首飾制作課程設計

--PAGE5目的對鉆石合成儀已有一個感性認識并深入了解鉆石合成的原理和方法及相關歷史和發(fā)展趨勢等。內(nèi)容：參觀PECVD鉆石合成儀和馬弗爐并收集相關資料1.關于鉆石合成20世紀80年代以來，世界范圍內(nèi)掀起了一股利用化學氣相沉積（ChemicalDepositio—CV）方法制備金剛石材料的科技研發(fā)浪潮，新方法制備的金剛石材料幾乎實應用的新金剛石材料。利用化學氣相沉積方法合成金剛石材料的技術最早起源可追溯到0世紀0在低壓下實現(xiàn)了金剛石多晶膜的化學氣相沉積CVD方法）1，雖然當時的沉積速率非常D究方面，而是著重研究和發(fā)展了靜態(tài)、高溫、高壓方法金剛石的合成技術。直到0世紀80年代中期，世界范圍內(nèi)才開始了大規(guī)模CVD金剛石技術研究及產(chǎn)業(yè)化推廣工作，經(jīng)過研究人員近20CVD金剛石技術已經(jīng)取得了令世人矚目的成就。目前，已有多種方法可以制備CVD金剛石材料，并且在生長速率、沉積面積、沉積厚度、結(jié)構(gòu)性質(zhì)、內(nèi)在結(jié)晶質(zhì)量、金剛石純度等方面均取得了重大研究進展?！VD20年來，化學氣相沉積（CVD）金剛石制備技術取得了很大進展，由于用途的不同CVD金剛石制備技術和方法也有所不同目前世界上最具有代表性CVD金剛石制備方法熱絲直流等離子體（HFCVD）CVD熱絲CVD技術是目前比較成熟并廣泛應用的產(chǎn)業(yè)化技術，由于它具有可生長大面積膜片和度分別已達到300mm和2mm名的美國SPCystallamCVDdiamondDiamoneDDK等公司。這種制備方法的技術特點是投資少、技術相對簡單、生長速度快（可達1～1μ）具有很高的加熱效率、較質(zhì)量相對較差，所適合的應用領域較少等不足。大功率（60～100kW）微波（MPACVD）CVD大功率60kD技術是另一種有代表性的D金剛石產(chǎn)業(yè)化生長技術，該技術可制備直徑為150m、厚度為m的金剛石膜片，其質(zhì)量幾乎可達到高質(zhì)量天然單晶金剛石水平。微波）D金剛石生長技術可以沉積高純度多晶金剛石膜和外延單晶金剛石，可在熱學、光學以及未來的半導體材料（耐高溫、高載流子遷移速率、寬帶隙）等領域中得到廣泛的應用。利用該技術制備大單晶金剛石已獲得了成功，制備的D單晶金剛石質(zhì)量已經(jīng)達到10克拉，體積約3，這對于未來半導體金剛石的應用和代替來源匱缺的天然金剛石首飾原料具有重大的意義。電弧等離子體噴射CVD直流電弧等離子體噴射CVD金剛石制備技術，在金剛石生長產(chǎn)業(yè)化和應用方面也取了很好的效果，這種方法的特點是沉積速度高（0～10μ／h、金剛石的純度優(yōu)于熱絲CVD,可以沉積熱沉直流熱陰極等離子體（DCPACVD）CVD金剛石制備方直流熱陰極等離子體C）制備方法也是一種常見的CVD金剛石制備技術。二、CVD金剛石制備技術的新發(fā)經(jīng)過近20年的不斷研究探索不斷技術創(chuàng)新除機械耐磨性質(zhì)用途的金剛石生長技CVD其中代表性的主要有：CVD外延生長大尺寸單晶金剛石技（術，生產(chǎn)的單晶內(nèi)在質(zhì)量和結(jié)構(gòu)性質(zhì)好，生產(chǎn)的金剛石純度高。