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重慶-兩江新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園(一期)項目可行性研究報告重慶兩江新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園(一期)項目1、項目概況重慶兩江新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園一期項目位于重慶兩江新區(qū)水土高新技術園區(qū),項目用地面積141,845.60㎡,建筑面積為220,918.63㎡,其中地上計容建筑面積189,848.19㎡,主要用于建設研發(fā)辦公用房和服務配套用房;不計容建筑面積31,070.44㎡,主要用于布置人防地下室、水泵房和地下車庫及車庫連通道等。本項目由重慶東湖高新發(fā)展有限公司投資運作,是以半導體產(chǎn)業(yè)為核心,IC設計為重點,輻射汽車電子、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能終端等產(chǎn)業(yè)的特色園區(qū)。本項目總投資為65,129.33萬元,擬使用資金投入51,000.00萬元。2、項目建設的必要性(1)促進戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展,構建協(xié)調(diào)發(fā)展新格局按照國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃,要立足區(qū)域發(fā)展總體戰(zhàn)略,圍繞長江經(jīng)濟帶,打造戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)策源地,建設引領我國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的標志性產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),培育戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)特色集群。兩江新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園項目將有力支持兩江新區(qū)發(fā)展成為國家層面戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)策源地、標志性產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)特色集群。(2)促進“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,推進產(chǎn)業(yè)轉型升級《重慶市集成電路技術創(chuàng)新實施方案(2018—2022年)》提出要在2020年重慶政府工作報告提出了壯大“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈。2022年,將重慶打造成為“中國集成電路創(chuàng)新高地”,射頻集成電路、模擬集成電路和功率半導體技術處于國內(nèi)領先水平,集成電路產(chǎn)業(yè)進入國家第一“方陣”,成為汽車、電子等行業(yè)的國家集成電路應用示范基地。2020年重慶政府工作報告中也進一步強調(diào)了壯大“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈的工作。兩江半導體產(chǎn)業(yè)園項目定位為中國西部半導體發(fā)展新引擎、重慶半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新示范基地,將有助于促進“芯屏器核網(wǎng)”全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展,推進重慶的產(chǎn)業(yè)轉型升級。3、項目可行性分析(1)本項目的實施受到地方政策的大力支持根據(jù)《重慶市以大數(shù)據(jù)智能化為引領的創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略行動計劃(2018-2020年)》《重慶市集成電路技術創(chuàng)新實施方案(2018—2022年)》等文件要求,重慶將大力實施以大數(shù)據(jù)智能化為引領的創(chuàng)新驅動發(fā)展戰(zhàn)略行動計劃,建立有利于技術攻關、產(chǎn)品應用和產(chǎn)業(yè)培育協(xié)調(diào)發(fā)展的集成電路創(chuàng)新體系,為重慶集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐。相關政策的推出為本項目的實施構建了良好的政策環(huán)境。(2)本項目的建設具備良好的外部條件兩江半導體產(chǎn)業(yè)園項目建設具有良好的外部條件。2018年8月,重慶兩江新區(qū)管理委員會與東湖高新就重慶兩江新區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)園項目簽訂投資協(xié)議,合作開發(fā)位于重慶兩江新區(qū)水土高新技術園區(qū)B19-1/01號地塊,雙方同意通過項目公司合作推進目標項目掛牌入市、獲取,并進行開發(fā)及運營。本項目建設需要的水、電等能源供應保障充分。原輔材料供應充足,滿足項目建設需要。項目現(xiàn)場“三通一平”已完成。施工隊伍的來源豐富,通過公開招標能招到好的施工隊伍。所有的建筑材料市場上貨源充沛,能滿足項目施工要求。4、項目投資概算項目總體開發(fā)建設周期為4年,總投資使用計劃為5年,項目總投資65,129.33萬元。5、項目
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