集成電路制造相關(guān)術(shù)語

1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)

3.ACCESS：一個(gè)EDA（EngineeringDataAnalysis）系統(tǒng)

6.Alignmark(key)：對(duì)位標(biāo)記

9.Ammonia

氨10.Ammoniumfluoride氟化銨

11.Ammoniumhydroxide氫氧化銨12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）

13.Analog：模擬的

14.Angstrom

15.Anisotropic：各向異性（如POLYETCH

16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18.Antimony(Sb)銻

22.Arsine24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）

25.Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?/p>

28.Benchmark：基準(zhǔn)

30.Boat：擴(kuò)散用（石英）舟

32.Characterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。

36.CIM：computer-integratedmanufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。

39.Compensationdoping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。

40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。

41.Computer-aideddesign（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。

42.Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。

43.Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。44.Controlchart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45.Correlation：相關(guān)性。46.Cp：工藝能力，詳見processcapability。47.Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。

48.Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。49.Damage：損傷。50.Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。

51.Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）

52.Depletionlayer：耗盡層?？蓜?dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。

"53.Depletionwidth：耗盡寬度。

55.Depthoffocus（DOF）：焦深。

56.designofexperiments(DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。

58.developer：Ⅰ）顯影設(shè)備；Ⅱ）顯影液

59.diborane(B2H6)：乙硼烷，60.dichloromethane(CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。

61.dichlorosilane(DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。

062.die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。

63.dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料；64.diffusedlayer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。

65.disilane(Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。

66.drive-in

68.effectivelayerthickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。

69.EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。

70.epitaxiallayer：外延層。

75.featuresize：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。

76.field-effecttransistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端。

78.flat：平邊

79.flatbandcapacitanse：平帶電容

80.flatbandvoltage：平帶電壓

81.flowcoefficicent：流動(dòng)系數(shù)

82.flowvelocity：流速計(jì)

83.flowvolume：流量計(jì)

,84.flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)

85.forbiddenenergygap：禁帶

86.four-pointprobe：四點(diǎn)探針臺(tái)

87.functionalarea：功能區(qū)

89.glasstransitiontemperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90.gowning：凈化服

91.grayarea：灰區(qū)

92.grazingincidenceinterferometer：切線入射干涉儀

93.hardbake：后烘

94.heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法

95.high-currentimplanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)

96.hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒

!97.host：主機(jī)

98.hotcarriers：熱載流子

99.hydrophilic：親水性

100.hydrophobic：疏水性

101.impurity：雜質(zhì)

.摻雜102.inductivecoupledplasma(ICP)：感應(yīng)等離子體

103.inertgas：惰性氣體

104.initialoxide：一氧

105.insulator：絕緣

106.isolatedline：隔離線

109.junction:結(jié)

110.junctionspikingn:鋁穿刺

111.kerf:劃片槽

113.lithographyn制版

114.maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能116.majoritycarriern:多數(shù)載流子

117.masks,deviceseriesofn:一成套光刻版

118.materialn:原料

119.matrixn1:矩陣

120.meann:平均值

122.mediann:中間值

123.memoryn:記憶體125.nanometer(nm)n：納米

126.nanosecond(ns)n：納秒

127.nitrideetchn：氮化物刻蝕

130.ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻

131.orientationn：晶向，一組晶列所指的方向

132.overlapn：交迭區(qū)

134.phosphorus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素

135.photomaskn：光刻版，用于光刻的版

136.photomask,negativen：反刻

137.images：去掉圖形區(qū)域的版

138.photomask,positiven：正刻

139.pilotn：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子

142.plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝

143.pnjunctionn：pn結(jié)

144.pockedbeadn：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠

145.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語

146.polyciden：多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)

147.polycrystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。148.polymorphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象

149.probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。

150.processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。

'151.proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。152.purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153.quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。

154.quartzcarriern:石英舟。155.randomaccessmemory(RAM)n:隨機(jī)存儲(chǔ)器。156.randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。157.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理(RTP)。

159.reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。

[162.scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。

163.scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。

164.Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。

165.scribelinen:劃片槽。

166.sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。168.sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。

169.sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。

170.silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片

171.smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。

172.sourcecode:原代碼173.spectralline:光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。

174.spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。

(176.stackingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。

177.steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。

178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。

179.stepper:步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光）

180.stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。

181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。

,^-182.symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。183.tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。

184.Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185.temperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。

186.testability:易測性，對(duì)于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。187.thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。

189.titanium(Ti):鈦。

190.toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。

191.1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。

193.tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。

194.tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。

195.totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196.watt(W):瓦。能量單位。

197.waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。

203.window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。

205.vaporpressure:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。207.transitionmetals:過渡金屬

PAC感光化合物

ASIC特殊應(yīng)用集成電路

Solvent溶劑

:Carbide碳

Refractive折射

Expansion膨脹

TM:topmental頂層金屬層

WEE周邊曝光

POD裝晶舟和晶片的盒子

Reticle光罩

Spin旋轉(zhuǎn)

