場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)

場(chǎng)效應(yīng)管識(shí)別與檢測(cè)1第1頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管.由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管.它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件.

特點(diǎn):

具有輸入電阻高（100000000～1000000000Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者.

2第2頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3第3頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)因有兩個(gè)PN結(jié)而得名；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(JGFET)則因柵極與其他電極完全絕緣而得名。一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類4第4頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月一、場(chǎng)效應(yīng)管的種類按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的不同之處在于它們的導(dǎo)電方式不同。若按導(dǎo)電方式來(lái)劃分，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又可分成耗盡型與增強(qiáng)型。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型。5第5頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月N溝道P溝道增強(qiáng)型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道（耗盡型）FET場(chǎng)效應(yīng)管JFET結(jié)型MOSFET絕緣柵型(IGFET)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類6第6頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月N基底：N型半導(dǎo)體PP兩邊是P區(qū)G(柵極)S源極D漏極一、結(jié)構(gòu)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:導(dǎo)電溝道二、場(chǎng)效應(yīng)管的原理7第7頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS8第8頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月PNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS9第9頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管:一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PNNGSDP型基底兩個(gè)N區(qū)SiO2絕緣層導(dǎo)電溝道金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型10第10頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月N溝道耗盡型PNNGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道GSD11第11頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月NPPGSDGSDP溝道增強(qiáng)型12第12頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月P溝道耗盡型NPPGSDGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道13第13頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月三、場(chǎng)效應(yīng)管的識(shí)別與檢測(cè)1．場(chǎng)效應(yīng)管外形的識(shí)別塑料封裝場(chǎng)效應(yīng)管14第14頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月金屬封裝場(chǎng)效應(yīng)管15第15頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2．場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)16第16頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月2．場(chǎng)效應(yīng)管的符號(hào)在有些大功率MOSFET管中的G-S極間或D-S極間增加了保護(hù)二極管，以保護(hù)管子不致于被靜電擊穿，這種管子的電路圖符號(hào)如圖所示。17第17頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別場(chǎng)效應(yīng)管也有三個(gè)引腳，分別是柵極(又稱控制極)、源極、漏極3個(gè)端子。場(chǎng)效應(yīng)管可看作一只普通晶體三極管，柵極G對(duì)應(yīng)基極b，漏極D對(duì)應(yīng)集電極C，源極S對(duì)應(yīng)發(fā)射極E。N溝道對(duì)應(yīng)NPN型晶體管，P溝道對(duì)應(yīng)PNP晶體管。18第18頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3.場(chǎng)效應(yīng)管引腳的識(shí)別直接目測(cè)識(shí)別GDSSSDG散熱片散熱片19第19頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的判斷2.場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷

先用MF10型萬(wàn)用表R*100KΩ擋（內(nèi)置有15V電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再該用萬(wàn)用表R*1Ω擋，將負(fù)表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)管是好的。4.場(chǎng)效應(yīng)管引腳的檢測(cè)20第20頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月四、場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)①開啟電壓VGS(th)(或VT)

開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對(duì)值,場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。②夾斷電壓VGS(off)(或VP)

夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)VGS=VGS(off)

時(shí),漏極電流為零。③飽和漏極電流IDSS

耗盡型場(chǎng)效應(yīng)三極管,當(dāng)VGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流21第21頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月④輸入電阻RGS

場(chǎng)效應(yīng)三極管的柵源輸入電阻的典型值，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管，反偏時(shí)RGS約大于107Ω，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管,RGS約是109～1015Ω。⑤低頻跨導(dǎo)gm

低頻跨導(dǎo)反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制作用。(相當(dāng)于普通晶體管的hEF

)，單位是mS(毫西門子)。⑥最大漏極功耗PDM

最大漏極功耗可由PDM=VDSID決定，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。22第22頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月⑦極限漏極電流ID是漏極能夠輸出的最大電流，相當(dāng)于普通三極管的ICM

，其值與溫度有關(guān)，通常手冊(cè)上標(biāo)注的是溫度為25℃時(shí)的值。一般指的是連續(xù)工作電流，若為瞬時(shí)工作電流，則標(biāo)注為IDM

，這個(gè)值通常大于ID

。⑧最大漏源電壓UDSS

是場(chǎng)效應(yīng)管漏源極之間可以承受的最大電壓(相當(dāng)于普通晶體管的最大反向工作電壓UCEO)，有時(shí)也用UDS表示。23第23頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月五、使用場(chǎng)效應(yīng)管的注意事項(xiàng)1．在設(shè)計(jì)電路時(shí)應(yīng)注意的問題管子的實(shí)際工作條件，不能超過(guò)其最大漏極功耗PDM

、極限漏極電流ID

、最大漏源電壓UDSS等參數(shù)的極限值。要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝道管柵極不能加正偏壓；P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓，等等。2．場(chǎng)效應(yīng)管的運(yùn)輸與儲(chǔ)存由于輸入阻抗極高，在運(yùn)輸、貯藏中必須將引腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來(lái)感應(yīng)電勢(shì)將柵極擊穿，同時(shí)注意防潮。24第24頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月3．使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)必須注意為了防止場(chǎng)效應(yīng)管柵極感應(yīng)擊穿，要求一切測(cè)試儀器、工作臺(tái)、電烙鐵、線路本身都必須有良好接地；在焊接管腳時(shí)，先焊源極；在連入電路之前，管子的全部引線保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才可把短接線去掉；從元器件架上取下管時(shí)，應(yīng)以適當(dāng)?shù)姆绞酱_保人體接地(如采用接地環(huán)等)；如果能采用靜電電烙鐵來(lái)焊接場(chǎng)效應(yīng)管是比較方便的，并且可以確保安全；不能帶電插拔。25第25頁(yè)，課件共26頁(yè)，創(chuàng)作于2023年2月4．場(chǎng)效應(yīng)管的