標準解讀

《YB 1602-1983 硅單晶》是一項關(guān)于硅單晶的技術(shù)標準，由中國冶金工業(yè)部于1983年發(fā)布。該標準主要規(guī)定了用于半導體器件制造的硅單晶的要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸和儲存等內(nèi)容。

根據(jù)該標準，硅單晶按電阻率分為N型（磷摻雜）和P型（硼摻雜），并依據(jù)其應(yīng)用目的被細分為不同的等級。對于每種類型的硅單晶材料，都詳細指定了允許的最大雜質(zhì)濃度限值，包括但不限于鐵、銅、金等金屬元素以及其他非金屬雜質(zhì)如碳、氧等。這些限制確保了最終產(chǎn)品能夠滿足特定電子元件對純凈度的需求。

此外，《YB 1602-1983 硅單晶》還定義了一系列物理性能指標，比如晶體直徑范圍、長度規(guī)格、表面質(zhì)量要求等，并且提供了相應(yīng)的測試方法來驗證是否符合這些規(guī)定。例如，通過化學分析或光譜技術(shù)測定特定雜質(zhì)的存在與否及其含量；利用X射線衍射儀檢查晶體結(jié)構(gòu)完整性；采用光學顯微鏡觀察樣品表面缺陷情況等。

最后，在質(zhì)量控制方面，本標準明確了抽樣方案及不合格品處理流程，同時對合格產(chǎn)品的標識方式、外包裝形式乃至儲存條件也給出了指導性意見。這有助于保證從生產(chǎn)到交付過程中產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 1983-08-18 頒布
  • 1984-10-01 實施
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YB中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1602-83硅單晶1983-08-18發(fā)布1984-10-01實施中華人民共和國治金工業(yè)部批準

中華人民共和國治金工業(yè)部部標準YB1602-83單本標準適用于真拉（CZ）法和區(qū)熔（FZ）法制備的硅單品鍵。主要供制造半導體分立元件、集成電路、電力半導體元件、探測器件和硅外延片襯底等用，技術(shù)要求1.1術(shù)語1.1.1電阻率值系指產(chǎn)品端面上測得的值。1.1.2電阻率中心值(p.)系指產(chǎn)品端面電阻率范圍的中心值.例如產(chǎn)品電阻率范圍為40～800.m>其中心值為602·cm.1.1.3電阻率偏差系指產(chǎn)品橫截面上電阻率圍繞中心伯的最大偏差.1.2直拉（CZ）法硅單品技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表！的規(guī)定直拉法硅單品技術(shù)參數(shù)電阻率偷差，瑞面電租率電阻率巾心值（P:）電不大于不大子晶向直徑·偏美元直徑編差·cm懷小手1范圍不大于范圍不大于于池圍不大子Sb<111>0.005<0.<0.01<100>25<ulr>0.01<p.<0.10.1<0:<5145~50土2.575~80±2.515-80+2.5<100<1110.001<p。<0.1<10021110.10.51100+2.5±2.5175~80+90±2.520<0。<50±2.575~80士25T00注：Q電阻率>100·m的產(chǎn)品器調(diào)試壽命值，電阻率<100·m的產(chǎn)品，如用戶有要求并在訂貨合同中連明，可提供參考值。Q表中字母A、B分別表示A級和B級（下同)1.3區(qū)熔（FZ）法硅單晶技術(shù)參數(shù)應(yīng)符合表2和表3的規(guī)定.中華

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