電子顯微學(xué)考試

電子顯微學(xué)考試第一章復(fù)習(xí)題：1.什么是軸對(duì)稱場(chǎng)？為什么電子只在軸對(duì)稱場(chǎng)中聚焦和成像？所謂軸對(duì)稱場(chǎng)，是指在這種場(chǎng)中，電位的分布對(duì)系統(tǒng)的主光軸具有旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱磁場(chǎng)在不同方向會(huì)聚電子的力量是不同的。因此，全部電子不能在軸上的同一點(diǎn)上會(huì)聚，就會(huì)消滅象散。2.磁透鏡的像散是如何形成的？如何訂正？像散是由于透鏡磁場(chǎng)的非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱而引起的。極靴內(nèi)孔不圓、上下極靴的軸線錯(cuò)位、制作極靴的材料材質(zhì)不均勻以及極靴孔四周局部污染等緣由，都會(huì)使電磁透鏡的磁場(chǎng)產(chǎn)生橢圓度。透鏡磁場(chǎng)的這種非旋轉(zhuǎn)對(duì)稱，使它在不同方向上的聚焦力量消滅差異，結(jié)果使物p像散消退器可以補(bǔ)償像散。3.什么是透鏡畸變？為什么電子顯微鏡進(jìn)展低倍率觀看時(shí)會(huì)產(chǎn)生畸變？如何矯正？透鏡的畸變是由球差引起的，圖像的放大率會(huì)隨著離軸徑向距離的增加而增大或減小。當(dāng)透鏡作為投影鏡時(shí)，特別在低放大倍數(shù)時(shí)更為突出。由于此時(shí)在物面上被照耀的面積有相當(dāng)大的尺寸，球差的存在使透鏡對(duì)邊緣區(qū)域的聚焦力量比中心局部大。反映在像平面上，即像的放大倍數(shù)將隨離軸徑向距離的加大而增加或減小。電子電路可以對(duì)其進(jìn)展校正：在強(qiáng)鼓勵(lì)下，球差系數(shù)CS4.TEM要構(gòu)造自上而以下出1〕電子光學(xué)系統(tǒng)――照明系統(tǒng)、圖像系統(tǒng)、圖像觀看和記錄系統(tǒng)；2〕3〕電源和掌握系統(tǒng)。電子槍、第一冷凝器、其次冷凝器、冷凝器光圈、樣品臺(tái)、物鏡光圈、物鏡、選擇光圈、中間透鏡、投影透鏡、雙目光學(xué)顯微鏡、觀看窗、熒光屏和攝像室。5.透射電鏡和光學(xué)顯微鏡的區(qū)分是什么？光學(xué)顯微鏡用光束照明，簡(jiǎn)潔直觀，區(qū)分本領(lǐng)低〔0.2微米〕，只能觀看外表形貌，不能做微區(qū)成分分析；tem區(qū)分本領(lǐng)高〔1a〕可把形貌觀看，構(gòu)造分析和成分分析結(jié)合起來(lái)，可以觀看外表和內(nèi)部構(gòu)造，但儀器貴，不直觀，分析困難，操作簡(jiǎn)單，樣品制備簡(jiǎn)單。幾何像差和色差的緣由及消退方法。球差即球面像差，是由于電磁透鏡的中心區(qū)域和邊緣區(qū)域?qū)﹄娮拥恼凵淞α坎环项A(yù)定定律。降低球差可以通過(guò)減小CS差是由入射電子波長(zhǎng)〔或能量〕的不均勻性引起的。穩(wěn)定加速電壓的方法可以有效地削減色差；適當(dāng)調(diào)整鏡頭的極性；卡斯汀速度過(guò)濾器。tem樣品制備方法：化學(xué)稀釋、電解雙射流、薄片、粉碎研磨、聚焦離子束、機(jī)械稀釋、離子稀釋；TEM塊狀，用于一般微構(gòu)造爭(zhēng)論；平面，用于爭(zhēng)論薄膜和外表四周的微觀構(gòu)造；橫截面試樣外表、均勻薄膜和界面的微觀構(gòu)造爭(zhēng)論；小粉末，粉末，纖維，納米材料。