背面工藝培訓(xùn)

背面工藝培訓(xùn)第1頁/共37頁Summary1.簡單流程介紹2.背面設(shè)備結(jié)構(gòu)以及工藝簡介3.背面減薄以及背蒸菜單簡介4.常見背面異常的分析以及處理背面減薄異常分析以及處理背蒸工藝異常分析以及處理第2頁/共37頁背面工藝流程介紹背面工藝CMOS工藝:DMOS工藝:TAPEBACKDTAPE出貨甩干流水第3頁/共37頁背面設(shè)備簡介第4頁/共37頁背面設(shè)備簡介Tapetype分類按膜的硬度、耐酸性、膠質(zhì)層厚度、黏附性、厚度、水溶性等Function第5頁/共37頁Tapeparameter第6頁/共37頁TapeSettingSection決定了走膜的張力TapePeelingSection第7頁/共37頁Sample第8頁/共37頁Tapeevaluate

膜的張力(縱向,橫向)

膜的大小(切割的角度)

膜邊緣的平整度和多余膜的黏附性膜的殘留物膜內(nèi)氣泡第9頁/共37頁減薄設(shè)備簡介第10頁/共37頁減薄設(shè)備簡介第11頁/共37頁減薄設(shè)備簡介Diamond+Bond+Filler+PoreWheelspec:TeeththicknessTeethwidthGritsizeToollifeGrindingcurrent第12頁/共37頁減薄工藝簡介減薄類型第13頁/共37頁BackgrindingprocessevaluationThicknessTTVWarpageChippingCrack第14頁/共37頁DETAPE設(shè)備簡介第15頁/共37頁DETAPE工藝簡介ChooseDetape

Detapeprocessevaluationresiduebroken第16頁/共37頁背蒸設(shè)備簡介—Evaporation（MARK50）第17頁/共37頁背蒸設(shè)備簡介—Evaporation（MARK50）第18頁/共37頁Evaporation第19頁/共37頁RGAmonitor第20頁/共37頁背蒸設(shè)備簡介—BackSputter（XM90）第21頁/共37頁背蒸設(shè)備簡介—BackSputter（XM90）第22頁/共37頁背蒸設(shè)備簡介—BackSputter（XM90）第23頁/共37頁背面減薄菜單介紹第24頁/共37頁Grindingsequence第25頁/共37頁背蒸菜單介紹第26頁/共37頁背面濺射菜單介紹第27頁/共37頁背面濺射菜單介紹第28頁/共37頁背面常見異常分析以及處理—減薄異?，F(xiàn)象：減薄缺角、裂紋、正面膜變質(zhì)沾污可能原因：圓片本身、傳片異常、table上異物凸起、砂輪異常處理方式：1、設(shè)備停止作業(yè)，首先確認(rèn)是否是偶發(fā)單片還是連續(xù)多片2、確認(rèn)是否為固定位置或者固定區(qū)域；3、檢查傳片、T-ARM、chucktable等是否異常4、確認(rèn)問題根源的，則解決問題后可以恢復(fù)作業(yè)即可；若無法確認(rèn)問題根源的，必須設(shè)備先做維護(hù)（清洗打磨table；砂輪等）后再跑假片確認(rèn)，無異常則可以點放圓片。第29頁/共37頁背面常見異常分析以及處理—背蒸工藝中斷異?，F(xiàn)象：背蒸工藝中斷可能原因：sensor異常、坩堝sensor異常、坩堝無法轉(zhuǎn)動、I/C5異常、高壓異常等針對sensor異常處理方式：1、確認(rèn)sensor壽命（規(guī)定是300以上）2、sensor壽命異常：首先先按stop，然后再按start，確認(rèn)是否可以恢復(fù)，若無sensorfail報警停止的，則繼續(xù)作業(yè)，待下一爐作業(yè)前將sensor更換；3、若按start后仍然sensorfail報警停止，則有兩種方式補(bǔ)長：

