2020年功率半導(dǎo)體分析報告

2020年功率半導(dǎo)體分析報告2020年3月

Page4內(nèi)容目錄功率半導(dǎo)體解密7功率半導(dǎo)體是什么？7功率半導(dǎo)體的種類及比較8功率半導(dǎo)體制造工藝13功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈梳理15功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史15功率半導(dǎo)體全球市場分析15功率半導(dǎo)體下游需求分析17全球功率半導(dǎo)體企業(yè)一覽22國際龍頭功率半導(dǎo)體企業(yè)22國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)26市場提示38Page7功率半導(dǎo)體解密功率半導(dǎo)體是什么？功率器件是功率電子器件的核心，特指轉(zhuǎn)換并控制電力的功率半導(dǎo)體器件。電力有直流電（DC的功率大小。核心是使用最小的輸入控制功率保證輸出功率的大小和時延。圖：功率半導(dǎo)體工作的用途基本的電力轉(zhuǎn)換的四種方式、變流器（）變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中，如供電電路中的電壓波動整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機轉(zhuǎn)動速度，后者在變頻空調(diào)、無級變速電機中的應(yīng)用很廣泛，在功率消耗方面由于傳統(tǒng)的電機控制。、整流器（）整流器把交流電轉(zhuǎn)換成直流電。有時候會用轉(zhuǎn)換器這個詞，但轉(zhuǎn)換器更多用來指代所有的功率轉(zhuǎn)換器件。、轉(zhuǎn)換器種可替代的方法是使用變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電，再使用穩(wěn)壓器來調(diào)整電壓，最后使用整流器把交流電轉(zhuǎn)回直流電。、變頻器（）變頻器把交流電從一個頻率轉(zhuǎn)換到另一個頻率，有周波變頻器和矩陣變頻器。Page8所有的轉(zhuǎn)換器都有一個共同的目標，就是實現(xiàn)的能量轉(zhuǎn)換率（轉(zhuǎn)換過程漏電，在打開的時候沒有任何電壓損失，在開閉轉(zhuǎn)換的時候沒有任何的功率損耗。在這個領(lǐng)域的技術(shù)和材料的創(chuàng)新，都是為了提高能量轉(zhuǎn)換效率。功率半導(dǎo)體的六大應(yīng)用場景在任何需要節(jié)能轉(zhuǎn)換和操縱電力的地方都需要功率半導(dǎo)體，主要包括六大大應(yīng)用場景：、電動汽車：新增的功率半導(dǎo)體器件的性能和功率效率是電動汽車運行的關(guān)鍵。汽車的電氣化使所需的電力部件價值增加了5倍以上。元件主要用于逆變器，將非常高的能量電流引入汽車的電動機和電池充電器。、可再生能源發(fā)電：可再生能源發(fā)電也需要高功率半導(dǎo)體，因為可再生能源不規(guī)則，需要高的發(fā)電效率才能實現(xiàn)經(jīng)濟可持續(xù)發(fā)展。以每兆瓦時為基礎(chǔ)，風(fēng)電場需要比傳統(tǒng)燃煤電站多倍的功率半導(dǎo)體價值量。、工業(yè)和自動化：的變速驅(qū)動器越來越多地取代工業(yè)應(yīng)用中的傳統(tǒng)電機，因為它們可的革命在很大程度上取決于增加的功率和傳感器半導(dǎo)體內(nèi)容，以驅(qū)動工廠的機器人技術(shù)。、儲能：可再生能源（特別是風(fēng)能和太陽能）取決于天氣和氣候，這固有地導(dǎo)致電網(wǎng)中的能量波動。有效的能量存儲對于向可再生能源對總發(fā)電的更高貢獻的轉(zhuǎn)變至關(guān)重要，并且需要再次有效地轉(zhuǎn)換電能，即功率半導(dǎo)體。、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器：功率半導(dǎo)體在優(yōu)化數(shù)據(jù)中心的能源使用方面發(fā)揮著核心作用，用于整流，電池充電和/逆變。專門研究超大規(guī)模環(huán)境，本地化備用電源（所謂的“電括氮化鎵的使用和能量比例計算將繼續(xù)增加數(shù)據(jù)中心中功率半導(dǎo)體使用的廣度。、消費類電子產(chǎn)品白色家電：功率半導(dǎo)體是每款智能手機的核心;色器具中，優(yōu)化的感應(yīng)技術(shù)例如在烹飪用具使加熱更快更均勻，同時使用更節(jié)能。功率半導(dǎo)體也是“智能”白色家電的核心。