單質(zhì)非金屬靶材行業(yè)投資價(jià)值分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)

單質(zhì)非金屬靶材行業(yè)投資價(jià)值分析及發(fā)展前景預(yù)測(cè)濺射靶材上游分析2021年國(guó)內(nèi)共生產(chǎn)高純鋁14．6萬噸，同比增長(zhǎng)9．77%，根據(jù)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年中國(guó)的高純鋁產(chǎn)量為11．8萬噸，2020年增至13．3萬噸，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為3．0%。2021年全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇疊加新能源汽車需求爆發(fā)，下游需求旺盛，高純鋁產(chǎn)量再創(chuàng)新高。預(yù)計(jì)2022年高純鋁產(chǎn)量將繼續(xù)保持增長(zhǎng)，將達(dá)15．4萬噸。以純銅或銅合金制成各種形狀包括棒、線、板、帶、條、管、箔等統(tǒng)稱銅材。近年來中國(guó)銅材產(chǎn)量整體保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，2022年9月中國(guó)銅材產(chǎn)量222．1萬噸，同比增長(zhǎng)9．5%；1-9月累計(jì)產(chǎn)量1636．6萬噸，同比下降0．5%。濺射靶材行業(yè)概述濺射工藝是物理氣相沉積（PVD）技術(shù)的一種，是制備電子薄膜材料的主要技術(shù)之一，而濺射靶材正是該工藝的關(guān)鍵原材料。以晶圓制造為例，需要反復(fù)重復(fù)薄膜沉積工藝，用于導(dǎo)電層、阻擋層、接觸層、介電層等的制備，薄膜沉積工藝通常分為物理氣相沉積（PVD）技術(shù)和化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，其中PVD常用來生長(zhǎng)鋁、銅、鈦、鉭等金屬薄膜，CVD常用來制備氧化硅等絕緣薄膜。除鎢接觸層和銅互連層外的絕大多數(shù)金屬薄膜都是用PVD技術(shù)生成，而濺射則是目前最主流的PVD技術(shù)。濺射是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能得離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。類似地，除晶圓制造外，顯示面板、薄膜太陽能電池等的制造過程中也都會(huì)用到濺射工藝以制備薄膜材料。高性能靶材主要指應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、太陽能電池等領(lǐng)域的金屬純度為99．95%以上的濺射靶材。靶材制備位于產(chǎn)業(yè)鏈的中游，從產(chǎn)業(yè)鏈來看，靶材上游原材料材質(zhì)主要包括純金屬、合金以及陶瓷化合物三類。下游應(yīng)用市場(chǎng)則較為廣泛，但整體來看主要集中在平板顯示、信息存儲(chǔ)、太陽能電池、半導(dǎo)體四個(gè)領(lǐng)域。濺射靶材發(fā)展趨勢(shì)近年來我國(guó)對(duì)濺射靶材行業(yè)重視程度不斷提升，各類政策出臺(tái)推動(dòng)行業(yè)積極發(fā)展，明確對(duì)于國(guó)內(nèi)靶材企業(yè)進(jìn)口國(guó)內(nèi)不能生產(chǎn)、性能不滿足需求的自用生產(chǎn)性原材料及消耗品免征進(jìn)口關(guān)稅。在國(guó)內(nèi)良好的政策環(huán)境和各細(xì)分市場(chǎng)廣闊的市場(chǎng)空間下，國(guó)內(nèi)濺射靶材企業(yè)市占率提升空間大，機(jī)會(huì)逐步開啟。此外高性能濺射靶材是顯示面板、半導(dǎo)體、太陽能電池、記錄媒體不可缺少的原材料，進(jìn)而廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、智能家電、通信照明、光伏、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、汽車電子等多個(gè)下游應(yīng)用領(lǐng)域。我國(guó)是全球最大的消費(fèi)電子產(chǎn)品生產(chǎn)國(guó)、出口國(guó)和消費(fèi)國(guó)，也是全球最大的集成電路半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)和進(jìn)口國(guó)，在最終下游眾多生產(chǎn)及消費(fèi)領(lǐng)域的需求驅(qū)動(dòng)了我國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)快速增長(zhǎng)。因此，未來高性能濺射靶材行業(yè)高速成長(zhǎng)的確定性較高，基本不會(huì)受到偶發(fā)性或突發(fā)性因素影響。