白光LED封裝色坐標(biāo)分析

.z.白光LED封裝由于高輝度藍(lán)光LED的問(wèn)世，因此利用熒光體與藍(lán)光LED的組合，就可輕易獲得白光LED。目前白光LED已成為可攜式信息產(chǎn)品的主要背光照明光源，未來(lái)甚至可成為一般家用照明光源。此外最近幾年出現(xiàn)高功率近紫外LED，同樣的可利用熒光體變成白光LED，LED的特點(diǎn)是小型、低耗電量、壽命長(zhǎng)，若與具備色彩設(shè)計(jì)自由度、穩(wěn)定、容易處理等特點(diǎn)的熒光體組合時(shí)，就可成為全新的照明光源。通常LED與熒光體組合時(shí)，典型方法是將熒光體設(shè)于LED附近，主要原因是希望熒光體能高效率的將LED產(chǎn)生的光線作波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換，而將熒光體設(shè)于光線放射密度較高的區(qū)域，對(duì)波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換而言是最簡(jiǎn)易的方法。此外熒光體封裝方法決定白光LED的發(fā)光效率與色調(diào)，因此接著將根據(jù)白光化的觀點(diǎn)，深入探討LED與熒光體的封裝技術(shù)。藍(lán)色LED+YAG熒光體的白光化封裝圖1是目前已商品化白光LED，具體而言它是將可產(chǎn)生黃光的YAG:Ce熒光體分散于透明的環(huán)氧樹(shù)脂內(nèi)，再用設(shè)于碗杯內(nèi)的藍(lán)色LED產(chǎn)生的光線激發(fā)轉(zhuǎn)換成白光，這種方式的白光發(fā)光機(jī)制是利用LED產(chǎn)生藍(lán)色光線，其中部份藍(lán)光會(huì)激發(fā)YAG熒光體變成黃色發(fā)光，剩余的藍(lán)光則直在外部進(jìn)行藍(lán)光與黃光混色進(jìn)而變成白光，這種方式的特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，只需在LED的制作過(guò)成中追加熒光體涂布工程即可，因此可以大幅抑制制作成本，此外另一特點(diǎn)是色度調(diào)整非常單純。圖1藍(lán)光LED+YAG熒光體圖2是改變樹(shù)脂內(nèi)YAG熒光體濃度之后，LED色坐標(biāo)plot的結(jié)果，由圖可知只要色坐標(biāo)是在LED與YAG熒光體兩色坐標(biāo)形成的直線*圍內(nèi)，就可任意調(diào)整色調(diào)，依此可知YAG熒光體濃度較低時(shí)，藍(lán)色穿透光的比率較多，整體就會(huì)呈藍(lán)色基調(diào)白光；相對(duì)的如果YAG熒光體濃度較高時(shí)，黃色轉(zhuǎn)換光的比率較多，整體呈黃色基調(diào)白光。如上所述將部份藍(lán)色LED當(dāng)作互補(bǔ)色的方式，不需要高密度(與樹(shù)脂的百分比)的熒光體涂布，因此可以有效降低熒光體的使用量。一般而言熒光體與樹(shù)脂的百分比，雖然會(huì)隨著YAG熒光體的轉(zhuǎn)換效率，與碗杯的形狀而改變，不過(guò)10～20wt%左右低配合比就能獲得白光。此外由于藍(lán)光LED放射的光強(qiáng)度，在中心軸與周圍的分布并不相同，即使LED芯片周圍的YAG熒光體的密度完全相同，仍然會(huì)造成軸上與周圍的光線不均等問(wèn)題，這也是今后必需克服的課題之一。圖3是藍(lán)光LED+YAG熒光體白光LED制作流程；圖4典型的發(fā)光頻譜，由圖可知LeadFrameType與ChipType都是將藍(lán)光LED設(shè)于碗杯內(nèi)，再用混有定量YAG熒光體的樹(shù)脂涂布封裝。由于LED具備小型、省電、長(zhǎng)壽等特征，因此已經(jīng)廣泛應(yīng)用于行動(dòng)、PDA等可攜式信息產(chǎn)品的背光照明光源，以及步道引導(dǎo)燈等領(lǐng)域。圖2藍(lán)光LED+YAG熒光體的色度調(diào)整方法圖3熒光體的涂布工程圖4YAG熒光體+藍(lán)光LED的發(fā)光頻譜近紫外LED+RGB熒光體的白光化封裝有關(guān)LED芯片與熒光體組合構(gòu)成白光LED的方式，除了以上介紹的藍(lán)色LED+YAG熒光體以外，近紫外LED+RGB熒光體的組合方式，最近也越來(lái)越受到重視，這種方式的特征是將LED產(chǎn)生的近紫外光，分別轉(zhuǎn)換成R、G、B再合成變成白光，它所cover的白光領(lǐng)域比藍(lán)色LED+YAG熒光體方式更寬廣，此外紫外光轉(zhuǎn)換成R、G、B的動(dòng)作原理與傳統(tǒng)熒光燈相同，因此沒(méi)有色彩不均的困擾而且演色性非常優(yōu)秀。利用R、G、B熒光體產(chǎn)生白光的場(chǎng)合，通常事先會(huì)根據(jù)一定的混合比率調(diào)整各熒光體，因此接著要介紹熒光體的調(diào)整方法。一般而言評(píng)鑒光源色彩時(shí)，若使用*YZ表色系(CIE1931)作說(shuō)明會(huì)比較容易理解?；旧纤歉?YZ表色系再用下式求得光源色彩的三個(gè)刺激值:S(λ):光源放射量的相對(duì)分光分布。:*YZ表色系的等色關(guān)數(shù)。