功率半導(dǎo)體的種類及比較功率半導(dǎo)體從器件工作原理來看可以分為：二極管，晶閘管，MOSFET，以及IGBT。Page9圖：功率半導(dǎo)體主要產(chǎn)品類型資料來源：CEIC，XXXX市場研究部整理四種主要的功率半導(dǎo)體器件二極管二極管是用半導(dǎo)體材料能，即給二極管陽極和陰極加上正向電壓時，二極管導(dǎo)通。當給陽極和陰極接通與斷開。圖：二極管工作原理晶閘管晶閘管設(shè)計用于在高電流和高電壓下工作，并且通常用于DCPage10的整流以及電流到不同幅度或頻率的整流。我們通常將晶閘管分為以下幾率器件，與常規(guī)晶閘管相比，可以通過門信號。圖：晶閘管工作原理MOSFET和標準雙極晶體管之間的基本區(qū)別在于源極-漏極電流由柵極電壓速關(guān)閉功能，允許其以高頻率切換。最后，不易受“熱失控”的影響，因此特別適用于家用電器，汽車和電源的電源設(shè)計。圖：MOSFET工作原理IGBT將雙極晶體管的某些特性與單個器件中的的特性結(jié)合在一起。與有顯著差異，制造起來更具挑戰(zhàn)性。最大的差異是在上圖中顯示的N源極漏極下的附加P襯底，其阻止反向電流流動。展品）MOSFET其適用于高能量應(yīng)用，如變速箱，重型機車，大型船舶螺旋槳等。Page圖：IGBT工作原理功率半導(dǎo)體的性能差異比較在實際使用中，功率半導(dǎo)體根據(jù)器件的實際性能差異應(yīng)用于不同的場景，并且可以選擇選擇分立器件和模組兩種封裝形式。二極管和晶體管的性能差異：二極管和晶體管的關(guān)鍵功能是相同的–控制開關(guān)的開/DC）晶體管將輸入信號從低阻電路傳輸?shù)礁唠娮桦娐?。二極管也稱為晶體二極管，p型區(qū)域，負極端子為連接到二極管的n區(qū)域。晶體管具有三個區(qū)域，即發(fā)射極，集電極和基極。發(fā)射器是重摻雜，以便它可以將重的帶電粒子轉(zhuǎn)移到基極。的基礎(chǔ)晶體管尺寸更小，摻雜更輕，從而電荷載流子容易移動從基地到集熱區(qū)。集電極是晶體管的最大區(qū)域，因為它可以消散基極根基，這要歸功于其更全面的功能。晶閘管/MOSFET/IGBT的比較：晶閘管：通過電流控制電流，頻率低，MOSFETmos管的最大劣勢是隨著耐壓升高，內(nèi)阻迅速增大（不是線性增大），所以高壓下內(nèi)阻很大，不能做大功率應(yīng)用。mos導(dǎo)通損耗小（還是發(fā)熱?。㊣GBT：電壓控制電流，頻率適中，在低壓下相對mos管在電性能和價格上都沒有優(yōu)勢，所以基本上看不到低壓，并不是低壓的造不出來，而是毫mos管越有優(yōu)勢。所以高壓下優(yōu)勢明顯，既有高開關(guān)速度（盡管比mosPage12圖：晶閘管、MOSFET、適用范圍分立器件和模組的比較中的其他半導(dǎo)體器件（模塊）集成。下面是兩個類別的概述：分立器件：可能具有挑戰(zhàn)性，每個組件都增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性。但是，分立元件的成本低于集成模塊，可以輕松集成到定制系統(tǒng)中，并且可以在發(fā)生故障時輕松更換。功率模塊：-因為此類模塊通常用于需要長時間高可靠性的系統(tǒng)，例如風(fēng)力轉(zhuǎn)換器，太陽能系統(tǒng)等。Page13圖：分立器件與集成模組的比較功率半導(dǎo)體制造工藝前端晶圓制造工藝功率半導(dǎo)體需要在薄晶圓上制造。當電流流過半導(dǎo)體器件時，各層硅的厚度增加導(dǎo)致飽和電壓增加和開關(guān)損耗增加。這兩個因素都對功率半導(dǎo)體器件的性能有害，主要是因為它們導(dǎo)致能量損失和發(fā)熱。因此，薄晶圓的制造至關(guān)重要：它可以提高電源效率，并更好地散發(fā)元件產(chǎn)生的熱量。Page14圖：不同功率器件對晶圓厚度的要求資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理由于功率半導(dǎo)體需要不同的CMOS半導(dǎo)體材料和工藝他們需要專門的晶圓廠。這意味著功率半導(dǎo)體的規(guī)模對于建立具有成本效益的前端制造能力至關(guān)重要。后端封裝工藝所謂封裝是將前端操作中制造的芯片“封裝”到電源組件中的過程在專用的后端設(shè)備中進行。功率密度是半導(dǎo)體元件的主要競爭特征，并且元件的熱性能是實現(xiàn)更高功率密度的最重要的杠桿。因此，部件的封裝質(zhì)量是功率部件差異化的關(guān)鍵因素。