GB/T 6217-1998半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范

ICS31.080.30L42GB中華人民共和國國家標準GB/T6217—1998idtIEC747-7-1:1989QC750102半導體器件分立器件第7部分：雙極型品體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范Semiconductordevices--Discretedevices一Part7:BipolartransistorsSectionOne--Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification1998-11-17發(fā)布1999-06-01實施國家質量技術監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇：高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范GB/T6217-1998中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337、637874471999年6月第一版2004年12月電子版制作書號：155066·1-15868版權專有·侵權必究舉報電話：（010）68533533

GB/T6217-1998前吉本規(guī)范是等同采用國際標準IEC747-7-1:1989《半導體器件分立器件高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范》第一版對GB/T6217—1986進行修訂的。本規(guī)范與前版的主要差別是增加了配對晶體管的技術要求。本規(guī)范由中華人民共和國電子工業(yè)部提出。本規(guī)范由全國半導體器件標準化技術委員會歸口。本規(guī)范由電子工業(yè)部標準化研究所負責起草。本規(guī)范主要起草人：王長福、顧振球、鄧康、黃世杰。

GB/T6217-1998IEC前言1）IEC(國際電工委員會)在技術問題上的正式?jīng)Q議或協(xié)議,是由對這些問題特別關切的國家委員會參加的技術委員會制定的，對所涉及的間題盡可能地代表了國際上的一致意見。2)這些決議或協(xié)議,以推薦標準的形式供國際上使用,并在此意義上為各國家委員會所認可。3）為了促進國際間的統(tǒng)一,IEC希望各國家委員會在本國條件許可的情況下,采用IEC標準的文本作為其國家標準,IEC標準與相應國家標準之間的差異,應盡可能在國家標準中指明。本標準由國際電工委員會第47技術委員會(半導體器件)制定本標準是高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管空白詳細規(guī)范。本標準文本以下列文件為依據(jù)：六個月法表決報告47（C0)956和47（C098347（C0)971和47（C0）1027表決批準本標準的詳細資料可在上表所列的表決報告中查閱本標準封面上的QC號是國際電工委員會電子元器件質量評定體系(IECQ)的規(guī)范號本標準中引用的其他IEC標準：IEC68-2-17:1978基本環(huán)境試驗程序第2部分：試驗試驗Q:密封IEC191-2:1966半導體器件的機械標準化第2部分：尺寸(在修訂中)IEC747-2:1983半導體器件分立器件第2部分：整流二極管IEC747-7:1988半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管TEC747-10:1984半導體器件第10部分：分立器件和集成電路總規(guī)范IEC747-11:1985半導體器件第11部分：分立器件分規(guī)范IEC749:1984半導體器件機械和氣候試驗方法

中華人民共和國國家標準半導體器件分立器件第7部分：雙極型晶體管第一篇高低頻放大環(huán)境額定的雙極型晶體管空白詳細規(guī)范GB/T6217—1998idtIEc7477-1:1989OC750102Semiconductordevices-Discretedevices代替GB/T6217-1986Part7:BipolartransistorsSectionOne-Blankdetailspecificationforambient-ratedbipolartransistorsforlowandhighfrequencyamplification引言本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制定高低頻放大環(huán)境額定的雙極型品體管詳細規(guī)范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規(guī)范應與本空白詳細規(guī)范一致。本空白規(guī)范是與GB/T4589.1一1989《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》IEC747-10:1984)和GB/T12560一1990《半導體器件分立器件分規(guī)范》IEC747-11:1985)有關的一系列空白詳細規(guī)范中的一個。要求資料下列所要求的各項內容，應列入規(guī)定的相應空欄中。詳細規(guī)范的識別「1授權起草詳細規(guī)范的國家標準機構名稱。「21IECQ詳細規(guī)范號L3」總規(guī)范號和分規(guī)范號以及年代號?！?詳細規(guī)范號、發(fā)布日期和國家體系要求的任何更多的資料器件的識別【57器件型號，【6典型結構和應用資料。如果設計一種器件滿足若干應用，則應在詳細規(guī)范中指出。這些應用的特性、極限值和檢驗要求均應子以滿足。如果器件對靜電敏感或含有害物質,例如氧化皺，則應在詳細規(guī)范中附加注意事項?！?外形圖和(或)引用有關的外形標準.【8]質量評定類別?！?]能在各器件型號之間比較的最重