GB/T 12963-2022電子級多晶硅

ICS29045

CCSH.82

中華人民共和國國家標準

GB/T12963—2022

代替GB/T12963—2014

電子級多晶硅

Electronic-gradepolycrystallinesilicon

2022-12-30發(fā)布2023-07-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T12963—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替電子級多晶硅與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯

GB/T12963—2014《》,GB/T12963—2014,

性改動外主要技術(shù)變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20141);

更改了牌號要求見年版的

b)(4.1,20144.1.1);

更改了產(chǎn)品等級見年版的

c)(4.2,20144.1.2);

更改了不同等級電子級多晶硅的技術(shù)指標見年版的

d)(5.1,20144.2);

更改了結(jié)構(gòu)要求見年版的

e)(5.3,20144.4);

更改了試驗方法的內(nèi)容見第章年版的第章

f)(6,20145);

更改了檢驗項目的要求見年版的

g)(7.3,20146.3);

更改了取樣及制樣的內(nèi)容見年版的

h)(7.4.1,20146.4.1);

更改了氧含量的檢驗結(jié)果判定見年版的

i)(7.5.2,20146.5.1);

更改了標志的內(nèi)容見年版的

j)(8.1,20147.1);

更改了隨行文件的內(nèi)容見年版的

k)(8.5,20147.5)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設(shè)備和材料標準化技術(shù)委員會與全國半導體設(shè)備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位江蘇鑫華半導體科技股份有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟研究院有限責任公司青

:、、

海黃河上游水電開發(fā)有限責任公司新能源分公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司有研半導體硅材料

、、

股份公司麥斯克電子材料股份有限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有

、、()、

限責任公司新特能源股份有限公司四川永祥新能源有限公司上海賽夫特半導體材料有限公司宜昌

、、、、

南玻硅材料有限公司浙江海納半導體股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司東方電氣樂山峨半

、、、()

高純材料有限公司

。

本文件主要起草人田新蔣文武趙培芝萬首正李素青秦榕王彬?qū)O燕賀東江陳衛(wèi)群宗冰

:、、、、、、、、、、、

徐巖邱艷梅李斌劉曉霞張遵付緒光董先君潘金平張園園雷聰

、、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布年第一次修訂年第二次修訂年第三次修訂本次為

1991,1996,2009,2014,

第四次修訂

。

Ⅰ

GB/T12963—2022

電子級多晶硅

1范圍

本文件規(guī)定了電子級多晶硅的牌號和類別技術(shù)要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存

、、、、、、、、

隨行文件和訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于以氯硅烷硅烷制得的電子級多晶硅以下簡稱多晶硅

、(“”)。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

非本征半導體材料導電類型測試方法

GB/T1550

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GB/T1551

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GB/T1553

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GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

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GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學腐蝕檢驗方法

GB/T4061

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

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GB/T14844

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用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

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