第14章二極管和晶體管課件

第14章

二極管和晶體管1第14章

二極管和晶體管1第14章二極管和晶體管14.1半導體的導電特性14.3二極管14.4穩(wěn)壓二極管14.5晶體管14.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?4.6光電器件2第14章二極管和晶體管14.1半導體的導電特性1414.1半導體的導電特性一、本征半導體二、雜質(zhì)半導體三、半導體中的電流314.1半導體的導電特性一、本征半導體二、雜質(zhì)半導體物質(zhì)按導電性能分類

導體(Conductor)半導體(Semiconductor)絕緣體(Insulator)電導率（S·cm-1)

導體＞105

半導體10-9~102

絕緣體10-22~10-14

半導體是構(gòu)成當代微電子的基礎(chǔ)材料。半導體----硅、鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化鎵、重摻雜多晶硅等。4物質(zhì)按導電性能分類電導率（S·cm-1)

一、本征半導體(IntrinsicSemiconductor)本征半導體——化學成分純凈的半導體制造半導體器件的半導體材料的純度要達到99.9999999%。----硅、鍺等。

(1）本征半導體的結(jié)構(gòu)

（2）本征半導體的載流子

（3）本征半導體中載流子的濃度5一、本征半導體(IntrinsicSemiconduct

(1）本征半導體的結(jié)構(gòu)---晶體結(jié)構(gòu)四價元素—在原子最外層軌道上的四個價電子。共價鍵—相鄰原子共有電子對。共價鍵共用電子對6(1）本征半導體的結(jié)構(gòu)---晶體結(jié)構(gòu)四價元素—在原子最外層

（2）本征半導體的載流子---電子空穴對載流子(Carrier)：半導體結(jié)構(gòu)中獲得運動能量的帶電粒子。有溫度環(huán)境就有載流子。絕對零度（-2730C）時晶體中無自由電子。熱激發(fā)（本征激發(fā)）本征激發(fā)和溫度有關(guān)會成對產(chǎn)生電子空穴對---自由電子(FreeElectron)---空穴(Hole)兩種載流子7（2）本征半導體的載流子---電子空穴對載流子(Carri因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴對。8因熱激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時成對出現(xiàn)的，稱為電子空穴

自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動也可形成空穴電流，它們的方向相反。

自由電子和空穴稱為載流子。9自由電子的定向運動形成了電子電流，空穴的定向運動

（3）本征半導體中載流子的濃度溫度升高熱運動加劇載流子增多本征半導體中載流子的濃度很低,導電性能很差。本征半導體中載流子的濃度與溫度密切相關(guān)。10（3）本征半導體中載流子的濃度溫度升高熱運動加劇載流子增多本征半導體的導電機理本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。溫度越高

載流子的濃度越高

本征半導體的導電能力越強。本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。歸納

11本征半導體的導電機理本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即二、雜質(zhì)半導體(1)N型半導體(2)P型半導體

在本征半導體中摻入某些微量元素作為雜質(zhì)，可使半導體的導電性發(fā)生顯著變化。摻入雜質(zhì)的本征半導體稱為雜質(zhì)半導體。12二、雜質(zhì)半導體(1)N型半導體在本多子(Majority)：自由電子(FreeElectron)

---由摻雜形成，取決于摻雜濃度少子(Minority)：空穴(Hole)

---由熱激發(fā)形成，取決于溫度。

(1)N型半導體(電子型半導體)+4+4+5+4多余電子磷原子在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的五價元素磷，使自由電子濃度大大增加。13多子(Majority)：自由電子(FreeElectro(2)P型半導體(空穴型半導體)+4+4+3+4空穴硼原子多子(Majority)：空穴(Hole)

---由摻雜形成，取決于摻雜濃度；少子(Minority)：自由電子(FreeElectron)----由熱激發(fā)形成，取決于溫度。在硅或鍺晶體（四價）中摻入少量的三價元素硼，使空穴濃度大大增加。14(2)P型半導體(空穴型半導體)+4+4+3+4空穴硼原問題1、雜質(zhì)半導體的導電能力由誰決定？為什么用雜質(zhì)半導體制作器件？2、雜質(zhì)半導體多子濃度由什么決定？雜質(zhì)半導體少子濃度由什么決定？◆◆15問題1、雜質(zhì)半導體的導電能力由誰決定？為什么用雜質(zhì)半導體制作歸納3、雜質(zhì)半導體中起導電作用的主要是多子。4、N型半導體中電子是多子，空穴是少子；

