(jù)物料守恒計(jì)算氟化物產(chǎn)生量。Cl2、HBr刻蝕墊積產(chǎn)生的多晶硅后生成SiCl4和SiBr4（根據(jù)物料測算反應(yīng)率約70%，SiCl4和SiBr4遇水極易反應(yīng)生成HCl和HBr，統(tǒng)計(jì)時(shí)按照全部反應(yīng)成HCl、HBr計(jì)，經(jīng)二級堿液噴淋洗滌后排放），同時(shí)未反應(yīng)完的Cl2、HBr也經(jīng)二級堿液噴淋洗滌后排放。根據(jù)物料守恒和反應(yīng)方程核算的干法刻蝕廢氣源強(qiáng)詳見表2.2-6。表2.2-6本次技改項(xiàng)目干法刻蝕廢氣排放源強(qiáng)（6）天然氣燃燒廢氣本次技改項(xiàng)目有機(jī)廢氣RTO焚燒裝置采用天然氣作助燃劑。經(jīng)測算，現(xiàn)有和技改項(xiàng)目投產(chǎn)后天然氣總耗用量約為5.84萬Nm3/a。天然氣燃燒產(chǎn)生的廢氣污染物根據(jù)《第一次全國污染源普查工業(yè)污染源產(chǎn)排污系數(shù)冊》計(jì)算，產(chǎn)生系數(shù)NOx為18.71kg/萬m3，則計(jì)算相應(yīng)氮氧化物排放為0.109t/a。（7）無組織廢氣根據(jù)電子企業(yè)生產(chǎn)車間的潔凈度要求，生產(chǎn)時(shí)需全密閉且相關(guān)的產(chǎn)生廢氣的工藝設(shè)備正常運(yùn)行時(shí)采用密閉隔離、局部排風(fēng)、就近捕集，只有在往設(shè)備中添加溶劑時(shí)才會短時(shí)間打開隔板；同時(shí)生產(chǎn)所需的化學(xué)溶劑皆為入廠時(shí)已配制好，以瓶裝或桶裝形式儲存于廠區(qū)危化品倉庫，待有需要時(shí)通過化學(xué)品傳遞間送至設(shè)備前加注或更換。綜上，由于生產(chǎn)車間呈微負(fù)壓狀態(tài)運(yùn)行，基本不存在廢氣無組織排放。根據(jù)廢氣處理設(shè)施設(shè)計(jì)處理能力、現(xiàn)狀監(jiān)測情況和本次技改項(xiàng)目工程設(shè)計(jì)資料，現(xiàn)有酸堿廢氣和有機(jī)廢氣處理設(shè)施處理能力暫未飽和，且芯片產(chǎn)量擴(kuò)大通過加大生產(chǎn)頻次實(shí)現(xiàn)，不會額外增加廢氣處理負(fù)荷，因此現(xiàn)有處理設(shè)施具備處理余量，擬將生產(chǎn)中產(chǎn)生的各類廢氣依托現(xiàn)有項(xiàng)目酸堿廢氣和有機(jī)廢氣處理設(shè)施處理達(dá)標(biāo)后排放。相關(guān)廢氣處理設(shè)施運(yùn)行參數(shù)情況見表2.2-7。廢氣污染物產(chǎn)生及排放情況見表2.2-8。表2.2-7廢氣處理設(shè)施運(yùn)行參數(shù)m3/h二級稀酸噴淋去除效率較二級堿液噴淋去除效率較分主要由高價(jià)態(tài)氮氧化物組團(tuán)，吸附按50%考慮；非甲烷總烴吸附和焚燒去除按表2.2-8廢氣污染物產(chǎn)生及排放情況mg/m3mg/m3氨（8）非正常工況非正常工況考慮由于片堿添加或堿液更換不及時(shí)，導(dǎo)致氮氧化物吸收效果下降，污染物排放量增加的情況。相關(guān)非正常工況下頻次、持續(xù)時(shí)間及排放情況詳見表2.2-9。表2.2-9本次技改項(xiàng)目污染源非正常排放核算表放濃度/放速率/持續(xù)廢氣212、廢水本次技改項(xiàng)目廢水主要是清洗、減薄工序產(chǎn)生的含氟廢水、酸堿廢水、清洗廢水、有機(jī)廢水，循環(huán)噴淋吸收酸堿廢氣產(chǎn)生的廢氣噴淋廢水，循環(huán)冷卻產(chǎn)生的冷卻排污水，純水制備過程中產(chǎn)生的反沖洗濃水和員工生活產(chǎn)生的生活污水?！?9—（1）含氟廢水含氟廢水主要產(chǎn)生于純水清洗被HF刻蝕的芯片過程，其主要含pH、氟化物，設(shè)計(jì)清洗用水流量約30l/min，廢水產(chǎn)生量約15120t/a。該股廢水直接進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（2）酸堿廢水酸堿廢水主要產(chǎn)生于純水清洗被HCl、氨水刻蝕的芯片過程，其主要含pH、氨氮，工程設(shè)計(jì)清洗用水流量約411L/min，廢水產(chǎn)生量約206900t/a。該股廢水相對較為清潔，經(jīng)收集匯入酸堿廢水處理設(shè)施中和后經(jīng)中水回用系統(tǒng)處理，部分回用于生產(chǎn)，剩余進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（3）清洗廢水清洗廢水主要產(chǎn)生于純水清洗被減薄和劃片的芯片過程，其主要含SS，工程設(shè)計(jì)清洗用水流量約209L/min，廢水產(chǎn)生量約105120t/a。該股廢水相對較為清潔，經(jīng)中水回用系統(tǒng)膜處理后部分回用于生產(chǎn)，剩余進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（4）有機(jī)廢水有機(jī)廢水主要產(chǎn)生于刻蝕等工序后的甩干漂洗過程，其主要含pH、CODCr，工程設(shè)計(jì)清洗用水流量約1L/min，因此廢水產(chǎn)生量較小，約510t/a。該股廢水直接進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（5）廢氣噴淋廢水廢氣噴淋廢水產(chǎn)生于酸堿廢氣噴淋系統(tǒng)中堿液或稀酸中和過程，其主要含pH、CODCr和氟化物，濃度較高時(shí)定期（一般7天一個(gè)周期，每次排放水量約30t）排放，計(jì)算可知該股廢水產(chǎn)生量約為1500t/a。該股廢水直接進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（6）冷卻排污水冷卻排污水主要來自于減薄等設(shè)備冷卻循環(huán)，其水源為純水，其潔凈度較高，循環(huán)使用不易結(jié)垢，估算其排放量較小，約為1000t/a。該股廢水經(jīng)中水回用系統(tǒng)膜處理后部分回用于生產(chǎn)，剩余進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（7）反沖洗濃水反沖洗濃水主要產(chǎn)生于純水制備預(yù)處理系統(tǒng)和反滲透過程，水質(zhì)除含鹽量較高外其余污染物含量不大，純水制備過程中反沖洗水和濃水產(chǎn)生比例約為原水的35%，產(chǎn)生量約177500t/a。該股廢水經(jīng)中水回用系統(tǒng)膜處理后部分回用于生產(chǎn)，剩余進(jìn)入廠區(qū)污水設(shè)施處理。（8）生活污水生活污水主要來自于廠內(nèi)員工日常生活，其主要含pH、CODCr、總磷和氨氮。