標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 34481-2017 低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了使用化學(xué)腐蝕法測(cè)定低位錯(cuò)密度鍺單晶片中位錯(cuò)密度的方法。它適用于評(píng)估和控制鍺單晶材料的質(zhì)量。

標(biāo)準(zhǔn)首先明確了術(shù)語(yǔ)定義，如“腐蝕坑”指的是在特定條件下通過(guò)化學(xué)或電化學(xué)腐蝕過(guò)程，在晶體表面形成的與位錯(cuò)相關(guān)的微小凹陷；“腐蝕坑密度”則表示單位面積上腐蝕坑的數(shù)量，通常用來(lái)間接反映材料內(nèi)部位錯(cuò)線的數(shù)量。

接著，《GB/T 34481-2017》詳細(xì)描述了測(cè)試所需設(shè)備、試劑及樣品準(zhǔn)備要求。例如，推薦使用氫氟酸作為主要腐蝕劑，并給出了具體的濃度配比建議；同時(shí)對(duì)實(shí)驗(yàn)環(huán)境條件也做了相應(yīng)規(guī)定，以確保結(jié)果的一致性和準(zhǔn)確性。

對(duì)于實(shí)際操作流程，標(biāo)準(zhǔn)提供了詳細(xì)的步驟指導(dǎo)，包括如何正確處理樣品、進(jìn)行腐蝕處理以及后續(xù)觀察分析等環(huán)節(jié)。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了安全注意事項(xiàng)，比如操作時(shí)應(yīng)佩戴適當(dāng)?shù)膫€(gè)人防護(hù)裝備，避免直接接觸有害化學(xué)品。


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  • 2017-10-14 頒布
  • 2018-07-01 實(shí)施
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GB/T 34481-2017低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法_第1頁(yè)
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GB/T 34481-2017低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度(EPD)的測(cè)量方法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)

文檔簡(jiǎn)介

ICS77040

H25.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T34481—2017

低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度

EPD的測(cè)量方法

()

TestmethodformeasurinetchitdensitEPDinlowdislocationdensit

gpy()y

monocrystallinegermaniumslices

2017-10-14發(fā)布2018-07-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T34481—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位云南中科鑫圓晶體材料有限公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司中科院半導(dǎo)

:、、

體研究所

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人惠峰普世坤董汝昆

:、、。

Ⅰ

GB/T34481—2017

低位錯(cuò)密度鍺單晶片腐蝕坑密度

EPD的測(cè)量方法

()

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了低位錯(cuò)密度鍺單晶片的腐蝕坑密度的測(cè)量方法

(EPD)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)試位錯(cuò)密度小于個(gè)2直徑為的圓形鍺單晶片的位錯(cuò)

1000/cm、75mm~150mm

腐蝕坑密度

。

2規(guī)范性引用文件

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。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

鍺單晶位錯(cuò)腐蝕坑密度測(cè)量方法

GB/T5252

3方法提要

鍺單晶片經(jīng)化學(xué)腐蝕法顯示位錯(cuò)腐蝕坑后用顯微鏡可觀察視場(chǎng)面積內(nèi)的腐蝕坑數(shù)目位錯(cuò)腐蝕

,。

坑密度等于穿過(guò)視場(chǎng)面積的腐蝕坑數(shù)目除以視場(chǎng)面積鍺單晶片主要有偏和偏

。0°、(100)(111)6°(100)

三種其位錯(cuò)圖像分別如圖圖圖所示

(111)9°,1、2、3。

圖10°200×圖2100偏1116°200×

()()

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