二次復(fù)制法：爭(zhēng)論金屬材料的微觀形貌；一級(jí)萃取復(fù)型：指制成的試樣中包含著一局部金屬或其次相實(shí)體，對(duì)它們可以直接作形態(tài)檢驗(yàn)和晶體構(gòu)造分析，其余局部則仍按浮雕方法間接地觀看形態(tài)；金屬膜樣品：用于直接形態(tài)觀看和晶體構(gòu)造分析的電子束透亮金屬膜；粉末試樣：分散粉末法，膠粉混合法思考題：一.電子管從燈絲放射電子，向柵極施加負(fù)偏壓以收集電子，然后由陽(yáng)極加速以響應(yīng)電子從燈絲到柵極以及從柵極到陽(yáng)極的折疊方向和應(yīng)力方向？見(jiàn)答案12.為什么高區(qū)分電鏡要使用比一般電鏡更短的短磁透鏡作物鏡？高區(qū)分率電子顯微鏡的放大倍數(shù)高于一般電子顯微鏡。為了提高放大率，需要一個(gè)短1/FfNa，使極限區(qū)分率更小。3.為什么選擇燈條放在“圖像平面”上？電子束之照耀到待爭(zhēng)論的視場(chǎng)內(nèi)；防止光闌受到污染；將選區(qū)光闌位于向平面的四周，通過(guò)一次放大向的范圍來(lái)限制試樣成像或產(chǎn)生電子衍射的范圍。電子顯微鏡中的像差是如何形成的？爭(zhēng)論如何消退各種畸變。參見(jiàn)復(fù)習(xí)問(wèn)題。什么是景深和焦深？景深：固定像點(diǎn)，物體平面軸向移動(dòng)時(shí)仍能保持清楚范圍；焦深：固定的物點(diǎn)和成像平面的軸向運(yùn)動(dòng)仍能保持清楚的范圍。7.電子顯微鏡散光的緣由是什么？參見(jiàn)復(fù)習(xí)問(wèn)題。1/6二其次章復(fù)習(xí)題；當(dāng)電子束入射到固體樣品上時(shí)，會(huì)激發(fā)什么信號(hào)？它們的特點(diǎn)和用途是什么？二次電子：二次電子能量較低，在電場(chǎng)作用下可呈曲線運(yùn)動(dòng)翻越障礙進(jìn)入檢測(cè)器，因而能使樣品外表凹凸的各個(gè)局部都能清楚成像。二次電子強(qiáng)度與試樣外表的幾何外形、物理和化學(xué)性質(zhì)有關(guān)。1〕2〕3〕信號(hào)收集效率高，是掃描電鏡成像的主要手段。背散射電子〔be〕：一般來(lái)說(shuō)，背散射電子的能量很高，根本上在沒(méi)有電場(chǎng)作用的狀況下以直線進(jìn)入探測(cè)器。背散射電子的強(qiáng)度與樣品的外表形態(tài)和組成元素有關(guān)。對(duì)樣品材料的原子序數(shù)敏感，區(qū)分率和信號(hào)采集效率低。吸取電子(ae)：吸取電子與入射電子強(qiáng)度之比和試樣的原子序數(shù)、入射電子的入射角、試樣的外表構(gòu)造有關(guān)。利用測(cè)量吸取電子產(chǎn)生的電流，既可以成像，又可以獲得不同元素的定性分布狀況，它被廣泛用于掃描電鏡和電子探針中。1)隨著原子序數(shù)的增大，背散射電子增多，吸取電子較少；2)吸取電流圖像的襯度正好與背散射電子圖像相反。XXX可用于微區(qū)成分分析和晶體構(gòu)造爭(zhēng)論。俄歇電子(aue)：每一種元素都有自己的特征俄歇能譜。