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硅檢制絨應(yīng)知應(yīng)會(huì)

CIB-B郝宗海硅檢目的檢測(cè)不良不良分類電阻率少子壽命厚度TTV尺寸PN型崩邊崩點(diǎn)油污線痕臺(tái)達(dá)硅檢機(jī)全貌①②③④⑤⑥ⅠⅢⅡⅣ臺(tái)達(dá)分選主控機(jī)界面檢測(cè)模組介紹圖一圖三圖二圖一為APV（左）和LPV（右）模組主要檢測(cè)尺寸、缺角和油污、崩點(diǎn)圖二為SM模組主要檢測(cè)線痕，圖三為UC模組主要檢測(cè)隱裂及雜質(zhì)。Semilab模組硅檢流程拆盒上料下料填寫流程單退庫(kù)手插片硅檢注意事項(xiàng)線痕如圖2，機(jī)械手抓料后，硅片在行走臂上的線痕方向與行走臂垂直。圖2如圖3、4，硅片插入小花籃時(shí)線痕方向是平行的（小花籃豎直放置）。圖3圖4小花籃硅檢操作注意事項(xiàng)取原材料硅片盒時(shí)，雙手最多抱兩盒。

取、放承片盒時(shí)，注意雙手抱對(duì)角線位置、輕拿輕放。陷光原理：當(dāng)光入射到一定角度的斜面，光會(huì)反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，從而增加吸收率。制絨原理利用低濃度堿溶液對(duì)晶體硅在不同晶體取向上具有不同腐蝕速率的各向異性腐蝕特性，在硅片表面腐蝕形成角錐體密布的表面形貌，就稱為表面織構(gòu)化。角錐體四面全是由〈111〉面包圍形成。反應(yīng)式為：

Si+2NaOH+H2O→Na2SiO3+2H2↑制絨原理(100)(110)(111)制絨原理制絨原理顯微鏡下圖像放大后圖像金字塔實(shí)貌NaOH溶液濃度反應(yīng)溫度制絨的根本IPA濃度NaSiO3濃度提高溶液濃稠度，控制反應(yīng)速度硅片表面原始狀態(tài)氫氣泡密度及大小以及在硅片表面停留的時(shí)間決定金字塔形貌

攪拌提高反應(yīng)物疏運(yùn)速度，提高氫氣泡脫附作用

氫氣泡作用各個(gè)因素的作用制絨工藝流程1槽清洗2槽漂洗3槽粗拋4槽漂洗5.6.8.9.10制絨槽7.11槽漂洗12槽酸堿過渡13槽酸洗14槽漂洗15槽酸洗16槽漂洗17槽慢提拉制絨機(jī)慢提拉制絨作業(yè)注意事項(xiàng)制絨操作注意事項(xiàng)配制溶液時(shí)，嚴(yán)禁容器在半空中倒液。加酸時(shí)，防護(hù)用具穿戴齊

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