講稿二電子元器件課件

電子電器常用的電子元器件

講義文稿

電子元器件每一臺(tái)電子設(shè)備，都由具有一定功能的電路、部件和工藝結(jié)構(gòu)所組成。其個(gè)項(xiàng)指標(biāo)，包括電氣性能、質(zhì)量和可靠性等的優(yōu)劣程度，不僅取決于電路原理設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)的水平，還取決于能否正確地選用電子元器件及各種原材料。電子元器件和各種原材料是實(shí)現(xiàn)電路原理設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)的主要依據(jù)。電子元器件電子儀器，通訊設(shè)備，家用電器，自動(dòng)控制等產(chǎn)品的電子電路，是由電阻器，電容器，電感器，變壓器以及晶體二極管，三極管，集成電路，傳感器等電子元器件組成的.電子元器件一、電阻器電阻器簡(jiǎn)稱電阻，由實(shí)驗(yàn)知，物體電阻的大小與長(zhǎng)度L成正比，與其橫截面積S成反比，用公式表示為：R=PL/S電子元器件電阻器是電路元件中應(yīng)用最廣泛的一種，在電子設(shè)備中約占元件總數(shù)的30%以上，其質(zhì)量的好壞對(duì)電路工作的穩(wěn)定性有極大影響。它的主要用途是穩(wěn)定和調(diào)節(jié)電路中的電流和電壓，其次還作為分流器分壓器和負(fù)載使用。電子元器件在電子電路中常用的電阻器有固定式電阻器和電位器，按制作材料和工藝不同，固定式電阻器可分為：膜式電阻（碳膜RT、金屬膜RJ、合成膜RH和氧化膜RY）、實(shí)芯電阻（有機(jī)RS和無(wú)機(jī)RN）、金屬線繞電阻（RX）、特殊電阻（MG型光敏電阻、MF型熱敏電阻）四種。電子元器件電子元器件1.3電阻器的質(zhì)量參數(shù)及選用知識(shí)電阻器主要質(zhì)量參數(shù)是電阻標(biāo)稱值、允許誤差和額定功率.了解電阻器的質(zhì)量參數(shù)，對(duì)合理選用電阻器是非常重要的的。電子元器件電位器是電阻器的一個(gè)分支，電路上常用符號(hào)：“RP”表示.常見(jiàn)的電位器阻值變化規(guī)律有三種，即直線型（X型）、指數(shù)型（Z型）、對(duì)數(shù)型（D型）.電子元器件特殊電阻器水泥電阻瓷質(zhì)電阻保險(xiǎn)電阻溫度保險(xiǎn)敏感電阻電子元器件電容器是一種儲(chǔ)能元件，在電路中用于調(diào)諧、濾波、耦合、旁路、能量轉(zhuǎn)換和延時(shí)。電容器通常叫做電容。按其結(jié)構(gòu)可分為固定電容器、半可變電容器、可變電容器三種。常用的電容器按其介質(zhì)材料可分為電解電容器、云母電容器、瓷介電容器、玻璃釉電容,聚酯電容器等。電子元器件3．命名方法

根據(jù)部頒標(biāo)準(zhǔn)（SJ-73）規(guī)定，電容器的命名由下列四部分組成：第一部分（主稱）；第二部分：（材料）；第三部分（分類特征）；第四部分（序號(hào)）。它們的型號(hào)及意義見(jiàn)下表。電子元器件4．選用常識(shí)

（1）電容在電路中實(shí)際要承受的電壓不能超過(guò)它的耐壓值。在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。使用電解電容的時(shí)候，還要注意正負(fù)極不要接反。（2）不同電路應(yīng)該選用不同種類的電容。揩振回路可以選用云母、高頻陶瓷電容，隔直流可以選用紙介、滌綸、云母、電解、陶瓷等電容，濾波可以選用電解電容，旁路可以選用滌綸、紙介、陶瓷、電解等電容。

（3）電容在裝入電路前要檢查它有沒(méi)有短路、斷路和漏電等現(xiàn)象，并且核對(duì)它的電容值。安裝的時(shí)候，要使電容的類別、容量、耐壓等符號(hào)容易看到，以便核實(shí)。電子元器件二、電容器檢測(cè)的一般方法1.固定電容器的檢測(cè).