1)適合分析輕元素及超輕元2)適合外表薄層分析(<1nm)(如滲氮問(wèn)題〕透射電子〔TE〕：10~20nm，透射電子主要由彈性散射電子組成，圖像清楚。假設(shè)樣品很厚，相當(dāng)一局部透射電子是非彈性散射電子，其能量低于E0，并且是可變的。通過(guò)磁透鏡后，由于色差，成像清楚度受到影響。1〕質(zhì)量厚度比照效應(yīng)2〕3〕衍射比照效應(yīng)感應(yīng)電導(dǎo)：在電子束作用下，由于試樣中電子電離和電荷積存，試樣的局部電導(dǎo)率發(fā)生變化。(電子感生電導(dǎo))用于爭(zhēng)論半導(dǎo)體。熒光：〔陰極發(fā)光〕各種元素的熒光，具有各自的特征顏色，因此可用于光譜分析。大多數(shù)陰極材料對(duì)雜質(zhì)格外敏感，因此可以用來(lái)檢測(cè)雜質(zhì)。各種物理信號(hào)產(chǎn)生的深度和廣度：俄歇電子<1nm；二次電子<10nm；背散射電子>10nm；x1um當(dāng)電子束通過(guò)樣品時(shí)，哪些因素會(huì)影響電子傳輸強(qiáng)度？加速電壓、樣品厚度、入射方向、晶體構(gòu)造、樣品材料組成。3.簡(jiǎn)要描述次要副本和主要提取副本。關(guān)心副本：a樣本外表顯示內(nèi)部組織；或選擇穎骨折作為樣本。B在復(fù)制的樣品外表滴一滴丙酮，然后用一張比樣品稍大的AC制品。cac紙揭下。D鍍膜儀中進(jìn)展碳噴涂e30F2.5mm×2.5mmAC2-3φ，3mm接用電子顯微鏡觀看。主提取副本：a深度為略大于其次相質(zhì)點(diǎn)的一半，以便易于萃取在復(fù)型上；對(duì)斷口試樣一般不浸蝕。b試樣外表上真空噴鍍一層碳。C2.5分別。d〔或腐蝕液〕，它只浸蝕基體而不浸蝕要萃取的其次相。E.當(dāng)碳膜與樣品外表完全分別并漂移在液面上時(shí)，用銅網(wǎng)將其撿起來(lái)。F的硝酸酒精或鹽酸酒精中清洗碳膜，然后在酒精或丙酮中反復(fù)清洗，最終用φ3去除碳膜，用濾紙吸干，然后用電子顯微鏡觀看。思考問(wèn)題：1.隨著原子序數(shù)增大，背散射電子、吸取電子的變化。隨著原子序數(shù)的增加，背散射電子增多，吸取電子削減。第三章復(fù)習(xí)題分析電子衍射和X7。bragg：2dsinθ=nλ倒易點(diǎn)陣和EwaldHu+kV+LW=0：fhkl=∑fjexp[2πi(hxj+kyj+lzj)]簡(jiǎn)潔立方：fhkl不等于零，即無(wú)消光現(xiàn)象。面心立方：h、k、lfhkl=0；h、k、l〕。體心立方：h+k+l=奇數(shù)時(shí)，fhkl=0；h+k+l=偶數(shù)時(shí)，fhkl≠02/6偏離矢量與倒易陣點(diǎn)擴(kuò)展：偏差向量sEwaldRd=LλRDL；λ3，其中衍射圖像和主放大圖像形成于物鏡中？衍射像成像在物鏡的后焦面上，主放4Rd=Lλ測(cè)量噴鍍的標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)的ri，確定ri，因物質(zhì)構(gòu)造，有astm卡片確定di，計(jì)算k=ri*di，取平均值，即可。假設(shè)要求準(zhǔn)確，畫(huà)出ri*diri電子衍射譜用。5.用愛(ài)瓦爾德圖解法證明布拉格定律。O*g=g，所以K”-K=g，這完全等同于布拉格定律。使垂直線從OO*g，垂直腳是d。