根據(jù)新增員工人數(shù)和每人每天50L用水量計(jì)，其生活用水用量約為5250t/a，產(chǎn)污系數(shù)取80%，廢水產(chǎn)生量約為4200t/a，該股廢水經(jīng)化糞池處理后納管排入七格污水處理廠。本次技改項(xiàng)目廢水產(chǎn)生情況見表2.2-10。表2.2-10本次技改項(xiàng)目廢水產(chǎn)生情況12345678Cr濃度約200~300、本次技改項(xiàng)目廢水總量和單位芯片水耗量較大的原因有：3、固廢本次技改項(xiàng)目產(chǎn)生的固廢主要是光刻、刻蝕、腐蝕等工序產(chǎn)生的廢酸和溶劑雜質(zhì)，光刻、刻蝕等工序產(chǎn)生的有機(jī)廢液，酸堿、有機(jī)溶劑使用完后產(chǎn)生的廢溶劑空瓶，光刻使用后產(chǎn)生的廢舊、破損汞燈，辦公產(chǎn)生的廢硒鼓、墨盒，芯片生產(chǎn)、質(zhì)檢過程中產(chǎn)生的廢邊角料，廢水處理過程中產(chǎn)生的污泥，員工生活產(chǎn)生的生活垃圾。根據(jù)《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)建設(shè)項(xiàng)目固體廢物環(huán)境管理的通知》（浙環(huán)發(fā)[2009]76號）附件1及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范要求，本次環(huán)評對項(xiàng)目產(chǎn)生的固廢情況進(jìn)行判定及匯總，其固廢產(chǎn)生情況匯總見表2.2-11。表2.2-11固廢產(chǎn)生情況一覽表液液固固固固固固根據(jù)《固體廢物鑒別標(biāo)準(zhǔn)通則》（GB34330-2017）的規(guī)定對上述副產(chǎn)物的屬性進(jìn)行判定，具體見表2.2-12。表2.2-12固廢屬性判定表液是液是固是固是固是固是固是固是判定本次技改項(xiàng)目的固體廢物是否屬于危險(xiǎn)廢物及其類別代碼，判定結(jié)果見表2.2-13。表2.2-13危險(xiǎn)廢物屬性判定表是是是是是否否否/綜上所述，本次技改項(xiàng)目產(chǎn)生的廢酸和溶劑雜質(zhì)、有機(jī)廢液、廢溶劑空瓶、汞燈和廢硒鼓、墨盒委托具備危廢處理資質(zhì)的單位處理；廢邊角料和污泥委托相關(guān)廠家綜合利用；生活垃圾委托環(huán)衛(wèi)部門定期清運(yùn)。所有固廢分類收集暫存于固廢暫存?zhèn)}庫，滿足相關(guān)暫存處置規(guī)范要求。本次技改項(xiàng)目固體廢物分析結(jié)果匯總見表2.2-14。表2.2-14本次技改項(xiàng)目固廢屬性及產(chǎn)生情況液液固固固固固固/4、噪聲本次技改項(xiàng)目車間生產(chǎn)設(shè)備噪聲級較小，主要高噪聲設(shè)備為各類泵機(jī)、空壓機(jī)、引風(fēng)機(jī)等。對主要噪聲源的降噪措施以“隔聲減振為主，吸聲為輔”為原則，在設(shè)備選型上首先選擇低噪聲設(shè)備（如送風(fēng)機(jī)采用箱式風(fēng)機(jī)，密閉運(yùn)行；排風(fēng)機(jī)選擇低噪音風(fēng)機(jī)等其次采用距離隔聲、降噪以確保廠界噪聲達(dá)標(biāo)。5、重金屬本次技改項(xiàng)目蒸發(fā)、濺射所用貴金屬材料中含鎳、銀，在生產(chǎn)過程中大部分在硅片表面沉積形成金屬薄膜，經(jīng)特殊腐蝕液腐蝕特定路徑后絕大部分進(jìn)入廢酸、溶劑雜質(zhì)中作為危廢處置，雖在后續(xù)刻蝕、清洗等工序中會有微量進(jìn)入廢水，但其濃度已很低。根據(jù)公司廠區(qū)近年來廢水進(jìn)口監(jiān)測資料，詳見表2.2-15。由表2.2-15可知，廢水進(jìn)口鎳、銀指標(biāo)皆遠(yuǎn)低于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求，本次技改項(xiàng)目重金屬鎳、銀污染物排放可忽略不計(jì)。表2.2-15廢水進(jìn)口重金屬監(jiān)測數(shù)據(jù)單位：除pH外，其余為mg/LpH鎳銀/“以新帶老”措施分析針對立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目存在的問題，擬通過本次技改項(xiàng)目實(shí)施“以新帶老”措施解決，詳見表2.2-16。表2.2-16本次技改項(xiàng)目“以新帶老”措施一覽“以新帶老”措施1對氮氧化物進(jìn)行總量核算和相根據(jù)本次技改項(xiàng)目污染物核算結(jié)果，完善氮/2/3乙苯等多種苯系物的光刻膠和改為使用不含苯系物的正膠、顯影液和不含4現(xiàn)有項(xiàng)目堿性廢氣處理原采用5現(xiàn)有項(xiàng)目有機(jī)廢氣處理原采用改為沸石轉(zhuǎn)輪+RTO焚燒處理，穩(wěn)定提升廢氣處理效率，有效減少VOCs排放。污染源強(qiáng)匯總本項(xiàng)目污染源強(qiáng)匯總見表2.2-17，“以新帶老”削減情況見表2.2-18，技改完成后全廠污染源強(qiáng)匯總見表2.2-19。表2.2-17本次技改項(xiàng)目污染源強(qiáng)匯總單位：t/a種類污染物名稱產(chǎn)生量排放量備注廢氣氯氣0.3830.077堿液（稀酸）噴淋后達(dá)標(biāo)排放氯化氫4.6990.940氨2.1530.431氮氧化物0.8850.552氟化物1.3000.260醋酸1.0450.209二甲苯0.3470.050沸石轉(zhuǎn)輪吸附+脫附RTO焚燒后達(dá)標(biāo)排放丙酮9.3871.361乙酸丁酯2.1530.312異丙醇4.2582.235非甲烷總烴4.6200.878VOCs21.8105.046廢水廢水量（萬噸/年）511850364700納管排入七格污水處理廠COD255.92512.764排環(huán)境量氨氮23.0330.912廢酸和溶劑雜質(zhì)0委托具備危廢處理資質(zhì)的單位處置廢溶劑空瓶0汞燈0.20廢硒鼓、墨盒0.30有機(jī)廢液3000廢邊角料0綜合利用污泥3000綜合利用生活垃圾0委托環(huán)衛(wèi)部門清運(yùn)注：根據(jù)相關(guān)要求，本次技改項(xiàng)目COD和氨氮的排外環(huán)境濃度以七格污水處理廠實(shí)際外排控制濃度表2.2-18本次技改項(xiàng)目“以新帶老”削減情況單位：t/a“以新帶老”削減量氨1.3840.4310.5231.292二甲苯0.0500.0820.047/0.047/VOCs5.6285.0460.6310.044化學(xué)需氧量9.6712.7644.02718.407氨氮1.290.9120.8871.315表2.2-19本次技改項(xiàng)目完成后全廠污染源強(qiáng)匯總單位：t/a種類污染物名稱排放量備注廢氣氯氣0.077堿液（稀酸）噴淋后達(dá)標(biāo)排放氯化氫2.173氨1.292氮氧化物1.632氟化物0.615醋酸