圖：前端和后端制造工藝對不同產(chǎn)品影響程度差異前端制造后端封裝應(yīng)用設(shè)計100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%小信號分立器件功率分立器件IGBT模組功率IC資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理Page15功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈梳理功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史功率半導(dǎo)體最早出現(xiàn)在年代，年美國貝爾實驗室發(fā)明了晶閘管，并在年代得到廣泛應(yīng)用；年后逐漸發(fā)展出功率各種新型晶閘管，單極性MOSFETMOSFET年代研發(fā)出IGBT集成功率器件。目前功率器件主要以基材料為主，包括高壓集成電路，和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料開始成為功率半導(dǎo)體的新興材料。圖：功率半導(dǎo)體發(fā)展歷史2010從分立器件到1990s模組，功率集MOSFET電壓控制，IGBT/IGCT電壓控制，成電路；從傳統(tǒng)Si基材料到SiC和GaN新材料1970s從不可控發(fā)展到半可控GTR，全可控BJT1950sSCR從單極性到雙極性，復(fù)合型WSTS，XXXX市場研究部整理功率半導(dǎo)體全球市場分析近幾年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模一直穩(wěn)定在億美元的水平，占到全球半導(dǎo)體市場規(guī)模凌，TI，NXP，日本瑞薩等，中國產(chǎn)品還有很大的替代空間，前十名廠商占有分立器件市場集中度更低，生態(tài)壁壘不高。圖：功率半導(dǎo)體市場規(guī)模（億美元）圖：功率半導(dǎo)體全球出貨量（十億顆）市場規(guī)模YOY出貨量YOY2502001501005012%10%8%600500400300200100014%12%10%8%6%6%4%4%2%2%00%0%20152016201720182019202020212015201620172018201920202021WSTS，XXXX市場研究部整理WSTS，XXXX市場研究部整理Page16圖：功率半導(dǎo)體市場結(jié)構(gòu)（產(chǎn)品劃分）資料來源：，XXXX市場研究部整理19%最重要的產(chǎn)品是mosfet和IGBT。其他產(chǎn)品，，晶閘管以及二極管等市場非常分散且價值量較低。圖：功率半導(dǎo)體市場主要企業(yè)市占率圖：功率半導(dǎo)體占全球半導(dǎo)體市場份額InfineonOnSEMI三菱ST東芝其他存儲器微處理器邏輯模擬功率光學(xué)ASICASSP傳感器2.0%19.0%24.0%26.0%10.0%7.0%53.0%6.0%19.0%8.0%6.0%5.0%4.0%6.0%5.0%WSTS，XXXX市場研究部整理WSTS，XXXX市場研究部整理從最主要的和市場來看，分別以和的市占Renesas和也占據(jù)了較高的市場份額。不同于二極管市場和晶體管市場的高度分散化，和市場由于其技術(shù)門檻更高，具備更高的市場集中度。Page17圖：IGBT市場主要企業(yè)市占率圖：MOSFET市場主要企業(yè)市占率Infineon27.7%東芝富士SemikronFairchild其他InfineonRenesasFairchildST東芝其他26.7%27.7%35.6%4.0%6.9%10.9%21.8%7.9%8.9%12.9%8.9%資料來源：，XXXX市場研究部整理資料來源：，XXXX市場研究部整理根據(jù)IHS資料，年MOSFET占晶體管總市場的％，其次是和BJT的％的份額。但是，市場將在年經(jīng)歷更強勁的主要驅(qū)動力來自工業(yè)和汽車領(lǐng)域，它們分別得益MOSFET更加平衡預(yù)計在2016-21F年復(fù)合年增長率為圖：MOSFET市場規(guī)模（億美元）圖：IGBT市場規(guī)模（億美元）市場規(guī)模YOY7020%15%10%5%60504030201000%-5%-10%20142015201620172018201920202021資料來源：，XXXX市場研究部整理資料來源：，XXXX市場研究部整理功率半導(dǎo)體下游需求分析電動汽車功率半導(dǎo)體是電動汽車運行的關(guān)鍵，其性能和功率效率。普通傳統(tǒng)汽車的半導(dǎo)體價值量約為美元，主要產(chǎn)品是微控制器（美元）和功率半導(dǎo)體（車和電動汽車之間增加了五倍多。