半導(dǎo)體制造中常用化學(xué)品1

半導(dǎo)體制造過程中常用的酸名稱符號用途氫氟酸HF刻蝕二氧化硅（SiO2）以及清洗石英器皿鹽酸HCl濕法清洗化學(xué)品，2號標(biāo)準(zhǔn)清洗液的一部分，用來去除硅中的重金屬元素硫酸H2SO4“piranha”溶液（7份H2SO4和3份30%的雙氧水）用來清洗硅片緩沖氧化層蝕刻（BOE）氫氟酸和氟化銨溶液HF/NH4F刻蝕二氧化硅薄膜（SiO2）磷酸H3PO4刻蝕氮化硅（Si3N4）硝酸HNO3用HF和HNO3的混合溶液來刻蝕磷硅酸鹽玻璃（PSG）半導(dǎo)體制造過程中常用的堿名稱符號用途氫氧化鈉NaOH濕法刻蝕氫氧化銨NH4OH清洗劑氫氧化鉀KOH正性光刻膠顯影劑氫氧化四甲基銨TMAH正性光刻膠顯影劑半導(dǎo)體制造過程中常用的溶劑名稱符號用途去離子水DIwater廣泛用于漂洗硅片和稀釋清洗劑異丙醇IPA通用的清洗劑三氯乙烯TCE用于硅片和一般用途的清洗溶劑丙酮Acetone通用的清洗劑（比IPA更強(qiáng)）二甲苯Xylene強(qiáng)的清洗劑，也可以用來去除硅片邊緣光刻膠半導(dǎo)體制造過程中常用的通用氣體性質(zhì)名稱/符號用途惰性氮?dú)?N2排出殘留在氣體配送系統(tǒng)和工藝腔中的濕氣和殘余氣體，有時也作為某些淀積工藝的工藝氣體氬氣/Ar在硅片工藝過程中用在工藝腔體中氦氣/He工藝腔氣體，也用于真空室的漏氣檢查還原性氫氣/H2外延層工藝的運(yùn)載氣體，也用在熱氧化工藝中與O2反應(yīng)生成水蒸氣等氧化性氧氣/O2工藝腔氣體半導(dǎo)體制造過程中常用的特種氣體性質(zhì)名稱/符號用途氫化物硅烷/SiH4氣相沉積工藝的硅源砷化氫/AsH3n型硅片離子注入的砷源磷化氫/PH3n型硅片離子注入的磷源乙硼烷/B2H6p型硅片離子注入的硼源原硅酸四乙酯/（TEOS）Si（OC2H5）4氣相沉積工藝的二氧化硅源二氯硅烷/SiH2Cl2氣相沉積工藝的硅源氟化物三氟化氮/NF3等離子刻蝕工藝中的氟離子源六氟化鎢/WF6金屬淀積工藝的鎢源四氟甲烷/CF4等離子刻蝕工藝中的氟離子源四氟化硅/SiF4等離子刻蝕工藝中的氟離子源酸性氣體三氟化氯/ClF3工藝腔體清潔氣體三氟化硼B(yǎng)F3p型硅片離子注入的硼源氯氣/Cl2金屬刻蝕中所用氯的來源三氯化硼/BCl3p型硅片離子注入的硼源，金屬刻蝕中所用氯的來源其他氯化氫/HCl工藝腔體清潔氣體和去污劑氨氣/NH3工藝氣體用來和SiH2Cl2反應(yīng)生成淀積用的Si3N4笑氣（一氧化二氮）/N2O與硅反應(yīng)生成二氧化硅的氧源一氧化碳/CO用在刻蝕工藝中硅片濕法清洗化學(xué)品沾污名稱配料分子式顆粒piranha（SPW）硫酸/過氧化氫/去離子水H2SO4/H2O2/H2OSC-1（APW）氫氧化銨/過氧化氫/去離子水NH4OH/H2O2/H2O有機(jī)物SC-1（APW）氫氧化銨/過氧化氫/去離子水NH4OH/H2O2/H2O金屬（不含銅）SC-2（HPW）鹽酸/過氧化氫/去離子水HCl/H2O2/H2Opiranha（SPW）硫酸/過氧化氫/去離子水H2SO4/H2O2/H2ODHF氫氟酸/水溶液HF/H2O自然氧化層DHF氫氟酸/水溶液HF/H2OBHF緩沖氫氟酸NH4F/HF/H2O典型的硅片濕法清洗順序步驟目的piranha清洗有機(jī)物與金屬UPW清洗（超純水）清洗DHF清洗自然氧化層UPW清洗