P型半導體中空穴是多子，電子是少子。1、雜質(zhì)半導體中兩種載流子濃度不同，分為多數(shù)載流子和少數(shù)載流子（簡稱多子、少子）。2、雜質(zhì)半導體中多數(shù)載流子的數(shù)量取決于摻雜濃度，少數(shù)載流子的數(shù)量取決于溫度?！簟簟簟?6歸納3、雜質(zhì)半導體中起導電作用的主要是多子。4、N型半導體中三、半導體中的電流半導體中有兩種電流漂移電流(DriftCurrent)

由載流子的漂移運動形成的電流

擴散電流(DiffusionCurrent)由載流子的擴散運動形成的電流電流方向空穴電流的方向與運動方向一致，電子電流的方向與運動方向相反。---所以總電流方向仍然一致。漂移運動：由電場力引起的載流子定向運動擴散運動：由于載流子濃度不均勻（濃度梯度）造成的運動17三、半導體中的電流半導體中有兩種電流電流方向空穴電流的方向14.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦砸?、PN結(jié)的形成二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦匀?、PN結(jié)的伏安特性1814.2PN結(jié)及其單向?qū)щ娦砸弧N結(jié)的形成二、一、PN結(jié)的形成

在一塊本征半導體在兩側(cè)通過擴散不同的雜質(zhì),分別形成N型半導體和P型半導體。

因濃度差

多子的擴散運動

由雜質(zhì)離子形成空間電荷區(qū)

空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場

內(nèi)電場促使少子漂移

內(nèi)電場阻止多子擴散

多子的擴散和少子的漂移達到動態(tài)平衡19一、PN結(jié)的形成在一塊本征半導體在兩側(cè)通PN結(jié)建立在在N型和P型半導體的結(jié)合處，由于擴散運動，失空穴和電子后形成不能移動的負離子和正離子狀態(tài)。PN結(jié)稱為---空間電荷區(qū)耗盡層、阻擋層。PN結(jié)很窄（幾個到幾十個

m)。20PN結(jié)建立在在N型和P型半導體的結(jié)合處，由于擴散運動，失空穴－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)PN結(jié)21－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++

空間電荷區(qū)中沒有載流子。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙多子（P中的空穴、N中的電子）的擴散運動。

P中的電子和N中的空穴（都是少子）數(shù)量有限，因此由它們形成的漂移電流很小。

空間電荷區(qū)中內(nèi)電場推動少子（P中的電子、N中的空穴）的漂移運動。歸納22空間電荷區(qū)中沒有載流子?？臻g電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙多子（P二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦酝饧与妷菏筆N結(jié)中：

P區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為加正向電壓，簡稱正偏；若外加正向電壓，使電流從P區(qū)流到N區(qū)，PN結(jié)呈低阻性，所以電流大；P區(qū)的電位低于N區(qū)的電位，稱為加反向電壓，簡稱反偏。若外加反向電壓，PN結(jié)呈高阻性，所以電流??；23二、PN結(jié)的單向?qū)щ娦酝饧与妷菏筆N結(jié)中：若外加正向電壓，使

1）PN結(jié)加正向電壓時的導電情況正向偏置P接電源正，N接電源負外電場與內(nèi)電場方向相反（削弱內(nèi)電場），使PN結(jié)變窄。擴散運動＞漂移運動。稱為“正向?qū)ā薄?41）PN結(jié)加正向電壓時的導電情況正向偏置24反向偏置P接電源負，N接電源正外電場與內(nèi)電場方向相同（增強內(nèi)電場），使PN結(jié)變寬。擴散運動＜漂移運動稱為“反向截止”

