微電子器件全部半導(dǎo)體器件0緒論

什么是微什么是微什么是微什么是微固態(tài)電（基礎(chǔ)微電子器件原固態(tài)電（基礎(chǔ)微電子器件原 課程內(nèi)第一章p p-n結(jié)的形成及平衡狀p-n結(jié)的直流p-n結(jié)空間電荷區(qū)和勢(shì)壘p-n結(jié)的交流小訊號(hào)p-n結(jié)擊晶體管的基本結(jié)構(gòu)和雜質(zhì)分晶體管的放大機(jī)晶體管的直流I-V特性及電流增晶體管的反向電流及擊穿電晶體管的直流特性曲線介基極電埃伯爾斯—莫爾模

開(kāi)關(guān)特二極管其他四章雙極型晶體管的功率特二次擊穿 開(kāi)關(guān)晶體管的正向壓降和飽和壓降六章結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶第七章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶八章晶體管的噪聲p-n概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算p-np-n結(jié)電流成勢(shì)壘高狀態(tài),雜質(zhì)分布換正向電;變結(jié),緩變正向I-V特性的邊界載流子濃空間電荷區(qū):電場(chǎng)論實(shí)際擴(kuò)散結(jié)勢(shì)壘電勢(shì),,載流子濃大注入效應(yīng)容計(jì)算,查表,空間電荷區(qū)寬p-n結(jié)擊交流小信號(hào)特正向、反向p-n,熱擊穿,雪崩擊析方法,特性方正向閾值電,隧道擊穿雪崩擊穿條耗盡層近擊穿電壓影響勢(shì)壘電容;變?nèi)菁按胧?球、柱極管;擴(kuò)散電容平面結(jié)p-n結(jié)擊穿:定義分類,碰撞電離率倍增概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算基本結(jié)構(gòu),雜質(zhì)放大原基區(qū)載流布載流子傳輸過(guò)電子)密度分布發(fā)射結(jié)注緩變基區(qū)自建電流密度分輸運(yùn),集電結(jié)收集對(duì)載流子輸運(yùn)電流增益電流放大系布的影響緩變基區(qū)晶體管間參放大系數(shù)影響射效率,方塊電緩變基區(qū)自建電場(chǎng)及改善措施基極電阻,等效反向電流及擊擊穿電壓及相率法壓系分直流特性曲勢(shì)壘穿通基極電厄爾利效E-M概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算交流電流放大基區(qū)寬變效交流特性分與頻率參高流子高頻參數(shù)及等效高頻參數(shù)及等及中間參路路工作條件對(duì)頻放大系數(shù)的頻率高流子數(shù)的影系及中間參高頻優(yōu)高頻功率增最佳高頻功率增益高頻概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算集電極最大允作電基區(qū)大注入自場(chǎng)發(fā)射極有效長(zhǎng)二次擊發(fā)射極電流集應(yīng)幾個(gè)臨界電流密熱阻耗散功率轉(zhuǎn)換效區(qū)發(fā)射極鎮(zhèn)流概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算開(kāi)關(guān)時(shí)間,反向開(kāi)關(guān)作晶體管開(kāi)關(guān)作特點(diǎn)及要求開(kāi)關(guān)過(guò)反向恢復(fù)時(shí)正向壓降臨界飽和過(guò)驅(qū)動(dòng)時(shí)間,下降;關(guān)時(shí)流間;程間電效應(yīng)第六概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算基本結(jié)構(gòu),工作直流參理交流參數(shù)交流參特性曲線頻率參頻率特性影響因短?hào)牌骷乃俸托Т?lián)電阻的影溫度第七概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算閾值電直流參短溝道效基本結(jié)構(gòu),工作理閾值電壓擊穿機(jī)效應(yīng)閾值電溫度特性短溝道和窄溝應(yīng)概念和原理機(jī)理機(jī)制分析計(jì)算噪聲,噪聲系噪聲頻譜特誘生柵極分1、《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》《Semiconductor-DeviceElectronics》（英文版）電子工業(yè) 5、S.M.Sze,SemiconductorDevicePhysicsandTechnology19856、S.M.SzeModernSemiconductorDevicePhysics 據(jù)統(tǒng)計(jì)：半導(dǎo)體器件主要有67種，另外還110多個(gè)相關(guān)的所有這些器件都是由少數(shù)的基本模塊金屬－半導(dǎo)體接MOS結(jié)異質(zhì)超晶成長(zhǎng)成長(zhǎng)1874年半導(dǎo)體器件的第1項(xiàng)研金屬－半導(dǎo)體接1907年SiC發(fā)光二極管

1947Shockley點(diǎn)接觸獎(jiǎng) 1939肖特基

雙極晶體管（BJT年月日第一只晶體管在貝 誕生，從此類步入了飛速

第一個(gè)點(diǎn)接觸式的Ge晶體管獲1956 物理年月日第一只晶體管在貝 誕生，從此類步入了飛速1952年Schockley第1個(gè)半導(dǎo)體場(chǎng)1954

1958隧道二獎(jiǎng)期 期

電池

1957年Kroemer獎(jiǎng)1960年增強(qiáng)型

1967Kahng,

1962Hall,Nathan,半導(dǎo)體激光DeLoach,Cohen1966

非揮 1968第一個(gè)增強(qiáng)溝道長(zhǎng)度：25微柵氧化層：1000 2000年基比因?yàn)?電路而獲得年的物理學(xué)獎(jiǎng)。這份殊榮，經(jīng)過(guò)四十二比偉大發(fā)明的充分認(rèn)可。獎(jiǎng)評(píng)審的評(píng)價(jià)很簡(jiǎn)單：“為現(xiàn) 奠定了礎(chǔ)他在基爾比的基礎(chǔ)上發(fā)明了可商業(yè)生產(chǎn)的集成電使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由“發(fā)明時(shí)代”進(jìn)入了 時(shí)代”。的司一是經(jīng)軍”稱仙c，是 半體科巨英。 線合成一體，從而為半導(dǎo)體集成電路的平面作工藝、為工業(yè)大批量生產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)1970年BoyleSmith

1980Mimura,Hiyamizu,Fujii, 公司調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管 分水嶺

1974Chang,Esaki,隧道二極1984年Luryi,Gossard,電荷注入晶體

1985Hiyamizu,隧穿熱電 和量子效應(yīng)器

1984Capasso,隧穿雙極晶體理論發(fā) ，在合金管盛行時(shí)期確立了1953年，Kyoemer在基區(qū)雜質(zhì)分布存在梯度的晶體管了緩變基區(qū)（漂移型）晶體管理1954年，Webster著眼于注入對(duì)中性基區(qū)的影響，用較簡(jiǎn)單解釋了電流放大系數(shù)隨注入電流變化的現(xiàn)象，1956年，Moll和 了基區(qū)雜質(zhì)任意分布的晶體管理1957年 了大注入下，空間電荷區(qū)載流子濃度與電的關(guān)系，分析了由此而引起載流子傳輸方程邊界條件的變1962年，Kirk針對(duì)擴(kuò)散管提出了基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)，解釋了大電流下征頻率下降