Page18圖：電動車功率半導(dǎo)體價值量提升5倍0資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理在傳統(tǒng)汽車中：功率半導(dǎo)體僅限于空調(diào)系統(tǒng)以及汽車的各種控制和執(zhí)行器。這意味著相對較小的部件和較小的成本。在電動汽車中，主要功率半導(dǎo)體元件變?yōu)椋簽槠嚨母吲ぞ仉妱訖C供電所需的轉(zhuǎn)換器，用于降低電池電壓的/DC轉(zhuǎn)換器，用于電池充電器的附加類似組件，特別高增壓要求。這些組件的質(zhì)量和性能是決定汽車性能的主要因素（更高的扭矩需要更強的轉(zhuǎn)換器）和功率效圖：電動車主要功率半導(dǎo)體零部件資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理可再生能源發(fā)電電場需要比傳統(tǒng)燃煤電站多在能量的產(chǎn)生，轉(zhuǎn)換和運輸中起著至關(guān)重要的作用。風(fēng)力渦輪機中的功率半導(dǎo)體的質(zhì)量和可靠性要求特別嚴格，在惡劣環(huán)境中操作時，部件暴露于日?；顒油瑯?，太陽能發(fā)電和轉(zhuǎn)換也需要整個系統(tǒng)的功率半導(dǎo)體。太陽能系統(tǒng)中的功率半導(dǎo)體需要高效，因為需要最小化開關(guān)損耗，而組件的可靠性和耐用性對系統(tǒng)的性能也是至關(guān)重要的。Page19圖：太陽能發(fā)電系統(tǒng)資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理工業(yè)和自動化的變速驅(qū)動器越來越多地取代工業(yè)應(yīng)用中的傳統(tǒng)電機，因為它們可是當今最大的電力用戶。目前部署的大多數(shù)工業(yè)電機以固定速度轉(zhuǎn)動，并且只能通過“制動”來減速，從而導(dǎo)致摩擦并因此導(dǎo)致效率損失。變速驅(qū)動器可以更好地匹配扭矩和旋轉(zhuǎn)與負載要求，這樣可以節(jié)省約％的能源消耗，目前大多數(shù)工業(yè)電機仍由傳統(tǒng)電機供電。圖：太陽能發(fā)電系統(tǒng)資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理儲能Page20可再生能源（特別是風(fēng)能和太陽能）;取決于天氣和氣候，其固有地引起與電網(wǎng)運行不直接相關(guān)的能量波動。發(fā)電的更高貢獻的轉(zhuǎn)變至關(guān)重要。器，用電池為電網(wǎng)供電。圖：能源儲存系統(tǒng)資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的用電量非常高，是其運營成本的重要因素。谷歌在其數(shù)據(jù)中心使用足夠的能源來為和MOSFET）用于整流，電池充電和/反相。圖：能源儲存系統(tǒng)Page21資料來源：Microsoft，XXXX市場研究部整理，中心的占地面積減少了約25％（不再需要建造一個獨立的房間，容納巨大的％。此外，它允許數(shù)據(jù)中心通過服務(wù)器機架中的計算和存儲自動擴展電池備份容量。消費電子家電功率半導(dǎo)體是每款智能手機的核心;它們控制充電機制，功率輸出和能效。在節(jié)能。功率半導(dǎo)體也是“智能”白色家電的核心。圖：功率半導(dǎo)體對充放電和加熱系統(tǒng)十分關(guān)鍵資料來源：Infineon，XXXX市場研究部整理Page22全球功率半導(dǎo)體企業(yè)一覽從經(jīng)營規(guī)模和利潤水平來看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)和國外龍頭企業(yè)仍然有明顯的差距。國際龍頭年營業(yè)收入達到億美元，而國內(nèi)最大的功率半導(dǎo)體企業(yè)士蘭微年營業(yè)收入僅為率半導(dǎo)體企業(yè)的盈利能力也明顯低于國外同行，僅有斯達半導(dǎo)，士蘭微，揚杰科技的盈利能力接近國外競爭對手。而從產(chǎn)品類型來看，國外龍頭企業(yè)產(chǎn)品線更加豐富同時高價值量的產(chǎn)品收入占比也更高。但是，隨著行業(yè)的長期景氣來臨，我們認為國產(chǎn)功率半導(dǎo)體的持續(xù)增長趨勢明確，替代空間巨大。