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文檔簡介
第8章89C51單片機(jī)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)8.1系統(tǒng)擴(kuò)展結(jié)構(gòu)
AT89C51系統(tǒng)并行擴(kuò)展結(jié)構(gòu)如圖8-1所示。
圖8-164K×8bit=64KB161616888321<按數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間擴(kuò)展>A0~A15D0~D7WRRDPSENP.11964K×8bit=64KB單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!圖8-2AT89C51單片機(jī)擴(kuò)展的片外三總線P3.6/P3.7/片外程序存儲(chǔ)器讀選通信號(hào)P3.6/片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通信號(hào)P3.7/片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通信號(hào)74LS373GP.120A0~A15,輸出16位地址碼,可選通216=64K個(gè)地址單元D0~D7,傳輸8位數(shù)據(jù)DQ直通鎖存8D透明鎖存器8888OE可擴(kuò)展存儲(chǔ)容量:64K單元×8b/單元=64KB單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!8.2地址空間分配和外部地址鎖存器
P.1208.2.2外部地址鎖存器1.鎖存器74LS373帶有三態(tài)門的8D鎖存器,其引腳及內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖8-7和圖8-8。89C51與74LS373的連接如圖8-9所示。圖8-874LS373內(nèi)部結(jié)構(gòu)OE*
G D Q
0 1 1 1 0 1 0 0 0 0 × 不變 1 × × 高阻態(tài)表8-374LS373功能表直通鎖存單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!例要擴(kuò)8片8KB的RAM6264,如何通過74LS138把64KB空間分配給各個(gè)芯片?
全地址譯碼方式:單片機(jī)輸出每一個(gè)邏輯地址碼對(duì)應(yīng)選中一個(gè)物理存儲(chǔ)單元。同類存儲(chǔ)器間不會(huì)產(chǎn)生地址重疊的問題。圖8-564KB地址空間劃分成8個(gè)8KB空間P.122【全譯碼】A15A14A138.2.1存儲(chǔ)器地址空間分配CBA
········A000········011········1單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!8.3程序存儲(chǔ)器EPROM的擴(kuò)展
程序存儲(chǔ)器通常采用只讀存儲(chǔ)器芯片,常態(tài)只讀、非易失性。(1)掩膜ROM在制造過程中通過掩膜工藝編程。永久不可更改,適大批量生產(chǎn)。(2)可編程ROM(PROM)用專門的編程器一次性編程寫入。(空白片通常全“1”)(3)可擦除可編程ROM(EPROM)電信號(hào)編程,紫外線擦除的只讀存儲(chǔ)器芯片。(4)電可擦除可編程ROM(E2PROM、EEPROM)電信號(hào)編程,電信號(hào)擦除的ROM芯片。讀寫操作與RAM幾乎沒有什么差別,只是寫入的速度慢一些。但斷電后能夠保存信息。(5)FlashROM又稱閃爍存儲(chǔ)器,簡稱閃存。大有取代E2PROM的趨勢。美國ATMEL公司生產(chǎn)的與51系列單片機(jī)兼容的產(chǎn)品89C2051/89C51/89C52/89C55,片內(nèi)分別有2KB/4KB/8KB/20KB的FlashROM,來作為EPROM使用P.124“編程”=“固化”=“燒寫”單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!1.常用的EPROM芯片27系列EPROM芯片的引腳如圖8-11所示,參數(shù)見表8-4。圖8-11中的引腳功能如下:A0~A15:地址線引腳。數(shù)目決定存儲(chǔ)容量來定,用來進(jìn)行單元選擇。D7~D0:數(shù)據(jù)線引腳CE*:片選輸入端OE*:輸出允許控制端PGM*:編程時(shí),加編程脈沖的輸入端Vpp:編程時(shí),編程電壓(+12V或+25V)輸入端Vcc:+5V,芯片的工作電壓。
GND:數(shù)字地。NC:無用端P.125“編程”=“固化”=“燒寫”單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!圖8-13外擴(kuò)一片27128的接口電路圖
P.129僅擴(kuò)展1片可將片選接為始終有效0000H~3FFFH4000H~7FFFH8000H~BFFFHC000H~FFFFHA15、A14未參與選擇存儲(chǔ)單元的譯碼【部分譯碼】存在4個(gè)地址重復(fù)區(qū)8.3.3AT89C51與EPROM的接口電路設(shè)計(jì)【部分譯碼】(多個(gè)邏輯地址對(duì)應(yīng)一個(gè)物理單元)單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!
表2-57位ASCII編碼表(B6B5B4B3B2B1B0)
B6B5B4B3B2B1B0000001
010
011
100
101
110
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DEL【相關(guān)知識(shí)】單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!A15....A0A15....A0D7..D0D7..D0OECEOEWECE【例B8-1】MCS-51單片機(jī)片外全擴(kuò)展示例27512EPROM62512SRAM64KB64KB74LS373GDQOE片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片外程序存儲(chǔ)器片外程序存儲(chǔ)器讀選通片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通片外數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通OE讀允許(RE、R)WE寫允許(WR、W)CE片選(CS、C)A8~A15A0~A7D0~D7單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!如果用74LS138把64K空間全部劃分為每塊4KB,如何劃分呢?圖8-6存儲(chǔ)器空間劃分成每塊4KB空間P.123【全譯碼】可再用一片74LS138譯出后8個(gè)4KB片選信號(hào),G1端直接連P2.7/A15A14A13A12A15“0”CBA
········A000········011········1單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁!8.3.1常用EPROM芯片典型芯片是27系列產(chǎn)品,例如,2764(8KB×8)、27128(16KB×8)、27256(32KB×8)、27512(64KB×8)?!?7”后面的數(shù)字表示其位存儲(chǔ)容量(Kb)。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展,大容量存儲(chǔ)器芯片的產(chǎn)量劇增,售價(jià)不斷下降,其性價(jià)比明顯增高,而且由于有些廠家已停止生產(chǎn)小容量的芯片,使市場上某些小容量芯片的價(jià)格反而比大容量芯片還貴。所以,在擴(kuò)展程序存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)時(shí),應(yīng)盡量采用大容量芯片。P.125單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁!圖8-11常用EPROM芯片引腳圖P.1268KB16KB32KB64KB單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁!3.使用多片EPROM的擴(kuò)展電路AT89C51擴(kuò)展4片27128(16KB芯片)。圖8-14
AT89C51擴(kuò)展4片27128P.130A15A14C000H~FFFFH8000H~BFFFH4000H~7FFFH0000H~3FFFH【全譯碼】16KB16KB16KB16KBG單片機(jī)學(xué)習(xí)09存儲(chǔ)擴(kuò)展共14頁,您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁!重點(diǎn)掌握的ASCII碼用一個(gè)字節(jié)表示西文字符時(shí),通常最高位為0。常用字符的ASCII碼。數(shù)字:'0'~'9':30H~39H
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