GB/T 4058-2009硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０５８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０５８—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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郵政編碼：１０００４５

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電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

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開本８８０×１２３０１／１６印張１．２５字?jǐn)?shù)３３千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號：１５５０６６·１３９５６７

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書

犌犅／犜４０５８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５相比，主要有如下變化：

———范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)；

———增加了“術(shù)語和定義”章；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中“表１四種常用化學(xué)拋光液配方”刪除，在第５章中對化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修

改，刪除了乙酸配方；增加了鉻酸溶液Ａ的配制、Ｓｉｒｔｌ腐蝕液及Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液的配制；增加了

幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對比表；

———采用氧化程序替代原標(biāo)準(zhǔn)中的氧化的操作步驟；增加了（１１１）面缺陷的顯示方法及Ｗｒｉｇｈｔ腐

蝕液的腐蝕時間，將（１１１）面和（１００）面缺陷顯示方法區(qū)分開了；（１００）面缺陷的顯示增加了

Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液腐蝕方法；

———在缺陷觀測的測點選取中增加了“米”字型測量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅、劉陽。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ４０５８—１９８３、ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５；

———ＧＢ６６２２—１９８６、ＧＢ６６２３—１９８６。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５８—２００９

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測。

硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗也可參照此方法。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＹＳ／Ｔ２０９硅材料原生缺陷圖譜

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４中規(guī)定的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

４方法原理

模擬器件工藝的氧化條件，利用氧化來綴飾或擴(kuò)大硅片中的缺陷，