A檢測(cè)10pF以下的小電容。因10pF以下的固定電容器容量太小，用萬(wàn)用表進(jìn)行測(cè)量，只能定性的檢查其是否有漏電，內(nèi)部短路或擊穿現(xiàn)象。測(cè)量時(shí)，可選用萬(wàn)用表R×10k擋，用兩表筆分別任意接電容的兩個(gè)引腳，阻值應(yīng)為無(wú)窮大。若測(cè)出阻值(指針向右擺動(dòng))為零，則說(shuō)明電容漏電損壞或內(nèi)部擊穿。B檢測(cè)10PF～0.01μF固定電容器是否有充電現(xiàn)象，進(jìn)而判斷其好壞。萬(wàn)用表選用R×1k擋。應(yīng)注意的是：在測(cè)試操作時(shí)，特別是在測(cè)較小容量的電容時(shí)，要反復(fù)調(diào)換被測(cè)電容引腳接觸A、B兩點(diǎn)，才能明顯地看到萬(wàn)用表指針的擺動(dòng)。C對(duì)于0.01μF以上的固定電容，可用萬(wàn)用表的R×10k擋直接測(cè)試電容器有無(wú)充電過(guò)程以及有無(wú)內(nèi)部短路或漏電，并可根據(jù)指針向右擺動(dòng)的幅度大小估計(jì)出電容器的容量。電子元器件3.可變電容器的檢測(cè)

A用手輕輕旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，應(yīng)感覺(jué)十分平滑，不應(yīng)感覺(jué)有時(shí)松時(shí)緊甚至有卡滯現(xiàn)象。將載軸向前、后、上、下、左、右等各個(gè)方向推動(dòng)時(shí)，轉(zhuǎn)軸不應(yīng)有松動(dòng)的現(xiàn)象。B用一只手旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸，另一只手輕摸動(dòng)片組的外緣，不應(yīng)感覺(jué)有任何松脫現(xiàn)象。轉(zhuǎn)軸與動(dòng)片之間接觸不良的可變電容器，是不能再繼續(xù)使用的。C將萬(wàn)用表置于R×10k擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。在旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸的過(guò)程中，如果指針有時(shí)指向零，說(shuō)明動(dòng)片和定片之間存在短路點(diǎn)；如果碰到某一角度，萬(wàn)用表讀數(shù)不為無(wú)窮大而是出現(xiàn)一定阻值，說(shuō)明可變電容器動(dòng)片與定片之間存在漏電現(xiàn)象。電子元器件2.5電感器電感線圈是應(yīng)用電磁感應(yīng)原理制成的元件，通常分為兩類：一類是應(yīng)用自感作用，的電感線圈。另一類是應(yīng)用互感作用的變壓器。電子元器件電感在電路中常用字母L表示，電感量的單位是亨利，簡(jiǎn)稱為亨，以字母H表示。1H=103mH(毫亨)=106uH(微亨)電感線圈的種類電感受線圈有固定電感，微調(diào)電感，色碼電感。電感線圈的檢測(cè)與注意事項(xiàng)普通二極管

1、二極管的基本結(jié)構(gòu)

二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯，并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽(yáng)極，N型區(qū)的引出線稱為負(fù)極或陰極，如圖所示。

部分二極管的外型圖普通二極管點(diǎn)接觸二極管

面接觸二極管點(diǎn)接觸型二極管的金屬絲和半導(dǎo)體的接觸面很小，難以通過(guò)較大的電流，但因其結(jié)電容較小，可以在較高的頻率下工作。點(diǎn)接觸型二極管可用于檢波、變頻、開關(guān)等電路及小電流整流電路中。面接觸二極管

如圖所示，面接觸二極管是利用擴(kuò)散、多用合金及外延等摻雜方法，實(shí)現(xiàn)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體直接接觸而形成PN結(jié)的。

普通二極管

面接觸二極管PN結(jié)的接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，適用于大電流整流電路或在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管。因其結(jié)電容相對(duì)較大，故只能在較低的頻率下工作，在集成電路中可作電容用。

普通二極管面接觸二極管PN結(jié)的接觸面積大，可以通過(guò)較大的電流，適用于大電流整流電路或在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管。因其結(jié)電容相對(duì)較大，故只能在較低的頻率下工作，在集成電路中可作電容用。

晶體二極管主要參數(shù)及檢測(cè)方法

二極管的主要參數(shù)