2).PN結(jié)加反向電壓時的導電情況

在一定的溫度條件下，由本征激發(fā)決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關(guān)，這個電流也稱為反向飽和電流。25反向偏置2).PN結(jié)加反向電壓時的導電情況PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉蛱匦苑聪蛱匦詺w納◆◆外電場削弱內(nèi)電場，PN結(jié)電阻小，電流大，導通；I的大小與外加電壓有關(guān)；外電場增強內(nèi)電場，結(jié)電阻大，反向電流很小，截止；I反的大小與少子的數(shù)量有關(guān)，與溫度有關(guān)。P（+），N（-）P（-），N（+）26PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉蛱匦苑聪蛱匦詺w納◆◆外電場削弱內(nèi)電場，三、PN結(jié)的伏安特性uiU(BR)0u>0，u↑→i↑正向特性反向特性|u|↑>U（BR），－反向擊穿u<0，i≈-IS，恒定不變按指數(shù)規(guī)律快速增加27三、PN結(jié)的伏安特性uiU(BR)0u>0，u↑→i↑正向14.3二極管一、基本結(jié)構(gòu)二、伏安特性三、主要參數(shù)四、應用舉例2814.3二極管一、基本結(jié)構(gòu)二、伏安特性三、主要參小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓二極管發(fā)光二極管PN結(jié)+引線+封裝=二極管。PN陽極陰極D14.3二極管一、基本結(jié)構(gòu)29小功率二極管大功率二極管穩(wěn)壓發(fā)光PN結(jié)+引線+封裝二極管結(jié)構(gòu)類型(1)點接觸型二極管—PN結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等高頻電路。(2)面接觸型二極管—(3)平面型二極管—PN結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。PN結(jié)面積可大可小，用于集成電路制造工藝中。30二極管結(jié)構(gòu)類型(1)點接觸型二極管—PN結(jié)面積小，結(jié)電容二、伏安特性uiU(BR)0UonIS20℃開啟電壓反向飽和電流擊穿電壓材料開啟電壓導通電壓反向飽和電流硅Si0.5V0.5~0.8V1μA以下鍺Ge0.1V0.1~0.3V幾十μA31二、伏安特性uiU(BR)0UonIS20℃開啟電壓反向飽2.反向特性硅：Is<0.1

A，鍺：Is＝幾十

A。U（BR）=幾十伏uiU(BR)0UTIS20℃1.正向特性死區(qū)電壓UT：正向電壓超過某一數(shù)值后，才有明顯的正向電流。硅：UT=0.5V；鍺：UT=0.1V正向?qū)妷篣范圍：

硅：0.6~0.8V（計算時取0.6V），U=0.6鍺：0.1~0.3V（計算時取0.2V），U=0.2使用時應加限流電阻。反向電流很小，與溫度有關(guān)；|U|

擊穿電壓，擊穿導通，反向電流急劇增加；EDED322.反向特性硅：Is<0.1A，U（BR）=幾十伏uiU溫度對二極管伏安特性的影響0uiU(BR)UonIS20℃80℃溫度增加，Uon減小，IS增加。正向曲線左移，反向曲線下移。T（℃）↑→在電流不變情況下管壓降u↓→反向飽和電流IS↑，U(BR)↓33溫度對二極管伏安特性的影響0uiU(BR)UonIS20℃8三、主要參數(shù)1.最大整流電流IOM2.最大反向工作電壓URM二極管長時間使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管正常工作時允許承受的最大反向工作電壓。手冊上給出的最高反向工作電壓URM一般是UBR的一半。3.最大反向電流IRM指二極管加反向工作峰值電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆睿虼朔聪螂娏髟叫≡胶?。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要大幾十到幾百倍。34三、主要參數(shù)1.最大整流電流IOM2.最大反向工作電壓U1.理想二極管U>0，D導通；UD=0，I取決于外電路；相當于一個閉合的開關(guān)EDIUDEIUU

0，D截止；I=0，UD（負值）取決于外電路；相當于一個斷開的開關(guān)EDI反UDEI反U四、應用舉例351.理想二極管U>0，D導通；UD=0，I取決于外電路；2.二極管的應用電路如圖示：已知E=5V，ui=10sintVRDEuiuO解：此類電路的分析方法：當D的陽極電位高于陰極電位時，D導通，將D作為一短路線；當D的陽極電位低于陰極電位時，D截止，將D作為一斷開的開關(guān)；將二極管看成理想二極管ui

tuO

t10V5V5V削波例1求：uO的波形362.二極管的應用電路如圖示：已知E=5V，ui=10sinRRLuiuRuotttuiuRuo設(shè)

=RC

tp，求uo的波形tp例237RRLuiuRuotttuiuRuo設(shè)=RCtp，電路如圖示：已知

VA=3VVB=0V求：VF=？解：此類電路的分析方法：將二極管看成理想二極管。當幾個二極管共陽極或共陰極連接時，承受正向電壓高的二極管先導通。DB通，VF=0VRDAADBB+12VF箝位隔離例338電路如圖示：已知VA=3V解：此類電路的分析方法：將二極管二極管的特點單向?qū)щ娦远O管的應用開關(guān)、箝位、隔離、檢波、整流等39二極管的特點單向?qū)щ娦远O管的應用開關(guān)、箝位、隔離、檢波、整14.4穩(wěn)壓二極管一、基本結(jié)構(gòu)二、伏安特性三、主要參數(shù)四、應用電路4014.4穩(wěn)壓二極管一、基本結(jié)構(gòu)二、伏安特性三、主UIUZIZIZmax

