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文檔簡介
橢圓偏振法簡稱橢偏法,是一種先進(jìn)的測量薄膜納米級(jí)厚度的方法。橢偏法的基本原理由于數(shù)學(xué)處理上的困難,直到本世紀(jì)40年代計(jì)算機(jī)出現(xiàn)以后才發(fā)展起來。橢偏法的測量經(jīng)過幾十年來的不斷改進(jìn),已從手動(dòng)進(jìn)入到全自動(dòng)、變?nèi)肷浣?、變波長和實(shí)時(shí)監(jiān)測,極大地促進(jìn)了納米技術(shù)的發(fā)展。橢偏法的測量精度很高(比一般的干涉法高一至二個(gè)數(shù)量級(jí)),測量靈敏度也很高(可探測生長中的薄膜小于0.1nm的厚度變化)。利用橢偏法可以測量薄膜的厚度和折射率,也可以測定材料的吸收系數(shù)或金屬的復(fù)折射率等光學(xué)參數(shù)。因此,橢偏法在半導(dǎo)體材料、光學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。
通過實(shí)驗(yàn),讀者應(yīng)了解橢偏法的基本原理,學(xué)會(huì)用橢偏法測量納米級(jí)薄膜的厚度和折射率,以及金屬的復(fù)折射率。一、實(shí)驗(yàn)原理
橢偏法測量的基本思路是,起偏器產(chǎn)生的線偏振光經(jīng)取向一定的1/4波片后成為特殊的橢圓偏振光,把它投射到待測樣品表面時(shí),只要起偏器取適當(dāng)?shù)耐腹夥较?,被待測樣品表面反射出來的將是線偏振光。根據(jù)偏振光在反射前后的偏振狀態(tài)變化(包括振幅和相位的變化),便可以確定樣品表面的許多光學(xué)特性。
設(shè)待測樣品是均勻涂鍍在襯底上的透明同性膜層。如圖3.5.1所示,n1,n2和n3分別為環(huán)境介質(zhì)、薄膜和襯底的折射率,d是薄膜的厚度,入射光束在膜層上的入射角為,在薄膜及襯底中的折射角分別為和。按照折射定律有
(1)
光的電矢量分解為兩個(gè)分量,即在入射面內(nèi)的P分量及垂直于入射面的S分量.根據(jù)折射定律及菲涅爾反射公式,可求得p分量和s分量在第一界面上的復(fù)振幅反射率分別為,
而在第二界面處則有,
從圖3.5.1可以看出,入射光在兩個(gè)界面上會(huì)有多次的反射和折射,總反射光束將是許多反射光束干涉的結(jié)果。利用多光束干涉的理論,得p分量和s分量的總反射系數(shù),
其中
(2)
是相鄰反射光束之間的相位差,而為光在真空中的波長。
光束在反射前后的偏振狀態(tài)的變化可以用總反射系數(shù)比(RP/RS)來表征。在橢偏法中,用橢偏參量和來描述反射系數(shù)比,其定義為
(3)
分析上述各式可知,在,,n1和n3確定的條件下,和只是薄膜厚度d和折射率n2的函數(shù),只要測量出和,原則上應(yīng)能解出d和n2。然而,從上述各式卻無法解析出和的具體形式。因此,只能先按以上各式用電子計(jì)算機(jī)算出在,,n1和n3一定的條件下與的關(guān)系圖表,待測出某一薄膜的和后再從圖表上查出相應(yīng)的d和n(n2)的值。
測量樣品的和的方法土要有光度法和消光法.下面介紹用橢偏消光法確定和的基本原理.設(shè)入射光束和反射光束電矢量的p分量和s分量分別為Eip,Eis,Erp和Ers,則有,
于是
(4)
為了使和成為比較容易測量的物理量,應(yīng)該設(shè)法滿足下面的兩個(gè)條件:
(1)
使入射光束滿足;
(2)
使反射光束成為線偏振光,也就是令反射光兩分量的位相差為0或p。
滿足上述兩個(gè)條件時(shí),有
(5)
其中分別是入射光束和反射光束的p分量和s分量的位相。
圖3.5.2是本實(shí)驗(yàn)裝置的示意圖。在圖中的坐標(biāo)系中,x軸和x'軸均在入射面內(nèi)且分別與入射光束或反射光束的傳播方向垂直,而y和y'軸則垂直于入射面。起偏器和檢偏器的透光軸t和t'與x軸和x'軸的夾角分別是P和A。
下面將會(huì)看到,只需讓1/4波片的快軸f與x軸和的夾角為4/p,便可以在l/4波片后面得到所需的滿足條件的特殊橢圓偏振入射光束.