正向電流IF：在額定功率下，允許通過(guò)二極管的電流值。

正向電壓降VF：二極管通過(guò)額定正向電流時(shí)，在兩極間所產(chǎn)生的電壓降。

最大整流電流（平均值）IOM：在半波整流連續(xù)工作的情況下，允許的最大半波電流的平均值。

反向擊穿電壓VB：二極管反向電流急劇增大到出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象時(shí)的反向電壓值。

正向反向峰值電壓VRM：二極管正常工作時(shí)所允許的反向電壓峰值，通常VRM為VP的三分之二或略小一些

電子元器件1．ＰＮ結(jié)的形成

（1）當(dāng)Ｐ型半導(dǎo)體和Ｎ型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時(shí)，由于交界面處存在載流子濃度的差異，這樣電子和空穴都要從濃度高的地方向濃度低的地方擴(kuò)散。但是，電子和空穴都是帶電的，它們擴(kuò)散的結(jié)果就使Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)中原來(lái)的電中性條件破壞了。Ｐ區(qū)一側(cè)因失去空穴而留下不能移動(dòng)的負(fù)離子，Ｎ區(qū)一側(cè)因失去電子而留下不能移動(dòng)的正離子。這些不能移動(dòng)的帶電粒子通常稱為空間電荷，它們集中在Ｐ區(qū)和Ｎ區(qū)交界面附近，形成了一個(gè)很薄的空間電荷區(qū)，這就是我們所說(shuō)的ＰＮ結(jié)。

電子元器件

（2）在這個(gè)區(qū)域內(nèi)，多數(shù)載流子已擴(kuò)散到對(duì)方并復(fù)合掉了，或者說(shuō)消耗殆盡了，因此，空間電荷區(qū)又稱為耗盡層。（3）Ｐ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)負(fù)電荷，Ｎ區(qū)一側(cè)呈現(xiàn)正電荷，因此空間電荷區(qū)出現(xiàn)了方向由Ｎ區(qū)指向Ｐ區(qū)的電場(chǎng)，由于這個(gè)電場(chǎng)是載流子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的，而不是外加電壓形成的，故稱為

內(nèi)電場(chǎng)

。

電子元器件（4）內(nèi)電場(chǎng)是由多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)引起的，伴隨著它的建立將帶來(lái)兩種影響：一是內(nèi)電場(chǎng)將阻礙多子的擴(kuò)散，二是P區(qū)和N區(qū)的少子一旦靠近PN結(jié)，便在內(nèi)電場(chǎng)的作用下漂移到對(duì)方，使空間電荷區(qū)變窄

。（5）因此，

擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散；而漂移運(yùn)動(dòng)使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)減弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移。

當(dāng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，交界面形成穩(wěn)定的空間電荷區(qū)，即

ＰＮ結(jié)處于動(dòng)態(tài)平衡s。

電子元器件2．ＰＮ結(jié)的單向?qū)щ娦裕?）外加正向電壓（正偏）

在外電場(chǎng)作用下，多子將向ＰＮ結(jié)移動(dòng)，結(jié)果使空間電荷區(qū)變窄，內(nèi)電場(chǎng)被削弱，有利于多子的擴(kuò)散而不利于少子的漂移，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起主要作用。結(jié)果，Ｐ區(qū)的多子空穴將源源不斷的流向Ｎ區(qū)，而Ｎ區(qū)的多子自由電子亦不斷流向Ｐ區(qū)，這兩股載流子的流動(dòng)就形成了ＰＮ結(jié)的正向電流。電子元器件（2）

外加反向電壓

（反偏）

在外電場(chǎng)作用下，多子將背離ＰＮ結(jié)移動(dòng)，結(jié)果使空間電荷區(qū)變寬，內(nèi)電場(chǎng)被增強(qiáng)，有利于少子的漂移而不利于多子的擴(kuò)散，漂移運(yùn)動(dòng)起主要作用。漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生的漂移電流的方向與正向電流相反，稱為反向電流。

因少子濃度很低，反向電流遠(yuǎn)小于正向電流

。

當(dāng)溫度一定時(shí)，少子濃度一定，反向電流幾乎不隨外加電壓而變化，故稱為

反向飽和電流

3.二極管的基本應(yīng)用電路（1）限幅電路---利用二極管的單向?qū)щ娦院蛯?dǎo)通后兩端電壓基本不變的特點(diǎn)組成。（2）箝位電路---將輸出電壓箝位在一定數(shù)值上。

