efm32tg用戶手冊(cè)第第1章低功耗微控制器

目第1章低功耗微控制 典型應(yīng) 第2章關(guān)于文 相關(guān)約 參考文 第3章系統(tǒng)概 簡(jiǎn) 特 結(jié)構(gòu)框 功耗模 產(chǎn)品綜 第4章系統(tǒng)處理 簡(jiǎn) 特 功能描 中斷操 第5章存儲(chǔ)與總線系 簡(jiǎn) 功能描 外 總線矩 訪問(wèn)低功耗外設(shè)（異步寄存器 簡(jiǎn) 第6章DBG調(diào)試接 簡(jiǎn) 特 功能描 調(diào)試上鎖和設(shè)備擦 寄存器示意 寄存器描 i第1EFM32TG（TinyGecko）適合于低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合，可替換對(duì)功耗有高要求的8位、EFM32TGCortex-M3內(nèi)核，嵌入式開(kāi)發(fā)者能夠通過(guò)現(xiàn)存開(kāi)發(fā)套件快速地學(xué)習(xí)和使第2章關(guān)于文檔EFM32TGEFM32其他系列微控制器不具備。關(guān)于不TIMERn_CTRL——控制寄存器，“n”代表所屬于的功能模塊的序號(hào)。塊寄存器Map）計(jì)算得到。RW存器寫入時(shí)寫入數(shù)值0。保留位在將來(lái)使用中將可能讀取數(shù)值為1。引腳連接通過(guò)使用功能模塊前綴和引腳縮寫定義：USn_TX（USARTnTX引腳）。關(guān)EnergyMirco第3章系統(tǒng)概述EFM32MCU32位ARMCortex-M3內(nèi)核、創(chuàng)新性的低功耗技術(shù)、從低功耗模式中能迅速的喚醒、具有豐富的外設(shè)等特性。EFM32TG微ARMCortex-M3（WIC20nA@3V關(guān)閉模式（ShutoffMode；Mode52μA/MHz@3V睡眠模式（SleepMode；Mode32/16/8KB4/2/1KB2支持深度模式（DeepSleepMode）DMA216位定時(shí)器/3個(gè)比較/捕獲/PWM24116121Msample/sA/D12500Ksample/sD/A2路單端輸出/1模式（EnergyMode）中是否處在工作狀態(tài)。顏色與功耗模式的關(guān)系請(qǐng)參看圖3.2。3.1EFM32TG3.23.2所示的顏色上的數(shù)值代表著不同功耗模式EMn（EnergyModenEFM32TG5種不同的功耗模式（EnergyModes，EM0-EM4）。EFM32TG可以實(shí)表 功耗模式描EM0-EnergyMode0（運(yùn)行模式耗為EM1-EnergyMode1（睡眠模式EM1功耗模式下，CPUEM232.768KHzRTC使能外設(shè)高度自主管理的條件EM3-EnergyMode3（停止模式I2CEM3模式工作，喚醒定時(shí)器能EM4-EnergyMode4（關(guān)閉模式所有引腳保持復(fù)位狀態(tài)，功耗低至20nA第4Cortex-M3內(nèi)核設(shè)計(jì)而來(lái)。ARMCortex-M3在低成本、度和更高的32位指令吞吐EFM32TG結(jié)合了低功耗的外設(shè)設(shè)計(jì)，并充分發(fā)揮了Cortex-M3內(nèi)核具有的哈佛結(jié)構(gòu)、3級(jí)流水線、單周期Thumb-2指令集8位~32位微速的中斷響應(yīng)特性，能很好地滿足與低成本和低功耗的應(yīng)用需求。EFM32TG采用的Cortex-M3版本未r2p1。獨(dú)立分離的數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)總線（避免了單總線系統(tǒng)帶來(lái)的存儲(chǔ)速度瓶頸3可參閱《EFM32Cortex-M3ReferenceManual》文檔深入了解。4.1EFM32TG微控制器連接到Cortex-M3內(nèi)核的中斷請(qǐng)求線（IRQ）31個(gè)。每一個(gè)中（IEN寄存器）進(jìn)行與操作然后產(chǎn)生IRQ請(qǐng)求。高優(yōu)先級(jí)的IRQ請(qǐng)求將置位Cortex-M3內(nèi)核中NVIC對(duì)應(yīng)的掛起位（pendingbit，掛起位同樣也可以通過(guò)ISPRO/ICPR0寄存器中的SETPEND/CLRPEND位置位/清零）。掛起位和內(nèi)核中的中斷使能位（ISEPR0/ICER0中的0123456789第5集成低功耗數(shù)據(jù)保存的FLASHRAM的短延時(shí)系統(tǒng)使得功耗RAM保持將降低保存數(shù)據(jù)到Flash的必要而微控制器能夠頻繁地工作在極低功耗的EM2和Flash存儲(chǔ)器保存著的程序和應(yīng)用數(shù)據(jù)能夠容易地在系統(tǒng)重編程。低漏電數(shù)據(jù)RAM在EM0-EM3模式下均保持，減低能夠在確定的時(shí)間內(nèi)執(zhí)行快速上。4個(gè)AHB總線主機(jī)包括：Cortex-M3ICode：用于從代碼存儲(chǔ)空間獲取指令（0x00000000~0x1FFFFFFF；FFFF；Cortex-M3System:用于從系統(tǒng)地址空間進(jìn)行指令獲取、數(shù)據(jù)和調(diào)試訪問(wèn)（0x20000000~0xDFFFFFFF，0xE0100000~0xFFFFFFFF；FFFF；