0.627二甲苯沸石轉(zhuǎn)輪吸附+脫附RTO焚燒后達(dá)標(biāo)排放丙酮2.722乙酸丁酯0.780異丙醇非甲烷總烴2.633VOCs10.044廢水廢水量（萬噸/年）525920納管排入七格污水處理廠COD18.407排環(huán)境量氨氮1.315廢酸和溶劑雜質(zhì)0委托具備危廢處理資質(zhì)的單位處置廢溶劑空瓶0汞燈0廢硒鼓、墨盒0有機(jī)廢液0廢邊角料0綜合利用污泥0綜合利用生活垃圾0委托環(huán)衛(wèi)部門清運(yùn)與項(xiàng)關(guān)的原有環(huán)境污染1、現(xiàn)有項(xiàng)目概況杭州立昂微電子股份有限公司位于杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)內(nèi)，毗鄰浙江最大的高教園區(qū)，是2002年3月成立的專注于半導(dǎo)體功率芯片設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造、銷售的高新技術(shù)企業(yè)。公司現(xiàn)有設(shè)計(jì)產(chǎn)能為180萬片半導(dǎo)體芯片，涉及環(huán)評審批、三同時(shí)驗(yàn)收、排污許可證等環(huán)境管理情況見表2.3-1，現(xiàn)有工程組成見表2.3-2。表2.3-1立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目環(huán)境管理概況1杭州立昂電子有限公司功率半導(dǎo)體芯片基地建設(shè)項(xiàng)目、6英寸功率集成電路生產(chǎn)線建2杭州立昂電子有限公生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)技術(shù)改造/3杭州立昂電子有限公項(xiàng)目外延工序和6億只/年半導(dǎo)體器件生產(chǎn)表2.3-2立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目工程組成的潔凈室國際標(biāo)準(zhǔn)以及生產(chǎn)工藝要求設(shè)計(jì)，現(xiàn)有廠區(qū)生產(chǎn)過程以及車間空調(diào)系統(tǒng)取暖需用蒸汽由杭聯(lián)熱電廠供應(yīng)?，F(xiàn)有廠區(qū)所需天然氣由杭州錢江燃?xì)庥邢薰竟?yīng)?，F(xiàn)有廠區(qū)已建2000Nm3/h氮?dú)庵苽湎到y(tǒng)，并配套設(shè)1個(gè)50m3儲罐，1個(gè)30m3儲罐作為后備系統(tǒng)，氮?dú)饨?jīng)汽化器減純水車間現(xiàn)有廠區(qū)純水制備站最大純水處理能力110m3/h。現(xiàn)有廠區(qū)已建輔助設(shè)施包括生產(chǎn)廠房1層?xùn)|南側(cè)約36m2原輔材料倉庫、廠房2層北側(cè)約17m2化學(xué)品傳遞間、廠房北側(cè)約200m2室外板房、廠區(qū)東北角約1491m2化學(xué)品倉庫。現(xiàn)有廠區(qū)已建3500t/d污水處理站，廢水經(jīng)二級物化處理后達(dá)標(biāo)納管。該設(shè)施占地面積約780m2。現(xiàn)有項(xiàng)目共有6套酸堿廢氣處理設(shè)施（5套處理酸性廢氣，1套處理堿性廢廢分類分區(qū)統(tǒng)一桶裝或袋裝存放，委托有資質(zhì)單位合法處置?，F(xiàn)有固廢暫存?zhèn)}庫利用率約60%，可滿足固廢暫存要求?，F(xiàn)有廠區(qū)已建行政辦公場所、食堂等配套設(shè)施總2、現(xiàn)有污染源調(diào)查（1）主要設(shè)備現(xiàn)有項(xiàng)目主要設(shè)備清單見表2.3-3。表2.3-3立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目主要生產(chǎn)設(shè)備清單123346556475829323636（2）主要原輔材料現(xiàn)有項(xiàng)目主要原輔材料清單見表2.3-4。表2.3-4立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目主要原輔材料清單1/2/3/4/5/6/7/—38—8m3/a9m3/am3/am3/am3/am3/a/m3/（3）主要生產(chǎn)工藝現(xiàn)有項(xiàng)目180萬片/年半導(dǎo)體芯片主要生產(chǎn)流程可以分為清洗、擴(kuò)散、光刻、刻蝕、蒸發(fā)濺射、減薄等工序。生產(chǎn)工藝流程具體見圖2.3-1。①首先將硅外延片原料放入全封閉的擴(kuò)散爐中，加入四乙氧基硅（TEOS）或者氧氣，通過電加熱形成SiO2和含有SiO2組分的多組分氧化物擴(kuò)散沉積在硅片表面。②將擴(kuò)散（CVD）完畢的硅片送入自動激光打標(biāo)機(jī)打上貨品批次標(biāo)識，再通過氨水、雙氧水進(jìn)行兆聲清洗（即高頻超聲波結(jié)合化學(xué)清洗劑的清洗方法），清除硅片表面氧化層上的毛糙顆粒。③送入光刻機(jī)和顯影機(jī)，利用光學(xué)照相投影方法將電路圖形印至硅片基區(qū)表面；然后使用HF等溶液進(jìn)行化學(xué)腐蝕氧化層，使硅片形成一定線路圖形；通過硫酸、雙氧水清洗掉硅片表面殘留的光刻膠等物質(zhì)。④在射頻功率的激發(fā)下，使硼源發(fā)生電離形成帶電電子和B+離子組成的等離子體,經(jīng)分離后將B+離子注入硅片表面，在特定區(qū)域產(chǎn)生一層B+離子區(qū)域，讓該區(qū)域極性發(fā)生改變，形成P區(qū)同時(shí)在表面生成SiO2層。⑤參照③的流程對硅片接觸區(qū)進(jìn)行光刻、清洗作業(yè)。⑥通過專門的密閉設(shè)備將鎳、鉑等勢壘金屬濺射至硅片正面形成金屬薄膜，通過爐管形成金屬硅化物，再利用硝酸、鹽酸對表面形成的多余金屬薄膜進(jìn)行化學(xué)腐蝕，清除雜質(zhì)，清洗表面后繼續(xù)濺射鈦、鎳、銀、鉻、金等正面金屬；也可以通過電子束將鋁等金屬蒸發(fā)覆蓋至硅片正面，形成金屬薄膜。⑦參照③的流程對硅片正面形成的金屬層進(jìn)行光刻、腐蝕、清洗去膠作業(yè)。⑧通過減薄機(jī)對硅片背面進(jìn)行減薄處理，采用循環(huán)水冷卻，然后對其進(jìn)行去應(yīng)力腐蝕和清洗作業(yè)。⑨通過電子束蒸發(fā)將鈦、鎳、銀等金屬蒸發(fā)覆蓋至硅片背面，形成金屬薄膜；最后經(jīng)過測試打點(diǎn)計(jì)數(shù)后包裝入庫。圖2.3-1立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線工藝流程（4）現(xiàn)有項(xiàng)目污染源強(qiáng)①廢氣原環(huán)評主要采用類比法核定廢氣源強(qiáng)，考慮到部分“以新帶老”措施已實(shí)施，結(jié)合現(xiàn)狀監(jiān)測情況，現(xiàn)有項(xiàng)目廢氣源強(qiáng)以較為準(zhǔn)確的公式法進(jìn)行測算。