目前，該技術已經(jīng)由E6CVD地球物理實驗室、阿拉巴馬州大學物理系及E6D設備可實現(xiàn)金剛石單晶高速外延生長，其沉積速度和質(zhì)量分別達到10～200μh和10克拉。圖5CVDD體材料應用方面有所突破。CVD納米金剛石沉積技通常，CVD金剛石的晶粒尺寸為幾十至上百微米目前通過特殊工藝技術可以使CVD金剛石的沉積晶粒尺寸達到幾至幾百納米納米金剛石的主要特點是表面光滑機械強度（其斷裂強度達到4GPa～5。47±015g/cm～14W/c50～GP1010101/c（2表面處理和沉積工藝不同導致形核密度的不同。由于D納米金剛石具有非常優(yōu)秀的機械性能，因此，在耐磨部件以及微（納）機電技術和產(chǎn)品（如微機電馬達，微泵，微橋等）等方面均可能得到更多更廣泛的應用金剛石薄膜涂層技金剛石薄膜涂層技術利用CVD（硬質(zhì)合金基體。具有代表性的生產(chǎn)廠家是美國SP3和德國的Cemecon公司。德國另一家公司GFD采用納米金剛石涂層技術和精密的等離子加工技術，已成功地研制出了金剛石三、CVD金剛石的工具技術及應用領隨著生長設備和沉積技術的不斷進步，CVD金剛石的生長工藝日趨完善，CVD金剛D金剛石以其所具有的極高硬度、耐磨性和低的摩擦系數(shù)等獨特優(yōu)異性能在工具上得到了廣泛的應用。近年來，產(chǎn)業(yè)化的CVD金剛石加工和應用技術也獲得了巨推動了D金剛石產(chǎn)品的研究開發(fā)和市場化進程。現(xiàn)在已經(jīng)開發(fā)了多種工具用CVD金剛CVDD金剛石在機械CVDWD金剛石以其特有的優(yōu)異性能拓6圖9CVDCVD,5它的高絕緣電阻及其與眾多半導體材料匹配的較好熱膨脹系數(shù)為光纖通訊及激光技術中最重要的器件，以D金剛石膜為熱沉材料的激光二極管可在數(shù)千安培2D金剛石是固體微波器MCMCVD金剛石還具有優(yōu)異的光學性能，具有高透過率，其透光波段可以從X紫外光可見光紅外光直至毫米波段的全波段，可用作在惡劣環(huán)境中使用的光學窗口，如各種光制導的導彈頭罩,特別是高馬赫（M>5D金剛石的卓越透X光特性可使之成為CVD金剛石半導體器件的最高工作溫度可達到60,150252。利用D金剛石高溫抗幅射性質(zhì)，可將其用作在高溫強幅射環(huán)境中工作的半導體器件及各種特性的傳感器等D四、CVD金剛石市場需求分CVD2000D金剛石工具正在進入精密、超精密加工的PCD以及天然單晶金剛石工具市場，其中金剛石涂層工具顯現(xiàn)出很強的生命力。近年來，幾乎所有的世界知名工具公司如Sandwich、KennametalD工具、涂層工具以及耐磨部件產(chǎn)品，使得DBCCReseachConnecticutDiamond,DiamondlikeandCBNFilms&CoatingPoductD2007年全球僅金剛石膜、類金剛石／立方氮化硼CB）薄膜材料市場的規(guī)模已達到。30820072012年世界范圍內(nèi)對D1432012年將達到近103。從中國近幾年CVD悟到國外對CVDCVD金剛石是21世紀的新材料，但是，對CVD計方法的不同，各種報道的D20以上，有理由相信隨著D金剛石D金剛石潛在市場的發(fā)展將會極為廣闊。