• 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2021-03-09 頒布
  • 2021-10-01 實施
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GB/T 39865-2021單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法_第1頁
GB/T 39865-2021單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法_第2頁
GB/T 39865-2021單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法_第3頁
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文檔簡介

ICS17180

Q65.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39865—2021

單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法

Methodformeasuringrefractiveindexofuniaxialopticalcrystals

2021-03-09發(fā)布2021-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T39865—2021

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國建筑材料聯(lián)合會提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC461)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位山東大學(xué)中國工程物理研究院化工材料研究所中國建材檢驗認(rèn)證集團(tuán)股份有

:、、

限公司中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王善朋陶緒堂孫洵尹文龍呂奎霖喬杰李春龍鄭國宗

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T39865—2021

單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單軸晶光學(xué)晶體折射率測量方法的環(huán)境要求測量原理與方法檢測儀器要求待測

、、、

量樣品準(zhǔn)備測量步驟數(shù)據(jù)處理和不確定度評定

、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于單軸晶光學(xué)晶體的折射率測量其他光學(xué)晶體的折射率測量可參照執(zhí)行

,。

2測量環(huán)境要求

測量環(huán)境要求如下

:

溫度測量過程中溫度變化不大于

a):21℃±3℃,0.5℃;

相對濕度不大于

b):30%;

振動滿足設(shè)備對環(huán)境的振動要求

c):。

3測量原理

垂直入射法測量單軸晶光學(xué)晶體折射率的測量原理如圖所示通過測量入射光經(jīng)過待測晶體的

1。

折射角和入射角由折射定律計算獲得待測晶體的折射率被測晶體加工成直角棱鏡樣品晶體光軸位

,。,

于入射直角面內(nèi)當(dāng)特定波長的非偏振平行光垂直入射到直角面時由于光和光的折射率不同經(jīng)

,,oe,

過晶體后在出射面發(fā)生不同角度折射通過自準(zhǔn)直儀分別測量光的折射角i和光的折射角i及入

,ooee

射角θ由公式和公式計算可得樣品的折射率n和n

,(1)(2)oe。

i

n=sino

oθ…………(1)

sin

i

n=sine

eθ…………(2)

sin

式中

:

n光折射率

o———o;

n光折射率

e———e

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