第三章和硅片制備

東南大學(xué)無錫第三章和硅東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫 礦石↑沙子、石東南大學(xué)無錫分1SiC(s)+SiO2(s)→Si(l)+SiO(g)+CO2Si(s)+3HCl(g)→SiHCl3(g)+H2(g)+32SiHCl3(g)+2H2(g)→2Si(s)+6HCl多晶和單晶結(jié)東南多晶和單晶結(jié)東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫分§3.2單晶硅生晶體生長：半導(dǎo)體級(jí)多晶硅轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉?/p>

東南大學(xué)無錫分硅

特點(diǎn)：工藝成熟，拉制大直較高，但 來自石英坩堝和加熱裝置的雜質(zhì)污染東南大學(xué)無錫分需要的材料：電子級(jí)純度的硅, 生長系統(tǒng)（500℃左右，籽晶（直徑0.5cm,10cm長）降料相接（300mm以上，長度一般1~2m)CZ東南大學(xué)無錫分CZCZ法的兩個(gè)關(guān)鍵問題東南大學(xué)無錫分氣 多晶棒(硅

特點(diǎn)：含氧量極少，能生東南大學(xué)無錫分CZ法與FZ法比東南大CZ法與FZ法比CZ

東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫分

直徑：50mm100mm125mm150mm

更大直徑硅東南大學(xué)無錫分 §3.3硅中的晶體缺§3.3硅中的晶體缺

東南大學(xué)無錫分點(diǎn)缺東南大學(xué)無錫點(diǎn)缺

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東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫分§3.4硅片

東南大學(xué)無錫分單晶生單晶硅單晶去和徑向定位邊磨硅片切

倒粘硅片刻查硅 的基本工藝步

東南大學(xué)無錫分 整刻整刻檢切拋切拋包東南大學(xué)無錫分PreparingcrystalingotforDiameter（徑向研磨Flat（定位邊研磨東南大學(xué)無東南大學(xué)無錫分定位 被刻印標(biāo)識(shí)數(shù)硅片定位槽和激光刻?hào)|南大學(xué)無錫分 鋸內(nèi)圓切東南大學(xué)無錫分磨片剛玉或砂等配東南大學(xué)無錫分倒東南大學(xué)無錫分倒倒角形狀

倒角的目的1、防止晶圓邊緣2、防止熱應(yīng)力集東南大學(xué)無錫分通常，腐蝕硅表面東南大學(xué)無錫分雙面硅片拋東南大雙面硅片拋200mm硅片厚度和表面粗200mm硅片厚度和表面粗糙度變

硅片要

年(標(biāo)準(zhǔn)尺寸

東南大學(xué)無錫分(0.35(0.25(0.18(0.13硅片直徑(mmx(22x(26x26x26x24232322(缺陷數(shù)(%uniformity) 3.0( 2.0( 1.4( 1.0(§3.5外延?xùn)|南大學(xué)§3.5外延外延epitaxial在上面epi排列東南大學(xué)無錫分東南大學(xué)無錫分外延?xùn)|南大學(xué)無