CVD金剛石CVD金剛石技術及產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)隨著世界CVDCVD目前，國內(nèi)DDDDCVD金金剛石技術研究的單位之一，其研究的主要技術為熱絲CVD金剛石生長的技術指標（生長速率≥0μm／h、生長面積直徑≥150m、成功率≈100DDCVDDCVDD成品為主。但是與國外相比，我國CVD的尺寸、生長速率、質(zhì)量等指標尚有較大差距六、中國CVD金剛石產(chǎn)業(yè)發(fā)展存在的問近20CVDDCVDDD起步，市場推廣亦處在初級階段，產(chǎn)品主要以DD金剛石屬于新技術材料，國產(chǎn)D3對CVD4．高質(zhì)量CVD七、展CVD21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ母咝录夹g材料，加快D廣，開展多領域D金剛石工具的制作技術優(yōu)勢，加強、加快對D機，盡快進入D2.2.關于馬弗爐一、簡馬弗爐是英文Muleune90010001200130016001700PID馬弗爐系周期作業(yè)式，供實驗室、工礦企業(yè)、科研單位作元素分析測定和一。二、馬弗爐安裝與使打開包裝后，檢查馬弗爐是否完整無損，配件是否齊全。一般的馬弗爐不需要特殊防止因過熱而造成內(nèi)部元件不能正常工作。20-50m爐與控制器必須可靠接地。三、維護與注意事溫2020℃至6005℃以下工作，此時爐絲有較長的壽命。85馬弗爐控制器應限于在環(huán)境溫度0-40℃范圍內(nèi)使用根據(jù)技術要求，定期經(jīng)常檢查電爐、控制器的各接線的連線是否良好，指示儀指針熱電偶不要在高溫時驟然拔出，以防外套炸裂四、操作規(guī)經(jīng)常保持爐膛清潔，及時清除爐內(nèi)氧化物四、操作規(guī)開爐前應檢查煤氣管道閥門密封性和煤氣管路上的壓力不能低于規(guī)定值空爐試驗推桿機構(gòu)、拉桿機構(gòu)以及提升機構(gòu)工作情況把壓緊彈簧松開到規(guī)定的尺寸范圍調(diào)節(jié)好水封的水位，打開通水封排出燃燒管的閥門，關閉通水封的閥常后再關閉爐門。廢氣應經(jīng)不通水封的閥門排出間斷生產(chǎn)首先把爐罐滲碳零件放置時，零件與零件之間距離不少于5毫米；零件邊緣不超出底板長度和規(guī)定要快速開關進料門和出料門，但推拉桿的速度要平穩(wěn)零件在預冷室的位置應正對熱電偶的下面爐內(nèi)只許裝滿24塊底盤，繼續(xù)進料必須先拉后推停爐時要把各爐區(qū)降到同樣的溫度后，再開始自然降溫設備清洗：(1)爐罐在連續(xù)生產(chǎn)時每周清洗一次，斷續(xù)生產(chǎn)爐罐的清理，應在停爐后立即進行；(2)爐罐清洗溫度為850～870℃時應將底盤全部取出；(3)用壓縮空氣噴嘴從爐子進料端吹入時，閥門開得不要太大，吹時必須前后左右移動，防止局部過熱；(4)煤氣燒底盤或夾具淬火后應返回預冷室除去油污()氣閥門。注意事項：(1)經(jīng)常注意各區(qū)燃燒狀況以及煤氣的壓力；(2開放爐門時不能站在(3)(4))工作中零件掉落或楔形門開關不靈，應停止進料，取出零件。五、功能特本產(chǎn)品應用范圍較廣，可以作重量分析：有機物及煤炭的灰分測定等加熱元件設置于內(nèi)部四壁，加快溫度的上升和均勻受熱蒸汽等接觸，而延長了其使用壽命。數(shù)字設置和顯示盤指示精確的溫度二二．