三極管

晶體管：最常用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如3AX31，第一位3代表三極管，2代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A代表高頻大功率管。最后面的數(shù)字是產(chǎn)品的序號(hào)，序號(hào)不同，各種指標(biāo)略有差異。注意，二極管同三極管第二位意義基本相同，而第三位則含

固定式三端集成穩(wěn)壓集成電路

聲表面濾波器簡(jiǎn)稱SAWF或SAW，是利用壓電陶瓷、鈮酸鋰、石英等壓電晶體振蕩器材料的壓電效應(yīng)和聲表面波傳播的物理特性制成的一種換能式無(wú)源帶通濾波器，它用于電視機(jī)和錄像機(jī)的中頻輸入電路中作選頻元件，取代了中頻放大器的輸入吸收回路和多級(jí)調(diào)諧回路。

聲表面濾波器在電路中用字母“Z”或“ZC”（舊標(biāo)準(zhǔn)用“X”、“SF”、“CF”）表示。

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PnP管和一個(gè)NPN管所組成

由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?，所以一旦可控硅?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。

陶瓷濾波器壓電陶瓷濾波器是利用壓電陶瓷的壓電效應(yīng)和諧振特性制成的濾波器。它與LC濾波器相比較，其體積小、重量輕、矩形系數(shù)好；與晶體濾波器及機(jī)械濾波器比較，制作容易，相對(duì)帶寬可做到千分之九到百分之十九。集成電路的定義集成電路就是把一個(gè)單元電路或一些功能電路制作在一個(gè)晶體片或瓷片上，再封裝到一個(gè)便于安裝、焊接的外殼中。英語(yǔ)IC(integratedcircuit)集成電路就是利用半導(dǎo)體工藝或厚膜、薄膜工藝，將電阻、電容、二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等元器件按照設(shè)計(jì)要求連接起來(lái)，制作在同一硅片上，成為具有特定功能的電路。什么是IC？廣義的講,IC就是半導(dǎo)體元件產(chǎn)品的統(tǒng)稱,包括:

1.集成電路(integratedcircuit,縮寫:IC)

2.二三極管.

3.特殊電子元件.

再?gòu)V義些講還涉及所有的電子元件,象電阻,電容,電路版/PCB版,等許多相關(guān)產(chǎn)品.

集成電路的優(yōu)點(diǎn)這種器件打破了電路的傳統(tǒng)概念，實(shí)現(xiàn)了材料、元件、電路的三位一體，與分立元器件組成的電路相比具有體積小、功耗低、性能好，重量輕、可靠性高、成本低適合與大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)縮短了連線，減少了焊點(diǎn)，提高了產(chǎn)品的可靠性與一致性。幾十年來(lái)，集成電路制作、生產(chǎn)技術(shù)迅速發(fā)展，集成電路得到了極其廣泛的應(yīng)用。集成電路的具體內(nèi)容集成電路外型種類多、命名方法不一樣、廠家型號(hào)多，識(shí)別方法也不一樣，封裝形式等多注意在《電子測(cè)量技術(shù)》與實(shí)踐中學(xué)習(xí)。集成電路的分類1、制造工藝分類：半導(dǎo)體集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路、混合集成電路。2、功能和性質(zhì)分類：數(shù)字集成電路、模擬集成電路、微波集成電路。3、集成規(guī)模分類：小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模和超大規(guī)模等。集成電路的分類1、小規(guī)模集成電路：少于10個(gè)門電路或者少于100個(gè)元件的。2、中規(guī)模集成電路：集成度在10---100個(gè)門電路之間，或者元件數(shù)在100—1000個(gè)之間的。3、大規(guī)模集成電路：集成度在100個(gè)門電路以上或1000個(gè)元件以上。4、超大規(guī)模集成電路：集成度在1萬(wàn)個(gè)門電路以上或10萬(wàn)個(gè)元件以上。數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介數(shù)字集成電路：對(duì)數(shù)字信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算、存儲(chǔ)、傳輸、轉(zhuǎn)換；構(gòu)成特定的電路如數(shù)字電路技術(shù)中的觸發(fā)器、計(jì)數(shù)器、寄存器、譯碼器等，與模擬電路相比，工作形式簡(jiǎn)單，種類少，通用性強(qiáng)，對(duì)元件的精度要求不高，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制、和數(shù)字通信技術(shù)領(lǐng)域。雙極型與MOS型54XX74XX74LSXX400074HCXX等模擬集成電路介紹1、模擬集成電路：以電壓、電流為模擬量進(jìn)行的放大、轉(zhuǎn)換、調(diào)制的集成電路。數(shù)字信號(hào)以外的集成電路都可以稱為模擬集成電路。精度高、種類多、通用性小。2、線形集成電路：輸入與輸出是線形關(guān)系。型號(hào)多、功能多。常見(jiàn)的各類運(yùn)算放大器。應(yīng)用在測(cè)量、控制、電視、收音機(jī)、通信、雷達(dá)等。3、非線形集成電路：輸入與輸出不是線形關(guān)系，但也不是開關(guān)性質(zhì)的集成電路。非線形集成電路大多是專用集成電路。模擬集成電路類型與應(yīng)用有?！獢?shù)、交流—直流、高頻—低頻、正—負(fù)極性信號(hào)的混合等。應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)檢測(cè)、各種家用電器。例如混頻器、振蕩器、檢波器、鑒頻器、鑒相器、穩(wěn)壓電源、交—直流變換器，各種家用集成電路等。微波集成電路簡(jiǎn)介微波集成電路：工作在100Mhz以上的集成電路。利用半導(dǎo)體、薄膜、厚膜技術(shù)，在絕緣基片上將有源器件、無(wú)源器件、微帶傳輸線及其它特種微型波導(dǎo)聯(lián)系成一個(gè)整體構(gòu)成的微波電路。特點(diǎn)體積小、重量輕、性能好、可靠性高、成本低等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用在微波測(cè)量、微波地面通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、電子對(duì)抗、導(dǎo)彈制導(dǎo)、宇宙航行等。世界IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的變化及其發(fā)展歷程一、世界集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)的變化及其發(fā)展歷程