酸堿廢氣和有機(jī)廢氣主要在清洗槽內(nèi)以自由液面液體的揮發(fā)產(chǎn)生（氟化物存在氫氟酸刻蝕SiO2時(shí)產(chǎn)生，氮氧化物存在硝酸氧化硅損傷層時(shí)產(chǎn)生），其產(chǎn)生量的大小與生產(chǎn)規(guī)模、作業(yè)條件（溫度、濕度、通風(fēng)狀況等）、作業(yè)面積等有關(guān)，因此酸堿廢氣和有機(jī)廢氣揮發(fā)量參照《環(huán)境統(tǒng)計(jì)手冊》中經(jīng)驗(yàn)公式計(jì)算，公式如下：酸堿廢氣：Gz=M（0.000352+0.000786V）P×F有機(jī)廢氣：GS=（0.00538+0.0041V）P×F×M0.5Gz、GS——液體的揮發(fā)量，kg/h；M——液體的分子量；V——蒸發(fā)液體表面上的空氣流速，m/s，根據(jù)廢氣工程設(shè)計(jì)取0.3；P——相應(yīng)于液體溫度和濃度下的空氣中的蒸氣分壓力，mmHg；F——液體蒸發(fā)的表面積，m2。根據(jù)現(xiàn)有項(xiàng)目酸液、堿液、有機(jī)溶劑等清洗槽數(shù)量、尺寸及相關(guān)反應(yīng)核算的廢氣產(chǎn)生源強(qiáng)詳見表2.3-5。表2.3-5立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目廢氣產(chǎn)生源強(qiáng)P氨////根據(jù)廢氣處理設(shè)施和處理效率（詳見表2.2-7設(shè)定）核算的廢氣排放源強(qiáng)詳見表2.3-6。表2.3-6立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目廢氣排放源強(qiáng)氨/②廢水現(xiàn)有項(xiàng)目廢水主要為清洗、研磨工序產(chǎn)生的酸堿廢水、含氟廢水、清洗廢水、有機(jī)廢水，以及廢氣噴淋吸收廢水、反沖洗濃水、冷卻排污水和生活污水。酸堿廢水、清洗廢水、反沖洗濃水、冷卻排污水經(jīng)中水回用系統(tǒng)處理后部分回用，剩余與其他廢水經(jīng)廠區(qū)污水站二級物化處理后達(dá)標(biāo)納管。廢水排放源強(qiáng)詳見表2.3-7。表2.3-7立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目廢水排放源強(qiáng)③固廢現(xiàn)有項(xiàng)目固廢產(chǎn)生及處置情況詳見表2.3-8。表2.3-8立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目固廢產(chǎn)生及處置情況④匯總/現(xiàn)有項(xiàng)目污染源強(qiáng)匯總見表2.3-9。表2.3-9立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目污染源強(qiáng)匯總單位：t/a種類污染物名稱達(dá)產(chǎn)排放量2020年排放量備注廢氣氯化氫1.2330.822堿液（稀酸）噴淋后達(dá)標(biāo)排放氨0.8610.574氮氧化物1.0800.720氟化物0.3550.237醋酸0.4180.279二甲苯0.067沸石轉(zhuǎn)輪吸附+脫附RTO焚燒后達(dá)標(biāo)排放丙酮1.3610.907乙酸丁酯0.4680.312異丙醇0.8940.596非甲烷總烴1.756VOCs4.9983.332廢水廢水量（萬噸/年）161220107480納管排入七格污水處理廠COD5.6433.762排環(huán)境量氨氮0.4030.269廢酸和溶劑雜質(zhì)00委托具備危廢處理資質(zhì)的單位處置廢溶劑空瓶00汞燈00廢硒鼓、墨盒00有機(jī)廢液00廢邊角料00綜合利用污泥00綜合利用生活垃圾00委托環(huán)衛(wèi)部門清運(yùn)3、現(xiàn)有項(xiàng)目總量控制符合性現(xiàn)有已批項(xiàng)目總量控制情況見表2.3-10。表2.3-10立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目總量控制情況單位：t/aNOX///4、現(xiàn)狀存在問題及改進(jìn)建議根據(jù)調(diào)查，立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目環(huán)保措施基本已落實(shí)，現(xiàn)狀存在的主要問題及改進(jìn)措施見表2.3-11。表2.3-11立昂微電子現(xiàn)有項(xiàng)目存在的問題及改進(jìn)措施一覽子環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)本項(xiàng)目附近納污水體所屬水功能區(qū)為G0102100103095錢塘江杭州景觀、漁業(yè)用水區(qū)，水環(huán)境功能區(qū)為330100GA010601000260景觀娛樂、漁業(yè)用水區(qū)，目標(biāo)水質(zhì)為Ⅲ類水質(zhì)，執(zhí)行《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)中的Ⅲ類水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)；區(qū)域地下水尚未劃分功能區(qū)，參照地表水環(huán)境功能進(jìn)行評價(jià)，執(zhí)行《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB/T14848-2017)中的Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)。各有關(guān)參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)限值見表3.1-1~3.1-2。表3.1-1地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（摘錄）單位：除pH外均為mg/LpHCODCr6~945鎳釩鈦鋅表3.1-2地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（摘錄）單位：除pH外均為mg/LpH錳砷汞3鎘鐵銅鉛鎳銀2、大氣環(huán)境本項(xiàng)目所在地環(huán)境空氣屬二類環(huán)境空氣質(zhì)量功能區(qū)，相應(yīng)常規(guī)大氣污染因子和氟化物執(zhí)行《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（GB3095-2012）中的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，特征因子中氯化氫、氨、二甲苯、丙酮和氯執(zhí)行《環(huán)境影響評價(jià)技術(shù)導(dǎo)則大氣環(huán)境》（HJ2.2-2018）中附錄D相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，異丙醇、醋酸和乙酸丁酯執(zhí)行前蘇聯(lián)居住區(qū)標(biāo)準(zhǔn)（CH245-71）中的限值，其他—46—醚類、酯類、酮類等溶劑統(tǒng)一表征為非甲烷總烴，執(zhí)行原國家環(huán)保總局規(guī)范詳解限值。