g〔hkl〕晶面的法線nhkl，OD〔hkl〕晶面在正空間中的方向，假設(shè)其與入射光束方向的夾角是θ，則有O*d=OO*sinθ，即g/2=ksinθ，由于g=1/d，k=1/λso2dsinθ=λ。在電子顯微鏡中進(jìn)展選區(qū)電子衍射分析，如何能將形貌觀看及構(gòu)造分析結(jié)合起來(lái)？單晶形成、圖案和多晶衍射特性的描述。多晶體的電子衍射圖是一系列不同半徑的同心環(huán)。多晶取向是完全無(wú)序的，可以看作是一個(gè)在三維空間中圍繞一個(gè)點(diǎn)旋轉(zhuǎn)的單晶。因此，它的倒數(shù)點(diǎn)是一個(gè)倒數(shù)球，以〔hkl〕晶面間距的倒數(shù)為半徑，從反射球上切出一個(gè)圓。全部能產(chǎn)生衍射的半點(diǎn)都延長(zhǎng)成一個(gè)環(huán)，所以它們是一系列同心環(huán)。單晶體的電子衍射把戲由排列的格外整齊的很多斑點(diǎn)組成。倒易原點(diǎn)四周的球面可近似看作是一個(gè)平面，故與反射球相截的是而為倒易平面，在這平面上的倒易點(diǎn)陣都坐落在反射球面上，相應(yīng)的晶面都滿足bragg影，也就是某一特征平行四邊形平移的把戲。非晶材料的電子衍射圖只有一個(gè)集中中心點(diǎn)。非晶態(tài)沒(méi)有整齊的晶格構(gòu)造。結(jié)合例子說(shuō)明如何利用電子衍射圖譜進(jìn)展物相鑒定和取向關(guān)系的測(cè)定。見(jiàn)課本117頁(yè)哪些參數(shù)影響電子衍射分析的準(zhǔn)確性？如何準(zhǔn)確計(jì)算？準(zhǔn)確測(cè)定lλ；??思考題多晶物質(zhì)前五個(gè)衍射環(huán)的半徑為R1=8.42mm，r2=11.83mm,r4=16.84mm,r5=18.88a=2.81(1)確定此物質(zhì)的構(gòu)造,并標(biāo)定這些環(huán)對(duì)應(yīng)的指數(shù);(2)求衍射常數(shù)l?.繪制面心立方晶體〔211〕*的零級(jí)和一級(jí)勞厄譜帶重疊圖〔具體計(jì)算過(guò)程必需編寫(xiě)〕144零階與高階勞厄區(qū)之間的空白區(qū)寬度，與什么因素有關(guān)，有什么關(guān)系？零級(jí)和高階勞厄區(qū)之間的空白寬度不僅與樣品厚度有關(guān)，而且與衍射材料的晶格常數(shù)有關(guān)。樣品厚度越小，晶格常數(shù)越大〔即不同層的倒數(shù)面越接近〕，空白區(qū)越窄。利用那種襯度操作可看到位錯(cuò)的半原子面和位移r1、r2；利用那種襯度操作可看到應(yīng)變場(chǎng)位錯(cuò)線,如何操作可觀看位錯(cuò)割階，如何操作可觀看反相籌？相位比照度；衍射比照度；假設(shè)我們想觀看爬升形成的切臺(tái)階，電子束的入射方向必需垂直于位錯(cuò)線，但平行于滑移面；為了觀看反疇邊界，電子束的入射方向必需平行于疇壁。7.電子衍射和X8.晶面間距越小越簡(jiǎn)潔消滅高階勞埃帶，對(duì)么？為什么？不對(duì)。間距越大，倒易面越接近，才簡(jiǎn)潔消滅高階勞埃帶。9.什么是菊池極菊池帶、什么是超點(diǎn)陣斑？菊池線對(duì)的中心線是〔hkl〕平面和熒光屏之間的剖面線，兩條中心線的交點(diǎn)是兩個(gè)相應(yīng)晶體平面的晶帶軸和熒光屏之間的剖面點(diǎn)，稱為菊池極。晶面和入射電子束間的夾角?。當(dāng)?＝?