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晶閘管及其應(yīng)用第五章晶閘管(Thyristor)別名:可控硅(SCR)
(Silicon
ControlledRectifier)
它是一種大功率半導(dǎo)體器件,出現(xiàn)于70年代。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。 體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、容量大(正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏)。
特點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域:逆變整流(交流直流)斬波(直流交流)變頻(交流交流)(直流直流)此外還可作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)等符號(hào)AKGGKP1P2N1N2APPNNNPAGK2、工作原理示意圖APPNNNPGKi
g?i
g??ig工作原理分析KAGT1T2工作原理說(shuō)明UAK
>0
、UGK>0時(shí)T1導(dǎo)通ib1
=i
giC1=ig=ib2ic2=?ib2=
ig=ib1T2導(dǎo)通形成正反饋晶閘管迅速導(dǎo)通;T1進(jìn)一步導(dǎo)通結(jié)論晶閘管具有單向?qū)щ娦裕ㄕчl管一旦導(dǎo)通,控制極失去作用。若使其關(guān)斷,必須降低UAK或加大回路電阻,把陽(yáng)極電流減小到維持電流以下。向?qū)l件:A、K間加正向電壓,G、K間加觸發(fā)信號(hào));正向特性:控制極開(kāi)路時(shí),隨UAK的加大,陽(yáng)極電流逐漸增加。當(dāng)U
=UDSM時(shí),晶閘管自動(dòng)導(dǎo)通。正常工作時(shí),UAK應(yīng)小于UDSM。UDSM:斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓,又稱正向轉(zhuǎn)折電壓。特性說(shuō)明U--陽(yáng)極、陰極間的電壓I--陽(yáng)極電流反向特性:隨反向電壓的增加,反向漏電流稍有增加,當(dāng)U=URSM時(shí),反向極擊穿。正常工作時(shí),反向電壓必須小于URSM。URSM:反向不重復(fù)峰值電壓。UDRM:斷態(tài)重復(fù)峰值電壓。(晶閘管耐壓值。一般取UDRM=80%UDSM。普通晶閘管UDRM為100V---3000V)URRM:反向重復(fù)峰值電壓。(控制極斷路時(shí),可以重復(fù)作用在晶閘管上的反向重復(fù)電壓。一般取URRM=80%URSM。普通晶閘管URRM為100V--3000V)ITAV:通態(tài)平均電流。(環(huán)境溫度為40OC時(shí),在電阻性負(fù)載、單相工頻正弦半波、導(dǎo)電角不小于170o的電路中,晶閘管允許的最大通態(tài)平均電流。普通晶閘管ITAV為1A---1000A。)2、主要參數(shù)主要參數(shù)(續(xù))UTAV:通態(tài)平均電壓。(管壓降。在規(guī)定的條件下,通過(guò)正弦半波平均電流時(shí),晶閘管陽(yáng)、陰兩極間的電壓平均值。一般為1V左右。)IH:維持電流。(在室溫下,控制極開(kāi)路、晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后,維持導(dǎo)通狀態(tài)所必須的最小電流。一般為幾十到一百多毫安。)UG、IG:控制極觸發(fā)電壓和電流。(在室溫下,陽(yáng)極電壓為直流6V時(shí),使晶閘管完全導(dǎo)通所必須的最小控制極直流電壓、電流。一般UG為1到5V,IG為幾十到幾百毫安。)晶閘管型號(hào)通態(tài)平均電壓(UTAV)額定電壓級(jí)別(UDRM)額定通態(tài)平均電流(ITAV)晶閘管類型P---普通晶閘管K---快速晶閘管S---雙向晶閘管晶閘管K晶閘管電壓、電流級(jí)別額定通態(tài)電流(ITAV)通用系列為1、5、10、 20、30、50、100、200、300、400500、600、800、1000A等14種規(guī)格。額定電壓(UDRM)通用系列為:1000V以下的每100V為一級(jí),1000V到3000V的每200V為一級(jí)。通態(tài)平均電壓(UTAV)等級(jí)一般用A~I字母表示,由0.4~1.2V每0.1V為一級(jí)。工作波形tu2tuGtuLtuT(2):控制角:導(dǎo)通角輸出電壓及電流的平均值Uo=Io=(3)LORU2RLcos1U45.02a+=2、電感性負(fù)載(1)電路及工作原理設(shè)u1為正弦波DAuLGu1u2uTRKL