k:比例系數(shù)。接著利用式(1)求得的三個(gè)刺激值*YZ，代入下式就可求得色度坐標(biāo)*,y,z:此外*YZ表色系的等色關(guān)數(shù)，相當(dāng)于標(biāo)準(zhǔn)比視感度V(λ)，因此利用式(1)求得的Y刺激值成為表示亮度的尺寸。一般光源的色彩是用(Y，*，y)方式表示，因此又稱為CIE表色值。

RGB熒光體的場(chǎng)合，若欲利用各熒光體的CIE表色值作簡(jiǎn)計(jì)算，必需先用熒光分光器量測(cè)相對(duì)分光分布，再代入式(1)與式(2)就可獲得各表色值，這種情況通常會(huì)希望激發(fā)各熒光體的波長(zhǎng)，都能落在LED發(fā)光中心波長(zhǎng)附近，如此一來(lái)就能以相同的測(cè)試條件，利用各熒光體的相對(duì)分光分布使表色值作相對(duì)性處理。此處假設(shè)RGB熒光體的表色(Y，*，y)分別如下:R熒光體:(YR，*R，yR)

G熒光體:(YG，*G，yG)

B熒光體:(YB，*B，yB)

有關(guān)白色目標(biāo)色度坐標(biāo)W(*W，yW)的各Y刺激值比率(YR，YG，YB)，根據(jù)加法混色法則下列關(guān)系就能成立:Y:YG:YB=

此處(*0，y0)表示直線R-G與直線R-W的交點(diǎn)坐標(biāo)。圖5RGB熒光體的色度調(diào)整方法實(shí)際混合制程是將RGB熒光體的色度坐標(biāo)代入式(3)，依此方式所求得的Y刺激值比率可用混合率加以調(diào)整。假設(shè)各熒光體的Y刺激值量測(cè)結(jié)果為YY，Yg，Yb，如此一來(lái)可變成白色目標(biāo)色度坐標(biāo)W的混合比率(R:G:B)就可用下式表示:

通?；旌现瞥檀蠖嗖捎弥亓勘确绞剑虼烁鳠晒怏w之間的借貸密度差很大時(shí)就必需修正式(4)。假設(shè)RGB各熒光體之間的借貸密度分別是(DY，Dg，Db)，則混合比率(R:G:B)可用下式表示:

圖6是調(diào)整后的RGB混合熒光體混入適當(dāng)?shù)耐该髂z合劑(binder)，并涂布在透明基板上，制成試樣時(shí)的近紫外LED(發(fā)光峰值波長(zhǎng)為384nm)發(fā)光特性。一般熒光體膜層的穿透輝度有所謂的峰值厚度，如果膜厚超過(guò)峰值厚度，穿透輝度會(huì)隨著厚度的增加逐漸降低。造成該現(xiàn)象主要原因是激發(fā)光照射方向與取光方向相同有關(guān)，尤其是激發(fā)照射面附近密度較高的光線，會(huì)隨著厚度的增加容易被遮蔽；相較之下反射輝度則是隨著膜層厚度而增加，如同穿透輝度一樣它不會(huì)因?yàn)槟雍穸仍黾佣鴾p少，該現(xiàn)象與上述的情況不同，主要原因是激發(fā)光照射方向與取光方向相反所造成，換句話說(shuō)激發(fā)密度較高的照射面附近的光線取出與膜層厚度無(wú)關(guān)，由來(lái)可獲得一項(xiàng)結(jié)論，就是利用上述方式使藍(lán)光LED轉(zhuǎn)換成白光時(shí)，為得到較高的光線轉(zhuǎn)換效率，因此希望LED產(chǎn)生的紫外光，都能被RGB熒光體轉(zhuǎn)換成可視光，尤其是該需求與上述的藍(lán)光LED+YAG熒光體方式比較時(shí)，更突顯提高熒光體膜層的熒光體充填密度重要性。圖7是利用SE取得的不同熒光體充填密度的膜層斷面照片。圖6RGB熒光體的發(fā)光特性圖7RGB熒光體膜層的斷面由圖7(a)可知binder與熒光體的混合較高時(shí)，熒光體充填密度也隨著增高，根據(jù)圖6的方法利用近紫外LED激發(fā)試料時(shí)，穿透輝度峰值的膜厚等同于實(shí)用膜厚(50～100μm)，因此紫外線穿透比較少；相對(duì)的圖7(b)的binder與熒光體混合較低時(shí)，熒光體充填密度隨著減少，熒光體膜層內(nèi)的binder體積率變大，因此利用近紫外LED激發(fā)試料時(shí)，部份激發(fā)紫外光不但無(wú)法被熒光體吸收，反而會(huì)穿過(guò)binder放射至外部，使得紫外光穿透量變多，而轉(zhuǎn)換成可視光的換換效率亦隨著降低，除此之外穿透輝度達(dá)到峰值時(shí)的膜厚，則會(huì)朝更厚方向移動(dòng)而該膜厚比實(shí)用膜厚更厚，因此一般與紫外LED組合的熒光體膜層，大多會(huì)采用較高的充填密度。圖6是典型的近紫外LED＋RGB熒光體的封裝方法，實(shí)際上這種封裝方法可分為穿透式與反射式兩種。圖8是穿透式的封裝方式，基本上它是用GaN系近紫外LED以FlipChip方式封裝于藍(lán)寶石基板，再用高反射率金屬當(dāng)電極，因此它的光輸出是傳統(tǒng)透明電極faceup結(jié)構(gòu)的二倍左右。由于電極導(dǎo)線直接從LEDchip取至外部，因此可將熒光體層設(shè)于LEDchip表面。有關(guān)熒光體的封裝，基本上它是在玻璃基板上，制作紫外線反射膜與RGB熒光體層，接著再加工成與LEDchipsize大小相同的外形，設(shè)于熒光體下方并與LEDchip接合，為了使LEDchip端面射出的紫外線也能轉(zhuǎn)換成可視光，因此LEDchip周圍涂有熒光體，最后再用樹(shù)脂封裝變成穿透型白光LED。