A/D[軍]Analog.Digital,模擬/數(shù)字

ACMagnitude交流幅度

ACPhase交流相位

Accuracy精度

"ActivityModel

ActivityModel"活動(dòng)模型

AdditiveProcess加成工藝

Adhesion附著力

Aggressor干擾源

AnalogSource模擬源

AOI,AutomatedOpticalInspection自動(dòng)光學(xué)檢查

AssemblyVariant不同的裝配版本輸出

Attributes屬性

AXI,AutomatedX-rayInspection自動(dòng)X光檢查

BIST,Built-inSelfTest內(nèi)建的自測試

BusRoute總線布線

Circuit電路基準(zhǔn)

.circuitdiagram電路圖

Clementine專用共形開線設(shè)計(jì)

ClusterPlacement簇布局

CM合約制造商

CommonImpedance共模阻抗

Concurrent并行設(shè)計(jì)

ConstantSource恒壓源

CooperPour智能覆銅

Crosstalk串?dāng)_CVT,ComponentVerificationandTracking元件確認(rèn)與跟蹤

DCMagnitude直流幅度

Delays延時(shí)

DesignforTesting可測試性設(shè)計(jì)

Designator標(biāo)識(shí)

DFC,DesignforCost面向成本的設(shè)計(jì)

DFM,DesignforManufacturing面向制造過程的設(shè)計(jì)

DFR,DesignforReliability面向可靠性的設(shè)計(jì)

DFT,DesignforTest面向測試的設(shè)計(jì)

DFX,DesignforX面向產(chǎn)品的整個(gè)生命周期或某個(gè)環(huán)節(jié)的設(shè)計(jì)

DSM,DynamicSetupManagement動(dòng)態(tài)設(shè)定管理

DynamicRoute動(dòng)態(tài)布線

EDIF,TheElectronicDesignInterchangeFormat電子設(shè)計(jì)交互格式

EIA,ElectronicIndustriesAssociation電子工業(yè)協(xié)會(huì)

ElectroDynamicCheck動(dòng)態(tài)電性能分析

ElectromagneticDisturbance電磁干擾

ElectromagneticNoise電磁噪聲EMC,ElctromagneticCompatibilt電磁兼容

EMI,ElectromagneticInterference電磁干擾

Emulation硬件仿真

EngineeringChangeOrder原理圖與PCB版圖的自動(dòng)對(duì)應(yīng)修改

Ensemble多層平面電磁場仿真ESD靜電釋放

FallTime下降時(shí)間

FalseClocking假時(shí)鐘

FEP氟化乙丙烯

FFT,FastFourierTransform快速傅里葉變換

FloatLicense網(wǎng)絡(luò)浮動(dòng)

FrequencyDomain頻域

GaussianDistribution高斯分布

Globalflducial板基準(zhǔn)

GroundBounce地彈反射

GUI,GraphicalUserInterface圖形用戶界面

Harmonica射頻微波電路仿真

HFSS三維高頻結(jié)構(gòu)電磁場仿真

IBIS,Input/OutputBufferInformationSpecification模型

ICAM,IntegratedComputerAidedManufacturing在ECCE項(xiàng)目里就是指制作PCB

$IEEE,TheInstituteofElectricalandElectronicEngineers國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)IGES,InitialGraphicsExchangeSpecification三維立體幾何模型和工程描述的標(biāo)準(zhǔn)

ImageFiducial電路基準(zhǔn)Impedance阻抗

!In-Circuit-Test在線測試

InitialVoltage初始電壓

InputRiseTime輸入躍升時(shí)間

'IPC,TheInstituteforPackagingandInterconnect封裝與互連協(xié)會(huì)

IPO,InteractiveProcessOptimizaton交互過程優(yōu)化

*ISO,TheInternationalStandardsOrganization國際標(biāo)準(zhǔn)化組織

Jumper跳線

LinearDesignSuit線性設(shè)計(jì)軟件包

LocalFiducial個(gè)別基準(zhǔn)manufacturing制造業(yè)

MCMs,Multi-ChipModules多芯片組件

MDE,MaxwellDesignEnvironment

NonlinearDesignSuit非線性設(shè)計(jì)軟件包

ODB++OpenDataBase公開數(shù)據(jù)庫

OEM原設(shè)備制造商

OLEAutomation目標(biāo)連接與嵌入

On-lineDRC在線設(shè)計(jì)規(guī)則檢查

Optimetrics優(yōu)化和參數(shù)掃描Overshoot過沖

Panelfiducial板基準(zhǔn)

PCBPCBoardLayoutTools電路板布局布線

PCB,PrintedCircuitBoard印制電路板

Period周期

PeriodicPulseSource周期脈沖源

PhysicalDesignReuse物理設(shè)計(jì)可重復(fù)PI,PowerIntegrity電源完整性

Piece-Wise-linearSource分段線性源

Preview輸出預(yù)覽

PulseWidth脈沖寬度

PulsedVoltage脈沖電壓QuiescentLine靜態(tài)線RadialArrayPlacement極坐標(biāo)方式的元件布局

Reflection反射

Reuse實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)重用

RiseTime上升時(shí)間

Rnging振蕩,信號(hào)的振鈴

Rounding環(huán)繞振蕩

RulesDriven規(guī)則驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)SaxBasicEngine設(shè)計(jì)系統(tǒng)中嵌入SDE,SerenadeDesignEnvironment

