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數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用課件第1頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第二章邏輯門電路數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第2頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月目標(biāo)在這一章里,你將學(xué)習(xí):2.1概述2.2半導(dǎo)體分立器件的開關(guān)特性2.3邏輯門電路2.4TTL集成邏輯門電路2.5CMOS集成邏輯門電路2.6不同類型門電路的接口問(wèn)題2.7邏輯門電路的應(yīng)用數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第3頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月第二章邏輯門電路

內(nèi)容提要本章主要介紹邏輯電路的基本邏輯關(guān)系和邏輯門電路;TTL與非門的典型電路結(jié)構(gòu)、工作原理、傳輸特性和主要參數(shù);CMOS集成邏輯門電路。數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第4頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.1概述1.正邏輯和負(fù)邏輯

在邏輯電路中,輸入輸出電位的高低用電平表示,高電平是一種狀態(tài),低電平是另一種狀態(tài);若高電平表示有信號(hào),用1表示,低電平表示沒有信號(hào),用0表示,則稱為正邏輯;反之若低電平表示有信號(hào),用1表示,高電平表示沒有信號(hào),用0表示,則稱為負(fù)邏輯。2.標(biāo)準(zhǔn)高電平和標(biāo)準(zhǔn)低電平

在數(shù)字電路中,高電平或低電平都是表示一定的電壓范圍,而不是一個(gè)固定不變的數(shù)值。將高電平的下限值稱為標(biāo)準(zhǔn)高電平,用USH表示,低電平的上限值稱為標(biāo)準(zhǔn)低電平,用USL表示;在實(shí)際電路中應(yīng)滿足高電平UH≥USH,低電平UL≤USL。數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第5頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2半導(dǎo)體分立器件的開關(guān)特性2.2.1二極管的開關(guān)特性2.2.2晶體管的開關(guān)特性2.2.3MOS管的開關(guān)特性

在數(shù)字電路中,二極管大多工作在開關(guān)狀態(tài)。由于二極管具有單向?qū)щ娞匦?,因此,在?shù)字電路中它可以作為一個(gè)電子開關(guān)使用。數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第6頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.1二極管的開關(guān)特性1.二極管的靜態(tài)開關(guān)特性二極管的靜態(tài)開關(guān)特性是指二極管在正向直流電壓或反向直流電壓作用下穩(wěn)定導(dǎo)通或截止時(shí)呈現(xiàn)特性。

圖2-1二極管的開關(guān)電路數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第7頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性

二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性是指信號(hào)電壓突然變化時(shí),二極管從一種工作狀態(tài)轉(zhuǎn)換到另一工作狀態(tài)時(shí)的轉(zhuǎn)換特性。轉(zhuǎn)換過(guò)程有兩種,即從導(dǎo)通到截止和從截止到導(dǎo)通,圖2-2所示為二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性。

數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第8頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖2-2二極管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性由此可見,反向恢復(fù)時(shí)間是影響二極管開關(guān)速度的主要原因,反向恢復(fù)時(shí)間越長(zhǎng),開關(guān)速度越低。數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第9頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.2晶體管的開關(guān)特性1.晶體管的靜態(tài)開關(guān)特性

晶體管的輸出特性曲線有三個(gè)區(qū)域——放大區(qū)、截止區(qū)、飽和區(qū)。在數(shù)字電路中,晶體管主要工作在飽和區(qū)和截止區(qū),并在截至區(qū)和飽和區(qū)之間通過(guò)放大區(qū)進(jìn)行快速轉(zhuǎn)換,晶體管的這種工作狀態(tài)稱為開關(guān)工作狀態(tài)。

圖2-3晶體管的開關(guān)工作狀態(tài)

數(shù)字電子技術(shù)及應(yīng)用高職高專ppt課件第10頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性與二極管相似,晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)時(shí),其內(nèi)部電荷的存儲(chǔ)與消散都需要一定的時(shí)間,因此集電極電流的變化總是滯后于輸入電壓ui

的變化,所以晶體管由截止?fàn)顟B(tài)變?yōu)轱柡蜖顟B(tài)或由飽和狀態(tài)變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)都需要一定的時(shí)間。如圖2-4所示。

第11頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖2-4晶體管的開關(guān)時(shí)間第12頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.2.3MOS管的開關(guān)特性1.MOS管的開關(guān)作用MOS管金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,和晶體管一樣可以當(dāng)作開關(guān)使用。

