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目錄PAGE5半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目XXXX硅能科技有限公司半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目可行性研究報告信息產(chǎn)業(yè)電子第XX設(shè)計研究院有限公司二○一○年四月XXXX硅能科技有限公司半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目可行性研究報告院長:總工程師:項目負(fù)責(zé)人:信息產(chǎn)業(yè)電子第XX設(shè)計研究院有限公司

目錄TOC\o"1-3"\h\z第一章總論 1一、項目概況 1二、可行性報告編制的依據(jù)與范圍 3三、主要經(jīng)濟(jì)技術(shù)指標(biāo)情況 4四、結(jié)論與建議 6第二章項目建設(shè)背景和必要性 8一、項目提出背景 8二、項目建設(shè)的必要性 9第三章市場分析 11一、墻體材料發(fā)展現(xiàn)狀 11二、產(chǎn)品市場分析 12三、項目產(chǎn)品市場競爭力分析 13四、價格分析 13第四章項目地址及建設(shè)條件 14一、項目地址 14二、場區(qū)建設(shè)條件 14第五章建設(shè)規(guī)模和產(chǎn)品方案 18一、生產(chǎn)規(guī)模 18二、產(chǎn)品方案 18第六章技術(shù)方案、設(shè)備方案和工程方案 20一、技術(shù)方案 20二、主要生產(chǎn)設(shè)備方案 21三、工程建設(shè)方案 22第七章總圖運(yùn)輸與公用輔助工程 25一、總圖布置 25二、運(yùn)輸方案 25三、公用輔助工程 26第八章主要原材料、動力供應(yīng) 27一、主要原材料 27二、動力 27第九章節(jié)水、節(jié)能 29一、設(shè)計依據(jù) 29二、節(jié)水、節(jié)能措施 30三、項目總能耗 30第十章安全衛(wèi)生與消防 31一、勞動安全 31二、消防 32第十一章環(huán)境保護(hù) 34一、環(huán)境保護(hù)采用的標(biāo)準(zhǔn) 34二、主要污染源和主要污染物 34三、環(huán)境保護(hù)的措施 35第十二章項目組織機(jī)構(gòu)與勞動定員 38一、組織機(jī)構(gòu) 38二、勞動定員及培訓(xùn) 39第十三章項目建設(shè)進(jìn)度安排 40一、建設(shè)周期 40二、各階段實施進(jìn)度計劃 40第十四章投資估算及資金籌措 41一、投資估算 41二、資金籌措 44第十五章財務(wù)評價 46一、編制說明 46二、財務(wù)評價 46第十六章結(jié)論與建議 53一、結(jié)論 53二、問題與建議 53第一章總論第一章總論1.1項目概要1.1.1項目名稱半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目1.1.2內(nèi)容提要二十年來,世界半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)及其技術(shù)水平迅速發(fā)展,市場規(guī)模平均增長率達(dá)到12%以上,2007年世界半導(dǎo)體規(guī)模達(dá)到2572.16億美元左右。全球半導(dǎo)體市場包括集成電路、分離器件、光電器件等,主要地區(qū)分布包括亞太、北美、日本、歐洲等四大區(qū)域。WSTS資料,2007年集成電路市場增長4.7%,按地區(qū)增長最快為亞太地區(qū)7.0%。WSTS預(yù)計,2008年世界半導(dǎo)體增長9.1%,達(dá)到2805億美元的市場。傳統(tǒng)的燃料能源正在一天天減少,對環(huán)境造成的危害日益突出,這個時候,全世界都把目光投向了可再生能源,希望可再生能源能夠改變?nèi)祟惖哪茉唇Y(jié)構(gòu),維持長遠(yuǎn)的可持續(xù)發(fā)展。太陽能作為一種新能源被廣泛應(yīng)用于航天航空、并網(wǎng)發(fā)電、居發(fā)用電、汽車、游艇、高速公路等人們生產(chǎn)、生活的方方面面,其獨特的優(yōu)勢已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過風(fēng)能、水能、地?zé)崮堋⒑四艿雀黝惸茉矗型蔀槲磥黼娏?yīng)的主要支柱。我國太陽能資源非常豐富,理論儲量達(dá)每年17000億噸標(biāo)準(zhǔn)煤。太陽能資源開發(fā)利用的潛力非常廣闊。我國地處北半球,南北距離和東西距離都在5000公里以上。在我國廣闊的土地上,有著豐富的太陽能資源。大多數(shù)地區(qū)年平均日輻射量在每平方米4千瓦時以上,西藏日輻射量最高達(dá)每平米7千瓦時。年日照時數(shù)大于2000小時。與同緯度的其他國家相比,與美國相近,比歐洲、日本優(yōu)越得多,因而有巨大的開發(fā)潛能。我國十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,2000年國務(wù)院出臺18號文鼓勵發(fā)展軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)。至2006年,我國集成電路設(shè)計、制造取得明顯進(jìn)展,2006年集成電路產(chǎn)業(yè)共實現(xiàn)銷售收入1006.3億元,同比增長達(dá)到43.3%;集成電路總產(chǎn)量達(dá)到335.8億塊,同比增長28.6%。IC設(shè)計、芯片制造與封裝測試行業(yè)都有較快的增長。IC設(shè)計業(yè)在前幾年高速增長的基礎(chǔ)上依舊保持了較快增長的勢頭。在IC卡、手機(jī)、MP3等市場快速成長的帶動下,IC設(shè)計企業(yè)共實現(xiàn)銷售收入186.2億元,同比增長49.8%。封裝測試業(yè)共實現(xiàn)銷售收入496.6億元,同比增長43.9%,是近幾年增長最快的一年。芯片制造業(yè)方面,在全球芯片代工市場持續(xù)增長以及國內(nèi)設(shè)計業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大的帶動下,芯片制造企業(yè)銷售收入持續(xù)增長,2006年芯片制造企業(yè)共實現(xiàn)銷售收入323.5億元,增幅為38.9%。我國政府也先后出臺了多項政策,鼓勵發(fā)展太陽能產(chǎn)業(yè)。近期國家發(fā)改委已出臺可再生能源發(fā)電有關(guān)管理規(guī)定,明確太陽能發(fā)電可向國家申報政策和資金支持。《可再生能源法》在2006年1月1日起正式實施。國家發(fā)改委還同時發(fā)布了《可再生能源發(fā)電價格和費用分?jǐn)偣芾碓囆修k法》,明確了2006年及以后建設(shè)的可再生能源發(fā)電項目上網(wǎng)電價及費用分?jǐn)偣芾磙k法。國家的這些扶植政策和措施將大力促進(jìn)我國太陽能光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。佳華香港有限公司緊跟國家發(fā)展政策,密切關(guān)注世界半導(dǎo)體及能源行業(yè)的形勢,成立了全資子公司XXXX硅能科技有限公司,在江蘇省XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi)建設(shè)年產(chǎn)1200萬片86-8英寸半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、刪除硅片生產(chǎn)項目,計劃到2009年建成投產(chǎn)。6-8刪除1.1.3承辦單位和法人代表·承辦單位:XXXX硅能科技有限公司·法人代表:劉尊賢1.2項目提出的背景1.2.1半導(dǎo)體集成電路行業(yè)成為發(fā)展趨勢現(xiàn)在,中國已經(jīng)成為全球最大的單一半導(dǎo)體需求市場。根據(jù)市場研究公司iSuppli估計,中國2007年將消費半導(dǎo)體大約523億美元,占全球的21%強(qiáng),2008年將增長12%達(dá)到586億美元。2007年中國生產(chǎn)集成電路制造達(dá)到1250億人民幣。目前,世界集成電路生產(chǎn)線共有1110條左右,主流工藝特征尺寸是8-12英寸0.13-0.25微米工藝技術(shù),生產(chǎn)能力為每條線月投片3-基于集成電路的重要地位,發(fā)達(dá)國家和許多發(fā)展中國家(地區(qū))都十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定21世紀(jì)的集成電路中長期發(fā)展規(guī)劃,搶占制高點,以掌握未來信息技術(shù)核心的主動權(quán)。1.2.2能源是國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和人民生活水平提高的重要物質(zhì)基礎(chǔ),而能源資源的有限性和開發(fā)利用帶來的環(huán)境問題,嚴(yán)重制約著經(jīng)濟(jì)和社會的可持續(xù)發(fā)展。無論從世界還是從中國來看,常規(guī)能源都是很有限的,中國的一次能源儲量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于世界的平均水平,大約只有世界總儲量的10%。圖表1-1給出了世界和中國主要常規(guī)能源儲量預(yù)測:圖表1-1世界和中國主要常規(guī)能源儲量預(yù)測資料來源:中國可再生能源發(fā)展戰(zhàn)略研討論會論文集一百年來,全球能源消耗平均每年呈3%指數(shù)增加。中國等大多數(shù)發(fā)展中國家工業(yè)化進(jìn)程加快,因此全球未來能源消耗態(tài)勢仍將以快速度增長。