隨著全球平面顯示、半導(dǎo)體、太陽能電池、記錄存儲(chǔ)等行業(yè)生產(chǎn)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，直接帶動(dòng)了高性能濺射靶材行業(yè)的發(fā)展，使得中國(guó)國(guó)內(nèi)濺射靶材使用量快速增長(zhǎng)，給國(guó)內(nèi)濺射靶材廠商帶來良好的發(fā)展機(jī)遇。濺射靶材指采用物理氣相沉積技術(shù)在基材上制備薄膜的原材料，靶材是高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，更換不同的靶材可以得到不同的薄膜。濺射靶材是PVD（物理氣相沉積）領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用量最大的鍍膜材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之一，它利用荷能粒子（通常是離子），在真空中經(jīng)過加速聚集，而形成高速度能的粒子束流，轟擊固體表面，粒子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基板表面，被轟擊的固體即為濺射靶材。濺射靶材的種類較多，即使相同材質(zhì)的濺射靶材也有不同的規(guī)格。按照不同的分類方法，可將濺射靶材分為不同的類別。濺射技術(shù)作為薄膜材料制備的主流工藝，其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，如平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽能電池、信息存儲(chǔ)、工具改性、光學(xué)鍍膜、電子器件、高檔裝飾用品等行業(yè)。濺射靶材產(chǎn)業(yè)集中度高、技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)?；a(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，國(guó)內(nèi)高性能濺射靶材市場(chǎng)尚處于發(fā)展初期，具有規(guī)?；a(chǎn)能力和較強(qiáng)研發(fā)能力的廠商數(shù)量仍然偏少，隨著全球分工及產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)廠商正處于對(duì)國(guó)際廠商的加速替代過程中，已有如江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材、隆華科技、先導(dǎo)薄膜、歐萊新材以及映日科技等公司掌握了高性能濺射靶材研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)節(jié)的相關(guān)技術(shù)并可以進(jìn)行批量生產(chǎn)。20世紀(jì)90年代以來，隨著消費(fèi)電子等終端應(yīng)用市場(chǎng)的高速發(fā)展，濺射靶材的市場(chǎng)規(guī)模日益擴(kuò)大，呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)的勢(shì)頭。受到發(fā)展歷史及技術(shù)限制的影響，我國(guó)濺射靶材行業(yè)起步較晚，目前多數(shù)濺射靶材企業(yè)產(chǎn)品仍主要應(yīng)用于下游的中低端產(chǎn)品，高端濺射靶材產(chǎn)品則多為國(guó)外進(jìn)口。我國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。濺射靶材行業(yè)的技術(shù)水平和發(fā)展趨勢(shì)（一）濺射靶材行業(yè)的技術(shù)水平濺射靶材是各類薄膜材料的關(guān)鍵材料，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，種類繁多，其純度、密度、品質(zhì)等對(duì)最終的電子器件的質(zhì)量和性能起著至關(guān)重要的作用。目前高端濺射靶材產(chǎn)品純度一般在99．99%-99．9999%（即4N-6N），其質(zhì)量對(duì)膜層性能有很大的影響，同時(shí)會(huì)影響到鍍膜的生產(chǎn)效率和成本。濺射靶材的研發(fā)涉及到電性、磁性、熱性、反射率及顏色外觀等多個(gè)技術(shù)特性。此外，濺射靶材生產(chǎn)企業(yè)必須針對(duì)客戶的各種需求，針對(duì)不同靶材應(yīng)用不同的工藝及材質(zhì)，譬如金屬靶材需使用塑性加工、熱處理等技術(shù)；陶瓷靶材需要使用到粉體處理、燒結(jié)等技術(shù)；部分特殊合金由于成份均勻性的要求更須使用到復(fù)合粉體制備技術(shù)，其目的即在控制材料微結(jié)構(gòu)，譬如晶粒尺寸、密度、結(jié)構(gòu)的控制等，以達(dá)到客戶的產(chǎn)品要求。（二）濺射靶材行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)濺射靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與下游應(yīng)用產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)息息相關(guān)。