圖2-5MOS管開關(guān)電路第13頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.MOS管的開關(guān)時(shí)間雙極型晶體管由于飽和時(shí)有存儲(chǔ)電荷存在,所以其開關(guān)時(shí)間較長(zhǎng)。而MOS管因?yàn)橹挥幸环N載流子參與導(dǎo)電,不存在存儲(chǔ)電荷,因此不存在存儲(chǔ)時(shí)間,因而它的開關(guān)時(shí)間較小。用PMOS管也可以構(gòu)成開關(guān)電路,不同的是PMOS管的開啟電壓為負(fù)值。

第14頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3邏輯門電路2.3.1二極管門電路2.3.2晶體管門電路2.3.3組合邏輯門電路

在邏輯代數(shù)中最基本的邏輯關(guān)系有三種,即“與”、“或”、“非”,實(shí)現(xiàn)上述邏輯關(guān)系的電路叫邏輯門電路,簡(jiǎn)稱門電路.第15頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3.1二極管門電路1.二極管與門電路圖2-6二極管與門電路第16頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

與門電路的輸入和輸出波形如圖2-7所示.圖2-7與門電路工作波形

第17頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.二極管或門電路圖2-8二極管或門電路第18頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月或門電路的輸入和輸出波形如圖2-9所示.圖2-9或門電路工作波形第19頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3.2晶體管門電路圖2-10晶體管非門電路a)電路b)邏輯符號(hào)晶體管非門電路第20頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.3.3組合邏輯門電路1.復(fù)合門

(1)與非門與非門是與門和非門的組合,其邏輯符號(hào)如圖2-11a所示,邏輯表達(dá)式為

(2)或非門或非門是或門和非門的組合,其邏輯符號(hào)如圖2-11b所示,邏輯表達(dá)式為

第21頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月

(3)與或非門與或非門是與門、或門、非門的組合,其邏輯符號(hào)如圖2-11c所示,其邏輯表達(dá)式為

(4)異或門異或門電路的特點(diǎn)是兩個(gè)輸入信號(hào)相同時(shí),輸出為0,相異時(shí)輸出為1,其邏輯符號(hào)如圖2-11d所示,邏輯關(guān)系表達(dá)式為

第22頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月圖2-11復(fù)合門邏輯符號(hào)第23頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.正邏輯和負(fù)邏輯的相互轉(zhuǎn)換

對(duì)同一電路,可以采用正邏輯,也可以采用負(fù)邏輯,而邏輯電路本身輸出與輸入的邏輯關(guān)系,并不因?yàn)椴捎谜?、?fù)邏輯的不同而改變。但是對(duì)同一種電路,用正、負(fù)邏輯去分析,它的邏輯功能截然不同,當(dāng)然邏輯真值表也不同。正負(fù)邏輯符號(hào)如表2-6所示。

第24頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月表2-6正、負(fù)邏輯符號(hào)門電路正邏輯符號(hào)負(fù)邏輯符號(hào)與門或門非門與非門或非門第25頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4TTL集成邏輯門電路2.4.1TTL與非門的工作原理2.4.2TTL與非門的外特性及有關(guān)參數(shù)2.4.3其他類型的TTL邏輯門電路2.4.4TTL系列數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介2.4.5TTL門電路使用中應(yīng)注意的問(wèn)題

TTL邏輯門電路是晶體管—晶體管邏輯門電路的簡(jiǎn)稱,它的輸入級(jí)和輸出級(jí)均采用晶體管。第26頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4.1TTL與非門的工作原理1.電路組成圖2-16TTL集成與非門電路圖及邏輯符號(hào)

第27頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.工作原理

當(dāng)輸入全為高電平時(shí),輸出為低電平;當(dāng)輸入端至少有一個(gè)為低電平時(shí),輸出為高電平。由此可見,電路的輸出與輸入之間滿足與非邏輯關(guān)系,即

第28頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4.2TTL與非門的外特性及有關(guān)參數(shù)1.電壓傳輸特性TTL與非門電壓傳輸特性是表示輸出電壓隨輸入電壓

變化的一條曲線,電壓傳輸特性曲線大致分為四段,如圖2-18:圖2-18TTL與非門的電壓傳輸特性第29頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.主要參數(shù)

⑴輸出高電平

和輸出低電平

⑵閾值電壓

⑶關(guān)門電平和開門電平

⑷噪聲容限、

⑸輸入短路電流

⑹輸入漏電流

⑺扇出系數(shù)⑻平均延遲時(shí)間

第30頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4.3其他類型的TTL邏輯門電路1.集電極開路與非門(OC門)將普通TTL與非門的輸出級(jí)改為集電極開路的晶體管結(jié)構(gòu),稱為集電極開路門電路,簡(jiǎn)稱OC門(OpenCollector)。圖2-20OC門電路

