GB/T 7167-2008鍺γ射線探測器測試方法

犐犆犛２７．１２０

犉８８

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜７１６７—２００８

代替ＧＢ／Ｔ７１６７—１９９６

鍺γ射線探測器測試方法

犜犲狊狋狆狉狅犮犲犱狌狉犲狊犳狅狉犵犲狉犿犪狀犻狌犿犵犪犿犿犪狉犪狔犱犲狋犲犮狋狅狉狊

（ＩＥＣ６０９７３：１９８９，ＮＥＱ）

２００８０７０２發(fā)布２００９０４０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

犌犅／犜７１６７—２００８

前言

本標(biāo)準(zhǔn)對應(yīng)于ＩＥＣ６０９７３：１９８９《鍺γ射線探測器測試方法》，與ＩＥＣ６０９７３：１９８９一致性程度為非

等效。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ７１６７—１９９６《鍺γ射線探測器測試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ７１６７—１９９６相比主要變化如下：

———修改了術(shù)語和定義中能量分辨力和探測器窗厚度等部分（見本標(biāo)準(zhǔn)３．１６、３．１７、３．２５）；

———刪除了鍺探測器分類部分（見原標(biāo)準(zhǔn)第３章）；

———修改了探測效率部分（見本標(biāo)準(zhǔn)第６章）。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國核工業(yè)集團(tuán)公司提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國核儀器儀表標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國原子能科學(xué)研究院。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：袁大慶，魏可新。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：ＧＢ／Ｔ７１６７—１９８７、ＧＢ／Ｔ７１６７—１９９６。

Ⅰ

書

犌犅／犜７１６７—２００８

鍺γ射線探測器測試方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了鍺γ射線探測器的性能測試方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于高純鍺γ射線探測器的性能測試，也適用于高純鍺Ｘ射線探測器和鍺（鋰）探測器的

性能測試。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＪＪＧ５７８—１９９４鍺γ譜儀體源活度測量裝置檢定規(guī)程

ＪＪＧ７５２—１９９１鍺γ譜儀活度標(biāo)準(zhǔn)裝置檢定規(guī)程

３術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

高純鍺犺犻犵犺狆狌狉犻狋狔犵犲狉犿犪狀犻狌犿（犎犘犌犲）

在室溫下，電活性雜質(zhì)凈濃度穩(wěn)定的鍺單晶，雜質(zhì)凈濃度典型值小于３×１０１０ｃｍ－３。在適當(dāng)?shù)钠珘?/p>

下，由常規(guī)尺寸高純鍺單晶制成的探測器可達(dá)到全耗盡。

３．２

平面型半導(dǎo)體探測器狆犾犪狀犪狉狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狋犲犮狋狅狉

半導(dǎo)體探測器的兩電接觸極面是平行的。

３．３

同軸半導(dǎo)體探測器犮狅犪狓犻犪犾狊犲犿犻犮狅狀犱狌犮狋狅狉犱犲狋犲犮狋狅狉

半導(dǎo)體探測器的兩電接觸極面是部分或全部同軸的。一般地，某一個電極的一端是閉合的，稱為單

開端同軸探測器。兩個電極端都不是閉合的，稱為雙開端同軸探測器。

３．４

普通電極同軸探測器犮狅狀狏犲狀狋犻狅狀犪犾犲犾犲犮狋狉狅犱犲犮狅犪狓犻犪犾犱犲狋犲犮狋狅狉

外接觸層（外電極）是Ｎ＋型的同軸探測器，外電極上加正偏壓。因探測器晶體采用Ｐ型高純鍺，

又稱Ｐ型同軸探測器。

３．５

反電極同軸探測器狉犲狏犲狉狊犲犲犾犲犮狋狉狅犱犲犮狅犪狓犻犪犾犱犲狋犲犮狋狅狉

外接觸層（電極）是Ｐ型的同軸探測器，外電極上加負(fù)偏壓。因探測器晶體采用