14晶體生長的界面形態(tài)

晶體生長的界面外形影響晶體形態(tài)的因素：生長機制界面的微觀構(gòu)造界面前沿的溫度分布及生長動力學等很多因素有關(guān)。鑒于問題的簡單性微觀構(gòu)造和界面前沿溫度分布的幾種典型狀況表達力如下：一在正的溫度梯度下生長時界面形態(tài)：結(jié)晶潛熱散失：相界面推移速度：相界面對液相中的推移速度受其散熱速率的掌握。規(guī)章的幾何外形和平面長大方式正溫度梯度下的光滑界面：向成不同的角度分布著，與熔點Tm等溫面呈肯定角度，但從宏觀來看，仍為平行于Tm等溫面的平直面，如圖2.25a所示。晶面不同原子密度不同外表能不同長大速度不同：速度較??；原子密度小的晶面長大速度較大。2.26來說明

開頭生長，一次經(jīng)受

等不同時間時的截面，1 234箭頭表示長大速度。由圖可以看，簡潔立方晶體的{001}晶面為密排面，{110}為非密排面，因此方向長大速度大,、必定的結(jié)果所以以光滑界面結(jié)晶的晶體如SiAl及合金中的某些金屬化合物，假設無其它因素干擾，大多可以成長為以密排晶面為外表的晶體，具有規(guī)章的幾何外形粗糙界面和熔點等溫面的關(guān)系：具有粗糙界面構(gòu)造的晶體在正的溫度梯度下成長吋其界面為平行于熔點T 等m溫面的平直界面，它與散熱方向垂直，如圖2.25b所示正溫度梯度粗糙界面平面長大方式：一般說來,Tm

相重合，所以晶體在成長時界面只能隨著液體的冷卻而均勻全都地向液相推移局部偶有突出，那么它便進入低于臨界過冷度甚至熔點Tm

以上的溫度區(qū)域，成始終可以近似地保持平面長大方式稱為平面長大方式。二在負的溫度梯度下生長的界面形態(tài)A負溫度梯度粗糙界面具有粗糙界面的晶體在負的溫度梯度下生長時很快長成一個瘦長的晶體更大的液體中，從而更加有利于此突出尖端向液體中的成長。突出尖端很快長成一個瘦長的晶體，稱為主干一次晶軸和二次晶軸：小平面界面在負的溫干。這些主干即為一次品軸或一次品枝。會消滅很多凸出尖端，它們長大成為的品枝，稱為二次晶軸或二次品枝一次晶軸和二次晶軸的角度：者是相互垂直的。三次晶枝及樹枝晶：時各次枝又在不斷的伸長和壯大，由此而形成如樹枝狀的骨架，故稱為樹枝晶,簡稱枝品最終晶體的形態(tài)了，只能看到各個晶粒的邊界，如圖2.28b可見屬抽掉，這時就會看到，正在長大著的金屬晶體確實呈樹枝狀。結(jié)果就留下了樹枝狀的花紋。圖2.29為在鋼錠中所觀看到的樹枝晶不同構(gòu)造的晶體其晶軸的位向可能不同如表2-2所示面心立方品德和體心立方晶格的金屬，其樹枝晶的各次品軸均沿<100>的方向長垂直。長大條件不同則樹枝晶的晶軸在各個方向上的進展程度也會不同成的晶粒叫做等軸晶粒。假設枝晶某一個方向上的一次軸長的很長，而在其它方向長大時受到阻礙，這樣形成的瘦長晶粒叫柱狀晶粒。B負的溫度梯度下光滑界面具有光滑界面的物質(zhì)在負的溫度梯度下長大時假設杰克遜因子值不太大，仍有可能長成樹枝狀晶體，但往往帶有小平面的特征，例如銻消滅帶有小平面的樹枝狀晶體即為此例但是負的溫度梯度較小時，仍有可能長成規(guī)章的幾何外形。對于值很大的晶體來說，即使在較大的負溫度梯度下，仍有可能形成規(guī)章外形的品體B負的溫度梯度下光滑界面杰克遜因子值不太大，負溫度梯度