表：全球功率半導(dǎo)體企業(yè)橫向比較（億美元）企業(yè)營業(yè)收入96.792.058.830.4凈利潤12.914.8毛利率40.0%38.7%38.1%29.3%36.2%25.5%31.4%22.7%29.4%48.9%國家主營產(chǎn)品感應(yīng)電源和汽車產(chǎn)品，嵌入式處理解決方案功率器件、傳感器與射頻器件和嵌入式控制器等電源和信號管理、邏輯、離散和定制設(shè)備分立半導(dǎo)體和無源元件InfineonSEMISTVishayIC、分立半導(dǎo)體和模塊等電子元器件的設(shè)計、制造與銷售功率二極管、整流橋等電子元器件功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計、芯片加工、封裝功率半導(dǎo)體元器件，包括IGBT、MOSFET、SiC各類電力電子器件和芯片電源管理、LED控制及驅(qū)動、MOSFET、、非易失性存儲器、RFID、射頻前端ASIC等芯片28.8%資料來源：公司公告，XXXX市場研究部預(yù)測國際龍頭功率半導(dǎo)體企業(yè)Infineon英飛凌科技公司于年在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。公司前身為西門子集團的半導(dǎo)體部門，于年獨立，年上市。內(nèi)存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導(dǎo)體產(chǎn)品及完整的系統(tǒng)解決方案。作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌是市場上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化第三代寬禁帶半導(dǎo)體的高性能與CoolGaN?、以及支持更高頻率應(yīng)用的第六代OptiMOS等豐富產(chǎn)品組合，從芯片技術(shù)層面提升電源效率。圖圖營業(yè)收入（億元）YOY凈利潤（億元）YOY5%70605040302010090%80%70%60%50%40%30%20%10%0%00%2013201420152016201720132014201520162017資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理Page23RohmRohm年作年和領(lǐng)域和ICIC光學(xué)元器件、無源元件、模塊、半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品及醫(yī)療器具。圖圖營業(yè)收入（億元）YOY凈利潤（億元）YOY508%25201510540%30%20%10%0%6%4%2%0%-10%-20%-30%-40%002013201420152016201720132014201520162017資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理公司的重點業(yè)務(wù)之一為功率半導(dǎo)體，目前提供MOSFET、IGBT、FRD等分立元件及柵極驅(qū)動IC產(chǎn)品開拓耐高壓器件市場。OnSEMIOnSemiconductorCorporation安森美半導(dǎo)體創(chuàng)立于年。該公司及其子離散和定制設(shè)備，包括汽車，通信，計算機，消費，工業(yè)，照明，醫(yī)療，軍事飛機，航空航天，智能電網(wǎng)與電源的應(yīng)用。公司設(shè)計，制造和銷售先進的電子系統(tǒng)和廣泛的半導(dǎo)體元件，以解決設(shè)計組合的需要。圖圖營業(yè)收入（億元）YOY凈利潤（億元）YOY70.0060.0050.0040.0030.0020.0010.000.0045%40%35%30%25%20%15%10%5%9.008.007.006.005.004.003.002.001.000.00400%350%300%250%200%150%100%50%0%-50%0%2014201520162017201820142015201620172018資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理公司的電源管理半導(dǎo)體元件對不同的電子設(shè)備進行控制，轉(zhuǎn)換，保護和監(jiān)控電車，醫(yī)療設(shè)備，軍事飛機，航空航天，消費和工業(yè)領(lǐng)域的獨特產(chǎn)品。公司的數(shù)據(jù)管理半導(dǎo)體組件提供高性能的時鐘管理和數(shù)據(jù)流管理，精密的計算和通信系統(tǒng)。公司的標準半導(dǎo)體元件作為基礎(chǔ)組件存在于幾乎所有類型的電子設(shè)備。其Page24照明，電源，網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備和自動化測試設(shè)備。