濺射靶材行業(yè)的技術(shù)發(fā)展主要取決于先進(jìn)薄膜材料、先進(jìn)的薄膜沉積制備技術(shù)和薄膜結(jié)構(gòu)的控制以及對(duì)薄膜物理、化學(xué)行為相關(guān)的表面科學(xué)技術(shù)的深入研究。目前，對(duì)薄膜材料的制備技術(shù)的研究正向多種類、高性能、新工藝、新裝備等方面發(fā)展；薄膜材料的研究正在向分子層次、原子層次、納米尺度、介觀結(jié)構(gòu)等方向深入；對(duì)濺射靶材的研究朝著多元化、高純度、大型化、高濺射速率、高利用率等方向進(jìn)行。ITO靶材整體市場(chǎng)情況分析（一）ITO靶材市場(chǎng)概況ITO靶材有中低端和高端之分：中低端ITO靶材有建筑玻璃鍍膜靶材、發(fā)熱膜和熱反射膜靶材，應(yīng)用包括部分傳統(tǒng)的汽車顯示屏、部分儀器儀表的顯示；高端ITO靶材主要用于平面顯示、集成電路半導(dǎo)體、太陽能光伏以及磁記錄和光記錄等領(lǐng)域，尤其用于大面積、大規(guī)格的TFT-LCD、OLED等領(lǐng)域，具備高密度、高純度、高均勻性等特點(diǎn)。平面顯示面板生產(chǎn)是ITO靶材當(dāng)前的主要需求領(lǐng)域。在平面顯示面板的生產(chǎn)工藝中，玻璃基板要經(jīng)過多次濺射鍍膜形成ITO玻璃，加工組裝用于生產(chǎn)LCD面板、OLED面板等。觸控屏（TP）的生產(chǎn)，則還需將ITO玻璃進(jìn)行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極，再與防護(hù)屏等部件組裝加工而成。一般而言，ITO靶材在顯示面板全部靶材成本中的占比接近50%。太陽能光伏電池是ITO靶材未來需求的增長(zhǎng)點(diǎn)。目前市場(chǎng)主要需求在異質(zhì)結(jié)電池。異質(zhì)結(jié)電池（HIT）在制備透明導(dǎo)電膜階段需要應(yīng)用ITO靶材，其生產(chǎn)成本低、轉(zhuǎn)化效率高，有助于進(jìn)一步提升對(duì)ITO的市場(chǎng)需求。與濺射靶材整體的情況類似，前期ITO靶材制備幾乎由日、韓壟斷，代表企業(yè)有JX金屬、三井礦業(yè)、東曹、韓國(guó)三星等，其中日礦和三井兩家?guī)缀跽紦?jù)了高端TFT-LCD市場(chǎng)用ITO靶材的絕大部分份額和大部分的觸控屏面板份額，中國(guó)ITO靶材供應(yīng)超一半左右依賴進(jìn)口。本土廠商生產(chǎn)的ITO靶材主要供應(yīng)中低端市場(chǎng)，約占國(guó)內(nèi)30%的市場(chǎng)份額；而高端TFT-LCD、觸控屏用ITO靶材主要依賴日、韓進(jìn)口，進(jìn)口比例約占國(guó)內(nèi)70%的市場(chǎng)份額。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)ITO濺射靶材領(lǐng)域內(nèi)部分優(yōu)勢(shì)企業(yè)正逐漸突破ITO濺射靶材的關(guān)鍵技術(shù)，已進(jìn)入到國(guó)內(nèi)下游知名企業(yè)的供應(yīng)鏈體系，從試樣、小批量生產(chǎn)到批量生產(chǎn)供應(yīng)，在ITO靶材的關(guān)鍵技術(shù)上已逐步接近或達(dá)到國(guó)外廠商的技術(shù)水平，正逐漸改變國(guó)內(nèi)高端平面顯示用ITO靶材產(chǎn)品長(zhǎng)期依賴進(jìn)口的局面。（二）ITO靶材市場(chǎng)容量分析根據(jù)全球知名企業(yè)美銦企業(yè)專家會(huì)議演講中認(rèn)為，2017-2019年全球銦靶材需求量年均復(fù)合增長(zhǎng)率會(huì)保持在5．5%，從1，356噸增長(zhǎng)到1，680噸。中國(guó)已成為世界上最大的銦靶材需求國(guó)。根據(jù)中國(guó)光學(xué)光電子行業(yè)協(xié)會(huì)液晶分會(huì)出具的情況說明，2019年至2021年國(guó)內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1，002噸，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25．22%。根據(jù)其預(yù)測(cè)，未來2-3年內(nèi)，雖然國(guó)內(nèi)平面顯示行業(yè)的固定資產(chǎn)投資增速將有所放緩，但由于平面顯示行業(yè)存量需求及太陽能光伏電池的增量需求，國(guó)內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量仍將保持一定幅度的增長(zhǎng)。（三）ITO靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)1、ITO靶材尺寸大型化隨著電視、PC等面板面積加速向大尺寸化邁進(jìn)，相應(yīng)的ITO玻璃基板也出現(xiàn)了明顯的大型化的趨勢(shì)，這使得對(duì)ITO靶材尺寸的要求越來越大。