硫酸銅晶體生長實了解晶體生條件及其影響因素斯蘭特22kS階梯面，具有兩面凹角的位置；最不利的生長位置是A形成一個二維核，來提供三面凹角和二面凹①晶體常生長成面平棱直的多面體形態(tài)斷面上常常可以看到帶狀構(gòu)造（圖8-3。它表晶體生長過程中并非完全按照二維層生長的釋。-7螺旋生長理弗朗克等人研究了氣相中晶體生長的情況，估計二維層生長所需的過飽和度不小于25%~501BFC模型，由Burto、Cabrer、Frank3人提出，即在晶體生長界面圖8-6現(xiàn)象。印度結(jié)晶學家弗爾麻Verm）1951SiC晶體表面上的生長螺旋紋（圖8-）及其他大量螺旋紋的觀察，證實了這個模型在晶體生長中的重要作用。而是圍繞著螺旋位錯的軸線螺旋狀前進（圖8-。隨著晶體的不斷長大，最終表現(xiàn)在晶面上形成能提供生長條件信息的各種樣式的螺旋紋。-8硫酸銅粉末及晶體顆粒，溫度計，燒杯，細線，紙片，小木棍等（1）清洗燒杯并倒110ml水100g將已溶解的硫酸銅溶液倒入另一潔凈燒杯直至100ml（5）把燒杯置于溫水中直至降溫到35℃左右，然后取出決定晶體生長的形態(tài)，內(nèi)因是基本的，而生成時所處的外界環(huán)境對晶體形態(tài)的影響也很大，其晶體形態(tài)是可能有所差別的?，F(xiàn)就幾種影響晶體生長的主要因素分述如下：在生長著的晶體周圍，溶液中的溶質(zhì)粘附于晶體上，其本身濃度降低以及晶體生長時放出的熱量，使溶液比重減小。由于重力作用，則輕的溶液上升，而周圍重的溶液補充進來，從而形成了渦流。在晶體生長時渦流向上，而溶解時則相反。渦流使溶液物質(zhì)共給不均勻，有方向性，因而使處于不同位置上的形態(tài)特征不同。在不同的溫度下，同種物質(zhì)的晶體，其不同晶面的相對生長速度有所改變，影響晶體形和錫石礦物晶體亦有類似的情況。溶液中雜質(zhì)的存在可以改變晶體上不同面網(wǎng)的表面能，所以其相對生長速度也隨之變化出現(xiàn)立方體與八面體的聚形。溶液的粘度也影響晶體的生長。粘度的加大，將妨礙渦流的產(chǎn)生，溶質(zhì)的共給只有以擴-9--PAGE15受溶質(zhì)，生長得比較快，晶體的中心生長得慢，甚至完全不長，從而形成骸晶（如雪花結(jié)晶速影響晶體生長的外部因素還有很多，如晶體析出的先后次序也影響晶體形三三．參觀中金首飾制作過20世紀90來提高其首飾產(chǎn)品的質(zhì)量，逐步擺脫了僅依靠增加人力資源投入來提高生產(chǎn)效益的單一做法。本文綜述近年來首飾制作工藝技術的一些進展。１．１．熔模鑄造技1935年加拿大人Jungesen201940~1950年70的uPAg輔材料等方面取得了顯著的進展。（１）設首飾熔模鑄造涉及的設備較多，主要有注蠟設備、開粉設備和鑄造機等①注蠟設0年代后出現(xiàn)了真空注蠟機，注蠟前需抽空橡膠模，由于蠟模是在真空狀態(tài)下注蠟，使充i公司生產(chǎn)的數(shù)碼式真空注蠟系統(tǒng)，采用二次注蠟系統(tǒng)使蠟模的收縮降到最低程度，注②開粉設年代后出現(xiàn)了真空自動攪粉機它集攪拌器和真空密封裝置于一身可在真空狀態(tài)下完成時。③焙燒近年來不斷開發(fā)了一些先進的焙燒爐。如，意大利的Schultheiss公司研制了一種新型爐，1]。德國研制了一種更先進的焙燒爐，采用爐床回轉(zhuǎn)方式2]，使石膏型均勻受熱，石膏內(nèi)壁光潔、精細，特別符合先進的④鑄造根據(jù)采用的外力形式，常用的首飾鑄造機主要有離心和靜力鑄造機兩類。