，即晶格嚴(yán)格處于布拉格衍射位置，倒易點(diǎn)hkl正好落在反射球上，菊池線正好通過(guò)hkl000〔透射斑點(diǎn)〕，在這種雙光束狀況下，菊池線的特征不明顯，只在000hkl〔暗〕，這個(gè)暗帶的兩邊就相當(dāng)于上述菊池線位置。超晶格斑點(diǎn)：當(dāng)晶體中的不同原子按挨次排列時(shí)，會(huì)引起電子衍射結(jié)果的變化，也就是說(shuō)，可以消滅原始的消光斑點(diǎn)，而額外的斑點(diǎn)稱為超晶格斑點(diǎn)。10.什么是對(duì)稱譜，為什么電子束平行晶面仍可得到電子衍射圖？〔待定〕電子束是平行于晶體帶軸入射形成的。樣品薄倒易桿比較長(zhǎng)，電子束波長(zhǎng)短反射球曲率小。第四章復(fù)習(xí)問(wèn)題和思考問(wèn)題：1.如何應(yīng)用gb=0b？由于GB=0意味著GB，中選擇兩個(gè)G此可以列出兩個(gè)方程，即3/6GH1K1B=0；gh2k2l2b=0。位錯(cuò)線的BergerB2形成機(jī)制是什么？相位襯度：經(jīng)過(guò)物質(zhì)試樣的透射束和衍射束經(jīng)物鏡相互干預(yù)的結(jié)果形成的；振幅比照度：晶體樣品的構(gòu)造振幅不同，滿足布拉格條件的程度不同而產(chǎn)生的比照度。包括質(zhì)量厚度比照、衍射比照等。為什么當(dāng)GB=0條件下可以無(wú)線化？位錯(cuò)不行見(jiàn)判據(jù)gb=0r2gb=0r24.bb垂直，螺位位錯(cuò)與b在其次相粒子的影響下，假設(shè)確定了方向，衍射點(diǎn)四周會(huì)記錄什么樣的二次圖案，假設(shè)方向不確定，會(huì)記錄什么樣的二次圖案？假設(shè)其次相為格外彌散的細(xì)小粒子，且取向確定，則倒易陣點(diǎn)四周有一彌散殼層，衍射斑點(diǎn)四周可記錄到暈環(huán)狀漫散帶；假設(shè)取向分散則形成多晶德拜環(huán)把戲。當(dāng)其次相是薄圓盤(pán)且平行于電子束時(shí)，在衍射光譜中可以看到什么樣的二次衍射，為什么？假設(shè)其次相為薄的圓盤(pán)或片狀，則倒易陣點(diǎn)為垂直于盤(pán)或平面的桿，視這些桿相對(duì)于入射電子束的方向不同狀況而在衍射譜上記錄到小的圓形斑點(diǎn)(當(dāng)盤(pán)、片平面垂直于電子束方向時(shí))，或漫散條紋(當(dāng)盤(pán)、片平面平行于電子束方向時(shí))。7.什么是錯(cuò)陪度，寫(xiě)出錯(cuò)配度公式。失配度：表示矩陣與界面其次項(xiàng)晶格常數(shù)之差示出基體和其次相的不同像襯；取向襯度是傾斜試樣，使其次相處于準(zhǔn)確布拉格衍射條件，基體偏離布拉格條件，則在明場(chǎng)下其次相粒子有深的襯度，與淺的基體背景襯度形成猛烈比照。暗場(chǎng)像襯正好反過(guò)來(lái)。兩相界面比照度：當(dāng)其次相尺寸較大且與基體存在明顯的界面時(shí)，界面處會(huì)產(chǎn)生一些特征比照度，這是界面處其次相與基體對(duì)電子束共同作用的結(jié)果。比照度有三種類型：界面失配位錯(cuò)、位移條紋和波浪圖案。10.哪些參數(shù)會(huì)影響電子衍射比照度？主要是準(zhǔn)確測(cè)定lλ，其次受樣品厚度、偏離矢量、電子束與樣品傾斜、離焦量等影響。11.什么是相位比照度？解釋底腳和樣品厚度對(duì)相位比照度的影響？