為滿足大面積鍍膜工藝要求，往往需使用多片或多節(jié)小尺寸靶材拼焊成大尺寸靶材，但焊縫的存在會(huì)導(dǎo)致靶材鍍膜質(zhì)量的下降。因此，研發(fā)大尺寸單片（單節(jié)）靶材，減少焊縫數(shù)量成為ITO靶材技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。2、ITO靶材高密度化提高靶材的密度有助于減少毒化現(xiàn)象，并降低電阻率，提高靶材的使用壽命。毒化是指濺射過程中ITO靶材表面出現(xiàn)凸起物的結(jié)瘤現(xiàn)象，毒化會(huì)導(dǎo)致靶材濺射速率降低，弧光放電頻率增加，所制備的薄膜電阻增加，透光率降低且均勻性變差，此時(shí)必須停止濺射，清理靶材表面或更換靶材。高密度ITO靶材具有較好的熱傳導(dǎo)性和較小的界面電阻，不易在濺射過程中發(fā)生熱量蓄積，可減少毒化概率。因此，高密度化成為ITO靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。3、ITO靶材提高利用率提高靶材利用率一直是靶材制備行業(yè)研究的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。在濺射過程中，ITO平面靶材表面會(huì)形成環(huán)形磁場(chǎng)，并在環(huán)形表面進(jìn)行刻蝕，這使得環(huán)形區(qū)域的中心部分無法被濺射，導(dǎo)致平面靶材的利用率較低，目前ITO平面靶材的靶坯利用率一般不超過40%。ITO旋轉(zhuǎn)靶材相較平面靶材在利用率上有較大提升，旋轉(zhuǎn)靶材圍繞固定的條狀磁鐵組件進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，使得整個(gè)靶面都可以被均勻刻蝕，提高了靶材的利用率，目前ITO旋轉(zhuǎn)靶材的靶坯利用率可達(dá)70%以上。提高ITO靶材利用率有助于提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，因此成為ITO靶材的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)。濺射靶材中游分析（一）濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模在經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以及技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下，我國(guó)芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)獲得快速發(fā)展，隨著市場(chǎng)需求不斷釋放，濺射靶材行業(yè)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在應(yīng)用需求帶動(dòng)下，我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。2021年我國(guó)濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)375．8億元，同比增長(zhǎng)9．7％。（二）高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模中國(guó)高性能濺射靶材行業(yè)在國(guó)家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。中國(guó)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模由2016年的98．9億元增長(zhǎng)至2020年的201．5億元，年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19．47%，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)288．1億元。（三）ITO靶材市場(chǎng)規(guī)模中國(guó)已成為世界上最大的銦靶材需求國(guó)。2019年至2021年，我國(guó)ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長(zhǎng)到1002噸，年復(fù)合增長(zhǎng)率為25．22%。未來2-3年內(nèi)，雖然國(guó)內(nèi)平面顯示行業(yè)的固定資產(chǎn)投資增速將有所放緩，但由于平面顯示行業(yè)存量需求及太陽能光伏電池的增量需求，國(guó)內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量仍將保持一定幅度的增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2022年能達(dá)到1067噸，2024年達(dá)到1207噸。（四）濺射靶材競(jìng)爭(zhēng)格局全球靶材市場(chǎng)呈寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，日美在高端濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。