標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 36613-2018 發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測(cè)方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了發(fā)光二極管（LED）芯片在生產(chǎn)和質(zhì)量控制過(guò)程中進(jìn)行電氣性能測(cè)試的方法。其主要內(nèi)容包括但不限于以下幾個(gè)方面：

首先，定義了術(shù)語(yǔ)和定義，明確了“發(fā)光二極管”、“正向電壓”、“反向電流”等關(guān)鍵概念的具體含義，為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定基礎(chǔ)。

其次，指出了適用范圍，適用于各類LED芯片的電學(xué)參數(shù)測(cè)量，包括但不限于正向?qū)ㄌ匦?、反向擊穿特性的測(cè)定。

接著，描述了測(cè)試條件與環(huán)境要求，比如溫度、濕度以及光照條件等，確保不同實(shí)驗(yàn)室或生產(chǎn)線上獲取的數(shù)據(jù)具有可比性。

然后，詳述了具體的測(cè)試程序，從樣品準(zhǔn)備到實(shí)際操作步驟，再到數(shù)據(jù)記錄與處理方法，覆蓋整個(gè)測(cè)試流程。特別強(qiáng)調(diào)了如何正確連接測(cè)試設(shè)備與被測(cè)器件以避免因接觸不良導(dǎo)致的結(jié)果偏差。

此外，還規(guī)定了結(jié)果表示方式及精度要求，指導(dǎo)如何準(zhǔn)確地報(bào)告測(cè)試所得信息，并給出了推薦使用的單位制和有效數(shù)字保留規(guī)則。

最后，對(duì)于測(cè)試過(guò)程中可能出現(xiàn)的一些特殊情況也給予了說(shuō)明，比如異常值處理原則等，保證了即使遇到非典型情況也能按照統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)進(jìn)行評(píng)估。


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....

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  • 2018-09-17 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS31260

L45.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36613—2018

發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測(cè)方法

Probetestmethodforlightemittingdiodechips

2018-09-17發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T36613—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

引言

…………………………Ⅱ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

芯片測(cè)試條件及步驟

4……………………2

電參數(shù)點(diǎn)測(cè)

5………………5

光參數(shù)點(diǎn)測(cè)

6………………5

靜電放電敏感性點(diǎn)測(cè)

7……………………6

GB/T36613—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位三安光電股份有限公司廈門市三安光電科技有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研

:、、

究院廣州賽西標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)研究院有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人蔡偉智梁奮劉秀娟李國(guó)煌呂艷金威邵曉娟周鋼時(shí)軍朋

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T36613—2018

引言

半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片作為發(fā)光二極管器件的核心部件其性能好壞直接影響發(fā)光二極管器件在

,

半導(dǎo)體照明產(chǎn)品上的應(yīng)用如何準(zhǔn)確測(cè)試半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的光電性能成為芯片制造和使用中

。,

的重要環(huán)節(jié)該標(biāo)準(zhǔn)的制定是為了確保在規(guī)?；a(chǎn)的同時(shí)芯片質(zhì)量可靠穩(wěn)定

。。

Ⅱ

GB/T36613—2018

發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測(cè)方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了發(fā)光二極管芯片以下簡(jiǎn)稱芯片光參數(shù)直流電參數(shù)以及靜電放電敏感性的點(diǎn)測(cè)

(“”)、

條件和點(diǎn)測(cè)方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于批量生產(chǎn)的可見(jiàn)光發(fā)光二極管正裝芯片和薄膜芯片的檢測(cè)方法紫外光紅外光發(fā)

。、

光二極管芯片以及外延片的點(diǎn)測(cè)也可參照使用

。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于發(fā)光二極管芯片的熱參數(shù)和交流特性測(cè)試

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體發(fā)光二極管測(cè)試方法

SJ/T11394—2009

半導(dǎo)體照明術(shù)語(yǔ)

SJ/T11395—2009

半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片測(cè)試方法

SJ/T11399—2009

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

SJ/T11395—2009。

31

.

點(diǎn)測(cè)probetest

對(duì)芯片光電性能和參數(shù)自動(dòng)檢測(cè)的方法

。

注采用自動(dòng)程控測(cè)試儀器以探針接觸形式對(duì)按一定規(guī)則排列的芯片進(jìn)行瞬態(tài)測(cè)試并能按每一顆芯片的位置形

:,,

成參數(shù)分布圖

。

32

.

參數(shù)分布圖mapping

點(diǎn)測(cè)芯片后按芯片的位置形成用顏色表示光電參數(shù)測(cè)試值的彩色圖

。

33

.

瞬時(shí)測(cè)試transienttest

采用毫秒級(jí)脈沖驅(qū)動(dòng)點(diǎn)亮芯片在測(cè)試時(shí)間內(nèi)通過(guò)程控測(cè)試儀器自動(dòng)讀取多個(gè)光電參數(shù)值

,,。

34

.

收光器photoreceiver

點(diǎn)測(cè)中用來(lái)采集被測(cè)芯片發(fā)光強(qiáng)度或輻射功率的儀器

。

35

.

載片卡盤chuck

點(diǎn)測(cè)中用來(lái)承載芯片并可提供芯片背面電極電性接觸的底盤

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