u2正半周時(shí)晶閘管導(dǎo)通,u2過(guò)零后,由于電感反電動(dòng)勢(shì)的存在,晶閘管在一定時(shí)間內(nèi)仍維持導(dǎo)通,失去單向?qū)щ娮饔?。D稱為續(xù)流二極管,加入D的目的就是消除反電動(dòng)勢(shì)的影響。工作波形(加續(xù)流二極管后)tu2tuGtuTuLtiLAV(3)電壓與電流的計(jì)算(加入續(xù)流二極管后的情況)U0=Io負(fù)載中的電壓及電流當(dāng)L>>R時(shí),ILAV在整個(gè)周期中可近似看做直流。LRUo=(二)單相全波可控整流電路1、電阻性負(fù)載橋式可控整流電路(1)電路及工作原理u2>0的導(dǎo)通路徑:u2
(A)T1RLD2u2
(B)T1、T2--晶閘管D1、D2--晶體管T1T2D1D2RLuLu2AB+-(2)工作波形tu2tuGtuLtuT1輸出電壓及電流的平均值Uo=Io=(3)LoRU2、電感性負(fù)載橋式可控整流電路u2T1T2D1D2DuLRL該電路加續(xù)流二極管后電路工作情況以及負(fù)載上的電流、電壓和電阻性負(fù)載類似,請(qǐng)自行分析。(2)T1T2D1D2u2uLRL電路特點(diǎn)該電路接入電感性負(fù)載時(shí),D1、D2
便起續(xù)流二極管作用。由于T1的陽(yáng)極和T2的陰極相連,兩管控制極必須加獨(dú)立的觸發(fā)信號(hào)。四、觸發(fā)電路1、單結(jié)晶體管工作原理結(jié)構(gòu)等效電路E(發(fā)射極)B2(第二基極)B1(第一基極)NPEB2B1RB2RB1管內(nèi)基極體電阻PN結(jié)工作原理UAuE
<
UA+UF=UP時(shí)PN結(jié)反偏,iE很?。籾E
UP時(shí)PN結(jié)正向?qū)?iE迅速增加。B2ERB1RB2B1AUBBiE--分壓比(0.35~0.75)UP--峰點(diǎn)電壓UF--PN結(jié)正向?qū)▔航?、單結(jié)晶體管的特性和參數(shù)IEuEUVUPIVUV、IV--谷點(diǎn)電壓、電流(維持單結(jié)管導(dǎo)通的最小電壓、電流。)負(fù)阻區(qū):UE>UP后,大量空穴注入基區(qū),致使IE增加、UE反而下降,出現(xiàn)負(fù)阻。UP--峰點(diǎn)電壓(單結(jié)管由截止變導(dǎo)通所需發(fā)射極電壓。)單結(jié)管符號(hào)EB2B1單結(jié)管重要特點(diǎn)UE<UV時(shí)單結(jié)管截止;UE>UP時(shí)單結(jié)管導(dǎo)通。小結(jié)3、單結(jié)晶體管振蕩電路RR2R1CUucuOEB1ucttuouvup振蕩波形uE=uC<UP時(shí),單結(jié)管不導(dǎo)通,uo
0。此時(shí)R1上的電流很小,其值為:振蕩過(guò)程分析IR1R1、R2是外加的,不同于內(nèi)部的RB1、RB2。前者一般取幾十歐~幾百歐;RB1+RB2一般為2~15千歐。uOR2R1RCUucE
隨電容的充電,uc逐漸升高。當(dāng)
uC
UP時(shí),單結(jié)管導(dǎo)通。然后電容放電,R1上便得到一個(gè)脈沖電壓。R2R1RCUucEuOR2起溫度補(bǔ)償作用ucUpUvuoUp-UDUP、UV--峰點(diǎn)、谷點(diǎn)電壓UD--PN結(jié)正向?qū)▔航底⒁猓篟值不能選的太小,否則單結(jié)管不能關(guān)斷,電路亦不能振蕩。電容放電至ucuv時(shí),單結(jié)管重新關(guān)斷,使
uo0。脈沖寬度的計(jì)算:Tuoucupuvtw振蕩周期的計(jì)算:4、具有放大環(huán)節(jié)的可控整流電路放大環(huán)節(jié)調(diào)節(jié)過(guò)程:US(給定電壓)T1管的uc1T2管的ic2電容充電速度加快觸發(fā)脈沖前移uL脈沖變壓器Ru2RE2R1RST1T2RE1RC1US五、晶閘管的保護(hù)
晶閘管的過(guò)流、過(guò)壓能力很差,是它的主要缺點(diǎn)。晶閘管的熱容量很小,一旦過(guò)流,溫度急劇上升,器件被燒壞。例如一只100A的晶閘管過(guò)電流為400A時(shí),僅允許持續(xù)0.02秒,否則將被燒壞;晶閘管承受過(guò)電壓的能力極差,電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí),即使時(shí)間極短,也容易損壞。正向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí),會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通,導(dǎo)通后的電流較大,使器件受損。過(guò)流保護(hù)快速熔斷器:電路中加快速熔斷器;加入方法如下圖:過(guò)流繼電器:在輸出端裝直流過(guò)電流繼電器;過(guò)流截止電路:利
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