圖圖毛利率凈利率動力解決方案組模擬解決方案組圖像傳感器組14%40.0%35.0%30.0%25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%51%0.0%2014/122015/122016/122017/122018/122019/9資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理微電子公司和法國Thomson年5SGS-湯姆森半導(dǎo)體公司將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一、領(lǐng)先的集成設(shè)備制造商，為智能駕駛，智能工廠，智慧家居與城市和智能產(chǎn)品提供關(guān)鍵解決方案。圖圖營業(yè)收入（億元）YOY凈利潤（億元）YOY120.00100.0080.0060.0040.0020.000.0025%20%15%10%5%14.0012.0010.008.00400%350%300%250%200%150%100%50%6.000%4.00-10%2.000%0.00-50%2014201520162017201820142015201620172018資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理公司擁有豐富的芯片制造工藝，包括先進的FD-SOICMOS(射頻絕緣層上硅)、Bi-CMOSCMOS,DMOS)SiliconCarbide和技術(shù)，在全球建立了巨大的前后工序制造網(wǎng)絡(luò)。Page25圖圖感應(yīng)電源和汽車產(chǎn)品模擬微機電系統(tǒng)微控制器、內(nèi)存和安全12%汽車工業(yè)與電力離散數(shù)字融合集團毛利率凈利率嵌入式處理解決方案其他0%45.0%40.0%35.0%30.0%25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%32%13%0.0%7%2014/122015/122016/122017/122018/122019/312%資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理VishayInc.是一家分立半導(dǎo)體和無源元件的全球領(lǐng)先的制造商和供應(yīng)商。威世成立于年，公司開始以箔電阻及箔電阻應(yīng)變計作為其最初產(chǎn)品系列開展經(jīng)營。年，開始了一系列戰(zhàn)略收購以使自己成為可提供廣泛電子元件的制造商。圖圖營業(yè)收入（億元）YOY凈利潤（億元）YOY35.0030.0025.0020.0015.0010.005.0020%15%10%5%4.003.002.001.000.00-1.00-2.000%-200%-400%-600%-800%-1000%-1200%-1400%-1600%-1800%-2000%0%20142015201620172018-10%0.0020142015201620172018資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理公司收購的分立電子元件頂級廠商包括達勒(Dale)、思芬尼（Sfernice瑞(Draloric)(Sprague)(Vitramon)(Siliconix)導(dǎo)體(GeneralSemiconductor)、元件（BCcomponents貝士拉革(Beyschlag)InternationalRectifier威世品牌的產(chǎn)品代表了包括分立半導(dǎo)體、無源元件、集成模塊、應(yīng)力感應(yīng)器和傳感器等多種相互不依賴產(chǎn)品的集合。整流或傳輸電信號。此外，還生產(chǎn)某些，這些IC在單個芯片上結(jié)合了多個器件的功能，同時，還生產(chǎn)在一個封裝內(nèi)包含多個器件的模塊。半導(dǎo)體產(chǎn)品包括管和整流器，以及多種不同種類的光電器件。Page26圖圖毛利率凈利率半導(dǎo)體無源元件35.0%30.0%25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%53%0.0%2014/122015/122016/122017/122018/122019/9-5.0%-10.0%資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理資料來源：公司公告、XXXX市場研究部整理國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)士蘭微公司前身為杭州士蘭電子有限公司，于年9月日成立。