半導(dǎo)體器件物理教學(xué)課件-蘇州大學(xué)考研

半導(dǎo)體器件物理電子信息學(xué)院王明湘王子歐2006年6月半導(dǎo)體器件物理課件-蘇州大學(xué)考研半導(dǎo)體器件物理電子信息學(xué)院王明湘王子歐2006年6月第一章緒論1.學(xué)習(xí)器件物理的意義2.本課程的基本內(nèi)容·3.學(xué)習(xí)器件物理的基本方法本課程的基本內(nèi)容CH1課程簡(jiǎn)介·CH2熱平衡時(shí)的能帶及載流子濃度·CH3載流子輸運(yùn)現(xiàn)象CH4PN結(jié)CH5雙極型晶體管及其相關(guān)器件·CH6MOSFET及其相關(guān)器件CH7金半接觸及MESFET第一章緒論1.學(xué)習(xí)器件物理的意義2.本課程的基本內(nèi)容·3.學(xué)習(xí)器件物理的基本方法本課程的基本內(nèi)容CH1課程簡(jiǎn)介·CH2熱平衡時(shí)的能帶及載流子濃度·CH3載流子輸運(yùn)現(xiàn)象CH4PN結(jié)CH5雙極型晶體管及其相關(guān)器件·CH6MOSFET及其相關(guān)器件CH7金半接觸及MESFETImportanceofSemiconductorIndustry魯GWPH*autmmhiles19n2010ductorandsteelindusthisfrom1980to2n0andprmiectedto2/10/3'atulomobile,semicon-Fig1Grossworldproduct(CWP)andsalesvolumesoltheeleclronics4BuildingBlocksMetalSemiconductorSemiconductor(b)OxideSomiontuturScvhieuntucturFig2Basicdevicebuildingblocks(a)Metal-semiconductorinterface;(b)p-njunction;(c)tucterujunctionlinterfac;and(d)nmetul-uxide-sulicOnlductorstructure.A)金-半接觸(metal-semiconductorcontact):整流接觸(rectifyingcontact)歐姆接觸(Ohmiccontact)B)PN結(jié)(P-njunction)C)異質(zhì)結(jié)(hetero-junctioninterface)D)金屬-氧化層半導(dǎo)體(metal-oxidesemiconductor,MOs)結(jié)構(gòu)FirstTransistoronGe(貝爾實(shí)驗(yàn)室)Fig3Thefirsttransistor.'(PhotographcourtesyofBellLaboratoriesFirstmostransistor(貝爾實(shí)驗(yàn)室)4Thefirstmetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor.(PhotographcourtesyofLaboratoriesFloatingGateTransistor(nonvolatilesemiconductormemorydevice)Floatinggate(-1pF)ChanneliconductorFloatinggate(-1aF)0.1aFFig5(a)Aschematicdiagramofthefirstnonvolatilesemiconductormemory(NVSM)withafloatinggate.1(b)Alimiting