光電技術(shù)自測(cè)題(全)(DOC)

第一部分自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.下列選項(xiàng)中的參數(shù)與接收器有關(guān)的有（）A．曝光量B.光通量C.亮度D.照度答案：AD2.光電探測(cè)器中的噪聲主要包括（ABCDE）A．熱噪聲B.散粒噪聲C.產(chǎn)生復(fù)合噪聲D.1/f噪聲E溫度噪聲3.光電技術(shù)中應(yīng)用的半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要是（AB）A．本征吸收B.雜質(zhì)吸收C.激子吸收D.自由載流子吸收E晶格吸收二、單項(xiàng)選擇題1.被光激發(fā)產(chǎn)生的電子溢出物質(zhì)表面，形成真空中的電子的現(xiàn)象叫做（）A．內(nèi)光電效應(yīng)B.外光電效應(yīng)C.光生伏特效應(yīng)D.丹培效應(yīng)答案：B2.當(dāng)黑體的溫度升高時(shí)，其峰值光譜輻射出射度所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的移動(dòng)方向?yàn)椋ǎ〢.向短波方向移動(dòng)B.向長(zhǎng)波方向移動(dòng)C.不移動(dòng)D.均有可能答案：A3.已知某He-Ne激光器的輸出功率為8mW，正常人眼的明視覺(jué)和暗視覺(jué)最大光譜光是效能分別為683lm/W和1725lm/W，人眼明視覺(jué)光譜光視效率為0.24，則該激光器發(fā)出的光通量為（）A.3.31lxB.1.31lxC.3.31lmD.1.31lm答案：D4.半導(dǎo)體（）電子吸收光子能量躍遷入（），產(chǎn)生電子—空穴對(duì)的現(xiàn)象成為本征吸收。A.價(jià)帶，導(dǎo)帶B.價(jià)帶，禁帶C.禁帶，導(dǎo)帶D.導(dǎo)帶，價(jià)帶答案：A5.一個(gè)電阻值為1000歐姆的電阻，在室溫下，工作帶寬為1Hz時(shí)，熱噪聲均方電壓為答案BA3nVB4nVC5nVD6nV6.用照度計(jì)測(cè)得某環(huán)境下的照度值為1000lx，該環(huán)境可能是（B）A陽(yáng)光直射B陰天室外C工作臺(tái)D晨昏蒙影7.已知某輻射源發(fā)出的功率為1W，該波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光譜光視效率為0.5，則該輻射源輻射的光通量為（B）A683lmB341.5lmC1276lmD638lm8.為了描述顯示器的每個(gè)局部面元在各個(gè)方向的輻射能力，最適合的輻射度量是（D）A輻射照度B輻射強(qiáng)度C輻射出度D輻射亮度9.電磁波譜中可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍為A0.38~0.78umB0.38~1umC1~3umD8~12um答案：A10.已知一束激光功率為30mW、波長(zhǎng)為0.6328um，普朗克常數(shù)則該激光束的光子流速率N為（A）。A.9.55×1016個(gè)/秒B.9.55×1019個(gè)/秒C.2.87×1025個(gè)/秒D.2.87×1011.某半導(dǎo)體光電器件的長(zhǎng)波限為13um，其雜質(zhì)電離能為（B）A. B. C. D.12.100W標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈在0.2sr范圍內(nèi)所發(fā)出的輻射通量為（A）A. B. C. D.13.已知甲、乙兩廠(chǎng)生產(chǎn)的光電器件在色溫2856K標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈下標(biāo)定出的靈敏度分別為，，則甲乙兩廠(chǎng)中光電器件靈敏度比較結(jié)果正確的是（B）A.甲場(chǎng)靈敏度高 B.乙場(chǎng)靈敏度高 C.甲乙兩場(chǎng)靈敏度一樣高 D.無(wú)法比較14.光電發(fā)射材料的光電發(fā)射長(zhǎng)波限為680nm，該光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值的大小為（D）A. B. C. D.15.已知某種光電器件的本征吸收長(zhǎng)波限為1.4um，則該材料的禁帶寬度為（B）A. B. C. D.三、判斷題比探測(cè)率是一個(gè)與工作頻率、測(cè)量帶寬無(wú)關(guān)的常數(shù)。（錯(cuò)）探測(cè)率是一個(gè)反映探測(cè)器探測(cè)能力的物理量，探測(cè)率越大，說(shuō)明探測(cè)器的探測(cè)能力越強(qiáng)。（對(duì)）噪聲等效功率是信噪比為1時(shí)，入射到探測(cè)器上的信號(hào)輻射通量。（對(duì)）1/f噪聲是一種低頻噪聲，幾乎所有探測(cè)器中都存在這種噪聲。（對(duì)）量子效率是在特定波長(zhǎng)下單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比。