第五章 嵌入式系統(tǒng)的片外存儲系統(tǒng)

嵌入式微處理器系統(tǒng)及應用第五章嵌入式系統(tǒng)的片外存儲系統(tǒng)概述

片外存儲器ROM-NORFlash,NandFlash,EEPROMRAM-RAM,SDRAM,DDRSDRAM電子存儲器-SD,MMC,xD,CF,MS微硬盤主要內(nèi)容RAM的分類及特點

ROM的分類及特點電子存儲器介紹微硬盤介紹RAMSRAM工作原理

T1~T4組成一個雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。Q=0（或=1）這一穩(wěn)定狀態(tài)表示二進制“0”，另一穩(wěn)定狀態(tài)Q=1（或=0）表示二進制“1”。T5、T6：行選通門(每個存儲單元一對選通門)，受地址譯碼信號控制的；T7、T8：列選通門(每列存儲單元一對選通門)，受列選信號控制。存儲的數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)線T5/T6、D/-D和T7/T8傳輸?shù)酵獠恳€I/O和-I/O，D和-D稱為位線，I/O和-I/O稱為數(shù)據(jù)線

Vcc（+5V）行選線XT4T3T5T1T2T7T8D位線位線列選線YI/OI/OT6RAMSRAM組成結(jié)構(gòu)

X地址譯碼器輸出端提供X0~X63共64條行選線，每一行選線接在同一行中的64個存儲電路的行選端，為該行64個行選端提供行選信號；

Y地址譯碼器輸出端提供Y0~Y63共64條列選線，同一列的64個存儲電路共用一條位線，由列選線控制該位線與I/O數(shù)據(jù)線的連通

RAMSRAM特點

SRAM的基本結(jié)構(gòu)是一個雙穩(wěn)態(tài)電路，只要寫電路不工作，電路就保持現(xiàn)狀，不存在刷新的問題，一個SRAM基本單元包括6個晶體管和2個電阻。它不是通過利用電容充放電的特性來存儲數(shù)據(jù)，而是利用設(shè)置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)——同微處理器中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對于SRAM不是破壞性的，所以SRAM不存在刷新的問題，存取速度快RAMSRAM芯片結(jié)構(gòu)-W2465RAMSRAM用途

因為價格比較昂貴，而且容量很小，所以SRAM一般作為系統(tǒng)內(nèi)部的高速緩存或者某些處理器的外部擴展存儲器RAMDRAM工作原理讀操作行地址譯碼選中某一行，該行上所有基本存儲電路中的管子T全導通，于是連在每一列上的刷新放大器讀取該行上各列電容C的電壓；刷新放大器靈敏度高，將讀得的電壓放大整形成邏輯“0”或“1”的電平；對列地址進行譯碼產(chǎn)生列選信號，列選信號將被選行中該列的基本存儲電路內(nèi)容讀出送到芯片的數(shù)據(jù)I/O線上。寫操作

相應行、列選擇線為“1”，數(shù)據(jù)I/O線上的信息經(jīng)刷新放大器驅(qū)動后再通過T管加到電容C上。刷新在讀／寫過程中，某條行選線為“1”，該行上所有基本存儲電路都被選通，由刷新放大器讀取電容C上電壓；對非寫的存儲電路，刷新放大器讀出、放大、驅(qū)動之后又立即對之重寫，進行刷新(又稱再生)，維持電容C上的電荷，保持該存儲電路中的內(nèi)容（即狀態(tài)）不變；電容C是MOS管的極間電容，容量很小，讀出時電容C上的電荷被寄生的分布電容分泄，因此讀出后原來C上的電壓變得極小，是破壞性讀出，讀后必須重寫RAMDRAM結(jié)構(gòu) 由單管存儲元件組成的DRAM存儲矩陣簡圖，共有16384個存儲單元，每個存儲單元只有一個存儲元件，故存儲容量為16K×1。它需要14位地址碼。分成X地址碼（7位）和Y地址譯碼（7位）來共同選擇所需的存儲單元RAMDRAM特點

DRAM的速度比SRAM慢，但是由于結(jié)構(gòu)比SRAM簡單，所以相同容量的DRAM體積比SRAM小，所以價格便宜。一個DRAM單元由一個晶體管和一個小電容組成。晶體管通過小電容的電壓來保持斷開、接通狀態(tài)。當小電容有電時，晶體管接通表示l；當小電容沒電時，晶體管斷開表示0。所以DRAM中存儲的數(shù)據(jù)需要不斷地刷新。存取速度相對SRAM較慢。