UZ

IZ曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)同二極管（擊穿可逆）二、伏安特性：穩(wěn)壓值基本同二極管穩(wěn)壓誤差+-+-一、基本結(jié)構(gòu)DZ符號：41UIUZIZIZmaxUZIZ曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。結(jié)構(gòu)1.穩(wěn)定電壓UZ2.穩(wěn)定電流IZ穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定電流時，穩(wěn)壓管兩端的電壓值。穩(wěn)壓管正常工作時的參考電流值，對應UZ的值。三、主要參數(shù)UIUZIZminIZmax4）最大允許功耗421.穩(wěn)定電壓UZ2.穩(wěn)定電流IZ穩(wěn)壓管中的電流為規(guī)定電流4.動態(tài)電阻rZ類似二極管的動態(tài)電阻，反映了穩(wěn)壓區(qū)電壓變化量與電流變化量之比，越小越好。一般為幾歐到幾十歐。5.溫度系數(shù)α溫度升高，UZ增加，正溫度系數(shù)。溫度升高，UZ減小，負溫度系數(shù)。（%/℃）434.動態(tài)電阻rZ類似二極管的動態(tài)電阻，反映了穩(wěn)壓區(qū)電壓變化穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū)，二極管運用在正向區(qū)；穩(wěn)壓管比二極管的反向特性更陡。44穩(wěn)壓管與二極管的主要區(qū)別穩(wěn)壓管運用在反向擊穿區(qū)，二極管運

穩(wěn)壓二極管在工作時應反接，并串入一只電阻。電阻的作用：一是起限流作用，以保護穩(wěn)壓管；其次是當輸入電壓或負載電流變化時，通過該電阻上電壓降的變化，取出誤差信號以調(diào)節(jié)穩(wěn)壓管的工作電流，從而起到穩(wěn)壓作用。UODZRRL+－R---串聯(lián)在穩(wěn)壓電路中；---必不可少！

---取值合適（使穩(wěn)壓管工作在擊穿區(qū)）R---限流電阻---調(diào)整電阻四、應用電路45穩(wěn)壓二極管在工作時應反接，并串入一只電阻。電阻的作用：一是已知圖示電路中，UZ=6V，最小穩(wěn)定電流IZmin=5mA，最大穩(wěn)定電流IZmax=25mA，負載電阻RL=600Ω，求限流電阻R的取值范圍。RIRUODZRLILIDZ+－UI=10V解：由：得：uiO△u△iIZUZIZM例446已知圖示電路中，UZ=6V，最小穩(wěn)定電流IZmin=5mA，一、晶體管的結(jié)構(gòu)及類型二、晶體管的電流分配和放大作用三、晶體管的共射特性曲線四、晶體管的主要參數(shù)14.5晶體管47一、晶體管的結(jié)構(gòu)及類型14.5晶體管47BipolarJunctionTransistor------BJT簡稱晶體管或三極管雙極型器件兩種載流子（多子、少子）雙極型晶體管晶體管具有的能力電流控制（currentcontrol）電流放大（currentamplify）

48BipolarJunctionTransistor---一、結(jié)構(gòu)及類型NPN集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)發(fā)射極集電極基極ecb發(fā)射結(jié)集電結(jié)1.基區(qū)很薄2.發(fā)射區(qū)摻雜濃度>>基區(qū)摻雜濃度3.集電區(qū)尺寸>發(fā)射區(qū)尺寸，集電區(qū)摻雜濃度<發(fā)射區(qū)摻雜濃度結(jié)構(gòu)特點：ecb符號：T49一、結(jié)構(gòu)及類型NPN集電區(qū)發(fā)射區(qū)基區(qū)發(fā)射極集電極基極ecb晶體管的類型及符號NPN型PNP型BECNNP基極發(fā)射極集電極PNP集電極基極發(fā)射極BCE50晶體管的類型及符號NPN型PNP型BECNNP基極發(fā)射極集電晶體管放大的工作條件①內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)高摻雜(故管子e、c極不能互換)基區(qū)很薄(幾個

m)