能耗平均呈指數(shù)增長趨勢所帶來的后果是十分嚴(yán)重,一方面伴隨著化石燃料消耗的增加,大氣中CO2的含量相應(yīng)增加,地球不斷變暖,生態(tài)環(huán)境惡化,自然災(zāi)害及其造成的損失逐年增加。另一方面將愈來愈快地消耗掉常規(guī)化石能源儲量。有數(shù)據(jù)表明,世界化石燃料耗盡時間從現(xiàn)在開始只有幾十年的時間。能源的潛在危機(jī)和生態(tài)環(huán)境的惡化迫使世界各國積極開發(fā)可再生能源。21世紀(jì)將是高新技術(shù)的時代。新能源技術(shù)將與生物技術(shù)、信息技術(shù)、新材料技術(shù)、空間技術(shù)、海洋技術(shù)等5大技術(shù)一道成為21世紀(jì)的現(xiàn)代高新技術(shù),是21世紀(jì)現(xiàn)代高新技術(shù)的支柱之一。而在新能源技術(shù)中,太陽能發(fā)電是發(fā)展最快的,也是各國競相發(fā)展的重點。太陽能發(fā)電無污染、安全、壽命長、維護(hù)簡單、資源永不枯竭、不受資源分布地域的限制等獨特的優(yōu)勢和巨大的開發(fā)利用潛力,使其自20世紀(jì)80年代以來得到了迅速發(fā)展,被認(rèn)為是21世紀(jì)最重要的新能源,充分利用太陽能有利于保持人與自然的和諧相處及能源與環(huán)境的協(xié)調(diào)發(fā)展。當(dāng)今世界各國特別是發(fā)達(dá)國家對于光伏發(fā)電技術(shù)十分重視,擺在可再生能源開發(fā)利用的首位。80年代以來,即使是在世界經(jīng)濟(jì)從總體上處于衰退和低谷的時期,光伏發(fā)電也一直保持著以10%~15%的遞增速度發(fā)展。與國際上蓬勃發(fā)展的光伏發(fā)電相比,我國落后于發(fā)達(dá)國家10-15年,但近年來,我國的光伏產(chǎn)業(yè)在國外市場的拉動下發(fā)展迅速,涌現(xiàn)出了無錫尚德、南京中電光伏、寧波太陽能等多家具有20MW以上規(guī)模的太陽能電池生產(chǎn)企業(yè)。早在2004年,我國光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模就超過了印度。在今后的十幾年中,太陽電池的市場走向?qū)l(fā)生很大的改變,到2010年以前中國太陽電池多數(shù)是用于獨立光伏發(fā)電系統(tǒng),從2011年到2020年,中國光伏發(fā)電的市場主流將會由獨立發(fā)電系統(tǒng)轉(zhuǎn)向并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng),包括沙漠電站和城市屋頂發(fā)電系統(tǒng)。在國家各部委立項支持下,目前我國實驗室太陽能電池的效率已達(dá)21%,可商業(yè)化的光伏組件效率達(dá)14-15%,一般商業(yè)化電池效率10-13%。目前太我國陽能光伏電池生產(chǎn)成本已大幅下降,這對國內(nèi)太陽能市場走向壯大與成熟起到了決定作用,對實現(xiàn)與國際光伏市場接軌具有重要意義。作為21世紀(jì)最有潛力的能源,太陽能產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?jié)摿薮蟆L柲墚a(chǎn)業(yè)是新興的朝陽行業(yè),再加上良好的政策環(huán)境、行業(yè)本身的特性,使得太陽能電池產(chǎn)業(yè)具有較高的投資價值和發(fā)展?jié)摿?。目前,太陽能電池及其相關(guān)產(chǎn)業(yè)成長性好,是非常好的投資機(jī)會,因此抓住太陽能電池市場發(fā)展的機(jī)遇,建設(shè)具有國際先進(jìn)工藝技術(shù)水平的生產(chǎn)線,迅速提升公司在市場競爭中的有力地位,以有限的投資確保在競爭中取得最大的效益是本項目實施的根本。1.2.3公司自身發(fā)展半導(dǎo)體集成電路和太陽能電池行業(yè)是世界增長速度較高的兩大領(lǐng)域,預(yù)計今后10年全球?qū)⒁悦磕?0%-30%的遞增速度發(fā)展,佳華香港有限公司為了盡快占領(lǐng)半導(dǎo)體及光伏電池市場制高點,適時調(diào)整產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),通過建立全資子公司XXXX硅能科技有限公司,建設(shè)具有國際先進(jìn)工藝技術(shù)水平的生產(chǎn)線,打造一流的半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片的生產(chǎn)企業(yè)。1.3項目實施的有利條件1.3.1國家政策優(yōu)勢1.3.1.1半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的國家政策優(yōu)勢我國十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,國務(wù)院2000年以國發(fā)[2000]18文《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》,共和國第一次以國務(wù)院的文件形式對單一產(chǎn)業(yè)規(guī)定政策措施。文件對集成電路項目立項審批、稅收優(yōu)惠、政策扶持、知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)等方方面面進(jìn)行了規(guī)定。國家為實現(xiàn)“XX五”規(guī)劃目標(biāo),對于全面落實科學(xué)發(fā)展觀,加強(qiáng)和改善宏觀調(diào)控,進(jìn)一步轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)增長方式,推進(jìn)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和優(yōu)化升級,保持國民經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快發(fā)展。于2005年頒布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》。目錄規(guī)定:優(yōu)先發(fā)展信息產(chǎn)業(yè),大力發(fā)展集成電路、軟件等核心產(chǎn)業(yè),重點培育數(shù)字化音視頻、新一代移動通信、高性能計算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等信息產(chǎn)業(yè)群,加強(qiáng)信息資源開發(fā)和共享,推進(jìn)信息技術(shù)的普及和應(yīng)用。1.3.1.2太陽能電池的2006年1月1日實施的《中華人民共和國可再生能源法》,這意味著中國可再生能源的發(fā)展將獲得更大助力。我國政府一直十分注意可再生能源的發(fā)展,在黨的十四屆五中全會上通過的《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展“十五”計劃和2010年遠(yuǎn)景目標(biāo)的建議》中,要求“積極發(fā)展新能源,改善能源結(jié)構(gòu)”;1998年1月1日起開始實施的《中華人民共和國節(jié)約能源法》明確提出,國家鼓勵開發(fā)利用新能源和可再生能源。在建設(shè)部目前推行的"國家康居示范工程"中,對新能源的應(yīng)用有一系列具體的要求。而2005年2月28日第十屆全國人民代表大會常務(wù)委員會第十四次會議通過,2006年1月1日正式實施的《中華人民共和國可再生能源法》,更是以法律的形式明確指出,國家鼓勵個人和單位使用太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng),這將加速這場以太陽能等可再生能源利用為核心的新能源革命,1.3.2我國太陽能資源充足我國國土面積廣大,可再生能源資源品種多,分布廣,數(shù)量豐富。太陽能年輻射量在3300兆焦/平方米?年到8400兆焦/平方米?年之間。其中2/3的國土面積超過6000兆焦/平方米?年(200瓦/平方米),年日照數(shù)大于2000小時,相當(dāng)于每年2.4萬億噸標(biāo)準(zhǔn)煤的儲量??梢哉f只要技術(shù)可行、成本可接受,如此巨大的太陽能資源的開發(fā)利用量是沒有上限的。圖1-2是我國太陽能分布資源圖,由此可見,我國的太陽能市場前景廣闊,巨大的市場推動著太陽能電池的發(fā)展。黃黃深藍(lán)橘紅淺藍(lán)深藍(lán)黃黃深藍(lán)淺藍(lán)橘紅黃紅黃黃深藍(lán)橘紅淺藍(lán)深藍(lán)黃黃深藍(lán)淺藍(lán)橘紅黃紅顏色輻射等級年輻射量(MJ/m2)日輻射量(KWh/m2)紅最好≥6680≥5.1橘紅好5850-66804.5-5.1黃一般5000-58503.8-4.5淺藍(lán)較差4200-50003.2-3.8深藍(lán)很差<4200<3.2資料來源:中國光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究報告圖表1-2中國的太陽能資源分布1.3.3佳華香港有限公司從90年代初期就創(chuàng)建于香港,跟世界多家單晶硅、多晶硅等半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家保持著良好的合作關(guān)系,諸如,德國waker,美國MEMC,等等,公司近四年來,每年多晶硅銷售總額均超過1億美元。公司形成了有組織管理、綜合行政管理、人力資源管理、質(zhì)量管理、安全管理制度;已經(jīng)建立強(qiáng)大的銷售網(wǎng)絡(luò)。企業(yè)在擴(kuò)張的道路上,完善的管理制度與強(qiáng)大的銷售網(wǎng)絡(luò),將成為項目建設(shè)的有利條件,推動企業(yè)快速發(fā)展。