圖9是典型的反射式白光LED，由圖可知它是由一對(duì)電極與涂有熒光體的凹形碗杯所構(gòu)成，F(xiàn)lipChip紫外LED被bonding后，與設(shè)有紫外線反射膜層與外部電極的玻璃基板貼合，內(nèi)部再用樹(shù)脂或是惰性氣體密封，形成反射式白光LED。根據(jù)以上的說(shuō)明可知不論何種方式，利用熒光體轉(zhuǎn)高效率換成可視光時(shí)紫外光的泄漏量并非零，因?yàn)槠渲胁糠葑贤夤鈺?huì)放射至外部，所以必需設(shè)置紫外光反射膜，也就是說(shuō)如何亦提高熒光體的轉(zhuǎn)換效率成為今后主要課題之一。圖10是發(fā)光頻譜的實(shí)例。圖9反射式白光LED的結(jié)構(gòu)圖10白光LED(近紫外LED+RGB熒光體)高功率白光LED的封裝以上介紹的白光LED芯片，大小大約是0.3mm正方，每個(gè)LED的光束大約是1～2流明左右，如果以白光LED當(dāng)作一般照明光源，甚至要取代全光束為800流明的60瓦燈泡，至少必需使用500個(gè)的白光LED，如此一來(lái)對(duì)白光LED而言，勢(shì)必喪失原有的優(yōu)勢(shì)，因此相關(guān)業(yè)界相繼提案希望加大LED芯片尺寸，藉此提高每個(gè)LED的光束，例如LED芯片的大小若是1mm正方時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流會(huì)從目前的20mA提高10倍變成200mA，如此便可大幅提高光輸出，不過(guò)提高輸出會(huì)面臨如何有效排放LED芯片產(chǎn)生的熱能等問(wèn)題。一般利用近紫外激發(fā)熒光體產(chǎn)生白光的藍(lán)光LED，外部量子效率(注入芯片的電子數(shù)與取至外部光子數(shù)的百分比)大約是10～20%，最近發(fā)表的近紫外LED外部量子效率則為30%，換句話說(shuō)其它電氣能量大部份都在LED芯片內(nèi)轉(zhuǎn)成熱能，而且LED芯片產(chǎn)生的熱能是與驅(qū)動(dòng)電流成比例增加，加上芯片周圍的溫度上升會(huì)造成LED的發(fā)光峰值波長(zhǎng)移動(dòng)、熒光體的發(fā)光效率降低、周圍材料劣化等問(wèn)題，因此封裝整體的散熱設(shè)計(jì)成為高功率LED不可或缺的一環(huán)。圖11是HeatSinkTypeStem上方mount1mm正方的近紫外LED的外觀圖，該LED的順向電流500mA時(shí)的光輸出為190mW，發(fā)光峰值波長(zhǎng)為384mm,50～500mA時(shí)的發(fā)光峰值波長(zhǎng)移動(dòng)低于0.5nm，圖12是封裝熒光體時(shí)的點(diǎn)燈外觀。樹(shù)脂Mould?LED密封樹(shù)脂的現(xiàn)況