相位襯度是透射電子束和各級(jí)衍射束之間相互干預(yù)而形成的。欠焦和樣品厚度對(duì)高區(qū)分率圖像的比照度有非直觀的影響。在高區(qū)分率圖像照片中，隨著離焦和樣品厚度的變化，黑背上的白點(diǎn)可能會(huì)變成白背上的黑點(diǎn)，即圖像比照度會(huì)發(fā)生逆轉(zhuǎn)，圖像點(diǎn)的分布規(guī)律也會(huì)發(fā)生變化。〔第122〕高區(qū)分率圖像的比照度與原子排列之間的對(duì)應(yīng)關(guān)系是什么？滿足弱相位近似及最正確欠焦條件下拍攝的像能正確反響晶體構(gòu)造，不滿足時(shí)，需要與計(jì)算機(jī)模擬的像進(jìn)展匹配來(lái)確定晶體構(gòu)造。有多少種高區(qū)分率圖像？可以供給哪些信息？見(jiàn)答案3晶格條紋像和二維構(gòu)造像有何差異？二者成像條件有何不同？見(jiàn)答案3122318.寫(xiě)出平行波文圖周期d說(shuō)明高區(qū)分率電子顯微鏡在材料爭(zhēng)論中的應(yīng)用。參見(jiàn)教科書(shū)第239用公式說(shuō)明離焦量與cs29.什么是基質(zhì)應(yīng)變比照度、其次相比照度和兩相界面比照度？基體應(yīng)變比照：其次相與基體之間的界面晶格是相干的，但匹配界面的晶格常數(shù)略有不同，存在肯定的失配。這將不行避開(kāi)地導(dǎo)致界面四周基體中的應(yīng)變場(chǎng)，即晶格畸變。當(dāng)電子束通過(guò)這個(gè)狹窄的畸變區(qū)域時(shí)，波的相位會(huì)發(fā)生變化，這與遠(yuǎn)離界面的基體比照度不同，這被稱為應(yīng)變比照度。其次階段比照：構(gòu)造因素比照和方向比照構(gòu)造因子襯度為其次相和基體組成物質(zhì)不同，因而構(gòu)造因子不同。構(gòu)造因子不同則操作反射下的消光距離不同，從而顯18.3g3θ+g3gbragg3g19.假設(shè)將+G心光斑是亮還是暗？為什么？黑點(diǎn)，見(jiàn)上圖。當(dāng)偏離矢量s00，位錯(cuò)左側(cè)應(yīng)變場(chǎng)偏離矢量s’0，時(shí)照片的位錯(cuò)線在實(shí)際位錯(cuò)線的哪一側(cè)；s00，左側(cè)s’4/60在位錯(cuò)左側(cè)s0+s’=0，會(huì)形成一襯度峰值，顯示位錯(cuò)線在實(shí)際位錯(cuò)的左側(cè)；反之在右側(cè)。為什么在觀看復(fù)制樣品時(shí)，正面和反面的比照度一樣，但球?qū)ΨQ粒子在頂部和底部或正面和反面不同。復(fù)型樣品的襯度是質(zhì)厚襯度，隨厚度而變化，不隨位置變化；而球?qū)ΨQ粒子是基體應(yīng)變襯度，隨著深度的變化，襯度會(huì)發(fā)生明顯的變化。假設(shè)晶格常數(shù)較大，很簡(jiǎn)潔看到高階勞厄帶。它和高區(qū)分率晶格圖像一樣嗎？為什么？晶格常數(shù)大，倒易面的面間距就小，簡(jiǎn)潔與反射球相交，形成高階勞埃帶。提示：傳播函數(shù)和構(gòu)造與圖像一一對(duì)應(yīng)。第五章復(fù)習(xí)問(wèn)題1.掃描電鏡的區(qū)分率受哪些因素影響？用不同的信號(hào)成像時(shí)，其區(qū)分率有何不同？所謂掃描電鏡的區(qū)分率是指用何種信號(hào)成像時(shí)的區(qū)分率？