1.4編制依據(jù)1.4.1《中共中央關(guān)于制定國民經(jīng)濟(jì)和社會發(fā)展"XX五"計劃和2010年遠(yuǎn)景目標(biāo)的建議》1.4.2國務(wù)院2000年以國發(fā)[2000]18文《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》1.4.32005年頒布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2005年本)》1.4.4《1.4.52005年2月28日中華人民共和國第十屆全國人民代表大會常務(wù)委員會第十四次會議通過,自2006年1月1日起施行的《中華人民共和國可再生能源法》1.4.61.4.71.4.8XXXX硅能科技有限公司1.5研究結(jié)果1.5.1主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)見表1-3。表1-3主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號名稱單位數(shù)據(jù)備注186-8英寸單晶硅片6-8萬片1200達(dá)產(chǎn)年平均2總投資萬元61072.41其中:固定資產(chǎn)投資萬元27074.41鋪底流動資金萬元339983營業(yè)收入萬元201600達(dá)產(chǎn)年平均4購置土地畝1501081085新建建筑m21340439907399076新增員工人200150015007購置生產(chǎn)設(shè)備、儀器數(shù)量臺(套)161338338其中進(jìn)口1180臺808用電設(shè)備裝設(shè)容量KW12000280028009自來水消耗量M3/h30808010壓縮空氣(CDA)消耗量M3/h24012001200平均使用量11純水系統(tǒng)M3/h34545平均使用量12利潤總額萬元25042達(dá)產(chǎn)年平均13銷售利潤率%12.42達(dá)產(chǎn)年平均14總投資利潤率%41.00達(dá)產(chǎn)年平均15財務(wù)內(nèi)部收益率%57.89稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值(ic=12%)萬元60486稅后17投資回收期年3.17含建設(shè)期18盈虧平衡點%29.82產(chǎn)量表示1.5.2研究結(jié)論——本項目,產(chǎn)品屬于國家加速發(fā)展的半導(dǎo)體及新能源可再生能源產(chǎn)業(yè)。是我國近期重點發(fā)展項目,產(chǎn)品方向符合國家產(chǎn)業(yè)導(dǎo)向,并且是國家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)目錄指導(dǎo)發(fā)展產(chǎn)品。——21世紀(jì)將是高新技術(shù)的時代,半導(dǎo)體及新能源技術(shù)將是21世紀(jì)的現(xiàn)代高新技術(shù)之一。專家預(yù)測今后10年半導(dǎo)體及光伏組件的生產(chǎn)將以30%甚至更高的遞增速度發(fā)展,項目建設(shè)具有良好的市場前景?!椖慷ㄎ辉趪H先進(jìn)水平,國內(nèi)領(lǐng)先水平,滿足客戶的高端產(chǎn)品,盡可能保持公司技術(shù)水平與國際水平同步,以爭取先進(jìn)產(chǎn)品的邊際利潤。項目引進(jìn)先進(jìn)技術(shù)與設(shè)備,市場以內(nèi)銷為主,出口為輔;既確保了公司國內(nèi)市場的競爭能力,又為產(chǎn)品增加了利潤?!鶕?jù)測算項目投資回收期3.17年(含建設(shè)期),內(nèi)部收益率57.89%,投資利潤率41.00%,盈虧平衡點29.82%。項目具有良好的投資效益和抗風(fēng)險能力。綜上所述,項目建設(shè)是可行的。第二章項目承辦企業(yè)基本情況第二章項目承辦企業(yè)基本情況2.1公司基本情況簡介XXXX硅能科技有限公司是由佳華香港有限公司出資成立,佳華香港有限公司1991年7月16日在香港注冊,專業(yè)從事硅材料,硅片等的進(jìn)出口業(yè)務(wù),跟世界多家多晶硅生產(chǎn)廠家保持著良好的合作關(guān)系,諸如,中美矽晶制品股份有限公司(臺灣),綠能科技股份有限公司(臺灣),鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司(揚(yáng)中),德國WackerChemieAG、SiltronicAG,美國MEMCElectronicMaterialsInc等等,公司近四年來,每年多晶硅銷售總額均超過1億美元。2.2佳華香港有限公司與其它公司合作情況a、佳華香港有限公司促進(jìn)SuntechPower有限公司和MEMC之間簽訂的60億美元的硅原料供應(yīng)協(xié)議。b、佳華香港有限公司與SuntechPower有限公司以及鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司簽訂了供應(yīng)協(xié)議。向鎮(zhèn)江環(huán)太硅科技有限公司提供硅材。公司每月為SuntechPower有限公司加工和提供900000片太陽能晶圓。c、佳華香港有限公司向中美矽晶制品股份有限公司和綠能科技股份有限公司(均為臺灣公司)提供硅材。d、佳華香港有限公司與WackerChemieAG(Germany)簽訂了長期的多晶硅購買合同。第三章市場需求和產(chǎn)品大綱PAGE14半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目第三章市場需求和產(chǎn)品大綱3.1市場現(xiàn)狀及預(yù)測單晶硅具有金剛石晶格,晶體硬而脆,具有金屬光澤,能導(dǎo)電,但導(dǎo)電率不及金屬,且隨著溫度升高而增加,具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第ЩA族元素,形成P型半導(dǎo)體,摻入微量的第VA族元素,形成N型半導(dǎo)體,N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,單晶硅經(jīng)過切片后,不僅可以做出小到線寬0.11μm集成電路芯片,還可以做成太陽能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。所以單晶硅是一種市場前景巨大的原材料。3.1.1國際市場需求量預(yù)測3.1.1.1半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國際市場需求量預(yù)測全球半導(dǎo)體市場包括集成電路、分離器件、光電器件等,主要地區(qū)分布包括亞太、北美、日本、歐洲等四大區(qū)域。WSTS資料,2007年集成電路市場增長4.7%,按地區(qū)增長最快為亞太地區(qū)7.0%。WSTS預(yù)計,2008年世界半導(dǎo)體增長9.1%,達(dá)到2805億美元的市場。二十年來,世界半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)及其技術(shù)水平迅速發(fā)展,市場規(guī)模平均增長率達(dá)到12%以上,2007年世界半導(dǎo)體規(guī)模達(dá)到2572.16億美元左右。圖表3-1全球半導(dǎo)體市場規(guī)模統(tǒng)計與預(yù)估(2006-2009)Spring2007AmountsinUS$MYearonYearGrowthin%20062007200820092006200720082009美國44,91242,81845,90348,70410.3-4.77.26.1歐洲39,90441,18443,75246,1291.63.26.25.4日本46,41848,61350,66252,5765.34.74.23.8亞太116,482124,620140,247150,50312.77.012.57.3地區(qū)合計247,716257,235280,564297,9138.93.89.16.2分離器件16,58716,80118,21418,6748.81.38.42.5光電器件16,28015,86617,51818,5489.3-2.510.45.9傳感器5,3395,1555,5385,87417.6-3.57.46.1集成電路209,510219,414239,294254,8178.74.79.16.5Analog36,93936,61240,99142,79215.7-0.912.04.4Micro53,93956,25462,22366,317-1.44.310.66.6Logic60,15866,70673,48176,4264.310.910.24.0Memory58,47359,84162,59869,28220.52.34.610.7TotalProducts-$M247,716257,235280,564297,9138.93.89.16.2資料來源:WSTS(13日11月2007年)現(xiàn)在,中國已經(jīng)成為全球最大的單一半導(dǎo)體需求市場。根據(jù)市場研究公司iSuppli估計,中國2007年將消費半導(dǎo)體大約523億美元,占全球的21%強(qiáng),2008年將增長12%達(dá)到586億美元。2007年中國生產(chǎn)集成電路制造達(dá)到1250億人民幣。基于集成電路的重要地位,發(fā)達(dá)國家和許多發(fā)展中國家(地區(qū))都十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,發(fā)達(dá)國家和地區(qū)紛紛制定21世紀(jì)的集成電路中長期發(fā)展規(guī)劃,搶占制高點,以掌握未來信息技術(shù)核心的主動權(quán)。3.1.1.2太陽能電池產(chǎn)業(yè)的國際市場需求量預(yù)測太陽能電池產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度之快,是現(xiàn)代工業(yè)中罕有的。