公司于年在上海證券交易所上市。公司坐落于杭州高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)。公司經(jīng)營范圍是：電子元器件、電子零部件及其他電子產(chǎn)品設(shè)計、制造、銷售；機電產(chǎn)品進出口。主要產(chǎn)品包括集成電路、半導(dǎo)體分立器件、LED（發(fā)光二極管）產(chǎn)品等三大類。經(jīng)過將近二十年的發(fā)展，公司已經(jīng)從一家純芯片設(shè)計公司發(fā)展成為目前國內(nèi)為數(shù)不多的以IDM型半導(dǎo)體產(chǎn)品公司。圖：士蘭微主要產(chǎn)品資料來源:士蘭微公司官網(wǎng)，XXXX市場研究部整理士蘭微營收與凈利潤大體呈現(xiàn)增長趨勢，增加速率有所放緩。根據(jù)公司公布的年營業(yè)收入，歸屬于上市公司股東的凈利潤億美元，年復(fù)合增長率。Page27圖：2014-2018年士蘭微公司營業(yè)收入及增速圖：2014-2018年士蘭微公司凈利潤及增速資料來源:，XXXX市場研究部整理資料來源:，XXXX市場研究部整理年達到收入第二，數(shù)量上增加，比重上逐年略有下降。分立器件產(chǎn)品中，快恢復(fù)管、MOS管、IGBT、模塊等產(chǎn)品增長較快。集成電路產(chǎn)品中，照明驅(qū)動電路、功率模塊、電路、數(shù)字音視頻電路、MEMS傳感器等產(chǎn)品的出貨量保持較快增長。圖：2015-2018年士蘭微公司主營產(chǎn)品營收圖：2014-2018年士蘭微公司盈利能力資料來源:XXXX市場研究部整理資料來源:XXXX市場研究部整理士蘭微年年度實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利億元到到計歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤與上年同期相比，將減少億元到億元，同比減少到。業(yè)績下降的主要原因是受全球半導(dǎo)體行業(yè)增速放緩、產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)投入增加等因素的影響。具體原因是：1.子公司杭州士蘭集成電路有限公司部分境外客戶訂單數(shù)量減少；子公司杭州士蘭集昕微電子有限公司8芯片生產(chǎn)線仍處于特色工藝平臺的建設(shè)階段，且調(diào)整了生產(chǎn)線上產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致虧損加大；子公司杭州士蘭明芯科技有限公司發(fā)光二級管芯片價格較上年同期下降了20-30%，且加大了研發(fā)投入；參股公司廈門士蘭集科微電子有限公司、廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司加快推進項目建設(shè)，管理費增加。Page28圖：2014-2018年士蘭微公司研發(fā)費用資料來源:，XXXX市場研究部整理揚杰科技揚杰科技公司于年成立，年創(chuàng)業(yè)板上市。公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等高端領(lǐng)大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、MOSFET、、碳化硅JBS圖：楊杰科技公司主要產(chǎn)品資料來源:揚杰科技公司官網(wǎng)，XXXX市場研究部整理揚杰科技營收大體增加，凈利潤年有所下降。營收方面，年公司營收為億元，同比增速分別為年凈利潤為億元，同比增加率為-29.70%。年系公司理財產(chǎn)品減值、產(chǎn)能利用率有所下滑的影響，公司整體歸母凈利潤有所下降。Page29圖：2014-2018年揚杰科技公司營業(yè)收入及增速圖：2014-2018年揚杰科技公司凈利潤及增速資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理年半導(dǎo)體器件銷售收入為億元，占營業(yè)收入比例為，鑒于下游應(yīng)用的穩(wěn)定增長，其為公司的主營業(yè)務(wù)且比例基本維持在左右。公司的毛利潤較為穩(wěn)定，體現(xiàn)出公司模式各環(huán)節(jié)成本把控的優(yōu)勢。圖：2015-2018年揚杰科技公司主營產(chǎn)品營收圖：2014-2018年揚杰科技公司盈利能力資料來源:XXXX市場研究部整理資料來源:XXXX市場研究部整理揚杰科技公司研發(fā)費用持續(xù)增加。