環(huán)境空氣標(biāo)準(zhǔn)摘錄見表3.1-3。表3.1-3環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（摘錄）NO2氨氯3、聲環(huán)境本項(xiàng)目所在地聲環(huán)境質(zhì)量均執(zhí)行《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3096-2008)中的3類標(biāo)準(zhǔn)，即晝間65dB、夜間55dB；南側(cè)保利東灣執(zhí)行2類標(biāo)準(zhǔn)，即晝間60dB、夜間50dB。4、土壤環(huán)境本項(xiàng)目所在地及周邊土壤環(huán)境執(zhí)行《土壤環(huán)境質(zhì)量建設(shè)用地土壤污染風(fēng)險(xiǎn)管控標(biāo)準(zhǔn)（試行）》（GB36600-2018）中表1中篩選值標(biāo)準(zhǔn)，氟化物執(zhí)行浙江省《污染場地風(fēng)險(xiǎn)評估技術(shù)導(dǎo)則》（DB33/T892-2013）中附錄A標(biāo)準(zhǔn)，詳見表3.1-4。表3.1-4土壤環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)單位：mg/kg1砷2鎘334銅5鉛6汞87鎳8釩9---95395615557苯14苯屈萘-注：①具體地塊土壤中污染物檢測含量超過篩選值，但等于或者低于土壤環(huán)境背環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀1、大氣環(huán)境（1）區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀為了了解2019年本次技改項(xiàng)目所在區(qū)域環(huán)境質(zhì)量情況，本次評價(jià)收集了《杭州市生態(tài)環(huán)境狀況公報(bào)（2019年度）》有關(guān)數(shù)據(jù)和結(jié)論，具體如下：按照《環(huán)境空氣質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（GB3095-2012）評價(jià)，杭州市區(qū)（含上城區(qū)、下城區(qū)、江干區(qū)、拱墅區(qū)、西湖區(qū)、濱江區(qū)、錢塘新區(qū)、蕭山區(qū)和余杭區(qū)，下同）2019年環(huán)境空氣優(yōu)良天數(shù)為287天，優(yōu)良率為78.6%。杭州市區(qū)PM達(dá)標(biāo)天數(shù)344天，達(dá)標(biāo)率95.0%。其余5個(gè)區(qū)（縣、市），即富陽區(qū)、臨安區(qū)、桐廬縣、淳安縣、建德市的環(huán)境空氣質(zhì)量優(yōu)良天數(shù)分別為336天、341天、348天、334天、350天，優(yōu)良率分別為93.9%、93.4%、95.3%、92.3%、95.9%。2019年杭州市區(qū)主要污染物為臭氧（O3）。二氧化硫（SO2）、二氧化氮（NO2）、可吸入顆粒物（PM10）和細(xì)顆粒物（PM2.5）四項(xiàng)主要污染物年均濃度分別為7μg/m、41μg/m、66μg/m、38μg/m【因一氧化碳（CO）和臭氧（O3）無年標(biāo)準(zhǔn)，故不做年均濃達(dá)到國家環(huán)境空氣質(zhì)量二級標(biāo)準(zhǔn)，二氧化氮（NO2）和細(xì)顆粒物（PM2.5）較國家環(huán)境空氣質(zhì)量二級標(biāo)準(zhǔn)分別超標(biāo)0.02和0.09倍。其余5個(gè)區(qū)（縣、市）的主要污染物除淳安縣為臭氧（O3），其余均為細(xì)顆粒物（PM2.5）。富陽區(qū)、臨安區(qū)、桐廬縣、淳安縣、建德市的細(xì)顆粒物（PM2.5）年均濃度依次為35、37、34、23、30μg/m。由于區(qū)域PM2.5、NO2年均值均有超標(biāo)現(xiàn)象，因此區(qū)域環(huán)境質(zhì)量判定為不達(dá)標(biāo)。（2）區(qū)域減排計(jì)劃和初步成果為切實(shí)做好杭州市“十三五”主要污染物總量減排工作，根據(jù)《杭州市人民政府辦公廳關(guān)于印發(fā)杭州市大氣環(huán)境質(zhì)量限期達(dá)標(biāo)規(guī)劃的通知》（杭政辦函[2019]2號）要求，制定了以下達(dá)標(biāo)計(jì)劃。①規(guī)劃期限及范圍規(guī)劃范圍：整體規(guī)劃范圍為杭州市域，規(guī)劃總面積為16596平方公里。規(guī)劃期限：規(guī)劃基準(zhǔn)年為2015年。規(guī)劃期限分為近期（2016年-2020年）、中期（2021年-2025年）和遠(yuǎn)期（2026年-2035年）。目標(biāo)點(diǎn)位：市國控監(jiān)測站點(diǎn)（包含背景站），同時(shí)考慮杭州大江東產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)、富陽區(qū)、臨安區(qū)及桐廬縣、淳安縣、建德市的點(diǎn)位。②主要目標(biāo)通過二十年努力，全市大氣污染物排放總量顯著下降，區(qū)域大氣環(huán)境管理能力明顯提高，大氣環(huán)境質(zhì)量明顯改善，包括CO、NO2、SO2、O3、PM2.5、PM10等6項(xiàng)主要大氣污染物指標(biāo)全面穩(wěn)定達(dá)到國家環(huán)境空氣質(zhì)量二級標(biāo)準(zhǔn)，全面消除重污染天氣，使廣大市民盡情享受藍(lán)天白云、空氣清新的好天氣。到2020年，完成“清潔排放區(qū)”地方標(biāo)準(zhǔn)體系框架的構(gòu)建，推進(jìn)印染、化工、造紙、水泥、有色金屬等大氣污染重點(diǎn)行業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，大氣污染物排放量明顯下降。大氣環(huán)境質(zhì)量持續(xù)改善，市區(qū)PM2.5年均濃度控制在38微克/立方米以內(nèi)，桐廬、淳安、建德等3縣（市）PM2.5年均濃度穩(wěn)定達(dá)到35微克/立方米以下，全市O3濃度升高趨勢基本得到遏制。