LED依照封裝外形可分為表面封裝型與炮彈型兩種，以往是以炮彈型為主流，之后由于小型化的需求，造成表面封裝型的需求逐漸增加，不過(guò)最近基于大電流與散熱結(jié)構(gòu)等考量，因此出現(xiàn)所謂的大型封裝技術(shù)。表面封裝型又可分為利用transfermould，將設(shè)于印刷基板上的組件與金線密封(照片1-①)方式，與利用reflector形成leadframe方式(照片1-②、1-③)兩大類。照片1商品化的LED種類與結(jié)構(gòu)?透明液狀環(huán)氧樹(shù)脂

LED常用的透明環(huán)氧樹(shù)脂主要是利用酸無(wú)水物硬化效應(yīng)，主劑與硬化劑兩液使用前必需均勻混合才能使用，主劑成份是Epo*yOligomer、粘度調(diào)整劑、著色劑等等；硬化劑成份是酸無(wú)水物與觸媒量硬化促進(jìn)劑，雖然硬化物性會(huì)隨著主劑與硬化劑的配合比改變，不過(guò)一般是設(shè)計(jì)成當(dāng)量比為1:1，就可獲得最適宜的物性。圖13是LED用透明環(huán)氧樹(shù)脂主成份的構(gòu)造式。一般而言所謂的Epo*yOligomer是以Bis-PhenolAGlycigeruAther與Bis-PhenolFType為主，此外為防止玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)變高、樹(shù)脂變色，所以添加脂環(huán)式Epo*y。圖13LED封裝用環(huán)氧樹(shù)脂的成份結(jié)構(gòu)式雖然有許多硬化劑與硬化促進(jìn)劑可供環(huán)氧樹(shù)脂選擇，不過(guò)應(yīng)用在LED的密封必需是透明狀硬化物，因此硬化劑的使用受到相當(dāng)程度的限制，例如酸無(wú)水物通常會(huì)選用MeHHPA或是HHPA；硬化促進(jìn)劑則以Amine系、Imidazol、Lin系為主，不過(guò)實(shí)際成份則是各廠商的knowhow。如上所述環(huán)氧樹(shù)脂含有許多成份，所以它的反應(yīng)結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。圖14是使用Amine系硬化劑的酸無(wú)水物硬化反應(yīng)結(jié)構(gòu)。圖14酸無(wú)水物硬化環(huán)氧樹(shù)脂的反應(yīng)結(jié)構(gòu)?TransferMould樹(shù)脂所謂的TransferMould如照片1-①所示，它是在印刷基板上以環(huán)氧樹(shù)脂密封LED的方法，具體而言它是由Bstage的Epo*y樹(shù)脂固態(tài)Tablet，與低壓Transfer所構(gòu)成，由于模具精度極高加上硬化時(shí)間很短，因此TransferMould方式適合短時(shí)間大量生產(chǎn)，不過(guò)初期必需投資大型Transfer與模具。?Silicon樹(shù)脂利用Silicon樹(shù)脂密封LED的情況非常少，因此Silicon樹(shù)脂的使用量也非常低。目前市面上部份1mm正方大型芯片的白光LED，以及基于樹(shù)脂應(yīng)力會(huì)降低半導(dǎo)體性能等考量，才會(huì)使用Silicon樹(shù)脂當(dāng)作封裝材料。事實(shí)上LED封裝用Silicon樹(shù)脂，屬于siliconresin化silicongel，它的化學(xué)結(jié)構(gòu)為DimethylSilo*ane的重合體，1.4的折射率遠(yuǎn)比折射率為1.5的環(huán)氧樹(shù)脂低，而且Silicon樹(shù)脂與組件、LeadFame的附著性也不如環(huán)氧樹(shù)脂，造成取光效率偏低成為是Silicon樹(shù)脂最大的缺點(diǎn)。有關(guān)折射率的改善一般是在Silo*ane格子內(nèi)添加Phenyl基，如此便可將折射率提高至1.5左右。白光LED用Mould材料?環(huán)氧樹(shù)脂的紫外線劣化如上所述LED封裝用環(huán)氧樹(shù)脂主要成份是Bis-PhenolAGlycigeruAther，雖然環(huán)氧樹(shù)脂含有可吸收紫外線的芳香族，不過(guò)Bis-PhenolAGlycigeruAther吸收紫外線之后，會(huì)氧化產(chǎn)生Carbonyl基并形成發(fā)色團(tuán)造成樹(shù)脂變色(圖15)，此外環(huán)氧樹(shù)脂遇熱后也會(huì)變色，進(jìn)而造成端波長(zhǎng)領(lǐng)域的穿透率下跌，該現(xiàn)象對(duì)藍(lán)光與白光LED發(fā)光光度影響極大，不過(guò)對(duì)紅光LED尚未構(gòu)成問(wèn)題。筆者以Bis-PhenolAGlycigeruAther為主要成份，制作LED封裝用環(huán)氧樹(shù)脂平板(厚5mm)，并經(jīng)過(guò)72小時(shí)熱處理，接著再用波長(zhǎng)為340nm熒光燈Q-UVTester，進(jìn)行紫外線照射實(shí)驗(yàn)，其結(jié)果如圖4所示。雖然環(huán)氧樹(shù)脂的光線穿透率，會(huì)隨著熱處理與紫外線照射降低，尤其在短波長(zhǎng)領(lǐng)域穿透率下跌最明顯，不過(guò)一旦超過(guò)600nm*圍，穿透率的跌幅就比較少(圖16)，換句話說(shuō)為防止紫外線劣化，未來(lái)必需開(kāi)發(fā)不需使用Bis-PhenolAGlycigeruAther的方法。