GB/T 36613-2018發(fā)光二極管芯片點測方法

ICS31260

L45.

中華人民共和國國家標準

GB/T36613—2018

發(fā)光二極管芯片點測方法

Probetestmethodforlightemittingdiodechips

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T36613—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

芯片測試條件及步驟

4……………………2

電參數(shù)點測

5………………5

光參數(shù)點測

6………………5

靜電放電敏感性點測

7……………………6

GB/T36613—2018

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別這些專利的責任

。。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標準起草單位三安光電股份有限公司廈門市三安光電科技有限公司中國電子技術標準化研

:、、

究院廣州賽西標準檢測研究院有限公司

、。

本標準主要起草人蔡偉智梁奮劉秀娟李國煌呂艷金威邵曉娟周鋼時軍朋

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36613—2018

引言

半導體發(fā)光二極管芯片作為發(fā)光二極管器件的核心部件其性能好壞直接影響發(fā)光二極管器件在

,

半導體照明產品上的應用如何準確測試半導體發(fā)光二極管芯片的光電性能成為芯片制造和使用中

。,

的重要環(huán)節(jié)該標準的制定是為了確保在規(guī)模化生產的同時芯片質量可靠穩(wěn)定

。。

Ⅱ

GB/T36613—2018

發(fā)光二極管芯片點測方法

1范圍

本標準規(guī)定了發(fā)光二極管芯片以下簡稱芯片光參數(shù)直流電參數(shù)以及靜電放電敏感性的點測

(“”)、

條件和點測方法

。

本標準適用于批量生產的可見光發(fā)光二極管正裝芯片和薄膜芯片的檢測方法紫外光紅外光發(fā)

。、

光二極管芯片以及外延片的點測也可參照使用

。

本標準不適用于發(fā)光二極管芯片的熱參數(shù)和交流特性測試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體發(fā)光二極管測試方法

SJ/T11394—2009

半導體照明術語

SJ/T11395—2009

半導體發(fā)光二極管芯片測試方法

SJ/T11399—2009

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

SJ/T11395—2009。

31

.

點測probetest

對芯片光電性能和參數(shù)自動檢測的方法

。

注采用自動程控測試儀器以探針接觸形式對按一定規(guī)則排列的芯片進行瞬態(tài)測試并能按每一顆芯片的位置形

:,,

成參數(shù)分布圖

。

32

.

參數(shù)分布圖mapping

點測芯片后按芯片的位置形成用顏色表示光電參數(shù)測試值的彩色圖

。

33

.

瞬時測試transienttest

采用毫秒級脈沖驅動點亮芯片在測試時間內通過程控測試儀器自動讀取多個光電參數(shù)值

,,。

34

.

收光器photoreceiver

點測中用來采集被測芯片發(fā)光強度或輻射功率的儀器

。

35

.

載片卡盤chuck

點測中用來承載芯片并可提供芯片背面電極電性接觸的底盤