到2022年，繼續(xù)“清潔排放區(qū)”建設(shè)，進(jìn)一步優(yōu)化能源消費(fèi)和產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，大氣環(huán)境質(zhì)量穩(wěn)步提升，市區(qū)PM2.5年均濃度控制在35微克/立方米以內(nèi)，實(shí)現(xiàn)PM2.5濃度全市域達(dá)標(biāo)。到2025年，實(shí)現(xiàn)全市域大氣“清潔排放區(qū)”建設(shè)目標(biāo)，大氣污染物排放總量持續(xù)穩(wěn)定下降，基本消除重污染天氣，市區(qū)PM2.5年均濃度穩(wěn)定達(dá)標(biāo)的同時(shí)，力爭年均濃度繼續(xù)下降，桐廬、淳安、建德等3縣（市）PM2.5年均濃度力爭達(dá)到30微克/立方米以下，全市O3濃度出現(xiàn)下降拐點(diǎn)。到2035年，大氣環(huán)境質(zhì)量持續(xù)改善，包括O3在內(nèi)的主要大氣污染物指標(biāo)全面穩(wěn)定達(dá)到國家空氣質(zhì)量二級標(biāo)準(zhǔn)，PM2.5年均濃度達(dá)到25微克/立方米以下，全面消除重污染天氣。此外，根據(jù)《浙江省人民政府關(guān)于印發(fā)浙江省打贏藍(lán)天保衛(wèi)戰(zhàn)三年行動計(jì)劃的通知》、《杭州市大氣污染防治“十三五”規(guī)劃》、《杭州市建設(shè)全市域大氣“清潔排放區(qū)”的實(shí)施意見》等有關(guān)文件，杭州市正積極致力于從能源結(jié)構(gòu)與產(chǎn)業(yè)布局調(diào)整、加快重污染企業(yè)轉(zhuǎn)型升級和重點(diǎn)企業(yè)整治提升、綠色低碳交通推進(jìn)、工業(yè)廢氣污染防治、粉塵污染防治、農(nóng)村廢氣污染控制、餐飲及其他生活源廢氣污染防治等多個(gè)方面加強(qiáng)大氣污染防治，推動大氣環(huán)境質(zhì)量持續(xù)改善。綜上分析，隨著區(qū)域大氣污染防治工作的持續(xù)有效推進(jìn)，預(yù)計(jì)區(qū)域整體環(huán)境空氣質(zhì)量將會有所改善。結(jié)合近期杭州市生態(tài)環(huán)境局通報(bào)情況，在2020年，杭州首次實(shí)現(xiàn)了環(huán)境空氣質(zhì)量六項(xiàng)指標(biāo)全達(dá)標(biāo)和所有國控站點(diǎn)PM2.5年均濃度全達(dá)標(biāo)，市區(qū)環(huán)境空氣優(yōu)良天數(shù)334天，同比增加47天；優(yōu)良率91.3%，同比上升12.7個(gè)百分點(diǎn)；PM2.5平均濃度29.8微克/立方米，同比下降21%；O3濃度151微克/立方米，同比下降16.6%。全市空氣環(huán)境質(zhì)量已經(jīng)出現(xiàn)明顯改善。（3）特征污染物現(xiàn)狀本次技改項(xiàng)目廢氣排放污染因子較多，結(jié)合其評價(jià)等級判定時(shí)的最大濃度占標(biāo)率數(shù)據(jù)和物料用量，選取特征污染因子評價(jià)其環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀。本次環(huán)評引用《杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃環(huán)境影響報(bào)告書》2018年4月9日~15日對周邊學(xué)正小學(xué)的監(jiān)測數(shù)據(jù)，具體監(jiān)測情況如下：①監(jiān)測項(xiàng)目氨、非甲烷總烴、氯化氫、氟化物、乙酸丁酯。②監(jiān)測布點(diǎn)本次監(jiān)測布點(diǎn)在主導(dǎo)風(fēng)向下風(fēng)向約1500米的1#學(xué)正小學(xué)。具體見圖3.1-1。圖3.1-1本次技改項(xiàng)目監(jiān)測布點(diǎn)圖③采樣時(shí)間和監(jiān)測頻次氨、非甲烷總烴、氯化氫、氟化物、乙酸丁酯測小時(shí)值，監(jiān)測7天，每天監(jiān)測4次（分別為02、08、14、20時(shí)），并同步觀測風(fēng)向、風(fēng)速、氣壓、氣溫等常規(guī)氣象要素。④監(jiān)測結(jié)果與分析監(jiān)測結(jié)果見表3.1-5。由表3.1-5可知，監(jiān)測點(diǎn)位的各項(xiàng)特征因子均能滿足相應(yīng)的環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求，總體上所在區(qū)域大氣環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀較好。表3.1-5特征污染物監(jiān)測結(jié)果統(tǒng)計(jì)物平均mg/m3超標(biāo)達(dá)標(biāo)XY時(shí)間mg/m3率%情況小氫0達(dá)標(biāo)氨0達(dá)標(biāo)物0達(dá)標(biāo)0達(dá)標(biāo)烴20達(dá)標(biāo)2、地表水環(huán)境為了解本次技改項(xiàng)目附近地表水環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀，本次環(huán)評委托浙江求實(shí)環(huán)境監(jiān)測有限公司于2021年3月1日~3日對本項(xiàng)目所在區(qū)域周邊地表水進(jìn)行了監(jiān)測，具體監(jiān)測情況如（1）監(jiān)測項(xiàng)目水溫、pH、DO、氨氮、總磷、高錳酸鹽指數(shù)、揮發(fā)酚、氟化物、硫化物、硫酸鹽、石油類、鎳、釩、鈦。（2）監(jiān)測斷面共布設(shè)2個(gè)監(jiān)測斷面，分別為1#20號渠上游，2#20號渠下游，詳見圖3.1-1。（3）監(jiān)測時(shí)間及頻次連續(xù)監(jiān)測3天。水溫每間隔6h觀測1次，統(tǒng)計(jì)平均水溫，其他指標(biāo)每天各采樣1次。（4）監(jiān)測結(jié)果具體監(jiān)測結(jié)果見表3.1-6。由表3.1-6可知，區(qū)域周邊20號渠上下游斷面除氨氮外其他指標(biāo)均能達(dá)到《地表水環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》(GB3838-2002)中的Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合杭州智慧河道云平臺歷年來監(jiān)測數(shù)據(jù)可知，其水質(zhì)在絕大多數(shù)時(shí)間可符合Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)要求，零星因子如氨氮超標(biāo)可能與上游面源排放有關(guān)。