當(dāng)其他條件一樣〔如信噪比、磁場(chǎng)條件和機(jī)械振動(dòng)〕時(shí)，電子束的束斑大小、檢測(cè)信號(hào)類型和檢測(cè)點(diǎn)的原子序數(shù)是影響掃描電子顯微鏡區(qū)分率的三個(gè)主要因素。成像區(qū)分率〔nm〕：5-1050-200100-1000X100-1000，5-10。所謂掃描電子顯微鏡的區(qū)分率是指二次電子圖像的區(qū)分率。2.SEMTEM的成像原理有何不同？它不用電磁透鏡放大成像，而是用類似電視顯影顯像的方式，利用細(xì)聚焦電子束在樣品外表掃面試激發(fā)出來(lái)的各種物理信號(hào)來(lái)調(diào)制成像的。二次電子和背散射電子圖像在顯示外表形態(tài)比照度方面有什么相像之處和不同之處？一樣：都可以利用收集到的信號(hào)進(jìn)展形貌分析差異：二次電子圖像主要反映樣品外表的形態(tài)特征。圖像比照度是形態(tài)比照度，主要取決于樣品外表相對(duì)于入射電子束的傾斜度。樣品外表光滑平坦〔不行見(jiàn)特征〕。傾斜放置時(shí)的二次電子放射電流大于水平放置時(shí)的二次電子放射電流，一般約為45電子信號(hào)用于形態(tài)分析時(shí)，可以向探測(cè)器的收集柵極添加一個(gè)正電壓〔通常為250-500v〕，以吸引低能的二次電子，并使其以電弧路徑進(jìn)入探測(cè)器。通過(guò)這種方式，從樣品外表的某些局部逸出的二次電子背向探測(cè)器或凹坑，也有助于成像，提高了圖像級(jí)別和清楚的細(xì)節(jié)。用背散射電子信號(hào)進(jìn)展形貌分析時(shí)，其區(qū)分率要比二次電子低，由于背散射電子是在一個(gè)較大的作用體積內(nèi)被入射電子激發(fā)出來(lái)的，成像單元變大是區(qū)分率降低的緣由。背散射電子的能量格外高。它們以直線軌跡從樣品外表逃逸。對(duì)于背向探測(cè)器的樣品外表，由于探測(cè)器無(wú)法收集后向散射電子，它會(huì)變成一個(gè)陰影。因此，它在圖像上顯示出猛烈的比照度，甚至失去了細(xì)節(jié)層次，這不利于分析。電子探針儀與掃描電鏡有何異同？電子探針儀如何與掃描電鏡和透射電鏡協(xié)作進(jìn)展組織構(gòu)造和微區(qū)化學(xué)成分的同位分析？電子探針的筒體和樣品室與掃描電子顯微鏡沒(méi)有本質(zhì)區(qū)分，但探測(cè)器中使用的X光譜儀特地用于確定特征波長(zhǎng)〔WDS〕或特征能量〔EDS〕，以分析錯(cuò)誤的化學(xué)成分。電子探針一般作為附件安裝在掃描電鏡或透射電鏡上，滿足微區(qū)組織形貌、晶體構(gòu)造級(jí)化學(xué)成分三位一體分析的需要。5.舉例說(shuō)明電子探針的三種工作方式〔點(diǎn)、線、面〕在顯微成分分析中的應(yīng)用。點(diǎn)分析：將電子束固定在某一待分析點(diǎn)上，用手或電機(jī)轉(zhuǎn)變晶體與計(jì)數(shù)器之間的相對(duì)位置，以便在此點(diǎn)接收不同元素的X線分析：將譜儀〔波譜儀或能譜儀〕固定在所要測(cè)量的某一元素特征x〔波長(zhǎng)或能量〕的位置上，使電子束沿指定的路徑作直線掃描，便可得到該元素在此直線上的濃度分布曲線。轉(zhuǎn)變譜儀的位置，便可得到另一元素的濃度分布曲線。外表分析：當(dāng)電子束用