目前，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)主要有四家企業(yè)，分別是JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，市場(chǎng)份額分別為30%、20%、20%和10%，合計(jì)壟斷了全球80%的市場(chǎng)份額。濺射靶材應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體芯片是對(duì)濺射靶材的成分、組織和性能要求的最高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采用PVD工藝進(jìn)行鍍膜，通常使用純度在99．9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。具體來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域用量較多的濺射靶材主要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等，其中銅靶和鉭靶多配合起來使用，分別用于生成銅導(dǎo)電層和鉭阻擋層，在110nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中大量使用；鋁靶和鈦靶則主要用于8英寸晶圓110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)中導(dǎo)電層和阻擋層的制備。隨著芯片制程持續(xù)微縮，銅靶和鉭靶需求有望持續(xù)增長(zhǎng)，而汽車芯片等仍廣泛使用成熟制程，鋁靶和鈦靶仍有大量應(yīng)用。半導(dǎo)體芯片用金屬濺射靶材的作用，就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導(dǎo)線。具體工藝過程為，在完成濺射工藝后，使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導(dǎo)體芯片的表面上，然后再通過的特殊加工工藝，將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級(jí)別的金屬線，將芯片內(nèi)部數(shù)以億計(jì)的微型晶體管相互連接起來，從而起到傳遞信號(hào)的作用。濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)化程度（一）濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)化程度全球范圍內(nèi)，高性能濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，金字塔尖高純金屬供給及高性能濺射靶材制造環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)集中度高、技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，以霍尼韋爾（美國(guó)）、JX金屬（日本）、東曹（日本）等跨國(guó)集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，并在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2017年，JX金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，合計(jì)壟斷了全球約80%的市場(chǎng)份額。另外，三井礦業(yè)、住友化學(xué)、愛發(fā)科、世泰科、攀時(shí)等資金實(shí)力雄厚、技術(shù)水平領(lǐng)先、產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的企業(yè)在各自的優(yōu)勢(shì)靶材領(lǐng)域占據(jù)了較強(qiáng)勢(shì)的市場(chǎng)地位。從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來看，我國(guó)雖有豐富的上游原材料，但高性能濺射靶材行業(yè)起步較晚。受到技術(shù)、資金和人才的限制，國(guó)內(nèi)高性能濺射靶材市場(chǎng)尚處于發(fā)展初期，具有規(guī)?；a(chǎn)能力和較強(qiáng)研發(fā)能力的廠商數(shù)量仍然偏少，多數(shù)國(guó)內(nèi)廠商還處于企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)水平偏低的狀態(tài)，國(guó)際廠商仍在國(guó)內(nèi)濺射靶材市場(chǎng)占有較高份額。但伴隨全球分工及產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)廠商正處于對(duì)國(guó)際廠商的加速替代過程中，已有