全球太陽能電池產(chǎn)量1996-2006年10年間增長26倍,年復(fù)合增長率38%,2001-2006年5年間年復(fù)合增長率42%;太陽能電池年裝機(jī)量1996-2006年10年間增長22倍,年復(fù)合增長率36%,2001-2006年5年間年復(fù)合增長率39%。但即便如此,目前太陽能發(fā)電占全球能源消耗總量之比仍是微不足道的。德國是全球最大的光伏市場,光伏電池的年發(fā)電量已在2TWh(20億千瓦時)之上,但光伏發(fā)電量占其總發(fā)電量仍不到0.5%。所以,太陽能電池的市場空間之大幾乎是無限的。進(jìn)入2006年以來,世界光伏市場和產(chǎn)業(yè)在政策法規(guī)和各種措施的強(qiáng)力推動下呈快速、增速發(fā)展。最近十年的整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度達(dá)到37%左右,最近五年的平均增長率為45%,歐洲光伏工業(yè)協(xié)會的預(yù)測為:2020年世界太陽能光伏組件年產(chǎn)量40GW,光伏發(fā)電總裝機(jī)容量195GW,發(fā)電量274TWH,占全球發(fā)電量的1%,太陽能電池光伏組件成本1美圓/Wp;2040年光伏發(fā)電量7368TWh,占全球發(fā)電量的21%(renewableEnergyWorld,2003),可以預(yù)測以后多年來光伏產(chǎn)業(yè)一直是世界增長速度最高和最穩(wěn)定的領(lǐng)域之一,這個領(lǐng)域里太陽能級單晶硅將憑借它獨特的優(yōu)勢穩(wěn)步發(fā)展。太陽能單晶硅占太陽能市場的百分比如圖3-2。CdTe2%非晶硅5%其他CdTe2%非晶硅5%其他3%單晶硅38%多晶硅52%3.1.2國內(nèi)市場需求量預(yù)測3.1.2.1半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國內(nèi)市場需求量預(yù)測目前,世界集成電路生產(chǎn)線共有1110條左右,主流工藝特征尺寸是8-12英寸0.13-0.25微米工藝技術(shù),生產(chǎn)能力為每條線月投片3-我國也十分重視集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,2000年國務(wù)院出臺18號文鼓勵發(fā)展軟件和集成電路產(chǎn)業(yè)。至2006年,我國集成電路設(shè)計、制造取得明顯進(jìn)展,2006年集成電路產(chǎn)業(yè)共實現(xiàn)銷售收入1006.3億元,同比增長達(dá)到43.3%;集成電路總產(chǎn)量達(dá)到335.8億塊,同比增長28.6%。IC設(shè)計、芯片制造與封裝測試行業(yè)都有較快的增長。IC設(shè)計業(yè)在前幾年高速增長的基礎(chǔ)上依舊保持了較快增長的勢頭。在IC卡、手機(jī)、MP3等市場快速成長的帶動下,IC設(shè)計企業(yè)共實現(xiàn)銷售收入186.2億元,同比增長49.8%。封裝測試業(yè)共實現(xiàn)銷售收入496.6億元,同比增長43.9%,是近幾年增長最快的一年。芯片制造業(yè)方面,在全球芯片代工市場持續(xù)增長以及國內(nèi)設(shè)計業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大的帶動下,芯片制造企業(yè)銷售收入持續(xù)增長,2006年芯片制造企業(yè)共實現(xiàn)銷售收入323.5億元,增幅為38.9%。隨著世界集成電路技術(shù)及應(yīng)用的發(fā)展,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈分工不斷細(xì)化,整個產(chǎn)業(yè)逐步分化為設(shè)計業(yè)、制造業(yè)、封裝測試業(yè)以及為整個產(chǎn)業(yè)提供專用設(shè)備和材料為主體的支撐業(yè)等相對獨立而又相互關(guān)聯(lián)的業(yè)務(wù)。集成電路廠商也隨之從最初的IDM單一形式,逐步分化出了設(shè)計(Fabless)和代工(Foundry)等企業(yè)形式。2006年,集成電路代工企業(yè)生產(chǎn)了約占全球15%的集成電路芯片。由于我國是電子終端產(chǎn)品生產(chǎn)大國,集成電路消費市場約占全球市場的1/4左右(中國半導(dǎo)體市場與全球半導(dǎo)體市場對比見下圖),但我國集成電路自給率仍然很低,自給率水平在20%左右,國內(nèi)設(shè)計、生產(chǎn)的集成電路產(chǎn)品技術(shù)水平仍然差世界水平1-2個世代,生產(chǎn)企業(yè)的規(guī)模小,一般在世界規(guī)模的1/30左右。10大半導(dǎo)體公司對比見下圖,可見,國家仍然需要大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)。圖表3-3中國占全球集成電路產(chǎn)業(yè)的市場3.1.2.2太陽能電池產(chǎn)業(yè)的國際市場需求量預(yù)測近年來,我國光伏產(chǎn)業(yè)得益于國外市場的增長,進(jìn)入了快速發(fā)展期,新的太陽能電池、組件和材料市場紛紛建立,產(chǎn)能接近800MW,成了國際光伏產(chǎn)業(yè)的一支重要力量。根據(jù)我國光伏發(fā)展計劃,到2010年,我國光伏發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到300MW,到2020年,我國光伏發(fā)電總?cè)萘窟_(dá)到1600MW,實現(xiàn)這一目標(biāo),將需要硅材料約2萬多噸,硅方片為50000萬片。直接拉動我國的硅材料市場,市場前景非常廣闊。我國每年都從石英石中提取大量98%純度的工業(yè)硅,以較低的價格出口到德國、美國和日本等地,這些國家把工業(yè)硅加工成99.9999%純度的多晶硅,再以高出原料價數(shù)十倍甚至近百倍的市場價格,賣給我國太陽能企業(yè)?!獓鴥?nèi)單晶硅發(fā)展現(xiàn)狀:(1)生產(chǎn)能力與產(chǎn)量根據(jù)不完全統(tǒng)計,全國硅單晶的生產(chǎn)能力為35000余噸,在此產(chǎn)量中多半是出口,其中太陽能用硅單晶近幾年在2800噸以上。生產(chǎn)的單位主要有河北晶龍、上海硅材料廠、峨眉半導(dǎo)體廠、洛陽單晶硅廠、浙大半導(dǎo)體廠、開化601廠、明成電子材料廠等。(2)直拉與區(qū)熔單晶的比例根據(jù)有關(guān)統(tǒng)計資料顯示,我國國內(nèi)直接與區(qū)熔單的比例(70:30)—(80:20)的范圍內(nèi)。這就是表明我國分立器件仍占很大比例,在世界范圍內(nèi)區(qū)熔單晶僅占硅晶體材料總量的6%—8%。(3)不同直徑硅單晶的比例我國近幾年來直拉硅單晶不同直徑所占比例。我國硅單晶的直徑以6″(150mm)為主,在世界范圍內(nèi),則以?8∮″(200mm)為主。∮國內(nèi)太陽能產(chǎn)業(yè)受國家產(chǎn)業(yè)政策的支持,得到蓬勃的發(fā)展,對原材料的需求很大,作為太陽能電池的最重要原料,太陽能級單晶硅片的國內(nèi)市場是非常巨大的。3.2現(xiàn)有生產(chǎn)能力估計3.2.1半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀目前國內(nèi)集成電路芯片制造行業(yè)整體技術(shù)水平的繼續(xù)提升,使我國集成電路制造工藝技術(shù)水平達(dá)到8-12英寸為主體的時代。隨著海力士-意法在無錫的12英寸與8英寸生產(chǎn)線的建成投產(chǎn),上海中芯國際8廠投產(chǎn),國內(nèi)12英寸芯片生產(chǎn)線已經(jīng)有3條,8英寸芯片生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到10條。從數(shù)量上看,國內(nèi)8-12英寸芯片生產(chǎn)線已經(jīng)占國內(nèi)芯片生產(chǎn)線總數(shù)的三分之一強(qiáng)。而從產(chǎn)能上看,8-12英寸芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能在國內(nèi)晶圓總產(chǎn)能中所占的比重則已經(jīng)超過60%。2007年初intel公司宣布在大連興建12英寸芯片生產(chǎn)線,以及2007年底建成投產(chǎn)的國內(nèi)第一條45nm芯片成產(chǎn)線在上海量產(chǎn),以及武漢12英寸生產(chǎn)線進(jìn)入工藝設(shè)備的安裝階段;可以說,8英寸及以上的高端生產(chǎn)線已經(jīng)開始成為國內(nèi)芯片制造行業(yè)的主體,國內(nèi)芯片制造行業(yè)開始邁向高端。2007年集成電路保持持續(xù)發(fā)展。據(jù)統(tǒng)計,2007年1-6月份國內(nèi)集成電路總產(chǎn)量達(dá)到192.74億塊,與2006上半年相比增長15.2%,全行業(yè)實現(xiàn)銷售收入總額607.22億元,同比增長33.2%。我國集成電路近年銷售收入及增長見下表:圖表3-4中國集成電路銷售與增長情況3.2.1太陽能電池現(xiàn)狀我國在2001—2010年內(nèi)的硅市場需求增長很快,近年來我國的硅材產(chǎn)業(yè)雖然發(fā)展較快,品種已經(jīng)比較齊全,有多晶硅、直拉單晶硅、區(qū)熔單晶硅、外延片和非晶硅。單晶硅從1995年開始,中國硅單晶的年均增長速度約為30%,在短短幾年中,我國內(nèi)地硅單晶的年產(chǎn)量增長了20~30倍。受太陽能電池快速發(fā)展的拉動,我國的硅材料產(chǎn)品中相當(dāng)大一部分是分立器件用硅片。