年研發(fā)費用分別為億元、億元、4.92%。圖：2014-2018年揚杰科技公司研發(fā)費用資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理Page30捷捷微電公司成立于功率半導(dǎo)體芯片和器件的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)和銷售。主要產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片。主要應(yīng)用于家用電器、漏電斷路器等民用領(lǐng)域，無功補償裝置、電力模塊等工業(yè)領(lǐng)域，及通訊網(wǎng)絡(luò)、IT產(chǎn)品、汽車電子等防雷擊和防靜電保護從年成功研制并銷售可控硅芯片至今，已經(jīng)成為國內(nèi)第二大晶閘管供應(yīng)商。圖：捷捷微電公司主要產(chǎn)品資料來源:捷捷微電公司官網(wǎng)，XXXX市場研究部整理年，年和年分別實現(xiàn)營業(yè)收入億元，億元和，29.82%和；2016年，年分別實現(xiàn)凈利潤億元，億元和億元，同比增長率為，24.14%和。圖：2014-2018年捷捷微電公司營業(yè)收入及增速圖：2014年年捷捷微電公司凈利潤及增速資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理Page31公司毛利率、凈利率維持同業(yè)較高水平。公司具備芯片完整的研發(fā)體系，具有年公司毛利率因為募投生產(chǎn)線建設(shè)項目投產(chǎn)略有下降。圖：2014年年捷捷微電公司主營產(chǎn)品營收圖：2014年年捷捷微電公司盈利能力資料來源:，XXXX市場研究部整理資料來源:，XXXX市場研究部整理公司研發(fā)費用穩(wěn)健增長。近幾年來，公司核心研發(fā)團隊穩(wěn)定，研發(fā)能力優(yōu)秀。公司研發(fā)費用持續(xù)增長，年至年研發(fā)費用分別為億元、億元、萬億元，占總收入的比重分別為、4.86%和。圖：2014-2018年捷捷微電公司研發(fā)費用資料來源:公司公告，XXXX市場研究部整理華微電子公司前身吉林市半導(dǎo)體器件廠成立于年，年在上海證券交易所掛牌上市。公司為國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)的龍頭企業(yè)。公司主要從事功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計、芯片加工、封裝及銷售業(yè)務(wù),產(chǎn)品主要服務(wù)于家電、綠色照明、計算機及通訊、汽車電子四大領(lǐng)域。公司現(xiàn)已成為中國最大的半導(dǎo)體分立器件制造基地之一。公司營收近些年較平穩(wěn)，年營收預(yù)計減少。在年公司實現(xiàn)營收億元，同比增長，實現(xiàn)歸屬母公司股東的凈利潤億元，同比增加4,200.66萬元到到市場的份額，采取了銷售價格及銷售產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整策略，產(chǎn)品獲利能力降低。Page32圖：2014年年華微電子公司營業(yè)收入及增速圖：2014年年華微電子公司凈利潤及增速資料來源:，XXXX市場研究部整理資料來源:，XXXX市場研究部整理公司毛利率與凈利率較為平穩(wěn)，半導(dǎo)體器件是其主要收入來源。年-2018年，公司毛利率分別為，和22.72%；2016年到年，公司凈利率分別為，和。半導(dǎo)體器件是公司的主營業(yè)務(wù)，近年來均占營業(yè)收入的90%以上。圖：2014年年華微電子主營業(yè)務(wù)營收圖：2014年年華微電子公司盈利能力資料來源:，XXXX市場研究部整理資料來源:，XXXX市場研究部整理從年到2018年公司研發(fā)費用分別為億元、億元、億元，相應(yīng)的研發(fā)費用率分別為5.92%研發(fā)費用的占比略有下降。Page33圖：2014年年華微電子公司研發(fā)費用資料來源:，XXXX市場研究部整理斯達半導(dǎo)公司成立于2005年4月，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體芯片和模塊尤其是IGBT1.2億元。IGBTMOSFETIPMFRDSiC等等。公司成功研發(fā)出了全系列IGBTFRD芯片和IGBT其中IGBT模塊產(chǎn)品超過600種，電壓等級涵蓋100V～3300V，電流等級涵蓋10A～3600AUPS/風(fēng)力發(fā)電、SVG、白色家電等領(lǐng)域。營收增速加快，正在進