離心鑄造機：利用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力將金屬液引入型腔，充填速度較快，有利于細小復雜工件的成形，適合A，gPt來說，由于其處于液態(tài)的時間的改進，集感應加熱和離心澆注于一體，適合鑄造AugCu90o變化到0o3，綜合考慮了離心力和切向慣性力使金屬液流出坩堝、流入鑄型的作用，有助于均、意大利的talimpianti和美國的Neutec都是較知名的品牌?，F(xiàn)代靜力也有將熱電偶放在坩堝壁，但所測的溫度不能直接反映金屬液的溫度，只能作為參考。自動真空鑄造機一般在真空狀態(tài)下或惰性氣氛中熔煉和鑄造金屬，有效地減AuKg（２）材①鑄4RSRS公司、英國的Hoben公司等。為了滿足不同首飾合金與制作工藝的要求，近年。SRS公司和R公司都已在廣州設廠，對國內(nèi)的首飾生產(chǎn)企業(yè)起到了很大的促進作用。②補從80年代開始，各種K多年來取得了許多研究成果，形成了彩色系列K金材料6，7。首飾合金研究更加注重鑄造、回用、孔洞傾向等綜合性能。在K金首飾材料中使用最多的是AuAgCu系、AuAgCuZnAuCuNi系合金或AuCuNiZnAuAgPd系等合金，加入少量的Si和BAg合金HeaeusUnitedPeciousMetalsK黃、KK紅3類。首飾產(chǎn)品對合金顏色及其穩(wěn)定性有很高的要求，為了簡單地確定合金的顏色，許多國家制定了K金飾品的顏色標準，b用明度、彩度H3個參數(shù)表示合金的顏色。針對Ni白金過敏性問題，歐盟制定了明確的法令嚴格限制首飾產(chǎn)品的NiNi或少Ni的K白金補口；針對K白金普遍采用鍍h增加白度的問題，出現(xiàn)了無需電鍍的K白金補口；針對不同的g性能好的Ag補口。③焊AgCn等元素的素如Cd已越來越少地用于焊料之中。２．制作工藝技快速成形技術是909確保新產(chǎn)品的上市時間和開發(fā)的成功率10SLAFDM和數(shù)控精雕等方法。①激光固化成Mik，其成形一件典型的戒指約需6。近年來，德國的Envision般只需4。②融積成維實體。其精確度較高，表面光潔度較好，但成形時間較長，噴嘴容易堵塞。③數(shù)控精①蠟鑲鑄11213。②微微鑲技術是近年來新出現(xiàn)的一種鑲嵌工藝14。以前在首飾制作中使用的拋光機主要是震動機和單桶轉(zhuǎn)筒，處理時間較長，最新開發(fā)的縫隙系統(tǒng)的轉(zhuǎn)盤拋光機可以達到手工拋光的光滑研磨和高亮度拋光的效果1992年引入到首飾制作行業(yè)，與以往的方法有很大的不同，在拋光的過程中工電鑄工藝是首飾制作行業(yè)在9015Au或足Ag材料，但成本較高，工件的強度較低，經(jīng)過近10a的發(fā)展，電鑄工藝取得了較大進展，研發(fā)了許多新工藝。如，在蠟模上預先鑲嵌寶石，電鑄過程中金屬將寶石包覆，形成鑲嵌電鑄飾品；針對足u硬度低、強度差、易變形的特點，開發(fā)了K金電鑄工藝；為了降低成本，在底層電鑄Cu、表面電鍍AuAu電鑄產(chǎn)品；針對蠟模制作費時又增加成本的問題，研發(fā)了直接利用膠模進行電鑄的工藝等，有效地促進了電鑄工藝的發(fā)展。３．