—53—表3.1-620號渠各監(jiān)測斷面水質(zhì)監(jiān)測結(jié)果單位：除pH、水溫外其余均為mg/L1#2#////pHCODMn鎳釩鈦3、地下水環(huán)境為了解本次技改項(xiàng)目附近地下水環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀，本次環(huán)評委托浙江求實(shí)環(huán)境監(jiān)測有限公司于2021年3月3日對本項(xiàng)目所在區(qū)域周邊地下水進(jìn)行了監(jiān)測，具體監(jiān)測情況如下：（1）監(jiān)測點(diǎn)位廠區(qū)內(nèi)和廠區(qū)外共布設(shè)3個(gè)監(jiān)測點(diǎn)，詳見圖3.1-1。（2）監(jiān)測項(xiàng)目pH值、總硬度、溶解性總體、硫酸鹽、氯化物、揮發(fā)酚、耗氧量、氨氮、硝酸鹽、亞硝酸鹽、氰化物、氟化物、砷、汞、鉛、鎘、六價(jià)鉻、鐵、錳、總大腸菌群、細(xì)菌總數(shù)以及鉀、鈉、鈣、鎂、CO32-、HCO3-、Cl-、SO42-、鎳、銀、水位。（3）采樣時(shí)間及頻次采樣1次。（4）監(jiān)測結(jié)果監(jiān)測結(jié)果見表3.1-7~3.1-9。由表3.1-7~3.1-9可知，本項(xiàng)目區(qū)域地下水各監(jiān)測因子均能滿足《地下水質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（GB/T14848-2017）中的Ⅲ類標(biāo)準(zhǔn)要求且陰陽離子誤差在可接受范圍內(nèi)，區(qū)域地下水環(huán)境質(zhì)量較好。表3.1-7陰陽離子檢測結(jié)果Na+Mg2+CO32-HCO3-表3.1-8地下水檢測結(jié)果單位：除pH外，為mg/L1pH值23456738911砷汞鉛鎘鐵錳鎳銀3表3.1-9地下水位信息4、聲環(huán)境為了解本次技改項(xiàng)目所在區(qū)域聲環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀，本次環(huán)評引用浙江格臨檢測股份有限公司對廠區(qū)廠界進(jìn)行的監(jiān)測數(shù)據(jù)，具體監(jiān)測情況如下：（1）監(jiān)測項(xiàng)目：等效連續(xù)A聲級。（2）監(jiān)測布點(diǎn)：廠界四周各設(shè)置1個(gè)監(jiān)測點(diǎn)。（3）監(jiān)測時(shí)間及頻率：2020年6月19日，晝、夜間各測1次。（4）監(jiān)測結(jié)果及現(xiàn)狀評價(jià)監(jiān)測結(jié)果見表3.1-10。由監(jiān)測結(jié)果可知，本次技改項(xiàng)目廠區(qū)廠界四周噪聲均能滿足《聲環(huán)境質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)》（GB3096-2008）中相應(yīng)聲環(huán)境功能區(qū)標(biāo)準(zhǔn)要求，現(xiàn)狀聲環(huán)境質(zhì)量較好。表3.1-10現(xiàn)狀監(jiān)測結(jié)果5、土壤環(huán)境（1）河道底泥為了解本次技改項(xiàng)目附近河道底泥現(xiàn)狀，本次環(huán)評委托浙江求實(shí)環(huán)境監(jiān)測有限公司于2021年3月2日對本項(xiàng)目所在區(qū)域周邊河道底泥進(jìn)行了監(jiān)測，具體監(jiān)測情況如下：①監(jiān)測布點(diǎn)在20號渠布設(shè)1個(gè)監(jiān)測點(diǎn)，詳見圖3.1-1。②監(jiān)測因子pH、鎳、釩、氟化物、石油烴。③監(jiān)測頻率④監(jiān)測結(jié)果監(jiān)測結(jié)果詳見表3.1-11。根據(jù)監(jiān)測結(jié)果，本項(xiàng)目河道底泥各類指標(biāo)均能符合相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)限值要求，未見明顯污染現(xiàn)象。表3.1-11河道底泥監(jiān)測結(jié)果（2）土壤pH/鎳釩為了解本次技改項(xiàng)目附近土壤環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀，本次環(huán)評委托浙江求實(shí)環(huán)境監(jiān)測有限公司于2021年3月2日對本項(xiàng)目所在區(qū)域周邊土壤進(jìn)行了監(jiān)測，具體監(jiān)測情況如下：①監(jiān)測布點(diǎn)共布設(shè)6個(gè)監(jiān)測點(diǎn)（廠區(qū)內(nèi)設(shè)置3個(gè)柱狀樣，1個(gè)表層樣；廠區(qū)外設(shè)置2個(gè)表層樣②監(jiān)測因子《土壤環(huán)境質(zhì)量建設(shè)用地土壤污染風(fēng)險(xiǎn)管控標(biāo)準(zhǔn)（試行）》（GB36600-2018）中必測45項(xiàng)和pH值、釩、氟化物、石油烴。③監(jiān)測頻率采樣1次，柱狀樣在0~0.5m、1~1.5m、1.5~3m、3~6m分層取樣，表層樣在0~0.2m取樣。④監(jiān)測結(jié)果現(xiàn)狀監(jiān)測結(jié)果詳見表3.1-12。根據(jù)監(jiān)測結(jié)果，本項(xiàng)目各點(diǎn)位各類指標(biāo)均能符合《土壤環(huán)境質(zhì)量建設(shè)用地土壤污染風(fēng)險(xiǎn)管控標(biāo)準(zhǔn)》（GB36600-2018）和《污染場地風(fēng)險(xiǎn)評估技術(shù)導(dǎo)則》（DB3中的相應(yīng)用地篩選值要求，可見本項(xiàng)目廠區(qū)及周邊土壤環(huán)境質(zhì)量較好。表3.1-12土壤環(huán)境監(jiān)測結(jié)果單位：除pH外mg/kgpH）（9888）（////////////pH//////////）（///////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////）（///889）（7/////////2、環(huán)境保護(hù)本項(xiàng)目主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)見表3.2-1，周邊主要環(huán)境敏感目標(biāo)分布見圖3.2-1。表3.2-1本項(xiàng)目所在區(qū)域周邊主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)1S2E~3493456~70078NNE~7089NENNENNE~2500NNENNE/圖3.2-1本項(xiàng)目周邊主要環(huán)境保護(hù)目標(biāo)分布示意圖污染物排放控制標(biāo)準(zhǔn)本項(xiàng)目生產(chǎn)廢水經(jīng)廠區(qū)污水站處理達(dá)標(biāo)后與生活污水等納管排入開發(fā)區(qū)污水管網(wǎng)，送七格污水處理廠統(tǒng)一處理。