SDT,SchematicDesignTools電路原理設(shè)計(jì)工具SettlingTime建立時(shí)間

ShapeBase以外形為基礎(chǔ)的無網(wǎng)格布線

Shove元器件的推擠布局

SI,SignalIntegrity信號(hào)完整性

Simulation軟件仿真Sketch草圖法布線

Skew偏移

SlewRate斜率

SPC,StaticticalProcessControl統(tǒng)計(jì)過程控制

SPI,Signal-PowerIntegrity將信號(hào)完整性和電源完整性集成于一體的分析工具

SPICE,SimulationProgramwithIntegratedCircuitEmphasis集成電路模擬的仿真程序

/Split/MixedLayer多電源/地線的自動(dòng)分隔

SSO同步交換

STEP,StandardfortheExchangeofProductModelData

Symphony系統(tǒng)仿真

Timedomain時(shí)域

TimestepSetting步進(jìn)時(shí)間設(shè)置

.UHDL,VHSICHardwareDescriptionLanguage硬件描述語言

Undershoot下沖UniformDistribution均勻分布

Variant派生

VIA-VendorIntegrationAlliance程序框架聯(lián)盟

Victim被干擾對(duì)象

VirtualSystemPrototype虛擬系統(tǒng)原型VST,VerficationandSimulationTools驗(yàn)證和仿真工具

Wizard智能建庫工具,向?qū)?/p>

2.專業(yè)術(shù)語

術(shù)語英文意義中文解釋

LCDLiquidCrystalDisplay液晶顯示

LCMLiquidCrystalModule液晶模塊

TNTwistedNematic扭曲向列。液晶分子的扭曲取向偏轉(zhuǎn)90度

STNSuperTwistedNematic超級(jí)扭曲向列。約180～270度扭曲向列

FSTNFormulatedSuperTwistedNematic格式化超級(jí)扭曲向列。一層光程補(bǔ)償偏甲于STN，用于單色顯示

TFTThinFilmTransistor薄膜晶體管

Backlight-背光Inverter-逆變器

OSDOnScreenDisplay在屏上顯示

DVIDigitalVisualInterface（VGA）數(shù)字接口

TMDSTransitionMinimizedDifferentialSingnaling

LVDSLowVoltageDifferentialSignaling低壓差分信號(hào)Panelink-

TCPTapeCarrierPackage柔性線路板

COBChipOnBoard通過綁定將IC裸偏固定于印刷線路板上

COFChipOnFPC將IC固定于柔性線路板上COGChipOnGlass將芯偏固定于玻璃上

Duty-占空比，高出點(diǎn)亮的閥值電壓的部分在一個(gè)周期中所占的比率

ELElextroLuminescence電致發(fā)光。EL層由高分子量薄片構(gòu)成

CCFL(CCFT)ColdCathodeFluorescentLight/Tude冷陰極熒光燈

PDPPlasmaDisplayPanel等離子顯示屏CRTCathodeRadialTude陰極射線管

VGAVideoGraphicAnay視頻圖形陳列

PCBPrintedCircuitBoard印刷電路板Compositevideo-復(fù)合視頻

componentvideo-分量視頻

S-video-S端子，與復(fù)合視頻信號(hào)比，將對(duì)比和顏色分離傳輸

NTSCNationalTelevisionSystemsCommitteeNTSC制式。全國電視系統(tǒng)委員會(huì)制式

PhaseAlrernatingLinePAL制式（逐行倒相制式）SEquentialCouleurAvecMemoireSECAM制式（順序與存儲(chǔ)彩色電視系統(tǒng)）

VideoOnDemand視頻點(diǎn)播

DPIDotPerInch點(diǎn)每英寸

.3.A.M.U原子質(zhì)量數(shù)

4.ADIAfterdevelopinspection顯影后檢視6.Alignment排成一直線，對(duì)平7.Alloy融合：電壓與電流成線性關(guān)系，降低接觸的阻值

8.ARC：anti-reflectcoating防反射層

10.ASI光阻去除后檢查

13.Beam-Current電子束電流

15.Break中斷，stepper機(jī)臺(tái)內(nèi)中途停止鍵

20.Childlot子批

21.Chip(die)晶粒

23.Coater光阻覆蓋（機(jī)臺(tái)）

25.ContactHole接觸窗

26.ControlWafer控片

27.Criticallayer重要層29.Cycletime生產(chǎn)周期

32.Descum預(yù)處理

35.DG:dualgate雙門

38.Doping摻雜

39.Dose劑量

940.Downgrade降級(jí)

41.DRC:designrulecheck設(shè)計(jì)規(guī)則檢查

48.ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage靜電離子損傷

53.FIB:focusedionbeam聚焦離子束

55.Flatness平坦度

57.F