GB/T 6620-2009硅片翹曲度非接觸式測試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜６６２０—２００９

代替ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５

硅片翹曲度非接觸式測試方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵狑犪狉狆狅狀狊犻犾犻犮狅狀狊犾犻犮犲狊犫狔狀狅狀犮狅狀狋犪犮狋狊犮犪狀狀犻狀犵

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜６６２０—２００９

前言

本標準修改采用ＳＥＭＩＭＦ６５７０７０５《硅片翹曲度和總厚度變化非接觸式測試方法》。

本標準與ＳＥＭＩＭＦ６５７０７０５相比，主要有如下變化：

———本標準沒有采用ＳＥＭＩ標準中總厚度變化測試部分內容；

———本標準測試硅片厚度范圍比ＳＥＭＩ標準中要窄；

———本標準編制格式按ＧＢ／Ｔ１．１規(guī)定。

本標準代替ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５《硅片翹曲度非接觸式測試方法》。

本標準與ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５相比，主要有如下變動：

———修改了測試硅片厚度范圍；

———增加了引用文件、術語、意義和用途、干擾因素和測量環(huán)境條件等章節(jié)；

———修改了儀器校準部分內容；

———增加了仲裁測量；

———刪除了總厚度變化的計算；

———增加了對仲裁翹曲度平均值和標準偏差的計算。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準起草單位：洛陽單晶硅有限責任公司，萬向硅峰電子股份有限公司。

本標準主要起草人：張靜雯、蔣建國、田素霞、劉玉芹、樓春蘭。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ６６２０—１９８６、ＧＢ／Ｔ６６２０—１９９５。

Ⅰ

書

犌犅／犜６６２０—２００９

硅片翹曲度非接觸式測試方法

１范圍

本標準規(guī)定了硅單晶切割片、研磨片、拋光片（以下簡稱硅片）翹曲度的非接觸式測試方法。

本標準適用于測量直徑大于５０ｍｍ，厚度大于１８０μｍ的圓形硅片。本標準也適用于測量其他半

導體圓片的翹曲度。本測試方法的目的是用于來料驗收或過程控制。本測試方法也適用于監(jiān)視器件加

工過程中硅片翹曲度的熱化學效應。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而構成本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修訂單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＧＢ／Ｔ２８２８．１計數(shù)抽樣檢驗程序第１部分：按接收質量限（ＡＱＬ）檢索的逐批檢驗抽樣計劃

（ＧＢ／Ｔ２８２８．１—２００３，ＩＳＯ２８５９１：１９９９，ＩＤＴ）

ＧＢ／Ｔ６６１８硅片厚度和總厚度變化測試方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導體材料術語

３術語和定義

由ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的及以下半導體材料術語和定義適用于本標準。

３．１

中位面犿犲犱犻犪狀狊狌狉犳犪犮犲

與晶片的正表面和背表面等距離點的軌跡。

３．２

翹曲度狑犪狉狆

在質量合格區(qū)內，一個自由的，無夾持的硅片中位面相對參照平面的最大和最小距離之差。

４方法提要

硅片置于基準環(huán)的３個支點上，３個支點形成一基準平面。測試儀的一對探頭在硅片上、下表面沿

規(guī)定的路徑同步掃描。在掃描過程中，成對地給出上、下探頭與硅片最近表面之