但是我國硅工業(yè)所面臨的形勢是相當(dāng)嚴(yán)重的,主要是:(1)國際上的強(qiáng)大競爭對手,現(xiàn)有6家跨國公司占領(lǐng)著市場的近85%,他們在資金、技術(shù)上均有強(qiáng)大的優(yōu)勢;(2)在我國周邊國家和地區(qū)內(nèi),如韓國、臺灣地區(qū)、馬來西亞均設(shè)有硅材料生產(chǎn)基地,年生產(chǎn)能力總計已達(dá)9億平方英寸;(3)我國硅材料生產(chǎn)所需的設(shè)備,特別是先進(jìn)的大直徑設(shè)備幾乎全部靠進(jìn)口;(4)我國硅單晶生產(chǎn)約占世界產(chǎn)量的2%左右,它在世界市場中只起到填補(bǔ)小直徑產(chǎn)品的空缺和補(bǔ)充市場臨時急需的作用。目前大約有幾十家企業(yè)正在抓緊太陽能電池生產(chǎn)線的建設(shè),隨著國內(nèi)太陽能電池市場迅速打開,國內(nèi)的太陽能電池的生產(chǎn)能力還會有較大幅度的提高。3.3市場前景分析3.3.1產(chǎn)品競爭能力分析本項目最終產(chǎn)品為單晶硅片,是整個產(chǎn)業(yè)鏈中的中間環(huán)節(jié),根據(jù)產(chǎn)品大綱,項目滿產(chǎn)后本項目能滿足產(chǎn)業(yè)鏈的需求,有很好的規(guī)模效益及經(jīng)濟(jì)效益,具有很好的抗風(fēng)險能力。3.3.2產(chǎn)品目標(biāo)市場本項目產(chǎn)品主要為國內(nèi)銷售,部分產(chǎn)品全部在國外銷售。3.4產(chǎn)品大綱本項目生產(chǎn)線代表產(chǎn)品見圖表3-2。表3-2產(chǎn)品大綱序號產(chǎn)品產(chǎn)品型號單位產(chǎn)量186-8英寸單晶硅片6-8156×156萬片1200第四章技術(shù)與裝備第四章技術(shù)與裝備4.1產(chǎn)品簡介4.1.1產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)單晶硅的制法通常是先制得多晶硅或無定形硅,然后用直拉法或懸浮區(qū)熔法從熔體中生長出棒狀單晶硅。切片就是將單晶硅棒去頭去尾后,用切割機(jī)切成所需要尺寸的單晶硅片。其主要生產(chǎn)技術(shù)佳華香港有限公司自行提供,佳華香港有限公司技術(shù)專家團(tuán)隊在單晶領(lǐng)域積累了豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和雄厚研發(fā)能力,培養(yǎng)了大批生產(chǎn)人員和研發(fā)人員,本項目產(chǎn)品關(guān)鍵技術(shù)為:晶體硅生長技術(shù):熱場設(shè)計,磁場控制,連續(xù)加料,缺陷,氧含量控制。硅片加工技術(shù):線切割,內(nèi)圓切割,倒角,研磨,清冼。4.1.5.本項目產(chǎn)品為太陽能電池用硅單晶片。技術(shù)參數(shù)如表4-1:表4-186-8寸單硅單晶切磨片技術(shù)參數(shù)6-8序號項目技術(shù)參數(shù)1直徑:156*156125*125/156*156125*125/156*1562厚度:250150-250土20μm150-2503總厚度變化:≤0.03mm70μm70μm4導(dǎo)電參數(shù):p型P/NP/N5電阻率:0.5~3.06.0Ωcm6.06少子壽命:大于≥10μs≥7氧含量:≤1.0×10181018atoms/cm310188碳含量:≤5.0×10161016atoms/cm310169晶向:〈111100〉±1.5010010位錯密度:≤3000個/cm34.2工藝流程4.2.14.2.1.1單晶生產(chǎn)工藝硅單晶按晶體生長方法的不同,分為直拉(CZ)和區(qū)熔(FZ)兩種。由于成本和性能的原因,CZ材料應(yīng)用最廣。本項目采用的是直拉法生產(chǎn)單晶棒。單晶硅的生產(chǎn)是采用高純度多晶硅為原料,在直拉單晶爐內(nèi)將多晶硅熔化,熔融的單質(zhì)硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。本項目晶體生長采用直拉法(CZ)將多晶硅拉制成單晶硅錠,以滿足得到不同的中間產(chǎn)品,主要生產(chǎn)工藝:原料→碎料→腐蝕、清洗→干燥加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長→切斷→送檢→進(jìn)入中轉(zhuǎn)庫。主要工序簡介如下:1)加料:將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi),雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定,雜質(zhì)種類有硼,磷,銻,砷。2)熔化:加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后,長晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi),然后打開石墨加熱器電源,加熱至熔化溫度(1420℃3)縮頸生長:當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后,將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場接觸時的熱應(yīng)力,會使籽晶產(chǎn)生位錯,這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉??s頸生長是將籽晶快速向上提升,使長出的籽晶的直徑縮小到一定大?。?-6mm)由于位錯線與生長軸成一個交角,只要縮頸夠長,位錯便能長出晶體表面,產(chǎn)生零位錯的晶體。4)放肩生長:長完細(xì)頸之后,須降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。5)等徑生長:長完細(xì)頸和肩部之后,借著拉速與溫度的不斷調(diào)整,可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間,這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。6)尾部生長:在長完等徑部分之后,如果立刻將晶棒與液面分開,那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生,必須將晶棒的直徑慢慢縮小,直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間后取出,即完成一次生長周期。4.2.1.2切片生產(chǎn)工藝將單晶硅棒去頭去尾后,用切割機(jī)切成所需要尺寸的單晶硅片,在經(jīng)過倒角、腐蝕清洗、檢測等工序后,包裝入庫。主要生產(chǎn)工藝程序為多晶硅棒→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片→倒角→-→清洗→包裝。主要工序簡介如下:1)切斷:目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規(guī)格的部分,將單晶硅棒分段成切片設(shè)備可以處理的長度,切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量2)外徑磨削:由于單晶硅棒的外徑表面并不平整且直徑也比最終拋光晶片所規(guī)定的直徑規(guī)格大,通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。3)切片:指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片4)倒角:指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形,防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產(chǎn)生,增加磊晶層及光阻層的平坦度。5)清洗:在單晶硅片加工過程中很多步驟需要用到清洗,本次清洗目的在于清除晶片表面所有的污染源。4.3.2工藝流程單晶硅生產(chǎn)的工藝流程如圖多晶原料多晶原料清洗多晶料干燥加料熔化縮頸生長放肩生長等徑生長尾部生長生長完成送檢中轉(zhuǎn)庫圖表4-1單晶硅圖表4-1單晶硅生產(chǎn)工藝流程圖切片生產(chǎn)工藝流程如圖表4-2。切斷切斷晶中轉(zhuǎn)庫晶中轉(zhuǎn)庫外徑滾磨平邊V型槽切片倒角清洗晶片檢驗、包裝、入庫單晶棒圖表4-2切片工藝流程圖4.3設(shè)備選型4.3.1設(shè)備選型原則本項目的工藝設(shè)備選型原則:在保證產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)能力以及研究發(fā)展的前提下,選擇性能價格比高的工藝設(shè)備。工藝設(shè)備主要為國產(chǎn),部分設(shè)備為進(jìn)口,設(shè)備生產(chǎn)能力和技術(shù)指標(biāo)能夠保證生產(chǎn)要求。4.3.2本項目共需購置主要工藝設(shè)備儀器155臺(套),其中進(jìn)口設(shè)備儀器13臺(套)。新增設(shè)備儀器詳見表4-2和4-3。表4-2單晶生產(chǎn)線進(jìn)口工藝設(shè)備清單序號設(shè)備名稱型號規(guī)格產(chǎn)地單位數(shù)量價格(萬元)單價合計1多線切割機(jī)NTC-442日本臺1030030002氧/碳測試儀美國臺11301303剖方機(jī)NTC-MBS1000日本臺26001200合計=SUM(ABOVE)13=SUM(ABOVE)4330表4-3單晶生產(chǎn)線國內(nèi)工藝設(shè)備清單序號設(shè)備名稱型號規(guī)格產(chǎn)地單位數(shù)量價格(萬元)單價合計1單晶爐FT-CZ2008中國臺4018072002主真空泵2H70中國臺402803單晶棒帶鋸機(jī)GF1046中國臺415604單晶棒滾圓機(jī)SYQX-300中國臺68485單晶清洗系統(tǒng)十工位中國套13101306超聲清洗機(jī)九工位中國臺714987硅片甩干機(jī)中國臺710708硅片厚度測試儀ADE6034中國臺5201009硅片自動分選儀ADE7200中國臺511055010X射線晶體定向儀YX-2中國臺1151511電阻率測試儀中國臺51.57.512砂漿攪拌中國套62012013硅片壽命儀WT-2000中國臺110010014叉車中國臺21020合計=SUM(ABOVE)142=SUM(ABOVE)8598.5第六章建倉條件與園區(qū)布置PAGE32半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目第五章物料供應(yīng)和公用設(shè)施5.1物料消耗本項目是使用多晶硅的邊角料來做生長單晶硅的原材料,大幅度降低了成本。