第二章電力電子器件

11

22 :::

§2.1.2 V2§2.1.3

被

§2.1.3參 型

§2.1.3驅(qū)動(dòng)質(zhì)

§2.2.1 §2.2.1§2.2.1PPP++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++++B出穴BB------------------------------------------PN§2.2.3PN

IEIERP N E

PNPN

22PPNREPPNRE 11 11

11+

場(chǎng)基本上集中在N-區(qū)域中，N-區(qū)域可以承受很高的A~ A~A~2

iiF

FFF

t

t★[tF

★[t0

t

★[t01

★[t1

IRPt延遲時(shí)間：tdt1 IRPt：t=t流f 反向恢復(fù)時(shí)間：trrtd tIStd

RP t

S 1

； ； tRR

理

（FastRecovery（SoftRecovery

tRRtRR（SchottkyBarrier tRR

12★參數(shù)類(lèi)型： 123434 m m

π

2π

Imsintd(t)

(cost) 1π1π0 m

I

11π0(2 πIfI

Im πII1.57≥1.57IF(AV)≥ IF(AV)= 1212 sint)2d(tmI

Im2222I1.57)22 I 0.22522F(AV) 1.57 1.57 §2.4.2§2.4.3§2.4.4（SiliconControlledRectifier——

1956 （Bell 11 半

結(jié) 若電壓過(guò)大，向擊穿

KAAK2A A GKN GK22A

IcIEPPAGAGT1NK UAK0且Ic2Ic1

2I1I

ICBOICBOIKIAI IAIc1Ic2 2 ICBO1A

1(12

UAK0且I 2IIc1 12IIc2 2(IG+12IG

22UAK0且A 2 ICBO1A1(12α1α2=1α1和α2較小；當(dāng)發(fā)射極電流α1和α2迅速增大。當(dāng)Ic1大于驅(qū)動(dòng)電流IG時(shí)，可由Ic1代替IG，雙晶體管 2 ICBO1A1(12AI 2I Ic1

1I+ 2 ICBO1A1(12AI 2I Ic1

1I ！

11

IG3>IG3>IG2>

22 i iAO

t

2

22

22

11

UDRM=90%UDSM。IIIFUUUU22

URRM=90%URSM。IIIFUUU33

定狀態(tài)下，穩(wěn)態(tài)結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允義許流過(guò)的最大工頻正弦半波電流的平均值iim m

2π

Imsintd(t)π、、、、、、 、0、400500、600、800、1000A等14種規(guī)格。IIIFU44定定義55定定義66定義77定定義88定影響的最大通態(tài)電流上升率。義99定導(dǎo)致晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的最大電壓義上升率。K、、、、、、 、0、400500、600、800、1000A等14種規(guī)格。每200V為一級(jí)。一般用A~I字母表示，0.4~1.2V§2.4.411

§2.4.422GG §2.4.433 §2.5.1功率晶體 GTR-GiantBJT-BipolarJunction11 11單管：β=10~ 飽 ★GTR通常工

區(qū)區(qū)nsns 區(qū)nsns 區(qū)ns 33

I I

33

I I

I I

33

I I

§2.5.2Power 結(jié)型

PowerD

S22GTR:10~MOS:107~橫向?qū)щ姡娏餍?，耐壓低。適合于MOS

P

PD

P

PD G

S P

P

44J2 44CGD：44

CGS

Ciss

CC

55g 調(diào) 區(qū)

截 區(qū) 調(diào)阻調(diào)阻區(qū)飽電子將達(dá)到散射極限速度而不再增加。于是隨著UDS的繼續(xù)增加，漏極電流ID區(qū)若靠近漏極區(qū)一端的溝道被完全夾斷，或者溝道電雪雪崩區(qū)55tuuutit UUG

ton：=td(on)：+tri：+UUG

toff：=td(off)：+trv：+UUG

6666

Insulated-gateBipolar§2.5.3

C GECGE§2.5.3

C GECGE J J 發(fā)射極下方的N+復(fù)合，形成器件的導(dǎo)通電流，處于導(dǎo)通狀態(tài)。 為維持N-漂移區(qū)的電平衡，JP+區(qū)向N-漂移區(qū)注入空穴載3

描? 為參變量，的通態(tài)電流

開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)：從驅(qū)動(dòng)電壓UGE的前沿上升ton=td(on)+