RAMDRAM用途

早期主要用于顯卡，聲卡，硬盤等作為緩存，也用于PC系統(tǒng)作為主內(nèi)存，由于速度和容量的原因，現(xiàn)在已經(jīng)淘汰。RAMSDRAM特點

SDRAM(SynchronousDRAM：同步DRAM)是廣泛應用于計算機中的高速大容量存儲器，在相當長時期內(nèi)是存儲器市場的主流。前述的DRAM是非同步存取存儲器，在存取數(shù)據(jù)時必須等待若干時鐘周期才能接受和發(fā)送數(shù)據(jù)，如FPMDRAM和EDODRAM須分別等待3個和2個時鐘周期。這種等待限制了存儲器的數(shù)據(jù)傳輸速率，DRAM的速率不能超過66MHz。

SDRAM在同步脈沖控制下工作，和微處理器共享一個時鐘周期，在理論上可與微處理器外頻同步。多數(shù)SDRAM搭配運行的時鐘頻率為66MHz～133MHz，存取時間為15ns～7nsRAMSDRAMW981216芯片結(jié)構(gòu)

4組存儲體，每組為2Mx16，因此128Mb呈現(xiàn)2M×16位×4組的形式

RAMSDRAM用途

SDRAM以前也曾經(jīng)作為PC系統(tǒng)的主內(nèi)存和顯卡、聲卡等的緩存，現(xiàn)在也同樣因為速度、帶寬等不能滿足需要而逐步被PC系統(tǒng)淘汰。但是在嵌入式系統(tǒng)中目前應用非常廣泛，是目前嵌入式系統(tǒng)的首選存儲類型。

RAMDDRSDRAM特點

DDR從它的英文名稱DoubleDataRate上面就能看出他的含義，簡單的說就是雙倍傳輸速率的SDRAM。普通SDRAM內(nèi)存的工作方式是在一個時鐘周期的上升沿觸發(fā)進行工作。也就是說在一個時鐘周期內(nèi)，內(nèi)存將工作一次。而DDR的技術(shù)使得內(nèi)存可以在每一個時鐘周期的上升沿和下降沿分別觸發(fā)一次，這樣就使得在一個時鐘周期內(nèi)內(nèi)存可以工作兩次，這樣就使得DDR內(nèi)存在相同的時間內(nèi)能夠完成普通內(nèi)存兩倍的工作量。 利用時鐘的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)（一般的SDRAM僅允許在上升沿傳輸數(shù)據(jù)），這樣DDRSDRAM就可以在一個時鐘周期傳輸兩次數(shù)據(jù)，所以理論上具有SDRAM內(nèi)存兩倍的帶寬。實際工作時，DDR并不會比SDRAM快整整兩倍。在現(xiàn)階段的系統(tǒng)條件下，DDR內(nèi)存通常比SDRAM內(nèi)存快5％，而在一些與內(nèi)存帶寬密切相關(guān)的軟件應用中DDR才能夠發(fā)揮作用，增加的效能可能達到30％之多RAMDDRSDRAM芯片結(jié)構(gòu)

RAMDDRSDRAM用途

DDRSDRAM目前已經(jīng)普遍用于桌面PC系統(tǒng)作為主要內(nèi)存使用，對速度和性能要求較高的嵌入式系統(tǒng)也開始采用DDRSDRAM作為內(nèi)存。比如網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，音視頻處理設(shè)備等。RAMRAM芯片的選型和組合應用

RAM的選型

需要根據(jù)處理器支持的類型和軟件需要的空間來確定內(nèi)存芯片具體參數(shù)。一般主要考慮以下幾方面： 確定處理器支持哪些類型的RAM，比如飛利浦的很多處理器只能支持外接SRAM作為內(nèi)存，而三星公司的一般都可以支持SRAM、SDRAM等類型。如果應用程序很小，可以選擇可外接SRAM的處理器，從而簡化硬件設(shè)計。而如果應用程序很大，需要很多的內(nèi)存，則采用SRAM的成本就很高，此種情況就需要采用可外接SDRAM或DDRSDRAM的處理器和內(nèi)存芯片。 確定系統(tǒng)總線的數(shù)據(jù)位數(shù)。根據(jù)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理能力，PCB空間和成本進行綜合考慮。如果對系統(tǒng)運行速度要求不高，可以采用16位接口的單片芯片來完成（相對于32位的處理器），這樣可以節(jié)約大量的PCB空間用于其他用途。如果系統(tǒng)對性能要求很高，則可以選擇32位接口芯片或采用兩片16位芯片進行組合。 確定所需的RAM容量。根據(jù)程序運行的空間需求進行選擇，比如2MB，4MB，8MB等。RAMRAM芯片的選型和組合應用RAM的組合應用單片16位SRAM組成16位數(shù)據(jù)寬度

