標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12963-2014 電子級多晶硅》相比于《GB/T 12963-2009 硅多晶》, 主要變化集中在以下幾個方面：

  1. 標(biāo)準(zhǔn)適用范圍調(diào)整：2014版標(biāo)準(zhǔn)明確將適用范圍聚焦于電子級多晶硅，特別強調(diào)了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的應(yīng)用，而2009版標(biāo)準(zhǔn)則主要針對硅多晶材料，涵蓋范圍相對更廣但未特別區(qū)分等級。

  2. 技術(shù)指標(biāo)提升：新標(biāo)準(zhǔn)對多晶硅的純度、雜質(zhì)含量、顆粒尺寸、碳含量、微觀結(jié)構(gòu)等關(guān)鍵性能指標(biāo)提出了更高要求，以適應(yīng)半導(dǎo)體技術(shù)進步對材料質(zhì)量的嚴(yán)苛需求。例如，對特定雜質(zhì)元素的濃度限值進行了更加嚴(yán)格的限定，確保電子器件的高性能和高可靠性。

  3. 檢測方法更新：隨著分析技術(shù)的發(fā)展，2014版標(biāo)準(zhǔn)引入或修訂了一些先進的檢測技術(shù)和方法，如使用更精確的儀器分析雜質(zhì)元素，改進了對多晶硅結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的表征手段，以提高檢測結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  4. 新增及細(xì)化條款：增加了一些關(guān)于生產(chǎn)過程控制、包裝、儲存和運輸?shù)木唧w要求和建議，以減少污染風(fēng)險，保證多晶硅產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。同時，對產(chǎn)品分級和分類做了進一步細(xì)化，便于用戶根據(jù)實際需要選擇合適等級的材料。

  5. 環(huán)保與安全要求：考慮到環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的重要性，新標(biāo)準(zhǔn)可能還加入或強化了對生產(chǎn)過程中環(huán)保措施和安全生產(chǎn)的要求，推動行業(yè)向綠色可持續(xù)方向發(fā)展。

這些變化體現(xiàn)了隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對原材料質(zhì)量控制和標(biāo)準(zhǔn)化要求的不斷提高，旨在促進我國電子級多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量與國際先進水平接軌，滿足高端芯片制造的需求。


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....

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  • 2014-12-31 頒布
  • 2015-09-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 12963-2014電子級多晶硅_第1頁
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文檔簡介

ICS29045

H82.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T12963—2014

代替

GB/T12963—2009

電子級多晶硅

Electronic-gradepolycrystallinesilicon

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

電子級多晶硅

GB/T12963—2014

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號

:155066·1-50708

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T12963—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替硅多晶本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有如下變動

GB/T12963—2009《》。GB/T12963—2009,:

增加引用國家標(biāo)準(zhǔn)見第

———GB/T1551、GB/T1557、GB/T24574、GB/T24581、GB/T24582(2

章

);

增加了多晶硅的技術(shù)參數(shù)包括施主雜質(zhì)濃度受主雜質(zhì)濃度氧濃度基體金屬雜質(zhì)濃度表

———,、、、、

面金屬雜質(zhì)濃度的要求見表

(1);

不同等級多晶硅的碳濃度由16316316

———<1.5×10atoms/cm、<2×10atoms/cm、<2×10

3修訂為153163163

atoms/cm<4.0×10atoms/cm、<1.0×10atoms/cm、<1.5×10atoms/cm

見表

(1)。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會和全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位峨嵋半導(dǎo)體材料研究所四川新光硅業(yè)科技有限責(zé)任公司有研半導(dǎo)體材料股份

:、、

有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司新特能源股份有限公司洛陽中硅高科技有限公司

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)起草人詹科楊旭種娜黎亞文梁洪孫燕劉曉霞銀波甘新業(yè)嚴(yán)大洲

:、、、、、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T12963—1991、GB/T12963—1996、GB/T12963—2009。

Ⅰ

GB/T12963—2014

電子級多晶硅

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了多晶硅的要求試驗方法檢驗規(guī)則以及標(biāo)志包裝運輸儲存質(zhì)量證明書和訂貨單

、、、、、、

或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以氯硅烷硅烷制得的多晶硅

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測定方法

GB/T1551

硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

GB/T1553

硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法

GB/T1557

硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法

GB/T1558

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

GB/T4059

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法

GB/T4060

硅多晶斷面夾層化學(xué)腐蝕檢驗方法

GB/T4061

摻硼摻磷摻砷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

GB/T13389

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

硅單晶中族雜質(zhì)的光致發(fā)光測試方法

GB/T24574Ⅲ-Ⅴ

低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測試方法

GB/T24581Ⅲ、Ⅴ

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4要求

41產(chǎn)品牌號及類別

.

411電子級多晶硅的牌號表示為

..:

PSi—□—□

阿拉伯?dāng)?shù)字表示多晶硅等級

多晶硅形狀為棒狀為塊狀

,I,N

多晶硅

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