（對(duì)）若金屬溢出功為W，則長(zhǎng)波限為1.24/W(nm).(錯(cuò))光通量的單位是坎德拉。(錯(cuò))輻射通量與光通量的單位是相同的。(錯(cuò))朗伯輻射體的輻射出射度等于他的輻射亮度。（錯(cuò)）被照明物體表面的輻射照度和光源與物體表面的距離平方成反比。（對(duì)）輻射出射度Me與輻射照度Ee的定義式都是：某點(diǎn)處面元的輻通量除以改面元的面積的商，所以這兩個(gè)物理量是具有相同的概念。（錯(cuò)）發(fā)光方式主要有電致發(fā)光，光致發(fā)光，化學(xué)發(fā)光和熱發(fā)光。（對(duì)）2.氮化鎵光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（A）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nmD1~7um3.硫化鎘光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（B）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nmD1~7um4.常溫硫化鉛光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（D）A.200~365nmB.400~700nmC.700~1100nmD0.4~3um5.常溫碲化銦光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（C）A.200~365nmB.400~700nmC.1~7.5umD0.4~3um6.設(shè)某光敏電阻在100lx光照下的阻值為2，且已知它在90~120lx范圍內(nèi)的。則該光敏電阻在110lx光照下的阻值為（C）。A．2224.6B．1999.9C.1873.8D.935.27.假設(shè)某只CdS光敏電阻的最大功耗是30mW，光電導(dǎo)靈敏度，暗電導(dǎo)。當(dāng)CdS光敏電阻上的偏置電壓為20V是的極限照度為（D）。A.150lxB.22500lxC.2500lxD.150lx和22500lx8.光電導(dǎo)探測(cè)器的特性受工作溫度影響（B）。A.很小B.很大C.不受影響D.不可預(yù)知三、判斷題1.由于電子的遷移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光電導(dǎo)器件。（錯(cuò)）2.本征光電導(dǎo)器件的長(zhǎng)波限可以達(dá)到130um。（錯(cuò)）3.弱輻射情況下，本征光電導(dǎo)與入射輻射通量成正比。（對(duì)）4.材料確定后，光敏電阻的光照指數(shù)是一個(gè)常數(shù)。（錯(cuò)）5.前歷效應(yīng)是指光電導(dǎo)探測(cè)器的時(shí)間特性與工作前歷史有關(guān)的一種現(xiàn)象。（對(duì)）6.光電導(dǎo)器件的時(shí)間響應(yīng)都較小，適合于探測(cè)窄脈沖光信號(hào)。（錯(cuò)）7.當(dāng)光電導(dǎo)器件接收交變調(diào)制光時(shí)，隨調(diào)制光頻率的增加，其輸出會(huì)減小。（對(duì)）8.光敏電阻光譜特性的峰值波長(zhǎng)，低溫時(shí)向短波方向移動(dòng)。（錯(cuò)）9光敏電阻光敏面做成蛇形狀，有利于提高靈敏度。（對(duì)）10.光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò)）光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時(shí)間大于小將時(shí)間。（錯(cuò)）在測(cè)量某光電導(dǎo)器件的值時(shí)，背景光照越強(qiáng)，其值越小。（對(duì)）光敏電阻在恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò)）光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高。（對(duì)）光敏電阻的前例效應(yīng)是由于被光照過(guò)后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合而需要很長(zhǎng)的時(shí)間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合機(jī)率不斷減小，使得光敏電阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長(zhǎng)時(shí)間這一特性的描述。（錯(cuò)）第四部分光伏探測(cè)器自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間主要由（）因素決定A.光生載流子擴(kuò)散到結(jié)區(qū)的時(shí)間B.光生載流子的漂移時(shí)間C.