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第3章場效應(yīng)管及其應(yīng)用3.1場效應(yīng)管及其應(yīng)用3.2場效應(yīng)及其放大電路3.1場效應(yīng)管
場效應(yīng)管按結(jié)構(gòu)分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管兩類。
3.1.1結(jié)型場效應(yīng)管
1.結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理1)基本結(jié)構(gòu)及符號如圖3.1(a)所示,在一塊N型硅半導(dǎo)體兩側(cè)制作兩個(gè)P型區(qū)域,形成兩個(gè)PN結(jié),把兩個(gè)P型區(qū)相連后引出一個(gè)電極,稱為柵極,用字母G(或g)表示。
圖3.1結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)與符號圖結(jié)構(gòu);(b)N溝道結(jié)型場效應(yīng)管符號;(c)P溝道結(jié)型場效應(yīng)
圖3.2N溝道結(jié)型場效應(yīng)管工作原理
圖3.3N溝道結(jié)型場效應(yīng)管轉(zhuǎn)移特性曲線
2)輸出特性輸出特性是指柵源電壓uGS一定,漏極電流iD與漏極電壓uDS之間的關(guān)系,即
在UGS(off)≤uGS≤0的范圍內(nèi),漏極電流iD與柵極電壓uGS的關(guān)系為(3.2)(3.3)
3.1.2絕緣柵型場效應(yīng)管
1.增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理1)結(jié)構(gòu)及符號2)工作原理
圖3.5增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)及符號圖(a)N溝道結(jié)構(gòu)圖;(b)N溝道符號;(c)P溝道符號圖3.6N溝道增強(qiáng)型MOS管工作原理
3)特性曲線(1)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖3.7(a)所示。在uGS≥UGS(th)時(shí),iD與uGS的關(guān)系可用下式表示:
(3.4)其中ID0是uGS=2UGS(th)時(shí)的iD值。(2)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖3.7(b)所示。
2.耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及工作原理圖3.8為N溝道耗盡型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)圖。其結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)相似,不同的是這種管子在制造時(shí),就在二氧化硅絕緣層中摻入了大量的正離子。
圖3.8耗盡型MOS管結(jié)構(gòu)及符號圖(a)N溝道結(jié)構(gòu)圖;(b)N溝道符號;(c)P溝道符號
圖3.9N溝道耗盡型場效應(yīng)管特性曲線(a)轉(zhuǎn)移特性;(b)輸出特性
在uGS≥UGS(off)時(shí),iD與uGS的關(guān)系可用下式表示:(3.5)
2.檢測及使用注意事項(xiàng)
1)檢測
結(jié)型效應(yīng)管可用萬用表判別其管腳和性能的優(yōu)劣。(1)管腳的判別(2)質(zhì)量判定2)注意事項(xiàng)(1)MOS管柵、源極之間的電阻很高,使得柵極的感應(yīng)電荷不易泄放,因極間電容很小,故會(huì)造成電壓過高使絕緣層擊穿。(2)有些場效應(yīng)晶體管將襯底引出,故有4個(gè)管腳,這種管子漏極與源極可互換使用。(3)使用場效應(yīng)管時(shí)各極必須加正確的工作電壓。(4)在使用場效應(yīng)管時(shí),要注意漏源電壓、漏源電流及耗散功率等,不要超過規(guī)定的最大允許值。
3.2場效應(yīng)管及其放大電路
與三極管一樣,根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同,將場效應(yīng)管放大電路分成共源、共漏和共柵三種組態(tài)。本節(jié)主要介紹常用的共源和共漏兩種放大電路。
3.2.1共源放大電路
1.電路組成及直流偏置
由于柵極電阻上無直流電流,因而(3.7)(3.8)
圖3.11分壓偏置式共源放大電路
場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)可用式(3.4)或式(3.5)與式(3.7)或式(3.8)聯(lián)立求出UGSQ和IDQ,漏源電壓UDSQ由下式求得:(3.9)
2.動(dòng)態(tài)分析放大電路的動(dòng)態(tài)參數(shù)可由微變等效電路求出。1)場效應(yīng)管的微變等效電路
2)共源放大電路的微變等效電路(1)電壓放大倍數(shù):(3.10)(2)輸入電阻:
(3.11)
(3)輸出電阻:
(3.12)
圖3.
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