5.1EFM32TG5.2SRAM時(shí)，Cortex-M3System總線接口進(jìn)行取指，同時(shí)SRAM中有效地執(zhí)行代碼，SRAM0x10000000開(kāi)始的地址段。當(dāng)線接口單獨(dú)用于數(shù)據(jù)訪問(wèn)，充分發(fā)揮Cortex-M3的性能優(yōu)勢(shì)。SRAM位帶別名和外設(shè)位帶別名段分別位于0x220000000x42000000。對(duì)于SRAM區(qū)域Set/ClearBit_address=0x22000000+(address–0x20000000)×32+bitBit_address=0x42000000+(address–0x40005.10x400E0000~0x400E5.25.30x4000E400~0x4000當(dāng)于4倍的單獨(dú)AHB總線接口。外設(shè)時(shí)鐘等于或大于HFCORECLKNcycles=2外設(shè)時(shí)鐘等于或大于HFCORECLKNcycles=2+NslaveNcycles=(2+NslaveLCD驅(qū)動(dòng)器-TinyGecko2種不同的同步機(jī)制：立即同步和延時(shí)注意：在Gecko系列微控制器所有LE外設(shè)（低功耗外設(shè)）忙標(biāo)志位將置1。在延時(shí)同步的過(guò)程中該標(biāo)志位將一直保持，直到完成后清除。寄存器寫入之后，它不要求等待直到SYNCBUSY寄存器相關(guān)標(biāo)志位清除。例如寫入寄存器后，微控制器將直接進(jìn)入EM2模式。5.3它的值總是為0，指示寄存器的寫入是安全的。的情況。在讀操作前，請(qǐng)先查詢SYNCBUSY寄存器中寫入低功耗外設(shè)操作正確狀態(tài)標(biāo)志位。5.4該寄存器包含名為REGFREEZE的位。如果要求精確的同步處理，該位可以被利用上。當(dāng)REGFREEZE1，同步處理被停止，在同步處理開(kāi)始前，允許軟件寫入多個(gè)低功耗寄存器，這樣就可以提供模塊更新處理的精確控制。同步處理通過(guò)清除REGFREEZE標(biāo)志位512字節(jié)每頁(yè)（最小的擦除單位bits；在SRAM、Flash和外設(shè)之間執(zhí)行數(shù)據(jù)傳輸。band；5.40x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[14:8]:1.25V的參考源增益[6:0]:1.25V0x0FE0[14:8]:2.5V的參考源增益[6:0]:2.5V0x0FE0置0x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[22:16]:1.25V參考源增益[13:8]:1.25V0x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE00x0FE0[7:0]:EFM32系列號(hào)碼0x0FE0第6章DBGDBG用于編程和調(diào)試EFM32TGI/O引腳，使得在線重復(fù)編程和更新系統(tǒng)Cortex-M3支持先進(jìn)的調(diào)試特性。EFM32TG2個(gè)引腳1線串行觀察器，能夠用于輸出截取信息（profilingInformation）、數(shù)據(jù)跟蹤和軟件產(chǎn)生信Flash補(bǔ)丁和斷點(diǎn)（FPB）實(shí)現(xiàn)觀察點(diǎn)、觸發(fā)源和系統(tǒng)截取信息指令跟蹤宏單元TechnicalReferenceManual》和《ARMCoreSightTechnicalReferenceManual》。能，詳細(xì)情況請(qǐng)參看7.3.2小節(jié)。阻止。該訪問(wèn)機(jī)制將由AuthenticationAccessPort（AAP）控制，如圖6.1所示。6.1AHB-AP40ms內(nèi)完成。需要注意在設(shè)備擦除操作中SRAM內(nèi)容也將被刪除。調(diào)試器可以讀取AAP_STATUS寄存器的狀態(tài)。當(dāng)在AAP_CMD寄存器的DEVICEERASE1之后，ERASEBUSY