主要原材料消耗如表5-1表5-1主要原材料消耗表序號名稱單位數(shù)量來源1單晶硅噸702國內(nèi)2硝酸(65%)升5383國內(nèi)3氫氧化鈉噸11.2國內(nèi)4石英坩堝只14584國內(nèi)5金剛砂噸598國內(nèi)6碳化硅噸42國內(nèi)7線切削液噸73.5國內(nèi)8切削液噸105國內(nèi)9工作線千米114國內(nèi)10石墨件只910國內(nèi)11工作線軸400進(jìn)口12切削滑輪片3540進(jìn)口5.2主要動力要求本項目主要能源為電、水、天然氣以及各種大宗氣體。主要能源消耗見表5-2。表5-2主要能源消耗表序號系統(tǒng)單位容量備注1自來水M3/h3080802純水M3/h345453裝設(shè)功率KW12000280028004循環(huán)冷卻水M3/h4807507505壓縮空氣M3/h240120012005.3倉儲及運(yùn)輸5.3.1倉庫本項目原材料庫、成品庫及包裝材料庫位于倉庫內(nèi)。5.3.2運(yùn)輸本項目原材料及成品的廠外運(yùn)輸主要由汽車和鐵路運(yùn)輸。運(yùn)輸力量主要委托社會運(yùn)輸部門承擔(dān),本項目不另購買運(yùn)輸車輛。生產(chǎn)過程中的廠內(nèi)運(yùn)輸主要考慮手推車和電動叉車。第六章建倉條件與園區(qū)布置第六章建廠條件與園區(qū)布置6.1廠址條件6.1.1廠區(qū)位置本項目位于江蘇XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi),西至328國道,南至鳳凰西路,北至XX宇宙鴻泰焊材有限公司,大約占地150畝。6.1.2自然條件累年最冷月(1月)平均溫度℃2.5累年最熱月(7月)平均溫度℃28.4??????冬季室外風(fēng)速m/s3.9夏季室外風(fēng)速m/s3.3冬季主導(dǎo)風(fēng)向西北夏季主導(dǎo)風(fēng)向東南年主導(dǎo)風(fēng)向東南Ye???冬季大氣壓力kPa102.77???夏季大氣壓力kPa100.376.2市政配套本項目位于江蘇XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)內(nèi),XX市位于江蘇省中部,(詳見區(qū)域位置圖)是長三角經(jīng)濟(jì)圈中的重要城市之一,歷史悠久,人文薈萃。XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)是1992年成立的省級經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),處于XX市主城區(qū)發(fā)展的主方向上,是XX城區(qū)延伸和發(fā)展的核心區(qū)域,目前已形成機(jī)電、化工、紡織、食品、輕工、醫(yī)藥、建材等為主體的支柱行業(yè),云集了德國、日本、韓國、港澳臺地區(qū)以及國內(nèi)的大量高端企業(yè)。XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)已經(jīng)成為XX市乃至江蘇省經(jīng)濟(jì)最活躍、發(fā)展速度最快的區(qū)域之一。江蘇XX經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)現(xiàn)有光纖網(wǎng)絡(luò),供電,水,蒸汽,天然氣等配套動力設(shè)施,滿足興建高科技企業(yè)的要求。第七章項目建設(shè)方案第七章項目建設(shè)方案7.1項目的構(gòu)成和范圍7.1.1項目設(shè)計內(nèi)容本項目購置生產(chǎn)線的設(shè)備、儀器,形成年生1200萬片半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅片生產(chǎn)能力。主要內(nèi)容如下:購置土地108畝;作為本項目的實施用地;建設(shè)生產(chǎn)、辦公及輔助用房面積約=SUM(ABOVE)27694.2m2。購置主要生產(chǎn)用進(jìn)口及國產(chǎn)設(shè)備儀器155臺(套)。7.1.2項目設(shè)計范圍本項目為建設(shè)太陽能級單晶硅片生產(chǎn)建設(shè)項目。項目設(shè)計范圍主要為單晶硅棒生產(chǎn)廠房、單晶硅片加工生產(chǎn)廠房、倉庫、廢水處理站等相關(guān)的總圖、工藝、土建、給水排水、通風(fēng)空調(diào)、氣體動力、電氣等內(nèi)容。7.2生產(chǎn)環(huán)境要求太陽能級單晶硅片生產(chǎn)環(huán)境對產(chǎn)品的良品率有一定影響,故在充分保證工藝生產(chǎn)環(huán)境需要的基礎(chǔ)上,并結(jié)合職業(yè)安全和衛(wèi)生的需要,盡量降低環(huán)境的要求,以減少工程投資和運(yùn)行成本。7.3總圖本項目用地108畝,整個場地呈直角梯形。建筑規(guī)劃建筑占地面積約10104m2,總建筑面積13404m表7-1本項目規(guī)劃主要建筑數(shù)據(jù)表建筑名稱樓層建筑面積(㎡)占地面積(㎡)1#辦公樓(一期)318006002#辦公樓(一期)318006003#單晶車間(一期)2559027904#車間(一期)24522.82252切割車間(一期)212352.46110腐蝕車間(一期)21629815合計=SUM(ABOVE)27694.2=SUM(ABOVE)13167按功能分區(qū)大致可分為廠前區(qū)、生產(chǎn)區(qū)部分。根據(jù)太陽能級多晶硅片生產(chǎn)的工藝特點,并考慮環(huán)保以及消防和廠內(nèi)管網(wǎng)敷設(shè)等方面的要求,生產(chǎn)廠房布置在廠區(qū)的南面。廠區(qū)主干道為8m,次道路為6m,各建筑物之間的間距均符合消防防火規(guī)范要求。建筑四周均有加寬環(huán)行道路相連??偲矫鎴D詳見附圖。7.4土建本項目主要建筑共計57棟,分別為預(yù)處理車間、單晶硅棒生產(chǎn)廠房、單晶硅片加工生產(chǎn)廠房、倉庫、廢水處理站。7預(yù)處理車間該建筑為單晶硅預(yù)處理車間,單層。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。整個建筑長寬約為110m×25.2m,建筑占地面積2772單晶硅棒生產(chǎn)廠房該建筑為單晶硅棒生產(chǎn)廠房,分為二層。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。整個建筑長寬約為110m×30m,建筑占地面積3300m單晶硅片加工生產(chǎn)廠房該建筑為單晶硅片加工生產(chǎn)廠房,單層。該建筑生產(chǎn)類別為丙類,耐火等級二級。整個建筑長寬約為110m×25.2m,建筑占地面積2772倉庫該建筑為鋼筋混凝土結(jié)構(gòu),長寬約為36m×27m,單層,采用6×9m的柱網(wǎng),建筑耐火等級二級,建筑占地面積972廢水處理站該建筑為鋼筋混凝土結(jié)構(gòu),長寬約為24m×12m,單層,采用8×6m的柱網(wǎng),建筑耐火等級二級,建筑占地面積2887.5通風(fēng)、空調(diào)7.5.1通風(fēng)7.5.1.1局部排風(fēng)生產(chǎn)區(qū)腐蝕車間排風(fēng)主要分為酸性排風(fēng)、熱廢氣排風(fēng)和排煙。腐蝕車間酸性廢氣排風(fēng)系統(tǒng)酸性排風(fēng)系統(tǒng)由酸性氣體洗滌塔、排風(fēng)機(jī)、噴淋裝置、堿液供給裝置和排風(fēng)管等組成,該系統(tǒng)主要用于工藝設(shè)備的酸性廢氣、化學(xué)品和氣柜廢氣排風(fēng),排風(fēng)量為36720m3/h。酸性廢氣在洗滌塔內(nèi)經(jīng)堿液噴淋吸收處理后,達(dá)到國家排放標(biāo)準(zhǔn),再排入大氣中,排風(fēng)管為玻璃鋼風(fēng)管。廢水處理站排風(fēng)屬腐蝕性排風(fēng),但腐蝕性氣體含量非常稀薄,故不經(jīng)處理直接排入室外大氣中粉塵廢氣排風(fēng)系統(tǒng)粉塵廢氣排風(fēng)系統(tǒng)主要用于設(shè)備產(chǎn)生的少量粉塵廢氣,排風(fēng)量為4320m3/h一般廢氣(熱廢氣)排風(fēng)系統(tǒng)一般廢氣(熱廢氣)排風(fēng)系統(tǒng)主要用于排除工藝設(shè)備散發(fā)的一般廢氣和熱廢氣,不含有其他有毒或腐蝕性物質(zhì),故直接排入大氣中,排風(fēng)量為18000m7.5.1.2全室通風(fēng)試劑暫存間、大宗氣體管道入口等房間均采用全室通風(fēng)。動力站房、備品備件庫、維修間等采用軸流風(fēng)機(jī)進(jìn)行全室通風(fēng)。7.5.2空調(diào)7.5.2.1生產(chǎn)廠房內(nèi)的空調(diào)系統(tǒng)主廠房拉單晶生產(chǎn)區(qū)、切片、清洗等為有工藝要求溫濕度的空調(diào)房間;其余生產(chǎn)房間為舒適性空調(diào)區(qū)域。有工藝要求溫濕度的房間采用新風(fēng)機(jī)組加小循環(huán)機(jī)組的形式;其余舒適性空調(diào)設(shè)置全空氣系統(tǒng)。辦公區(qū)采用VRV空調(diào)系統(tǒng)。