GB/T 4937.18-2018半導體器件機械和氣候試驗方法第18部分：電離輻射(總劑量)

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標準

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—

Part18Ionizinradiationtotaldose

:g()

(IEC60749-18:2002,IDT)

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半導體器件機械和氣候試驗方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

GB/T4937.18—2018/IEC60749-18:2002

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務熱線

:400-168-0010

年月第一版

20189

*

書號

:155066·1-61111

版權專有侵權必究

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

前言

半導體器件機械和氣候試驗方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標志耐久性

———9:;

第部分機械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分掃頻振動

———12:;

第部分鹽霧

———13:;

第部分引出端強度引線牢固性

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻照

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影響

———20:;

第部分對潮濕和焊接熱綜合影響敏感的表面安裝器件的操作包裝標志和運輸

———20-1:、、;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強加速應力試驗

———24:(HSAT);

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗人體模型

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗機械模型

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗帶電器件模型器件級

———28:(ESD)(CDM);

第部分閂鎖試驗

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗前的預處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學掃描顯微鏡檢查

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

Ⅰ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

第部分采用加速度計的板級跌落試驗方法

———37:;

第部分半導體存儲器件的軟錯誤試驗方法

———38:;

第部分半導體元器件原材料的潮氣擴散率和水溶解率測量

———39:;

第部分采用張力儀的板級跌落試驗方法

———40:;

第部分非易失性存儲器件的可靠性試驗方法

———41:;

第部分溫度和濕度貯存

———42:;

第部分集成電路可靠性鑒定方案指南

———43:(IC);

第部分半導體器件的中子束輻照單粒子效應試驗方法

———44:。

本部分為的第部分

GB/T493718。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導體器件機械和氣候試驗方法第部分

IEC60749-18:2002《18:

電離輻射總劑量

()》。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本部分由全國半導體器件標準化技術委員會歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所中國科學院新疆理化技術研究所西北核

:、、

技術研究所

。

本部分主要起草人席善斌彭浩郭旗陸嫵陳偉林東生何寶平金曉明崔波陳海蓉

:、、、、、、、、、。

Ⅱ

GB/T493718—2018/IEC60749-182002

.:

半導體器件機械和氣候試驗方法

第18部分電離輻射總劑量

:()

1范圍

的本部分對已封裝的半導體集成電路和半導體分立器件進行60射線源電離輻射

GB/T4937Coγ

總劑量試驗提供了一種試驗程序

。

本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗方法這種退火試驗對低劑量率

。

輻射或者器件在某些應用情況下表現(xiàn)出時變效應的應用情形是比較重要的

。

本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照并不適用于脈沖型輻照

,。

本部分主要針對軍事或空間相關的應用

。

本試驗可能會導致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴重退化因而被認為是破壞性試驗

,。

2術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

21

.

電離輻射效應ionizingradiationeffects

由輻射感生電荷引起分立器件或集成電路電參數(shù)的變化

。

注也稱為總劑量效應

:。

22

.

輻照中測試in-fluxtest

輻照期間對器件進行的電測試

。

23

.

非輻照中測試nonin-fluxt