自1958年美國(guó)德克薩斯儀器公司(TI)發(fā)明集成電路（IC）后，隨著硅平面技術(shù)的發(fā)展，二十世紀(jì)六十年代先后發(fā)明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標(biāo)志著由電子管和晶體管制造電子整機(jī)的時(shí)代發(fā)生了量和質(zhì)的飛躍，創(chuàng)造了一個(gè)前所未有的具有極強(qiáng)滲透力和旺盛生命力的新興產(chǎn)業(yè)集成電路產(chǎn)業(yè)。從電路集成到系統(tǒng)集成回顧集成電路的發(fā)展歷程，我們可以看到，自發(fā)明集成電路至今40多年以來(lái)，"從電路集成到系統(tǒng)集成"這句話是對(duì)IC產(chǎn)品從小規(guī)模集成電路（SSI）到今天特大規(guī)模集成電路（ULSI）發(fā)展過(guò)程的最好總結(jié)，即整個(gè)集成電路產(chǎn)品的發(fā)展經(jīng)歷了從傳統(tǒng)的板上系統(tǒng)（System-on-board）到片上系統(tǒng)（System-on-a-chip）的過(guò)程。在這歷史過(guò)程中，世界IC產(chǎn)業(yè)為適應(yīng)技術(shù)的發(fā)展和市場(chǎng)的需求，其產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)經(jīng)歷了三次變革。IC產(chǎn)業(yè)的第一次變革第一次變革：以加工制造為主導(dǎo)的IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初級(jí)階段。

70年代，集成電路的主流產(chǎn)品是微處理器、存儲(chǔ)器以及標(biāo)準(zhǔn)通用邏輯電路。這一時(shí)期IC制造商（IDM）在IC市場(chǎng)中充當(dāng)主要角色，IC設(shè)計(jì)只作為附屬部門而存在。這時(shí)的IC設(shè)計(jì)和半導(dǎo)體工藝密切相關(guān)。IC設(shè)計(jì)主要以人工為主，CAD系統(tǒng)僅作為數(shù)據(jù)處理和圖形編程之用。IC產(chǎn)業(yè)僅處在以生產(chǎn)為導(dǎo)向的初級(jí)階段。IC產(chǎn)業(yè)的第二次變革第二次變革：Foundry公司與IC設(shè)計(jì)公司的崛起。

80年代，集成電路的主流產(chǎn)品為微處理器（MPU）、微控制器（MCU）及專用IC（ASIC）。這時(shí)，無(wú)生產(chǎn)線的IC設(shè)計(jì)公司（Fabless）與標(biāo)準(zhǔn)工藝加工線（Foundry）相結(jié)合的方式開始成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新模式。