第31頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.三態(tài)輸出門(TSL門)

三態(tài)門,是指邏輯門的輸出除有高、低電平兩種狀態(tài)外,還有第三種狀態(tài)——高阻狀態(tài)(或稱禁止?fàn)顟B(tài))的門電路,簡(jiǎn)稱TSL(TristateLogic)門。

圖2-23三態(tài)門

第32頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4.4

TTL系列數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介

在我國(guó)TTL數(shù)字集成電路分為CT54系列和CT74系列,兩個(gè)系列具有完全相同的電路結(jié)構(gòu)和電氣性能參數(shù),所不同的是54系列工作溫度-55~125℃,為軍用品;74系列工作溫度在0~70℃,為民用品。第33頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.4.5TTL門電路使用中應(yīng)注意的問(wèn)題在使用TTL集成門電路時(shí),應(yīng)注意以下事項(xiàng):1.電源電壓應(yīng)滿足在標(biāo)準(zhǔn)值5(1±10%)V的范圍內(nèi)。2.TTL電路的輸出端所接負(fù)載,不能超過(guò)規(guī)定的扇出系數(shù)。3.具有推拉式輸出結(jié)構(gòu)的TTL門電路,不允許直接并聯(lián)使用,三態(tài)門的輸出端可以并聯(lián)使用,但同一時(shí)刻只能有一個(gè)門工作,其余處于高阻態(tài);集電極開路門輸出端可并聯(lián)使用,但公共輸出端必須通過(guò)負(fù)載電阻RL與電源相接。4.TTL門多余輸入端的處理方法第34頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.5CMOS集成邏輯門電路2.5.1CMOS反相器2.5.2其他類型的CMOS邏輯門電路2.5.3CMOS系列數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介2.5.4CMOS門電路特性及使用常識(shí)目前集成邏輯門電路有兩大類,一類是前面介紹的TTL門電路,另一類為CMOS集成邏輯門電路,它是由增強(qiáng)型PMOS管和增強(qiáng)型NMOS管組成的互補(bǔ)對(duì)稱MOS門電路。第35頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.5.1CMOS反相器1.電路結(jié)構(gòu)2.工作原理

本電路具有反相器功能,故稱為非門,其邏輯表達(dá)式為

圖2-35CMOS反相器第36頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.5.2其他類型的CMOS邏輯門電路1.與非門

它是由兩個(gè)串聯(lián)的增強(qiáng)型NMOS管和兩個(gè)并聯(lián)的增強(qiáng)型PMOS管組成。

電路的邏輯關(guān)系表達(dá)式為圖2-36CMOS與非門

第37頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.或非門

它是由兩個(gè)并聯(lián)的增強(qiáng)型NMOS管和兩個(gè)串聯(lián)的增強(qiáng)型PMOS管組成。

電路的邏輯關(guān)系表達(dá)式為

圖2-37

CMOS或非門

第38頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月3.CMOS傳輸門

CMOS傳輸門是一種傳送信號(hào)的可控開關(guān),它是由兩個(gè)參數(shù)對(duì)稱的NMOS管和PMOS管并聯(lián)而成。

圖2-38CMOS傳輸門第39頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.5.3

COMS系列數(shù)字集成電路簡(jiǎn)介CMOS集成電路系列主要有CC4000系列和CC54/74HC系列,4000系列由于具有功耗低,噪聲容限大等特點(diǎn),已得到廣泛應(yīng)用,但工作速度較慢;CC54/74HC系列具有較高的工作速度和驅(qū)動(dòng)能力。第40頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.5.4CMOS門電路特性及使用常識(shí)

TTL電路的使用注意事項(xiàng),一般對(duì)CMOS電路也適用。但因CMOS電路容易產(chǎn)生柵極擊穿問(wèn)題,所以要特別注意以下幾點(diǎn):(1)避免靜電損壞(2)多余輸入端的處理方法(3)并聯(lián)使用第41頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.6不同類型門電路的接口問(wèn)題

1.TTL電路驅(qū)動(dòng)CMOS電路

圖2-39TTL-CMOS電路的接口第42頁(yè),課件共46頁(yè),創(chuàng)作于2023年2月2.CMOS電路驅(qū)動(dòng)TTL電路圖2-40CMOS-TTL電路的接口

第43頁(yè),

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