RAMRAM芯片的選型和組合應用RAM的組合應用兩片16位SRAM組成32位數(shù)據(jù)寬度

RAMRAM芯片的選型和組合應用RAM的組合應用單片16位SDRAM組成16位數(shù)據(jù)寬度

RAMRAM芯片的選型和組合應用RAM的組合應用兩片16位SDRAM組成32位數(shù)據(jù)寬度

主要內(nèi)容RAM的分類及特點

ROM的分類及特點

電子存儲器介紹微硬盤介紹ROMNORFlash工作原理ROMNORFlash特點

NORflash不需要改變電壓就可以進行擦除，通常通過WP（Writeprotect，寫保護）信號進行操作。具有EEPROM和RAM的特點，讀寫速度快，寫入數(shù)據(jù)后斷電不丟失。ROMNORFlash芯片結(jié)構(gòu)

ROMNORFlash應用

NORflash因為可以直接執(zhí)行代碼，而且存取速度很快，一般用于嵌入式系統(tǒng)中存放引導程序和應用程序。

NORflash的組合應用與RAM類似，也可以根據(jù)系統(tǒng)需要，將8位的flash組合為16位或者32位使用。ROMNANDFlash內(nèi)部結(jié)構(gòu)ROMNANDFlash特點

優(yōu)點：硬件接口簡單，總共只需要10幾根信號線，容量大，目前單片可以達到幾個Gb，遠遠超過NORflash，價格便宜，讀寫速度快。 缺點：必須處理器的專用接口才能作為引導器件，存取方式相對復雜，芯片容易存在缺陷，一般需要采用ECC算法進行校驗。

ROMNANDFlash讀操作

在初始上電時，器件進入缺省的“讀方式1模式”。在這一模式下，頁讀操作通過將00h指令寫入指令寄存器，接著寫入3個地址(1個列地址，2個行地址)來啟動。一旦頁讀指令被器件鎖存，下面的頁讀操作就不需要再重復寫入指令了。 寫入指令和地址后，處理器可以通過對信號線R/B的分析來判斷該操作是否完成。如果信號為低電平，表示器件正“忙”;為高電平，說明器件內(nèi)部操作完成，要讀取的數(shù)據(jù)被送入了數(shù)據(jù)寄存器。外部控制器可以在以50ns為周期的連續(xù)RE脈沖信號的控制下，從I/O口依次讀出數(shù)據(jù)。連續(xù)頁讀操作中，輸出的數(shù)據(jù)是從指定的列地址開始，直到該頁的最后-個列地址的數(shù)據(jù)為止。ROMNANDFlash寫操作

K9F1208UOB的寫入操作也以頁為單位。寫入必須在擦除之后，否則寫入將出錯。 頁寫入周期總共包括3個步驟：寫入串行數(shù)據(jù)輸入指令(80h)，然后寫入3個字節(jié)的地址信息，最后串行寫入數(shù)據(jù)。串行寫入的數(shù)據(jù)最多為528字節(jié)，它們首先被寫入器件內(nèi)的頁寄存器，接著器件進入一個內(nèi)部寫入過程，將數(shù)據(jù)從頁寄存器寫入存儲宏單元。 串行數(shù)據(jù)寫入完成后，需要寫入“頁寫入確認”指令10h，這條指令將初始化器件的內(nèi)部寫入操作。如果單獨寫入10h而沒有前面的步驟，則10h不起作用。10h寫入之后，K9F1208UOB的內(nèi)部寫控制器將自動執(zhí)行內(nèi)部寫入和校驗中必要的算法和時序，這時系統(tǒng)控制器就可以去做其他的事了。 內(nèi)部寫入操作開始后，器件自動進入“讀狀態(tài)寄存器”模式。在這一模式下，當RE和CE為低電平時，系統(tǒng)可以讀取狀態(tài)寄存器?？梢酝ㄟ^檢測R/B的輸出，或讀狀態(tài)寄存器的狀態(tài)位(I/O6)來判斷內(nèi)部寫入是否結(jié)束。在器件進行內(nèi)部寫入操作時，只有讀狀態(tài)寄存器指令和復位指令會被響應。當頁寫入操作完成，應該檢測寫狀態(tài)位(I/O0)的電平。 內(nèi)部寫校驗只對沒有成功地寫為0的情況進行檢測。指令寄存器始終保持著讀狀態(tài)寄存器模式，直到其他有效的指令寫入指令寄存器為止。ROMNANDFlash塊擦除