主廠房內(nèi)有工藝要求溫濕度房間氣流組織采用上送下回??照{(diào)系統(tǒng)送風(fēng)經(jīng)初、中效兩級過濾,旋流風(fēng)口送風(fēng),百葉回風(fēng)。小循環(huán)機(jī)組放置在廠房上部,接管至風(fēng)口送風(fēng)回風(fēng)。其余房間采用散流器送風(fēng),百葉回風(fēng)。7.5.2.2舒適性空調(diào)系統(tǒng)辦公區(qū)采用新風(fēng)+風(fēng)機(jī)盤管空調(diào)系統(tǒng),非凈化車間舒適性空調(diào)系統(tǒng)由組合式空調(diào)系統(tǒng)組成。為滿足車間溫度、濕度要求設(shè)置組合式空調(diào)系統(tǒng)。新風(fēng)與回風(fēng)混合,經(jīng)處理后,由風(fēng)機(jī)送到末端散流器送入生產(chǎn)區(qū);回風(fēng)經(jīng)回風(fēng)管回到空調(diào)機(jī)組。組合式空調(diào)機(jī)組由以下部分組成:新風(fēng)回風(fēng)混合段、初效過濾段、冷盤管、熱盤管、蒸汽加濕段、送風(fēng)機(jī)段、中效過濾段等。7.5.3冷、熱源空調(diào)冷源為動力廠房提供的7℃/12℃冷凍水。空調(diào)熱源為動力廠房提供的52℃/60℃熱水。熱水源由太陽能熱水器組和電加熱鍋爐與設(shè)備自熱經(jīng)板換提供45℃熱水源由太陽能熱水器組和電加熱鍋爐與設(shè)備自熱經(jīng)板換提供45℃/75℃7.6氣體動力7.6.1氣體動力用量圖表7-4氣體動力用量序號氣體動力名稱參數(shù)要求單位用量備注1壓縮空氣(CDA)露點-40℃,終點過濾0.01μmm3/h240120012007.6.2空壓站設(shè)在動力生產(chǎn)區(qū),除滿足廠房內(nèi)工藝生產(chǎn)用氣外,還向純水站提供干燥壓縮空氣。本項目擬選用2臺2用1備無油水冷螺桿空壓機(jī),在單臺機(jī)器1.0Mpa壓力下排氣量311Nm3/min,通過微熱再生分子篩干燥裝置,使壓縮空氣露點溫度≤-40℃,以滿足工藝用氣的要求。2用1備單臺機(jī)器117.7給水排水7.7.1給水系統(tǒng)給水水源為城市自來水,廠區(qū)引入兩1根根DN300mm的給水管,并在廠區(qū)內(nèi)部形成環(huán)網(wǎng)。1根·生活用水標(biāo)準(zhǔn):50L/人·班,K=1.5;·生產(chǎn)用水標(biāo)準(zhǔn):以工藝設(shè)備使用量為準(zhǔn)?!な彝庀鹚ㄓ盟浚?020L/S,14472m3/h,2072144·室內(nèi)消火栓用水量:15L/S,54m3/h,108m·自來水最大用量3080m3/h,801920本項目與其他項目設(shè)消防共用水池,容積300m37.7.2純水系統(tǒng)本項目工藝中需要電阻率>10.118MΩ·cm(1845純水系統(tǒng)制備過程包括自來水經(jīng)機(jī)械過濾、活性碳過濾、RO保安過濾器過濾,循環(huán)回水再回至終端純水箱。7.7.3循環(huán)冷卻水系統(tǒng)循環(huán)冷卻水系統(tǒng)包括工藝設(shè)備用低溫冷卻水系統(tǒng)和動力設(shè)備用常溫冷卻水系統(tǒng)。工藝設(shè)備用循環(huán)冷卻水用量480740m740動力設(shè)備用常溫冷卻水采用自來水,供水溫度32~37℃,回水溫差5℃,水壓0.35Mpa。常溫冷卻水系統(tǒng)為開式循環(huán)系統(tǒng),自來水經(jīng)冷卻塔降溫后由循環(huán)冷卻水泵加壓供給動力設(shè)備,回水再流入冷卻塔作下一次循環(huán)使用。7.7.4消防本項目主要消防設(shè)施有:室外消火栓給水設(shè)施、室內(nèi)消火栓給水設(shè)施、室內(nèi)自動噴灑滅火給水設(shè)施刪除、手提式滅火器等。刪除7.7.4.1室外消火栓系統(tǒng)室外消火栓給水系統(tǒng)與室外生產(chǎn)生活給水管道系統(tǒng)合用,在廠區(qū)內(nèi)形成環(huán)狀管網(wǎng),室外每隔100m左右設(shè)置地下式室外消火栓。7.7.4.2室內(nèi)消火栓系統(tǒng)在廠區(qū)內(nèi)各主要建筑均設(shè)有室內(nèi)消火栓消防系統(tǒng)。在動力廠房的消防泵房內(nèi)設(shè)有消火栓加壓泵,消防泵從生產(chǎn)消防聯(lián)合水池吸水,加壓后以兩路DN100出口與廠區(qū)室內(nèi)消火栓管網(wǎng)相連接,并兩路送至廠區(qū)內(nèi)各主要建筑物。室內(nèi)消火栓箱內(nèi)設(shè)有電動報警控制按鈕。刪除刪除7.7.4.3滅火器配置為撲滅初期火災(zāi),各建筑內(nèi)配置手提式二氧化碳滅火器,防于滅火器箱內(nèi),并作明顯標(biāo)志。在變電站還配置推車式二氧化碳滅火器。7.7.5排水系統(tǒng)排水系統(tǒng)采用分流制,分為生活污水、生產(chǎn)廢水和雨水。7.7.5.1生活污水生活污水中的含油污水先經(jīng)隔油池除油后,排入室外生活污水管網(wǎng),與糞便污水和一般盥洗污水一起進(jìn)入生活污水處理裝置,處理達(dá)標(biāo)后再排放市政污水管網(wǎng)。7.7.5.2生產(chǎn)廢水根據(jù)生產(chǎn)廢水的性質(zhì)分類如下:酸堿廢水類:生產(chǎn)廠房工藝酸堿廢水,酸堿廢水排放量約63030其中酸堿廢水經(jīng)中和反應(yīng)池,調(diào)節(jié)PH值,達(dá)標(biāo)后排放?!ず璺蹚U水主要是切片過程中產(chǎn)生的沖洗廢水,廢水成分是硅粉懸浮物。該廢水處理流程圖如下:含硅粉廢水含硅粉廢水調(diào)節(jié)池沉淀池絮凝劑沉清池達(dá)標(biāo)排放板框壓濾機(jī)泥餅外運(yùn)調(diào)節(jié)PH污泥以上處理流程均為暫定,待有關(guān)部門環(huán)境影響報告書評審?fù)ㄟ^后再做進(jìn)一步完善、調(diào)整。7.7.5.3雨水室外雨水經(jīng)管網(wǎng)匯集后排入市政雨水系統(tǒng)。7.8電氣7.8.1供電本項目用電負(fù)荷性質(zhì)為一、二級負(fù)荷,其中消防負(fù)荷、應(yīng)急照明等為一級負(fù)荷。本項目用電設(shè)備裝設(shè)功率1200028000KW,變壓器總裝設(shè)功率1000032000KVA。28000320007.8.2電照低壓配電系統(tǒng)(380/220V)帶電導(dǎo)體采用三相四線制,接地采用TN-S系統(tǒng)。配電方式采用樹干、放射式混合配電系統(tǒng)。生產(chǎn)廠房內(nèi)設(shè)置保護(hù)接地、抗電磁干擾接地、防靜電接地、共用接地裝置等。廠房內(nèi)基本采用熒光燈照明(照度可分區(qū)控制),各區(qū)域照度如下:·空調(diào)生產(chǎn)區(qū)400Lx·走道及更衣室250Lx·辦公區(qū)300Lx·動力區(qū)150Lx除一般熒光燈照明外,在消防值班室及生產(chǎn)區(qū)內(nèi)設(shè)置應(yīng)急照明燈,在主要出入口、疏散走廊設(shè)置應(yīng)急標(biāo)志燈。7.8.3控制系統(tǒng)全廠動力設(shè)施監(jiān)控系統(tǒng)(FMS)包括:中央監(jiān)控工作站、現(xiàn)場控制器、過程儀表及執(zhí)行機(jī)構(gòu)、控制電纜及附屬設(shè)備。7.9通信、信息7.9.1火災(zāi)報警、聯(lián)動控制系統(tǒng)生產(chǎn)廠房、動力廠房設(shè)置火災(zāi)報警、聯(lián)動控制系統(tǒng)。報警監(jiān)控中心設(shè)在總廠的消防值班室內(nèi),由專人24小時值班。各報警區(qū)域設(shè)智能離子感煙探測器及相應(yīng)的模塊等設(shè)備,適當(dāng)?shù)牡胤皆O(shè)置手動報警按鈕及聲光報警器。配套消防聯(lián)動控制系統(tǒng)在火災(zāi)時自動(或手動)啟動各干、濕滅火系統(tǒng),切斷空調(diào)系統(tǒng)及火災(zāi)影響區(qū)所有非消防電源。刪除7.9.2廣播系統(tǒng)刪除廣播系統(tǒng)由普通廣播及應(yīng)急廣播兩部分組成。普通廣播設(shè)備設(shè)在廣播站,應(yīng)急廣播設(shè)備設(shè)在消防值班室內(nèi),平時進(jìn)行普通廣播,火災(zāi)時自動切換到應(yīng)急廣播,疏散人群和組織救火。刪除7.9.3安全系統(tǒng)刪除在辦公、生產(chǎn)及其它一些重要部門、重要房間的入口處設(shè)置門禁控制系統(tǒng)。7.9.4CCTV系統(tǒng)在主廠房及其它一些重要部門設(shè)置安全監(jiān)控電視系統(tǒng),控制中心設(shè)在報警監(jiān)控中心。第八章組織機(jī)構(gòu)、勞動定員和人員培訓(xùn)第八章組織機(jī)構(gòu)、勞動定員和人員培訓(xùn)8.1組織機(jī)構(gòu)組織機(jī)構(gòu)見圖8-1。圖8-1公司組織機(jī)構(gòu)圖:總經(jīng)理總經(jīng)理銷售部外貿(mào)部技術(shù)部質(zhì)檢部研發(fā)中心生產(chǎn)供應(yīng)部副總常務(wù)副總市場部企管部辦公室副總財務(wù)部配套部董事會8.2勞動定員本項目共需人員2001500人,其中:1500管理人員:525人;25技術(shù)人員:2580人;80生產(chǎn)人員:1701395人。1395為使設(shè)備充分使用才能達(dá)到經(jīng)濟(jì)效益,公司將以24小時運(yùn)作,采用四班三運(yùn)轉(zhuǎn)制。人員嚴(yán)格遵守工廠的文件規(guī)范紀(jì)律,以減少操作上的疏失。項目所需管理和技術(shù)骨干主要由投資人派遣,其余大部分由招聘解決;一般技術(shù)人員和技術(shù)操作工人由公司招聘和定向培訓(xùn)解決。