結(jié)電容和負(fù)載電阻決定的時(shí)間常數(shù)答案：ABC2.光伏器件的噪聲主要有（）A．熱噪聲B.1/f噪聲C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲D.散粒噪聲答案：AD3.光伏探測(cè)器的光電特性主要與（）有關(guān)A．材料B.光照范圍C.負(fù)載大小D.外加電壓答案：ABCD4.光伏探測(cè)器在正常使用時(shí)，常用的偏置方式有（）A．自偏置B.零偏置C.反向偏置D.正向偏置E.恒壓偏置二、單項(xiàng)選擇題1.若要檢測(cè)脈寬為10-7s的光脈沖，應(yīng)選用（）為光電變換器件。A.PIN型光電二極管B.3DU型光電三極管C.PN結(jié)型光電二極管D.硅光電池答案：A2.用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（）為光電接收器件。A.PMTB.CdS光敏電阻C.2CR42硅光電池D.3DU型光電三極管答案：D3.硅光電池在（）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射量有良好的線(xiàn)性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A.恒流B.自偏置C.零伏偏置D.反向偏置答案D4.硅光電池在（）情況下有最大的輸出功率。A.開(kāi)路B.自偏置C.零伏偏置D.反向偏置答案：B5.通常光伏探測(cè)器的擴(kuò)散時(shí)間為（）A．10-9sB.10-10sC.10-11sD.10-12s答案：A6.通常光伏探測(cè)器的漂移時(shí)間為（）A．10-9sB.10-10sC.10-11sD.10-12s答案：C7.硅光電池的最高截止頻率通常為（）A．幾千赫茲B.幾萬(wàn)赫茲C.幾十萬(wàn)赫茲D.幾百萬(wàn)赫茲答案：B8.硅光電池的受光面的輸出多做成梳齒狀或E字形電極，其目的是（B）。A．增大內(nèi)電阻B.減小內(nèi)電阻C.簡(jiǎn)化制作工藝D.約定俗成9.硅光電三極管偏置電壓為零，現(xiàn)在逐漸增強(qiáng)其光照度，則此時(shí)光電三極管集電極電流的變化為（D）。A電流不斷增大B.電流逐漸減小C.電流逐漸增大，到一定程度后趨于穩(wěn)定D電流大小始終為零10.為了提高光電二極管短波段波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)，下面可以采取的措施是（D）。A.增強(qiáng)短波波長(zhǎng)光譜的光照強(qiáng)度B.增強(qiáng)長(zhǎng)波波長(zhǎng)光譜的光照強(qiáng)度C.增加PN節(jié)厚度D.減薄PN節(jié)厚度11.用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸（15000r/min）的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（D）為光電接收器件。A.PMTB.CdS光敏電阻C.2CR42硅光電池D.3DU型光電三極管12.若要檢測(cè)脈寬為的光脈沖，應(yīng)選用（A）為光電變換器件。A.PIN型光電二極管B.3DU型光電三極管C.PN結(jié)型光電二極管D.2硅光電池13.硅光電池在（D）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線(xiàn)性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A.恒流B.自偏置C.零伏偏置D.反向偏置14.硅光電池在（B）情況下有最大的電流輸出。A.開(kāi)路B.自偏置C.零伏偏置D.反向偏置15．光伏器件的自偏置電路主要用于（B）器件A.光電三極管B.光電池C.PSD位置傳感器D.象探測(cè)器16.下列光電器件中可以作為繼電器的是（B）A.色敏器件B.光耦合器C.PSDD.象探測(cè)器17.下列光電器件中可以精確測(cè)量位置的是（C）A.色敏器件B.光耦合器C.PSDD.象探測(cè)器三、判斷題1.光伏探測(cè)器的暗電流是一個(gè)確定的常數(shù)。（錯(cuò)）2.光伏器件外加反向偏壓時(shí)，暗電流隨反向偏壓的增加有所增大，最后趨近于反向飽和電流。（對(duì)）3.自偏壓是指光伏探測(cè)器的輸出電流流過(guò)外電路負(fù)載電阻產(chǎn)生的壓降就是他自身的正向偏壓。（對(duì)）4.光電池的主要用途為太陽(yáng)能光電池和測(cè)量光電池。（對(duì)）5.雪崩光電二極管的最佳工作點(diǎn)在接近雪崩擊穿點(diǎn)附近。（對(duì)）6.硅光電池需要加偏壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能。（錯(cuò)）7.光電池通常工作在自偏置狀態(tài)，用作弱光信號(hào)的線(xiàn)性測(cè)量或強(qiáng)光信號(hào)的存在探測(cè)。（對(duì)）8.光伏效應(yīng)對(duì)光的吸收主要為非本征吸收。（錯(cuò)）9.