擦除操作是以塊為單位進行的。擦除的啟動指令為60h，塊地址的輸入通過兩個時鐘周期完成。這時只有地址位A14到A24是有效的，A9到A13則被忽略。塊地址載入之后執(zhí)行擦除確認指令D0h，它用來初始化內(nèi)部擦除操作。擦除確認命令還用來防止外部干擾產(chǎn)生擦除操作的意外情況。器件檢測到擦除確認命令輸入后，在WE的上升沿啟動內(nèi)部寫控制器開始執(zhí)行擦除和擦除校驗。內(nèi)部擦除操作完成后，檢測寫狀態(tài)位(I/O0)，從而了解擦除操作是否有錯誤發(fā)生。

ROMNANDFlash讀狀態(tài)寄存器

K9F1208UOB包含一個狀態(tài)寄存器，該寄存器反應了寫入或擦除操作是否完成，或?qū)懭牒筒脸僮魇欠駸o錯。寫入70h指令，啟動讀狀態(tài)寄存器周期。狀態(tài)寄存器的內(nèi)容將在CE或RE的下降沿處送出至I/O端口。 器件一旦接收到讀狀態(tài)寄存器的指令，它就將保持狀態(tài)寄存器在讀狀態(tài)，直到有其他的指令輸入。因此，如果在任意讀操作中采用了狀態(tài)寄存器讀操作，則在連續(xù)頁讀的過程中，必須重發(fā)00h或50h指令。ROMNANDFlash讀器件ID K9F1208UOB器件具有一個產(chǎn)品鑒定識別碼(ID)，系統(tǒng)控制器可以讀出這個ID，從而起到識別器件的作用。讀ID的步驟是：寫入90h指令，然后寫入一個地址00h。在兩個讀周期下，廠商代碼和器件代碼將被連續(xù)輸出至I/O口。 同樣，一旦進入這種命令模式，器件將保持這種命令狀態(tài)，直到接收到其他的指令為止。ROMNANDFlash復位

器件提供一個復位(RESET)指令，通過向指令寄存器寫入FFh來完成對器件的復位。當器件處于任意讀模式、寫入或擦除模式的忙狀態(tài)時，發(fā)送復位指令可以使器件中止當前的操作，正在被修改的存儲器宏單元的內(nèi)容不再有效，指令寄存器被清零并等待下一條指令的到來。當WP為高時，狀態(tài)寄存器被清為C0h。ROMNANDFlash應用

NANDflash因為其容量大，成本低，目前已廣泛用于嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤、以及固態(tài)硬盤等產(chǎn)品中。ROMNANDflash和NORflash的性能、可靠性對比ROMNORFlash的原理及特點NANDFlash的原理及特點EPROM原理及特點EEPROM原理及特點FRAM原理及特點ROMEPROM內(nèi)部結(jié)構(gòu)

輸入的地址信號在芯片內(nèi)部被分為X，Y兩塊，分別對應存儲矩陣的行和列，用于選中唯一的一個地址單元，然后在CE和OE的驅(qū)動下從O0-O7輸出相應數(shù)據(jù)。ROMEPROM特點

EPROM（ErasableProgrammableROM，可擦除可編程ROM）芯片可重復擦除和寫入，解決了PROM芯片只能寫入一次的弊端。EPROM芯片有一個很明顯的特征，在其正面的陶瓷封裝上，開有一個玻璃窗口，透過該窗口，可以看到其內(nèi)部的集成電路，紫外線透過該孔照射內(nèi)部芯片就可以擦除其內(nèi)的數(shù)據(jù)，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM內(nèi)資料的寫入要用專用的編程器，并且往芯片中寫內(nèi)容時必須要加一定的編程電壓（VPP=12—24V，隨不同的芯片型號而定）。ROMEPROM應用