圖3.5.3中的E0代表由方位角為P的起偏器出射的線偏振光.當(dāng)它投射到快軸與x軸夾角為4/p的l/4波片時(shí),將在波片的快軸f和慢軸s上分解為,
通過1/4波片后,Ef將比Es超前2/p,于是在1/4波片之后應(yīng)有,
把這兩個(gè)分量分別在x軸及y軸上投影并再合成為Ex和Ey,便得到
,。
可見,Ex和Ey也就是即將投射到待測樣品表面的入射光束的p分量和s分量,即
,
顯然,入射光束已經(jīng)成為滿足條件特殊圓偏振光,其兩分量的位相差為
由圖3.5.4可以看出,當(dāng)檢偏器的透光軸t'與合成的反射線偏振光束的電矢量Er垂直時(shí),即反射光在檢偏器后消光時(shí),應(yīng)該有
(6)這樣,由式(3.5.5)可得
(7)可以約定,A在坐標(biāo)系(x',y')中只在第一及第四象限內(nèi)取值。下面分別討論為0或p時(shí)的情形。
(1),此時(shí)的P記為P1,合成的反射線偏振光的Er在第二及第四象限里,于是A在第一象限并記為A1.由式(7)可得到
(8)
(2),此時(shí)的P記為P2,合成的反射線偏振光Er在第一及第三象限里,于是A在第四象限并記為A2,由式(7)可得到
(9)
從式(8)和式(9)可得到(P1,A1)和(P2,A2)的關(guān)系為
(10)
因此,在圖3.5.2的裝置中只要使1/4波片的快軸f與x軸的夾角為p/4,然后測出檢偏器后消光時(shí)的起、檢偏器方位角(P1,A1)或(P2,A2),便可按式(8)或式(9)求出,從而完成總反射系數(shù)比的測量。再借助已計(jì)算好的p與的關(guān)系圖表,即可查出待測薄膜的厚度和折射率。
附帶指出,當(dāng)n1和n2均為實(shí)數(shù)時(shí),也是一個(gè)實(shí)數(shù).d0稱為—個(gè)厚度周期,因?yàn)閺氖?2)可見,薄膜的厚度d每增加一個(gè)d0,相應(yīng)的位相差也就改變2p,這將使厚度相差d0的整數(shù)倍的薄膜具有相同的值,而與關(guān)系圖表給出的都是以第一周期內(nèi)的數(shù)值為準(zhǔn)的,因此應(yīng)根據(jù)其它方法來確定待測薄膜厚度究竟處在哪個(gè)周期中.不過,一般須用橢偏法測量的薄膜,其厚度多在第一周期內(nèi),即在0到d0之間.能夠測量微小的厚度(納米量級(jí)),正是橢偏法的優(yōu)點(diǎn).
用橢偏法也可以測量金屬的復(fù)折射率.金屬復(fù)射率n2可分解為實(shí)部和虛部,即
(11)
據(jù)理論推導(dǎo)(參見附錄),上式中的系數(shù)N,K與橢偏角和D有如下的近似關(guān)系:
(12)可見,測量出與待測金屬樣品總反射系數(shù)比對應(yīng)的橢偏參量和D有,便可以求出其復(fù)折射率n2的近似值。
二、實(shí)驗(yàn)裝置
橢偏測厚儀有:手動(dòng)和自動(dòng)兩種.本實(shí)驗(yàn)使用華南師范大學(xué)物理系研制的HST-1型多功能自動(dòng)橢偏測厚儀.它的基本結(jié)構(gòu)如圖3.5.5所示.光源采用635.0nm的單模半導(dǎo)體激光器,探測器是集成光電二極管.入射角在30~90度內(nèi)連續(xù)可調(diào),適用于不同襯底材料表面的薄膜樣品.整個(gè)過程可以由計(jì)算機(jī)自動(dòng)完成,也可部分由手工操作.
三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
1、橢偏測厚儀的調(diào)節(jié),按儀器說明書調(diào)節(jié)好起偏器、檢偏器和1/4波片的位置.確定入射角,如70度,放上樣品,打開儀器主機(jī)電源和計(jì)算機(jī)電源,使儀器處于待測狀態(tài).
2、量硅(Si)襯底表面的SiO2,薄膜厚度和折射率n2。其中硅的復(fù)折射率取3.85-0.02i,空氣折射率取n1=1.
3、
量氧化鋯(ZrO2)襯底表面上生長的超導(dǎo)薄膜厚度d和折射率n2.其中ZrO2的折射率取2.1.
4、
測量金屬鋁或硅的復(fù)折射率n2。
5、
進(jìn)一步實(shí)驗(yàn).改變?nèi)肷浣牵蛊涞扔?0和50度.分別測量同一塊薄膜樣品(如SiO2)的厚度和折射率,并分析結(jié)果的相對誤差和產(chǎn)生誤差的原因,
6、
實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)訓(xùn)練.若樣品的薄膜厚度大于一個(gè)膜厚周期噠d0,怎樣測定其真實(shí)厚度?試設(shè)計(jì)一個(gè)實(shí)驗(yàn)確定未知樣品薄膜的膜厚周期和周期數(shù).
四、思考與討論
1、橢偏測厚儀設(shè)計(jì)的基本思想是什么?各主要光學(xué)部件的作用是什么?
2、試列舉橢偏法測量中可能的誤差來源,并分析它們對測量結(jié)果的影響。
附錄:金屬復(fù)折射率n2與橢偏參量的關(guān)系
設(shè)光束從具有實(shí)折射率n1的物質(zhì)中以入射角入射復(fù)折射率為n2的金屬表面,在金屬中的復(fù)折射角為.據(jù)式(3)和式(1)以及前面關(guān)于復(fù)振幅反射率,總反射系數(shù)和位相差的各表達(dá)式可得
以及
(13)
另一方面,直接使分母實(shí)數(shù)化并利用三角公式又會(huì)得到
(14)
比較上面二式便得到
(15)
設(shè)
(16)
則由式(16)和式(
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