圖15LED封裝用環(huán)氧樹(shù)脂的成份結(jié)構(gòu)式圖16以Bis-PhenolAGlycigeruAther為主要成份的環(huán)氧樹(shù)脂初期、高溫放置、紫外線照射后的光線穿透率。高溫放置:1500C72小時(shí)紫外線照射:Q-UVTester，340nm，550C300小時(shí)樹(shù)脂平板厚度:5mm一般防止紫外線劣化的方法可分為讓紫外線完全穿透，與利用紫外線吸收劑將紫外線轉(zhuǎn)換成熱能排出兩種方式，前者單純利用不會(huì)吸收紫外線的材料建構(gòu)環(huán)氧樹(shù)脂，雖然該方式理論上幾乎無(wú)法實(shí)現(xiàn)，不過(guò)若以脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂與添加氫的Bis-PhenolAGlycigeruAther等紫外線吸收量較低的材料作為主成份，再與紫外線吸收量較低的硬化促進(jìn)劑組合，就可以大幅降低樹(shù)脂本身的紫外線吸收量；后者方式除了如何維持紫外線吸收劑的性能之外，bleedout的蒸散問(wèn)題也令人擔(dān)憂。此外為有效將熱能排出，因此必需充分確保LED的散熱結(jié)構(gòu)，其結(jié)果反而造成LED的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)受到很大的限制。?添水Bis-PhenolAGlycigeruAther的酸無(wú)水硬化物筆者為刻意降低環(huán)氧樹(shù)脂的紫外線吸收，同時(shí)基于開(kāi)發(fā)新型樹(shù)脂等目的，以添水Bis-PhenolAGlycigeruAther為中心，進(jìn)行樹(shù)脂成份調(diào)配檢討。首先進(jìn)行酸無(wú)水物硬化系的硬化劑選定作業(yè)，雖然硬化促進(jìn)劑決定樹(shù)脂的硬化速度，不過(guò)大部份的硬化促進(jìn)劑都具備強(qiáng)大的紫外線吸收能力，因此最后決定選用Mehylhe*ahydro無(wú)水Phtharu酸，藉此探討硬化促進(jìn)劑結(jié)構(gòu)，以及硬化劑的紫外線劣化影響。此處使用的硬化促進(jìn)劑是與Bis-PhenolAGlycigeruAther，可組合變成透明狀硬化物。如表1所示若使用BenzylDimethylAmine時(shí)，硬化化不久就會(huì)著色，成為唯一的缺失之外，硬化物幾乎是完全透明。表1硬化劑促進(jìn)劑對(duì)初期與紫外線照射后的穿透率影響紫外線照射后依舊能維持高穿透率，而且紫外線劣化最少的是磷系促進(jìn)劑(9)，使用TetraPhenylPhospheneBromide(7)的case，紫外線劣化非常明顯，主要原因是(7)擁擠的四個(gè)芳香族環(huán)所造成。接著檢討耐熱性，Bis-PhenolAGlycigeruAther(1)廣被使用的理由首推芳香族環(huán)造成的高熱穩(wěn)定性。為確**封半導(dǎo)體的樹(shù)脂能具備焊接與動(dòng)作時(shí)的穩(wěn)定性，密封樹(shù)脂具備*種程度的耐熱性，已經(jīng)成為不可或缺性能指針之一。雖然一般的酸無(wú)水物硬化的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)為1300C，不過(guò)添水BisA的Cyclohe*an環(huán)的穩(wěn)定性比芳香族環(huán)低，如果單獨(dú)進(jìn)行酸無(wú)水物硬化時(shí)，它的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)大約是1000C左右，此時(shí)不但會(huì)有可靠性的問(wèn)題，甚至還有發(fā)生熱變色之虞。此處基于高耐熱性等考量，因此將玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)較大的脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂(DICELL化學(xué)工業(yè))添加于Y*8000，并利進(jìn)行硬化物高溫放置試驗(yàn)，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)環(huán)氧樹(shù)脂有變色之虞；此外若添加10wt%CEL2021P，硬化的玻璃轉(zhuǎn)移點(diǎn)可提高至1300C。如圖17所示隨著圖17相較于Y*8000，脂環(huán)式環(huán)氧樹(shù)脂(CEL2021)的濃度與熱色變的關(guān)系)圖18圖6添水BisA酸無(wú)水硬化環(huán)氧樹(shù)脂的初期、高溫放置后、紫外線照射后的穿透率高溫放置1500C，72Hr，樹(shù)脂板厚5mm紫外線照射:Q-UVTester，340nm紫外型白光LED用封裝樹(shù)脂?環(huán)氧樹(shù)脂接著要素檢討有關(guān)氧化防止劑與紫外線吸收劑。雖然利用氧化防止劑可以抑制熱變色，不過(guò)紫外線劣化會(huì)增高，添加紫外線吸收劑則會(huì)促進(jìn)熱變色，如果添加*種氧化防止劑卻可以減少熱變色，同時(shí)又不會(huì)產(chǎn)生紫外線劣化現(xiàn)象。由圖18的穿透頻譜可知，因熱與紫外線所造成的變色可大幅降低。最近幾年表面封裝型LED的需求不斷增加，不過(guò)使用酸無(wú)水物硬化環(huán)氧樹(shù)脂時(shí)，卻面臨由于酸水物蒸發(fā)有發(fā)體積收縮之虞。理論上酸無(wú)水物硬化比較適合厚度較厚的炮彈型LED，并不適用于涂