EPROM早期主要作為處理器的外部擴展存儲器以及PC上的BIOS存儲器，但是因為要用紫外線通過特殊設(shè)備才能擦除，所以后續(xù)逐漸被EEPROM所取代。ROMEEPROM工作原理

EEPROM的寫入過程是利用了隧道效應，即能量小于能量勢壘的電子能夠穿越勢壘到達另一邊。量子力學認為物理尺寸與電子自由程相當時，電子將呈現(xiàn)波動性，這里就是表明物體要足夠的小。就pn結(jié)來看，當p和n的雜質(zhì)濃度達到一定水平時，并且空間電荷極少時，電子就會因隧道效應向?qū)нw移。電子的能量處于某個級別允許級別的范圍稱為“帶”，較低的能帶稱為價帶，較高的能帶稱為導帶。

ROMEEPROM特點

EEPROM可以在系統(tǒng)進行編程，也可以根據(jù)需要進行多次擦除和修改，數(shù)據(jù)寫入之后即使斷電也不會丟失。一般可反復擦寫10萬次左右。ROMEEPROM應用

因為容量不是很大，所以EEPROM主要用于系統(tǒng)中存放引導程序、配置參數(shù)、需要修改的數(shù)據(jù)等。ROMFRAM工作原理

鐵電存儲器（FRAM）是近年來新出現(xiàn)的一種讀寫速度非?？斓拇鎯ζ?，它可以兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。 當一個電場被加到鐵電晶體時，中心原子順著電場的方向在晶體里移動。當原子移動時，它通過一個能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應到電荷擊穿并設(shè)置存儲器。移去電場后，中心原子保持不動，存儲器的狀態(tài)也得以保存。鐵電存儲器不需要定時更新，掉電后數(shù)據(jù)能夠繼續(xù)保存，速度快而且不容易寫壞。ROMFRAM芯片結(jié)構(gòu)

128x32FRAM陣列數(shù)據(jù)鎖存器地址鎖存器計數(shù)器串并轉(zhuǎn)換器控制邏輯8SDASCLWPA1A2ROMFRAM特點 鐵電存儲器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲器。鐵電存儲器在這兩類存儲類型間搭起了一座跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。鐵電存儲器在性能方面與EEPRON和Flash相比有三點優(yōu)勢之處： 首先，鐵電存儲器的讀寫速度更快。與其它存儲器相比，鐵電存儲器寫入時幾乎不需要等待時間，而EEPROM一般需要幾毫秒。讀的速度同樣也很快，和寫操作在速度上幾乎沒有太大的區(qū)別。 其次，F(xiàn)RAM存儲器幾乎可以無限次擦寫，而EEPROM則一般只能進行幾十萬次到100萬次的擦寫。ROMFRAM應用

FRAM主要用于對反復擦寫次數(shù)要求高，讀寫速度快的場合。應用領(lǐng)域也越來越廣泛，比如儀器儀表、汽車、通信等。主要內(nèi)容RAM的分類及特點

ROM的分類及特點

電子存儲器介紹

微硬盤介紹電子存儲器CF卡介紹

CompactFlash的誕生比較早，由最大的FlashMemory卡廠商之一美國的SanDisk于1994年首次推出。CompactFlash的大小僅為43mm×36mm×3.3mm（火柴盒般大?。?，體積只有PCMCIA卡的1/4，看起來就像是PCMCIA卡的縮小版。

CompactFlash提供了完整的PCMCIA-ATA功能而且通過ATA/ATAPI-4兼容TrueIDE。和68針接口的PCMCIA卡不同，同樣遵從ATA協(xié)議的CompactFlash的接口只有50針

目前CF的最大容量是32GB，最高傳輸速率為20MB/s。

電子存儲器CF卡缺點

由于CF采用IDE接口，信號引腳多，體積大（有火柴盒大?。?，所以限制了其在小型設(shè)備上，如mp3，手機，相機等的使用。電子存儲器MMC卡介紹

MMC（MultiMediaCard）卡由西門子公司和首推CF的SanDisk于1997年推出。1998年1月十四家公司聯(lián)合成立了MMC協(xié)會（MultiMediaCardAssociation簡稱MMCA），現(xiàn)在會員已經(jīng)有超過210家，主要包括了主機系統(tǒng)、卡、部件和連接器等的制造商。其會員分為兩大類：執(zhí)行會員(具有投票表決的權(quán)利)和普通會員。