②外部條件

發(fā)射結(jié)(eb結(jié))正偏集電結(jié)(cb結(jié))反偏

二、電流分配及放大作用51晶體管放大的工作條件①內(nèi)部條件二、電流分配及放大作用51發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏VC>VB>VEVC<VB<VEB（P）C（N）IBIEICNPN型三極管E（N）IBIEICPNP型三極管C（P）B（N）E（P）52發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏VC>VB>VEVC<VB<VEB晶體管內(nèi)部載流子的運動及電流分配1.發(fā)射極加正向電壓，擴散運動形成擴散電流IE（發(fā)射載流子）2.擴散到基區(qū)的自由電子與空穴的復合運動形成復合電流IBE3.集電結(jié)加反向電壓，推動基區(qū)電子向集電區(qū)漂移，形成漂移電流ICE（收集載流子）4.集電結(jié)的反向電流ICBO(少子漂移）反向飽和電流ICBO大小極小大EBNPNICBORbRCECICIBIEIBEICE發(fā)射極電流IE基極電流IB=IBE-ICBO集電極電流IC=ICE+ICBO53晶體管內(nèi)部載流子的運動及電流分配1.發(fā)射極加正向電壓，擴散運EBNPNICBORbRCECICIBIEIBEICE晶體管的電流放大系數(shù)定義：結(jié)論：且與晶體管的結(jié)構(gòu)有關(guān)54EBNPNICBORbRCECICIBIEIBEICE晶體管三、晶體管的共射特性曲線測試線路（共發(fā)射極電路）

輸入特性：

輸出特性：發(fā)射結(jié)電壓uBE與基極電流iB的關(guān)系；集電極電流iC與管壓降uCE的關(guān)系。mA

AVVuCEuBERBiBECEBRCiC55三、晶體管的共射特性曲線測試線路（共發(fā)射極電路）輸入特性：死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2ViB(

A)uBE(V)204060800.40.8UCE1VUBEIB工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3V(1)輸入特性曲線ECBiBuBE+-56死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2ViB(A)uBE(V)（2）輸出特性曲線①取IB=IB2，起始部分很陡，UCE≥1V后，較平坦。原因：UCE較小時，UCE增加，集電區(qū)收集能力增強，使IC增強；UCE≥1V后，集電區(qū)收集能力足夠大，IC不再增強。②IB取不同的值，可得到一組曲線。原因：

相同UCE下，IB增加，IC增加，曲線上移。iCuCEECB+-uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB557（2）輸出特性曲線①取IB=IB2，起始部分很陡，UCE≥晶體管的三個工作區(qū)域②放大區(qū)：線性區(qū)特點：IC=βIB；特點：IB≤0，

IC≤

ICEO≈0③飽和區(qū)：特點：IC≦βIB。飽和管壓降：UCE(sat)≈0.1V，IC取決于外電路。

uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)反偏(UBE

≤UT)。①截止區(qū)：的區(qū)域。條件：發(fā)射結(jié)正偏(UBE≤UT)

，集電結(jié)反偏(UCE>UBE)

條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏(UCE<UBE)

58晶體管的三個工作區(qū)域②放大區(qū)：線性區(qū)特點：IC=βIB；特點iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A59iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A60iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A61iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020特性歸納輸入特性同二極管的正向特性UBE

IB

輸出特性一組曲線（一個IB對應一條曲線）UBE>0，UCE>UBE發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏IC=

IB電流放大作用UBE<0，IB

0

發(fā)射結(jié)反偏UBE>0，UCE<UBEIC=

IB發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏無電流放大作用放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)62特性歸納輸入特性同二極管的正向特性UBEIB四、主要參數(shù)直流電流放大倍數(shù)：1.電流放大倍數(shù)交流電流放大倍數(shù)：兩者非常接近，通常用作：一般為20~20063四、主要參數(shù)直流電流放大倍數(shù)：1.電流放大倍數(shù)交流電流放大2.集-射極反向截止電流ICEO

AICEO基極開路時的集電極電流。所以集電極電流應為：IC=

IB+ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。642.集-射極反向截止電流ICEOAICEO基極開路時的集電3.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值的下降，當值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。4.集電極最大允許功耗PCMPC=ICUCE必定導致結(jié)溫上升，所以PC有限制。PC

PCM653.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的值5.集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數(shù)值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數(shù)值是25C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過三極管，所發(fā)出的焦耳熱為：PC=ICUCE必定導致結(jié)溫上升，所以PC有限制。PC

PCM665.集-射極反向擊穿電壓U(BR)CEO當集---射極之間的ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)67ICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區(qū)例5測得電路中各晶體管各極的電位，判斷各管的工作狀態(tài)T1發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏放大T2發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)正偏飽和T3發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏放大T4發(fā)射結(jié)零偏集電結(jié)反偏截止解：判據(jù)：發(fā)射結(jié)正偏，且UBE>UT，集電結(jié)反偏；放大發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；飽和發(fā)射結(jié)反偏，或UBE<Uon，集電結(jié)反偏；截止68例5測得電路中各晶體管各極的電位，判斷各管的工作狀態(tài)T例6：在一個單管放大電路中，電源電壓為30V，已知三只管子的