IC產(chǎn)業(yè)的第二次變革

隨著微處理器和PC機(jī)的廣泛應(yīng)用和普及（特別是在通信、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域），IC產(chǎn)業(yè)已開始進(jìn)入以客戶為導(dǎo)向的階段。一方面標(biāo)準(zhǔn)化功能的IC已難以滿足整機(jī)客戶對(duì)系統(tǒng)成本、可靠性等要求，同時(shí)整機(jī)客戶則要求不斷增加IC的集成度，提高保密性，減小芯片面積使系統(tǒng)的體積縮小，降低成本，提高產(chǎn)品的性能價(jià)格比，從而增強(qiáng)產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力，得到更多的市場(chǎng)份額和更豐厚的利潤(rùn)；另一方面，由于IC微細(xì)加工技術(shù)的進(jìn)步，軟件的硬件化已成為可能，為了改善系統(tǒng)的速度和簡(jiǎn)化程序，故各種硬件結(jié)構(gòu)的ASIC如門陣列、可編程邏輯器件（包括FPGA）、標(biāo)準(zhǔn)單元、全定制電路等應(yīng)運(yùn)而生，其比例在整個(gè)IC銷售額中1982年已占12％；其三是隨著EDA工具（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化工具）的發(fā)展，PCB設(shè)計(jì)方法引入IC設(shè)計(jì)之中，。

IC產(chǎn)業(yè)的第二次變革如庫(kù)的概念、工藝模擬參數(shù)及其仿真概念等，設(shè)計(jì)開始進(jìn)入抽象化階段，使設(shè)計(jì)過(guò)程可以獨(dú)立于生產(chǎn)工藝而存在。有遠(yuǎn)見(jiàn)的整機(jī)廠商和創(chuàng)業(yè)者包括風(fēng)險(xiǎn)投資基金（VC）看到ASIC的市場(chǎng)和發(fā)展前景，紛紛開始成立專業(yè)設(shè)計(jì)公司和IC設(shè)計(jì)部門，一種無(wú)生產(chǎn)線的集成電路設(shè)計(jì)公司（Fabless）或設(shè)計(jì)部門紛紛建立起來(lái)并得到迅速的發(fā)展。同時(shí)也帶動(dòng)了標(biāo)準(zhǔn)工藝加工線（Foundry）的崛起。全球第一個(gè)Foundry工廠是1987年成立的臺(tái)灣積體電路公司，它的創(chuàng)始人張忠謀也被譽(yù)為"晶芯片加工之父"IC第三次變革："四業(yè)分離"的IC產(chǎn)業(yè)第三次變革："四業(yè)分離"的IC產(chǎn)業(yè)

90年代，隨著INTERNET的興起，IC產(chǎn)業(yè)跨入以競(jìng)爭(zhēng)為導(dǎo)向的高級(jí)階段，國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)由原來(lái)的資源競(jìng)爭(zhēng)、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)轉(zhuǎn)向人才知識(shí)競(jìng)爭(zhēng)、密集資本競(jìng)爭(zhēng)。以DRAM為中心來(lái)擴(kuò)大設(shè)備投資的競(jìng)爭(zhēng)方式已成為過(guò)去。如1990年，美國(guó)以Intel為代表，為抗?fàn)幦毡拒S居世界半導(dǎo)體榜首之威脅，主動(dòng)放棄DRAM市場(chǎng)，大搞CPU，對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)作了重大結(jié)構(gòu)調(diào)整，又重新奪回了世界半導(dǎo)體霸主地位。這使人們認(rèn)識(shí)到，越來(lái)越龐大的集成電路產(chǎn)業(yè)體系并不有利于整個(gè)IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展，"分"才能精，"整合"才成優(yōu)勢(shì)。

IC第三次變革："四業(yè)分離"的IC產(chǎn)業(yè)于是，IC產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)向高度專業(yè)化轉(zhuǎn)化成為一種趨勢(shì)，開始形成了設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)、封裝業(yè)、測(cè)試業(yè)獨(dú)立成行的局面（如下圖所示），近年來(lái)，全球IC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展越來(lái)越顯示出這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)。如臺(tái)灣IC業(yè)正是由于以中小企業(yè)