廢水納管執(zhí)行《電子工業(yè)水污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB39731-2020）中的表1~表3標(biāo)準(zhǔn)。七格污水處理廠尾水排放執(zhí)行《城鎮(zhèn)污水處理廠污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB18918-2002)中的一級A標(biāo)準(zhǔn)要求，具體見表3.3-1。表3.3-1廢水污染物納管及排放標(biāo)準(zhǔn)單位：除pH外，其余為mg/LpH鎳銀/2、廢氣—62—本項(xiàng)目工藝廢氣執(zhí)行《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB16297-1996）中新污染源的二級標(biāo)準(zhǔn)，氨、惡臭執(zhí)行《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-93）中新改擴(kuò)建二級標(biāo)準(zhǔn)，異丙醇、丙酮、醋酸、乙酸丁酯執(zhí)行GBZ2.1-2019《工作場所有害因素職業(yè)接觸限值第1部分：化學(xué)有害因素》中時(shí)間加權(quán)平均容許濃度限值。詳見表3.3-2。表3.3-2廢氣排放標(biāo)準(zhǔn)9//NH3///////////*注：異丙醇、丙酮、醋酸和乙酸丁酯的無組織監(jiān)控濃度按其環(huán)境質(zhì)3、噪聲本項(xiàng)目廠界噪聲執(zhí)行《工業(yè)企業(yè)廠界環(huán)境噪聲排放標(biāo)準(zhǔn)》(GB12348-2008)中的3類標(biāo)準(zhǔn)，即晝間65dB、夜間55dB。4、固體廢物控制標(biāo)準(zhǔn)本項(xiàng)目產(chǎn)生的一般工業(yè)固廢執(zhí)行《一般工業(yè)固體廢物貯存和填埋污染物控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18599-2020）；危險(xiǎn)廢物執(zhí)行《危險(xiǎn)廢物貯存污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18597-2001）及其修改單內(nèi)容?！?3—4、總量控制指標(biāo)1、總量控制指標(biāo)污染物總量控制是執(zhí)行環(huán)保管理目標(biāo)責(zé)任制的基本原則之一，是我國“九五”以來重點(diǎn)推行的環(huán)境管理政策，實(shí)踐證明它是現(xiàn)階段我國控制環(huán)境污染的進(jìn)一步加劇、推行可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略、改善環(huán)境質(zhì)量的一套行之有效的管理手段。根據(jù)《國務(wù)院關(guān)于印發(fā)“十三五”節(jié)能減排綜合工作方案的通知》（國發(fā)[2016]74號確定“十三五”各地區(qū)化學(xué)需氧量（CODCr）、氨氮（NH3-N）、二氧化硫（SO2）、氮氧化物（NOx）和重點(diǎn)行業(yè)、重點(diǎn)區(qū)域揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs）排放總量進(jìn)行控制。本項(xiàng)目排放污染物因子中，納入?yún)^(qū)域總量控制要求和建議的主要為廢氣中的氮氧化物（NOx）和揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs）以及廢水中的化學(xué)需氧量（CODCr）和氨氮（NH3-N）。2、總量控制目標(biāo)根據(jù)《建設(shè)項(xiàng)目主要污染物排放總量指標(biāo)審核及管理暫行辦法》的通知（環(huán)發(fā)[2014]197號）要求：用于建設(shè)項(xiàng)目的“可替代總量指標(biāo)”不得低于建設(shè)項(xiàng)目所需替代的主要污染物排放總量指標(biāo)。上一年度環(huán)境空氣質(zhì)量年平均濃度不達(dá)標(biāo)的城市、水環(huán)境質(zhì)量未達(dá)到要求的市縣，相關(guān)污染物應(yīng)按照建設(shè)項(xiàng)目所需替代的主要污染物排放總量指標(biāo)的2倍進(jìn)行削減替代（燃煤發(fā)電機(jī)組大氣污染物排放濃度基本達(dá)到燃?xì)廨啓C(jī)組排放限值的除外）；細(xì)顆粒物（PM2.5）年平均濃度不達(dá)標(biāo)的城市，二氧化硫、氮氧化物、煙粉塵、揮發(fā)性有機(jī)物四項(xiàng)污染物均需進(jìn)行2倍削減替代（燃煤發(fā)電機(jī)組大氣污染物排放濃度基本達(dá)到燃?xì)廨啓C(jī)組排放限值的除外）。地方有更嚴(yán)格倍量替代要求的，按照相關(guān)規(guī)定執(zhí)行。另根據(jù)《浙江省揮發(fā)性有機(jī)物深化治理與減排工作方案（2017-2020年）》中對本項(xiàng)目所屬行業(yè)的要求：嚴(yán)格涉VOCs建設(shè)項(xiàng)目環(huán)境影響評價(jià)，新增VOCs排放量實(shí)行區(qū)域內(nèi)現(xiàn)役源削減替代，杭州、寧波、溫州、湖州、嘉興、紹興、金華、衢州和臺州等市，建設(shè)項(xiàng)目新增VOCs排放的，實(shí)行區(qū)域內(nèi)現(xiàn)役源2倍削減量替代。綜上，本項(xiàng)目總量控制目標(biāo)如下：（1）本項(xiàng)目增加的化學(xué)需氧量（CODCr）和氨氮（NH3-N）排放量與削減替代量的（2）本項(xiàng)目增加的氮氧化物（NOx）排放量與削減替代量的比例為1:2。（3）本項(xiàng)目新增的揮發(fā)性有機(jī)物（VOCs）排放量與削減替代量的比例為1:2。本項(xiàng)目總量控制情況詳見表3.4-1。表3.4-1本項(xiàng)目總量控制指標(biāo)平衡表單位：t/aNOx/3、總量平衡方案本次技改項(xiàng)目實(shí)施后，廢水中新增的CODCr和氨氮需替代削減量分別為10.4844t/a和0.03t/a；廢氣中新增的氮氧化物NOx和揮發(fā)性有機(jī)物VOCs需替代削減量分別為3.264t/a和8.832t/a。所需總量由當(dāng)?shù)刂鞴懿块T平衡解決，企業(yè)合法獲取后符合總量控制要求。施工期環(huán)境保護(hù)措施1、施工場地大氣環(huán)境影響分析在整個(gè)施工期，產(chǎn)生揚(yáng)塵的作業(yè)有