用雙結(jié)光電二極管作顏色測(cè)量時(shí)，可以測(cè)出其中兩個(gè)硅光電二極管的短路電流比的對(duì)數(shù)值與入射光波長(zhǎng)的關(guān)系。（對(duì)）10.PSD是利用位置離子注入技術(shù)制成的一種對(duì)入射到光敏面上的光點(diǎn)位置敏感的光電器件。（對(duì)）第五部分光電子發(fā)射探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題1.下面選項(xiàng)中屬于光電倍增管產(chǎn)生暗電流的原因有(ABCD)。A．歐姆漏電B.熱發(fā)射C.殘余氣體放電D場(chǎng)致發(fā)射2.光電倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A.光電陽(yáng)極材料B.光電陰極材料C.窗口材料D.倍增級(jí)材料3.常規(guī)光電陰極材料有（ABCD）A.銀氧銫B.單堿銻化物C.多堿銻化物D.碲化銫E負(fù)電子親和勢(shì)4.光電倍增管的時(shí)間特性主要有（ABC）參數(shù)A.響應(yīng)時(shí)間B.渡越時(shí)間C.渡越時(shí)間分散D.擴(kuò)散時(shí)間5.下列信號(hào)中，可以使用光電倍增管進(jìn)行探測(cè)的有（AD）。A.微弱可見(jiàn)光信號(hào)B.強(qiáng)紫外光信號(hào) C.正午太陽(yáng)光信號(hào) D.快速脈沖弱光信號(hào)6.下列選項(xiàng)中，符合光電倍增管電子光學(xué)系統(tǒng)作用的選項(xiàng)有（AB）。A.將光電陰極發(fā)射的光電子盡可能多的匯聚到第一倍增級(jí)B.使光電陰極發(fā)射的光電子到達(dá)第一倍增級(jí)的渡越時(shí)間零散最小C.使達(dá)到第一倍增級(jí)的光電子能多于光電陰極的發(fā)射光電子量D.使進(jìn)入光電倍增管的光子數(shù)增加7.二、單項(xiàng)選擇題1.光電子發(fā)射探測(cè)器是基于（B）的光電探測(cè)器。A．內(nèi)光電效應(yīng)B.外光電效應(yīng)C.光生伏特效應(yīng)D.光熱效應(yīng)2.已知某光電倍增關(guān)的陽(yáng)極靈敏度為100A/lm，陰極靈敏度為2μA/lm，要求陽(yáng)極輸出電流限制在100μA范圍內(nèi)，則允許的最大入射光通量為（A）。A.B.C.D.3.真空光電器件的響應(yīng)速度可以達(dá)到（C）量級(jí)。A.us B.ns C.ps D.fs4.在光電倍增管中，吸收光子能量發(fā)射光電子的部件是（B）。A. 光入射窗 B.光電陰極 C.光電倍增級(jí) D.光電陽(yáng)極5.在較強(qiáng)輻射作用下倍增管靈敏度下降的現(xiàn)象稱(chēng)為（D）。A.失效 B.衰老 C.失誤 D.疲勞三、判斷題1.負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極是真空能級(jí)在導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢(shì)為負(fù)值。（對(duì)）2.NEA材料的量子效率比常規(guī)光電子陰極材料高很多。（對(duì)）3.光電倍增極在使用過(guò)程中隊(duì)入射光沒(méi)有特殊要求。（錯(cuò)）4.測(cè)量陽(yáng)極靈敏度時(shí)，入射到陰極上的光通量大約在10-5~10-2lm。（錯(cuò)）5.光電倍增管分壓電阻通常要求流過(guò)電阻鏈的電流比陽(yáng)極最大電流大10倍以上。（對(duì)）6.光電倍增管的電流增益通常不超過(guò)105。（錯(cuò)）7.光電倍增管增益定義為陽(yáng)極電流與陰極電流之比，或陽(yáng)極靈敏度與陰極靈敏度之比。（對(duì)）8.光電倍增管的倍增極通常是大于12。(錯(cuò))9.光電倍增管的噪聲主要是散粒噪聲。（對(duì)）10.光電倍增管分壓電阻鏈上的電流值通常要比陽(yáng)極最大平均電流大10倍以上。（對(duì)）第六部分熱探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題1.常用的熱輻射探測(cè)器主要有(ABC)。A．熱電偶B.測(cè)輻射熱計(jì)C.熱釋電探測(cè)器D紅外焦平面陣列2.光電倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A.光電陽(yáng)極材料B.光電陰極材料C.窗口材料D.倍增級(jí)材料3.常規(guī)光電陰極材料有（ABCD）A.銀氧銫B.單堿銻化物C.多堿銻化物D.碲化銫E負(fù)電子親和勢(shì)4.光電倍增管的時(shí)間特性主要有（ABC）參數(shù)A.響應(yīng)時(shí)間B.渡越時(shí)間C.渡越時(shí)間分散D.擴(kuò)散時(shí)間5.二、單項(xiàng)選擇題1.。A.B.C.D.答案：A三、判斷題1.光熱效應(yīng)是指探測(cè)器將吸收的光能轉(zhuǎn)換為熱能，溫