8.3人員培訓(xùn)XXXX硅能科技有限公司長期注重企業(yè)自身的技術(shù)發(fā)展,公司內(nèi)部成立有專門的研發(fā)部門和技術(shù)中心,定期對人員進(jìn)行培訓(xùn)。生產(chǎn)一線工人從大專、技?;蚵毟弋厴I(yè)生中擇優(yōu)錄取,要求通過培訓(xùn),熟悉單項工序,保證安全生產(chǎn)。第九章項目實施進(jìn)度計劃第九章項目實施進(jìn)度計劃9.1項目建設(shè)工期本項目建設(shè)包括工程前期、工程設(shè)計、引進(jìn)設(shè)備考查、簽約、國內(nèi)設(shè)備采購、設(shè)備安裝、設(shè)備調(diào)試、試生產(chǎn)等過程。從工程設(shè)計到工程竣工驗收預(yù)計為12個月,為了加快生產(chǎn)廠房的建設(shè),集中財力和人力,組建生產(chǎn)線,盡快產(chǎn)生經(jīng)濟(jì)效益,本項目先期實施與生產(chǎn)有直接關(guān)系的廠房,將科研辦公樓置于建設(shè)的后期實施。其中工程設(shè)計和廠房施工約10個月,設(shè)備安裝調(diào)試2個月,試生產(chǎn)1個月。9.2進(jìn)度計劃安排項目進(jìn)度計劃根據(jù)總建設(shè)工期編制,影響本項目進(jìn)度計劃的主要因素是引進(jìn)設(shè)備的落實。XXXX硅能科技有限公司抓緊設(shè)備的考察、技術(shù)/商務(wù)談判,并抓緊進(jìn)行國內(nèi)設(shè)備的選型采購工作,以便確保項目進(jìn)度計劃實施,縮短建設(shè)周期,盡早發(fā)揮項目效益。詳細(xì)實施計劃見圖表9-1。第九章項目實施進(jìn)度計劃PAGE48半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目圖表9-1項目實施進(jìn)度計劃序號時間工作內(nèi)容進(jìn)度(月序)12345678910111213141編制并上報可行性研究報告2可行性研究報告批復(fù)3引進(jìn)設(shè)備技術(shù)談判4引進(jìn)設(shè)備商務(wù)談判與簽約5工程設(shè)計6人員培訓(xùn)7土建施工8設(shè)備采購10設(shè)備安裝與調(diào)試11試生產(chǎn)12竣工驗收第十章投資估算與資金籌措PAGE49半導(dǎo)體、太陽能級單晶硅棒、硅片生產(chǎn)一期項目第十章項目投資估算與資金籌措10.1固定資產(chǎn)投資估算10.1.1 建設(shè)本項目建設(shè)投資估算范圍包括工藝設(shè)備儀器購置安裝費、動力設(shè)施購置安裝費、建安工程費、其他費、預(yù)備費等。項目建設(shè)投資按86-8英寸單晶硅切磨片1200萬6-8建設(shè)投資估算為27074.41萬元。10.1.2·進(jìn)口設(shè)備價格參考廠商報價計算,進(jìn)口設(shè)備價為(FOB)價,另按有關(guān)規(guī)定計算海運(yùn)費4.4%、海運(yùn)保險費0.2924%、公司手續(xù)費1.5%、銀行手續(xù)費0.4%、進(jìn)口設(shè)備檢驗鑒定費0.30%。設(shè)備運(yùn)雜費按1.0%,設(shè)備安裝費按1.5%計算。·本項目按免征關(guān)稅及進(jìn)口環(huán)節(jié)增值稅計?!ね鈪R匯率按1美元=7元人民幣?!鴥?nèi)設(shè)備按設(shè)備清單價逐臺計算。設(shè)備運(yùn)雜費設(shè)備按5%,設(shè)備安裝費按2%計算。·動力設(shè)備費:(包括變配電設(shè)備、冷凍設(shè)備、空壓設(shè)備、純水設(shè)備、廢水設(shè)備)根據(jù)動力配置,按現(xiàn)行市場價格計算,并同時計算了5%的設(shè)備運(yùn)雜費及10%的安裝費。·建筑工程費:根據(jù)當(dāng)?shù)卦靸r水平及項目建設(shè)內(nèi)容進(jìn)行估算?!て渌こ毯唾M用:其它費用的估算主要包括建設(shè)單位管理費、可研報告編制費、環(huán)境評價費、勘探設(shè)計費、工程監(jiān)理費、安全評價費、征地費、培訓(xùn)費、城市配套費、試車費、辦公及生活用具購置費等?!ゎA(yù)備費:按工程費和工程建設(shè)其他費用(扣除征地費)的6%計算。10.1.3建設(shè)本項目建設(shè)投資估算為27074.41萬元。投資估算結(jié)果見表10-1及附表1。表10-1 建設(shè)投資估算表序號名稱單位(萬元)其中:萬美元比例%1建筑工程費3890.3314.372工藝設(shè)備及安裝工程17313.22429.8063.953動力設(shè)備及安裝工程2414.438.924工具器具費163.070.605其它工程和費用1834.5420.236.776預(yù)備費1458.8227.005.39投資合計27074.41477.0310010.2流動資金估算流動資金根據(jù)企業(yè)生產(chǎn)情況估算,流動資金33998萬元。10.3總投資總投資為61072.41萬元,其中:建設(shè)投資 27074.41萬元流動資金 33998萬元10.4資金籌措10.4項目建設(shè)投資27074.41萬元,由企業(yè)自有資金解決。10.流動資金33998萬元,申請銀行貸款解決。銀行貸款利率為7.47%。第十一章經(jīng)濟(jì)分析第XX章經(jīng)濟(jì)分析11.1基本數(shù)據(jù)11.1.1 項目計算期6年,包括建設(shè)期1年,投產(chǎn)期1年,滿負(fù)荷生產(chǎn)期4年。各年產(chǎn)能見表11-1。表11-1生產(chǎn)規(guī)劃表 單位:萬片序號產(chǎn)品名稱投產(chǎn)1年達(dá)產(chǎn)年186-8英寸單晶硅切磨片6-89601200合計960120011.1.·外購原材料費:按2030???元/片計算。???·燃料及動力費:達(dá)產(chǎn)年21938?萬元/年。?·工資及附加:達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)及管理人員2001500人,根據(jù)公司現(xiàn)有工資及附加平均水平,適當(dāng)考慮未來工資的增漲,達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)人員工資408萬元/年。1500·折舊與待攤費用:固定資產(chǎn)折舊按直線折舊法,殘值率10%。設(shè)備按5年折舊,廠房按20年折舊,動力設(shè)備按10年折舊,遞延資產(chǎn)按5年攤銷、土地按50攤銷。生產(chǎn)設(shè)備折舊及攤銷達(dá)產(chǎn)年3814萬元/年?!て渌圃熨M用:包括一般材料消耗、低值易耗品消耗、勞動保護(hù)費、運(yùn)輸費、保險費、試驗檢驗費等?!ば蘩碣M及備件:根據(jù)同類企業(yè)生產(chǎn)情況,按設(shè)備折舊值的30%進(jìn)行計算?!I業(yè)費用:取營業(yè)收入的1%進(jìn)行財務(wù)分析?!て渌芾碣M用:綜合考慮了公司經(jīng)費、工會經(jīng)費、勞動保險費、房產(chǎn)稅、車船使用牌照稅、招待費、顧問費、管理費、管理人員的工資等。估算項目管理費用達(dá)產(chǎn)年為1613萬元。11.1.3本項目銷售價格是綜合預(yù)測今后市場的發(fā)展趨勢確定的,產(chǎn)品售價詳見營業(yè)收入、營業(yè)稅金及附加和增值稅估算表(詳見表11)。達(dá)產(chǎn)年平均營業(yè)收入為201600萬元。11.1.4根據(jù)財政部、國家稅務(wù)總局財稅[2008]1號“關(guān)于企業(yè)所得稅若干優(yōu)惠政策的通知”,本項目享受優(yōu)惠政策——增值稅即征即退政策所退還的稅款,按免征計算。11.1.自獲利年度起,第一年和第二年免征企業(yè)所得稅,第三年至第五年減半征收企業(yè)所得稅,稅率按12.5%計算。11.2財務(wù)評價11.2.1·財務(wù)內(nèi)部收益率:57.89%(稅后)·財務(wù)凈現(xiàn)值:60486萬元(稅后i=12%)·投資回收期:3.17年(含建設(shè)期)11.2.2不確定性分析盈虧平衡分析(以達(dá)產(chǎn)年為例) CFBEF= ×100%=29.82%S–CV–T當(dāng)產(chǎn)量達(dá)到設(shè)計生產(chǎn)能力的29.82%時,項目即可不虧不盈。敏感性分析項目實施過程中有很多因素可能發(fā)生變化,現(xiàn)就建設(shè)投資、經(jīng)營成本、銷售價格發(fā)生±10%變化時,對財務(wù)內(nèi)部收益率的影響進(jìn)行分析表明銷售收入對項目影響較大,銷售收入減少10%時,內(nèi)部收益率為11.41%。分析結(jié)果見表11-2。表11-2敏感性分析表序號項目變化內(nèi)部收益率財務(wù)凈現(xiàn)值總投資回收期基本方案57.89604863.171建設(shè)投資+10%53.60580693.272-10%62.82629033.093銷售收入+10%108.321221582.304-10%11.14-11865.515經(jīng)營成本+10%18.1583946.256-10%100.301125782.4311.3經(jīng)濟(jì)分析主要結(jié)果表11-3經(jīng)濟(jì)分析主要結(jié)果序號項目單位數(shù)據(jù)和指標(biāo)備注1項目總投資萬元61072.411.1建設(shè)投資萬元27074.411.2流動資金萬元339982營業(yè)收入萬元201600達(dá)產(chǎn)年平均3利潤總額萬元25042達(dá)產(chǎn)年平均4投資回收期年3.17含建設(shè)期5內(nèi)部收益率%57.89所得稅后6財務(wù)凈現(xiàn)值(i=12%)萬元60486所得稅后7銷售利潤率%12.42達(dá)產(chǎn)年平均8投資利潤率

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