MMC的發(fā)展目標主要是針對數(shù)碼影像、音樂、手機、PDA、電子書、玩具等產(chǎn)品，以前MMC卡號稱是目前世界上最小的FlashMemory存貯卡，尺寸只有32mmx24mmx1.4mm。雖然比SmartMedia厚，但整體體積卻比SmartMedia小，而且也比SmartMedia輕，只有1.5克。MMC也是把存貯單元和控制器一同做到了卡上，智能的控制器使得MMC保證兼容性和靈活性 目前MMC卡的最大容量為4GB，傳輸速率最高為6MB/s電子存儲器SD卡介紹

SD（SecureDigital）卡由松下電器、東芝和SanDisk聯(lián)合推出，1999年8月被首次發(fā)布。2000年2月1日成立了SD協(xié)會（SDA），成員公司超過90個，其中包括Hewlett-Packard，IBM，Microsoft，Motorola，NEC、SamsungElectronics，ToyotaMotor等國際知名的半導體廠商。電子存儲器SD卡特點 目前SD卡的容量最大為32GB，最高傳輸速率為20MB/sSD卡miniSD卡microSD卡電子存儲器SD卡應用

SD卡最大的特點就是通過加密功能，保證數(shù)據(jù)資料的安全保密。SD卡在售價方面要高于同容量的MMC卡。

SD卡多用于MP3隨身聽、數(shù)碼攝像機、數(shù)碼相機等，由于SD卡的體積要比CF卡小很多，并且它在容量、性能和價格上和CF卡的差距越來越小，目前正迅速在上述市場領(lǐng)域獲得很大的普及。電子存儲器SM卡介紹

SM（SmartMedia）卡是由東芝公司ToshibaAmericaElectronicComponents（TAEC）在1995年11月發(fā)布的FlashMemory存儲卡，三星公司在1996年購買了生產(chǎn)和銷售許可，這兩家公司成為主要的SmartMedia廠商。 為了推動SmartMedia成為工業(yè)標準，1996年4月成立了SSFDC論壇（SSFDC即SolidStateFloppyDiskCard，實際上最開始時SmartMedia被稱為SSFDC，1996年6月改名為SmartMedia，并成為東芝的注冊商標）。SSFDC論壇有超過150個成員，同樣包括不少大廠商，如Sony、Sharp、JVC、Philips、NEC、SanDisk等廠商。SmartMedia卡也是市場上常見的微存儲卡，一度在MP3播放器上非常地流行

電子存儲器SM卡缺點 由于SM卡的控制電路是集成在數(shù)碼產(chǎn)品當中，這使得產(chǎn)品的兼容性容易受到影響，所以目前新推出的數(shù)碼相機中都已經(jīng)沒有采用SM存儲卡的產(chǎn)品了。

電子存儲器xD卡介紹

xD卡全稱為XD-PICTURECARD，是由富士和奧林巴斯聯(lián)合推出的專為數(shù)碼相機使用的小型存儲卡。xD取自于“ExtremeDigital”，是“極限數(shù)字”的意思

電子存儲器xD卡特點袖珍的外形尺寸，為20mm×25mm×1.7mm，約為2克重優(yōu)秀的兼容性，采用單面18針接口，配合各式的讀卡器，可以方便地與個人電腦連接存儲容量大，其理論的最大容量可達8GB

電子存儲器xD卡缺點

奧林巴斯雖然在數(shù)碼單反機型中支持CF卡，但是DC產(chǎn)品中幾乎全系列采用xD卡。剛開始xD卡具有一定程度上的優(yōu)勢，但是隨著其它類型存儲卡的發(fā)展，在速度、容量以及價格的競爭下，xD卡已經(jīng)明顯沒有了優(yōu)勢，有時候甚至在市場上難以找到一個xD卡的讀卡器。在這樣的情況下，消費者在選擇相機時，必然會考慮存儲介質(zhì)的問題。所以xD卡目前也逐步淡出了存儲卡市場 電子存儲器Memorystick介紹

1997年7月Sony宣布開發(fā)MemoryStick，即記憶棒。MemoryStick被很多人稱為口香糖存儲卡，因為其尺寸確實像一條香口膠：50mm×21.5mm×2.8mm，重4克。

Memorystick采用精致醒目的藍色外殼（新的MS為白色），并具有寫保護開關(guān)。 電子存儲器Memo