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電學(xué)(一)電容器一、選擇題1.D解題思路組合電容的耐壓值為500V。2.Cdd2d1a解題思路:
未插入導(dǎo)體板前:3.
C解題思路:設(shè)平板電容器電荷面密度為:;兩板間的電吸引力為:。電容器的場(chǎng)強(qiáng)為:電壓:1.
解題思路:設(shè)給導(dǎo)體球系統(tǒng)帶電Q,其中兩球分別帶電為Q1、Q2。導(dǎo)線相連后成為一個(gè)整體,兩球電勢(shì)相等:二、填空題另解:兩球電勢(shì)相等,看成電容器的并聯(lián)2.
解題思路:電容串聯(lián)時(shí) 充電后,電容量小的電壓高,當(dāng),上的電壓為300V時(shí),則:組合電容的耐壓值為500V。耐壓值為500V3.
總電容為2.解:
給電容期帶電Q在半徑,空間內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)分布為電勢(shì)差:三、計(jì)算題電學(xué)(二)電介質(zhì)電容器的能量一、選擇題1.C,2.C二、填空題1.解題思路:等效于兩個(gè)電容器并聯(lián):2.增大,則解題思路:并聯(lián)斷開電源:插入介質(zhì)前后組合電容總電量不變,當(dāng)上的電量增大上的電量減少并聯(lián)不斷開電源:插入介質(zhì)前后組合電容電壓不變,增大,則上的電量增大。上的電量不變。3.4.5.三、計(jì)算題1.解:
磁場(chǎng)(一)畢薩定理一、選擇題1.A2.B二、填空題1.解題思路:園電流圓心處:2.解題思路:各邊在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度相同,大小為:3.解題思路:在O點(diǎn)產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度可以看作是兩條半無(wú)限長(zhǎng)直電流與一個(gè)半圓形弧電流產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度的疊加,大小為:4.解題思路:運(yùn)動(dòng)的帶電直導(dǎo)線,相當(dāng)于在直導(dǎo)線方向上通有電流I=V產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為:三、計(jì)算題 1.解:
xy由并聯(lián)電路電壓相等可求得:垂直紙面向外垂直紙面向里2.解:
O在電流的延長(zhǎng)線上方向:垂直紙面向外方向:垂直紙面向外磁場(chǎng)(二)安培環(huán)路定理一、選擇題1.C2.D二、填空題1.積分回路回路所包圍的面積的電流回路上的磁感應(yīng)強(qiáng)度回路內(nèi)包圍的回路外回路內(nèi)三、計(jì)算題:1.解:利用安培環(huán)路定律求B的分布。(因?yàn)椋碌膶?duì)稱性)2.解:由于線圈繞行的均勻性,可知磁場(chǎng)也成對(duì)稱分布。在以骨架中心軸為圓心所在位置的同心圓上分布的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小相同,且沿同心圓的切線方向由安培環(huán)路定理磁場(chǎng)(三)與變化的電場(chǎng)相聯(lián)系的磁場(chǎng)綜合練習(xí)一、選擇題:1.D2.D二、填空題1.迭加平行垂直2.3.三、計(jì)算題:磁場(chǎng)與地磁場(chǎng)之比三、計(jì)算題1、解:(1)如圖上極板充電狀態(tài)(2)RI+rr<R2.解:(2)磁通量r>R磁場(chǎng)(四)洛侖茲力一、選擇題1.B2.B二、填空題1.vBd
上極板2.3.三、計(jì)算題解:(1)平行于導(dǎo)線電流,則該處方向:垂直導(dǎo)線軸線,沿矢徑方向向外(背離導(dǎo)線向外)(2)平行于導(dǎo)線電流,則該處仍有方向:于行于導(dǎo)線中電流方向(3)垂直于導(dǎo)線與電子構(gòu)成的平面,此時(shí)與該處平行或反平行磁場(chǎng)(五)安培力磁力的功一、1A
二、1
IBR2
B整圓受力為0,半圓受力如圖F=IB2R,F(xiàn)-2T=0,T=IBRIFTTB2補(bǔ)ca,整個(gè)線圈受力為0,而ca受力為IBLca,i,故FabchbBacII3相等轉(zhuǎn)動(dòng)三、1解F1F3I1I2bF2oxI2dlxdx(2)取電流元I2dl,該處B每個(gè)線圈所受的最大磁力矩均為M=ISB,只轉(zhuǎn)動(dòng)而不移動(dòng)。三、2解BIR(0.1)2×10×0.52=π=7.85×10-2N.mπ12BR2=IMB=pm(1)(2)圖示位置線圈內(nèi)磁通量:轉(zhuǎn)過(guò)60度后線圈內(nèi)磁通量:在轉(zhuǎn)動(dòng)過(guò)程中磁力矩作功:磁(六)磁介質(zhì)一、
1A(8A)2A二、1
三、1.IIdSBR1r′R2μr得:2磁(七)綜合練習(xí)二一、
1C2D3C二、1
2ⅠⅡ
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