未來發(fā)展趨沖壓(油壓)161%~5，而采用一般的熔鑄法，則金屬的損耗大大超過此值，這對貴金屬首飾制作企氣相色譜分離原理相對各組份的吸附或溶解能力不同，因此各組份在色譜柱中的運行速度就不同，經(jīng)過一定錄器上描繪出各組份的色譜峰。氣相色譜的組氣源和載氣的控制和測量。①氣源：氣源多采用高壓瓶氫、氮、氬等做高純氣的儲存器，并裝有減壓閥，使高壓氣體減壓成低壓氣體0．1．5Pa以供使用。鋼瓶供給用的有轉(zhuǎn)子流量計和皂膜流速計等。色譜柱和恒溫器。①色譜柱：色譜柱的作用是把混合物分離成單一組分。一般常用不銹鋼管或銅管內(nèi)填充固定相構(gòu)成，管子成U型或螺絲形。一般柱管內(nèi)徑為—，還有內(nèi)徑更小的稱為毛細管色譜柱，柱管長度一般為14m或更長。②恒溫器：為了保持色譜柱或檢測器內(nèi)的溫度恒定，色譜柱和檢測器多置于恒溫器內(nèi)。一般常采用空氣恒溫方式。進樣器：把樣品通進色譜柱的元件稱進樣器，其中包括汽化室和進樣工具，汽化室的作用是將液體或固體樣品瞬間汽化為蒸汽。進樣工具常有定量閥和注射器。檢測器：檢測器又稱鑒定器是用來檢測柱后流出的組分，并以電壓或電流信號顯檢測器數(shù)種。自動記錄儀：記錄儀的作用是將檢測器輸出的信號記錄下來，作為定性，定量分析的依據(jù)。66Ⅳ79-Ⅲ25 8Ⅴ1Ⅰ1－高壓鋼瓶2－減壓閥3－載氣凈化干燥管4－針形瓶5－流量6－壓力表7－進樣器8－色譜柱9－檢測柱10－記錄增大的同時噪聲也相應增大，因此，僅用不能正確評價檢測器的性能。N進入檢測器的組分質(zhì)量，以D表示。檢測限是檢測器的重要性能指標，它表示檢測器所能D（色譜柱、記錄系統(tǒng)等構(gòu)成的一個完整的色譜體系中）。最低檢出量：恰能產(chǎn)生2噪聲信號時的色譜進樣量，以Q0表示系的范圍。通常用最大允許進樣量M與最小檢出量0的比值來表示。比值越大，檢測器的線性范圍越寬，表明試樣中的大量組分或微量組分，檢測器都能準確測定。iv（氫）火焰離子化檢測火焰離子化檢測器是根據(jù)氣體的導電率是與該氣體中所含帶電離子的濃度呈正比這一1)火焰離子化檢測器的結(jié)構(gòu)該檢測器主要是由離子室離子頭和氣體供應三部分組成2流經(jīng)溫度高達2100℃10-1A10-～10-128～l01H2的有機物產(chǎn)生響應，而對無機物、久性氣體和水基本上無響應，所以火焰離子化檢測器只能分析有機物（含碳化合物），水、C、C2、2、O、2及H2S（3）氣相色譜儀的使用方iii室內(nèi)環(huán)境溫度應在5~3585%iii06~805~0v10KVA左右，而且儀器使用電源應盡可能5~01②氣源準備及凈1~2Mpa時，應更換氣瓶。氣源凈化為了出去各種氣體中可能含有的水分，灰分和有機氣體成分，在氣體進入5A4505AA分子篩，一半活性炭。一般國產(chǎn)無油氣體壓縮機可滿足需要。③色譜儀成套性檢查及安④外氣路的連減壓閥的安裝：有的儀器隨機帶有減壓閥，若沒有的則要購買。所用的是2121O連接起來。外氣路的檢漏：把主機氣路面板上載氣，氫氣，空氣的閥旋鈕關閉，然后開啟各路鋼瓶的高壓閥，調(diào)節(jié)減壓閥上低壓表輸出壓力，使載氣，空氣壓力為0．35~0．6Mpa(約3．5~0kg/cm3，氫氣壓力為．2~．35a。然后關閉高壓閥，此時減壓閥上低壓表指示值不應下降，如下降，則說明連接氣路中有漏，應予排除。(４)氣相色譜儀的操作技①加旋鈕定位法，則有技巧可言。