A、將設(shè)備改成手動模式，將坩堝打成手動模式，首先將shutter關(guān)閉，記錄當(dāng)前已經(jīng)作業(yè)的厚度，然后手動加功率，先將坩堝內(nèi)材料預(yù)熔，待預(yù)熔好后（時間以及功率比照SOAK1/SOAK2），手動將shutter打開，然后根據(jù)速率調(diào)整功率補(bǔ)長（注意需要補(bǔ)長的厚度），待蒸發(fā)至所需的厚度時，按stop停止（注意：補(bǔ)長時注意確認(rèn)坩堝以及界面均是所要補(bǔ)長的層次。）

B、若手動補(bǔ)長仍然會有sensorfail報警無法作業(yè)的，可以采用以下方式作業(yè)：將材料設(shè)定中的sensor中，將option中的1更改為4，然后按照不同層次選擇不同對應(yīng)的菜單每層單獨(dú)補(bǔ)長，（此種補(bǔ)長的方式采用時間計算厚度，與實際有偏差，只有無法可行時，才能采用此方式作業(yè)），補(bǔ)長完成后將sensor設(shè)定再更改回來。第30頁/共37頁背面工藝主要異常以及處理——圖示第31頁/共37頁背面常見異常分析以及處理—背蒸工藝中斷異?，F(xiàn)象：背蒸工藝中斷可能原因：sensor異常、坩堝sensor異常、坩堝無法轉(zhuǎn)動、I/C5異常、高壓異常等針對坩堝sensor或者坩堝轉(zhuǎn)動異常處理方式：1、針對坩堝sensor位置感應(yīng)不到的，手動轉(zhuǎn)動坩堝（每個位置均測試一下，確認(rèn)哪個位置有異常），若手動轉(zhuǎn)動后能感應(yīng)到，則設(shè)備可以繼續(xù)作業(yè)（作業(yè)時確認(rèn)設(shè)備溫度是否已經(jīng)很低，若低的話請手動加熱到該層次工藝需要的溫度，否則可以直接作業(yè)），若手動轉(zhuǎn)動后仍然無法感應(yīng)到，請通知設(shè)備確認(rèn)能否短接（短接時一定要確定坩堝位置在當(dāng)前需要蒸發(fā)的層次），若可以，則按照手動補(bǔ)長方式進(jìn)行補(bǔ)長，若設(shè)備都無法處理的，則將圓片打下返工處理（注意：有些圓片無法返工，所以，開腔之前一定要確認(rèn)清楚）。2、針對坩堝轉(zhuǎn)動異常的：與坩堝sensor異常一樣處置即可。第32頁/共37頁背面常見異常分析以及處理—背蒸劃傷、缺角異?，F(xiàn)象：背蒸下料缺角、劃傷可能原因：cover、DOME、吸筆、上下料cassette、手臂、table上PIN等針對背蒸下料缺角、劃傷等異常處理方式：1、針對MARK50設(shè)備：A:確認(rèn)異常圓片對應(yīng)位置的cover以及DOME是否有問題，有則更換

B:確認(rèn)DOME在轉(zhuǎn)動過程中有無異常

C:確認(rèn)人員下料動作有無異常

D:確認(rèn)缺角位置是否在壓腳處

E:確認(rèn)圓頭吸筆是否異常2、針對XM90設(shè)備：

A:確認(rèn)圓片劃傷缺角位置，是否與片架、手臂、tablePIN對應(yīng)

B:確認(rèn)上下料cassette內(nèi)對應(yīng)的石英條是否異常，有責(zé)更換

C:確認(rèn)人員理平邊動作有無異常

D:確認(rèn)圓頭吸筆是否異常第33頁/共37頁背面常見異常分析以及處理—peelingRootcause:薄膜間的結(jié)合力小Impact:設(shè)備真空工藝溫度材料的純度雜質(zhì)沾污膜的生長方式表面形態(tài)應(yīng)力釋