過溫定位法：將溫控旋鈕調(diào)至低于操作溫度約30℃處，給氣相色譜儀升溫。當過溫②調(diào)池平16第五步，用調(diào)零或池平衡旋鈕將記錄儀指針調(diào)回原處。③點們經(jīng)常會遇到點火不著的情況。有如下面兩種點火技巧：1）加大氫氣流量法。先加大氫）減少尾吹氣流量法。先減少尾吹氣流量，點著火后，再調(diào)回工作狀況。此法適用于仍用氫氣作載氣，用空氣作助燃氣和尾吹氣情況。④氣比的調(diào)氫焰氣相色譜儀三氣的流量比，有關資料均建議為:氮氣∶氫氣∶空氣=1∶1∶10⑤進樣技⑥進樣液體樣品或固體樣品溶液一般為1μl01～10l2倍的樣品置換注射器～5次，2⑦進樣方用左手反針插入墊片，注射大體積樣品即氣體樣品)或輸入壓力極高時，要防止從氣～2)。⑧進樣時因此，對于沖洗法色譜而言，進樣時間越短越好，一般必須小于1秒鐘。⑨實驗完畢后，先關閉氫氣與空氣，用氮氣將色譜柱吹凈后關機2（最高輸送壓力可達9107P從而使柱效大大高于經(jīng)典液相色譜（每米塔板數(shù)可達幾萬或幾十萬；同時柱后連有高效液9107P；色譜柱是以特殊的方法用小粒徑的填料填充而成，從而使柱效大大高于經(jīng)典液相色譜（每米塔板數(shù)可達幾萬或幾十萬；同時柱后連有高靈敏度的檢測器，可對流出物進行連續(xù)檢測。①高壓：液相色譜法以液體為流動相（稱為載液，液體流經(jīng)色譜柱，受到阻力較大，為了迅速地通過色譜柱，必須對載液施加高壓。一般可達15～350105P。②高速：流動1～10ml/mi了分析的靈敏度。如熒光檢測器靈敏度可達g（大于400以上）的有機物（這些物質(zhì)幾乎占有機物總數(shù)75%～80%）原則上都可應用高效液相色譜法來進行分離、分析。據(jù)統(tǒng)計，在已知化合物中，能用氣相色譜分析的約20%，而能用液相色譜分析的約占70～80%。①液—液分配色譜法(Liquid-liquidPartitionChromatography)及化學鍵合相色ChemicallyBondedPhaseChomatogaphy)質(zhì)在兩相間進行分配。②液—固色譜法。流動相為液體，固定相為吸附劑（如硅膠、氧化鋁等。這是根X)和溶劑分子S對吸附劑表面活性中心發(fā)生競爭吸附（未進樣時，所有的吸附劑活性中心吸附的是，可表示如下：Xm+nSa======Xa+nSmXm流動相中的溶質(zhì)分子；SaXaSm流動相中的溶劑分子。當吸附競K=XaSm/XmSa]K為吸附平衡常數(shù)。onexchangeChomatogaphyC是以離子交換劑作為固定相C是基于離子交換樹脂上可電離的離子與流動相中具有相同電荷的溶質(zhì)離子進行可逆交換據(jù)這些離子以交換劑具有不同的親和力而將它們分離。④離子對色譜法(IonPairChromatography)。離子對色譜法是將一種或多種與溶質(zhì)分子電荷相反的離子(稱為對離子或反離子)加到流動相或固定相中，使其與溶質(zhì)離子結(jié)onChomatogaphy。用離子交換樹脂為固定相，電解質(zhì)溶液為流動相。ROH如為例。當待測陰離子NaOH）：RH++Na+OH-===RNa++H2ORH++Na+B-===RNa++H+B-則被轉(zhuǎn)化成了相應的酸，可用電導法靈敏的檢測。離子色譜法是溶液中陰離子分析的最佳方法cExclusionChomatogaphy?？臻g排阻色譜法以凝膠gel